JPH06224183A - プラズマ利用装置 - Google Patents

プラズマ利用装置

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JPH06224183A
JPH06224183A JP3335109A JP33510991A JPH06224183A JP H06224183 A JPH06224183 A JP H06224183A JP 3335109 A JP3335109 A JP 3335109A JP 33510991 A JP33510991 A JP 33510991A JP H06224183 A JPH06224183 A JP H06224183A
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JP
Japan
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plasma
wall
gas
chamber
processing chamber
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JP3335109A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Inoue
潔 井上
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INR Kenkyusho KK
Original Assignee
INR Kenkyusho KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 プラズマの拡散を抑制し、不純物の混入を防
ぎ、精度の高い処理を行なうことのできるプラズマ利用
装置を提供する。 【構成】 プラズマを利用して蒸着、反応、エッチング
等の処理を行なう装置において、処理室１を形成する室
壁６の内壁面全体にわたって、内壁面近傍の処理室内に
イオン衝撃を軽減するミーンフリーパスを大きくする部
分を介在させる手段を設けたことを特徴とする。上記ミ
ーンフリーパスを大きくする手段として、内壁面近傍と
処理室内との間に一定の圧力差を形成するようにし、上
記圧力差形成手段として、室壁６の壁材に多孔質通気性
のものを用い、壁材を通してフローガスを吸引又は噴出
することにより壁材の内外にガス流を形成するよう構成
することが推奨される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用して各
種加工もしくは処理を行なう装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを利用してスパッタ蒸着、イオ
ンプレーティングするＰＶＤとかＣＶＤに必要な熱エネ
ルギをプラズマの作用によって供給するプラズマＣＶＤ
（プラズマ蒸着）や、低圧ガス中でグロー放電によりプ
ラズマを作り、陰極に置いた被加工物の表面を陽イオン
で衝撃するスパッタエッチングや、反応物質内にプラズ
マとかレーザーを打ち込んで化学反応させる反応処理装
置等において、従来、その処理室の室壁部分から不純物
の混入が起こり、特に高い純度を必要とする半導体加工
では問題が大きかった。
【０００３】このため従来は、磁界を加えてプラズマの
拡散が磁力線と直角方向には拡散しにくい特性を利用し
てプラズマ拡散を抑制したり、処理圧力を低圧にして中
性子の粒子数を減少させたり、又、１〜3000ＭＨz のＨ
Ｆ電源による電子サイクロトロン共鳴を使ったものも多
く利用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の装置で
は充分な解決がなされなかったプラズマの拡散を抑制
し、不純物の混入を防ぎ、精度の高い処理を行なうこと
のできるプラズマ利用装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るプラズマ利用装置は、処理室を形成す
る室壁の内壁面全体にわたって、内壁面近傍の処理室内
にイオン衝撃を軽減するミーンフリーパスを大きくする
部分を介在させる手段を設けたことを特徴とする。上記
ミーンフリーパスを大きくする手段として、内壁面近傍
と処理室内との間に一定の圧力差を形成することが推奨
され、またその圧力差形成手段としては、上記室壁の壁
材に多孔質通気性のものを用い、壁材を通してフローガ
スを吸引又は噴出することにより壁材の内外にガス流を
形成するよう構成することが推奨される。また、上記処
理室から排出されるガスの濃度若しくは種類を検出する
センサを設け、該センサの出力に基づいてプラズマ発生
用電源のパワー若しくはフローガス導入量を制御する制
御装置を設けることが推奨される。
【０００６】
【作用】本発明は、上記の如く、処理室を形成する室壁
の内壁面全体にわたって、内壁面近傍と処理室内との間
に一定の圧力差を形成する手段を設けたから、例えば内
壁面近傍の気圧を内部より高めることによってミーンフ
リーパスを短縮してプラズマの拡散を防ぐことができ、
逆に内壁面近傍の気圧を内部より低圧にしてプラズマか
らのガスイオンの加速衝撃効果を高めることができる。
【０００７】又、この内壁面近傍と内部との気圧差をつ
くるのに、室壁の壁材として多孔質通気性のものを用い
て、この壁材を通してフローガスの吸引、噴出をするこ
とにより、内壁面全体にわたって内外気流を均等に発生
させることができ、均一処理を行なうことができる。
又、本発明は、排出ガス濃度や種類等を検出してプラズ
マ発生用電源のパワーとかフローガスの導入量を制御す
るようにしたから、加工処理を極めて安定に高効率に行
なうことができる。
【０００８】
【実施例】以下図面に示した実施例を参照しつゝ本発明
を具体的に説明する。図１は本発明に係るプラズマを利
用するスパッタ蒸着装置の一実施例を示し、プラズマ中
にターゲットと基板を置き、プラズマ中で発生したイオ
ンをその場所で利用するものである。図中、１は処理
室、２はターゲット、３は対向電極で、蒸着する基板４
を保持する。ターゲット１に高周波駆動電源５を接続
し、対向電極３は接地してある。1aは内部の排気をする
排気口で、真空ポンプに連結する。６は処理室１を囲
繞、画成する室壁で、多孔質通気性に形成してあり、材
料としてはＳｉＯ2 を固定部に用い、その他にはアル
ミ、テフロンコーティングして用いる。７は更にその外
側を囲繞する外壁で、これにより二重壁に形成され、そ
の隙間にガス供給口８からアルゴンなどの作動ガスが供
給される。９はプラズマに集束用磁界を作用させる磁気
コイルである。
【０００９】以上において、ガス供給口８から10-2 Tor
r 程度の圧力でアルゴンを流しながら、ターゲット２及
び対向電極３の両極間に電圧を印加しグロー放電を発生
させる。駆動電源５に高周波を用いることによって、低
圧でも高密度のプラズマ10を発生させることができる。
プラズマ中の正イオンは陰極暗部の強電界によって加速
されてターゲット２に衝突し、スパッタ現象を起こす。
これによってたたき出されたターゲットの原子は、プラ
ズマ10中を通過して対向電極３側へ向かい、その上に置
かれた基板４上に蒸着せしめられる。ターゲット２から
スパッタされて基板４に蒸着されるターゲット物質はほ
とんど中性原子又は分子である。
【００１０】而して、イオンがターゲットに衝突する
と、スパッタと共に衝突イオンの散乱や二次電子放出な
どの現象が起こり、これが室壁６に衝突して壁面をスパ
ッタすると壁面からたたき出された不純物の混入が起こ
り、基板４の蒸着純度が低下するという不具合を生じ
る。然しながら、本発明における室壁６は前記の如く多
孔質の通気性に形成され、ガス供給口８から供給される
アルゴンがこの室壁６を通じて流れ込み、処理室１の内
部に向けて全体的に均一なガス流を形成し、室壁６の近
傍と内部とは圧力差を生じ、室壁６部分の圧力を高め
る。従って、この室壁近傍のミーンフリーパスが短縮さ
れ、壁面へのイオン、電子等の衝突が抑えられる。ま
た、内部プラズマ10には、周りの磁気コイル９によって
集束用の磁界が作用し、前記ミーンフリーパスの制御と
共にプラズマの拡散を抑制する。これにより壁面スパッ
タによる不純物の混入を防止し、半導体等の加工を極め
て高純度に処理することができる。
【００１１】図２は、スパッタエッチングを行なう処理
装置の実施例で、ターゲット電極11に被加工体試料13を
設け、これに対向するようもう一方の電極12を配置す
る。ターゲット電極11にはセルフバイアスを与えるコン
デンサを介して高周波電源14を接続し、対向電極12を接
地する。15は処理室１の室壁で、多孔質通気性の例えば
ＳｉＯ2 で構成され、外壁16との間にガス通路を形成す
る。17は排気口で、室壁15内及び外壁16間のガス通路に
連通し、真空ポンプに連結する。18はガス供給路、19は
磁気コイルである。
【００１２】供給口18から導入するガスとしては、不活
性スパッタエッチングの場合にはアルゴン等の不活性ガ
スを利用し、反応性スパッタエッチングの場合にはプラ
ズマ中で中性ラジカルを発生しやすい反応性ガスを利用
する。このガス導入によって室内気圧を10-3〜10-1 Tor
r 程度に保ち、又、室壁15を隔てた外側を10-5〜10-2To
rr 程度に排気しながら高周波電圧を印加すると、電極1
1及び12間にグロー放電が発生する。ターゲット電極11
はコンデンサで絶縁されているので、移動度の大きい電
子だけが表面に蓄積し、ほぼ高周波電圧に等しい値まで
負にセルフバイアスされる。このためターゲット電極11
の近傍の空間から電子が排除され、イオンと中性ガス分
子だけが存在するプラズマ20が形成される。印加電圧の
大部分はこのプラズマに加わるから、ここでは電界強度
が大きくなり、ガスイオンはこの電界に加速されて試料
13を衝撃してエッチング加工する。
【００１３】ガス供給口18に導入するガスとしてＳＦ6
などの反応性ガスを用いた場合は、中性ラジカルの化学
反応とターゲットへ入射するイオン衝撃とのスパッタ効
果及びそれらの複合作用により複合エッチングされ、エ
ッチング効果が向上する。実験に用いたフローガスは、
ＳＦ6 ガスを 400Sccm、Ｏ2 ガスを 250Sccm、Ｎ 2 ガス
を 250Sccmとした。例えばＳＦ6 ガスを用い、処理室の
内部圧を３×10-1Torrの条件で、高周波電源に 700Ｗ、
2460ＭＨz のパワー供給を行ないエッチング処理をした
とき、エッチング速度は約1280Å／min であった。室壁
15の内側直下は約５×10-3Torrで、磁界は２×10-2Ｔで
あった。アスペクト比は24であった。又、ＳＦ1 〜ＳＦ
4 の反応層が10〜30Åできた。又、−60〜−100 ℃の低
温エッチングを行なったときは、純度の向上とアスペク
ト比が 300程度になった。
【００１４】図３は図２の場合と反対に、室壁15を介し
て処理室１の外側から内側に向かうフローを形成するよ
うにした実施例で、図２と同符号は同一部分を示す。21
は排気口17に挿入して排ガス濃度を測定するためのセン
サであり、22がセンサ信号によってプラズマ発生用電源
14のパワー制御を行なう制御回路である。半導体等のエ
ッチング加工においては、純粋なイオンによるエッチン
グを目的とし、ガス中不純物による汚染をきらうので、
排出ガスの濃度や種類をセンサで検出し、これに基づい
てプラズマ発生パワーとか導入ガスを制御するようにす
れば安定した所期のエッチング処理ができるようにな
る。
【００１５】なお、ガスセンサの一例としては、レーザ
照射を利用することが考えられ、図４に示す如くレーザ
発振器23からガス排出口の壁面に傾斜してレーザビーム
を照射すると、レーザビームは内壁面を繰り返し反射し
ながら進み、他方に配置した受光素子24で検出する。レ
ーザビームが反射を繰り返しながら進行する過程におい
てフローガスに衝突すると、吸収、反射、散乱が起こ
り、その吸収量がガス濃度とかガスの種類によって相違
するので、一定の照射ビームに対し受光素子24で受光す
る光量に変化を生ずることになり、この受光信号の処理
により判定できる。例えば前記実施例におけるＳＦ1 〜
ＳＦ4 の吸収を求め、正確に不純物の量の測定、加工処
理速度の測定をすることができ、これに基づいて制御回
路22でプラズマ発生用電源14のパワーを制御し、又、図
示しないフローガスの流量制御を行ない、純度の高い安
定加工を可能とすることができる。又、ドライエッチン
グでスクレーピング加工をすることもできる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、処理
室を形成する室壁の内壁面全体にわたって、内壁面近傍
の処理室内にイオン衝撃を軽減するミーンフリーパスを
大きくする部分を介在させる手段を設け、その一手段と
して内壁面近傍と処理室内との間に一定の圧力差を形成
するようにしたから、壁面部分の気圧を内部よりも高め
ることも、反対に壁面部分の気圧を低下させることもで
き、例えば壁面部分の気圧を高めることによってミーン
フリーパスを短縮してプラズマの拡散を防ぐことがで
き、壁面からのスパッタによる不純物の混入を防止して
汚染のない純度の高い処理をすることができる。又、反
対に壁面部分を低圧にして内部からの気流を形成するよ
うにすれば、プラズマからのガスイオンの加速衝突効果
を高めることができ、加工処理速度の増加を期待でき
る。
【００１７】この壁面部分と内部との気圧差をつくるの
に、室壁の壁材として多孔質通気性のものを用いて、壁
を通してフローガスの吸引、噴出をすることにより、壁
面全体にわたって内外気流を均等に発生させることがで
き、均一処理を行なうことができる。又、本発明は、排
出ガスの濃度や種類等を検出してプラズマ発生用電源の
パワーとかフローガスの導入量を制御するようにしたか
ら、加工処理を極めて安定に高効率に行なうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ利用装置の一実施例を示
す説明図である。
【図２】本発明に係るプラズマ利用装置のもう一つの実
施例を示す説明図である。
【図３】本発明に係るプラズマ利用装置の更にもう一つ
の実施例を示す説明図である。
【図４】本発明に係るプラズマ利用装置に設けられる排
出ガス検出センサの一例を示す説明図である。
【符号の説明】
1 処理室 1a 排気口 2 ターゲット 3 対向電極 4 基板 5 プラズマ発生用電源 6 室壁 7 外壁 8 ガス供給口 9 磁気コイル 10 プラズマ 11 ターゲット電極 12 対向電極 13 被加工体試料 14 プラズマ発生用電源 15 室壁 16 外壁 17 排気口 18 ガス供給口 19 磁気コイル 20 プラズマ 21 排気ガス濃度検出センサ 22 制御回路 23 レーザ発振器 24 受光素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 プラズマ利用装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用して各
種加工もしくは処理を行なう装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを利用してスパッタ蒸着、イオ
ンプレーティングするＰＶＤとかＣＶＤに必要な熱エネ
ルギをプラズマの作用によって供給するプラズマＣＶＤ
（プラズマ蒸着）や、低圧ガス中でグロー放電によりプ
ラズマを作り、陰極に置いた被加工物の表面を陽イオン
で衝撃するスパッタエッチングや、反応物質内にプラズ
マとかレーザーを打ち込んで化学反応させる反応処理装
置等において、従来、その処理室の室壁部分から不純物
の混入が起こり、特に高い純度を必要とする半導体加工
では問題が大きかった。
【０００３】このため従来は、磁界を加えてプラズマの
拡散が磁力線と直角方向には拡散しにくい特性を利用し
てプラズマ拡散を抑制したり、処理圧力を低圧にして中
性子の粒子数を減少させたり、又、１〜3000ＭＨz のＨ
Ｆ電源による電子サイクロトロン共鳴を使ったものも多
く利用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の装置で
は充分な解決がなされなかったプラズマの拡散を抑制
し、不純物の混入を防ぎ、精度の高い処理を行なうこと
のできるプラズマ利用装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るプラズマ利用装置は、処理室を形成す
る室壁の内壁面全体にわたって、内壁面近傍の処理室内
にイオン衝撃を軽減するミーンフリーパスを小さくする
部分を介在させる手段を設けたことを特徴とする。上記
ミーンフリーパスを小さくする手段として、内壁面近傍
と処理室内との間に一定の圧力差を形成することが推奨
され、またその圧力差形成手段としては、上記室壁の壁
材に多孔質通気性のものを用い、壁材を通してフローガ
スを噴出することにより壁材の内外にガス流を形成する
よう構成することが推奨される。また、上記処理室から
排出されるガスの濃度若しくは種類を検出するセンサを
設け、該センサの出力に基づいてプラズマ発生用電源の
パワー若しくはフローガス導入量を制御する制御装置を
設けることが推奨される。
【０００６】
【作用】本発明は、上記の如く、処理室を形成する室壁
の内壁面全体にわたって、内壁面近傍と処理室内との間
に一定の圧力差を形成する手段を設けたから、例えば内
壁面近傍の気圧を内部より高めることによってミーンフ
リーパスを短縮してプラズマの拡散を防ぐことができ
る。
【０００７】又、この内壁面近傍と内部との気圧差をつ
くるのに、室壁の壁材として多孔質通気性のものを用い
て、この壁材を通してフローガスの噴出をすることによ
り、内壁面全体にわたって内外気流を均等に発生させる
ことができ、均一処理を行なうことができる。又、本発
明は、排出ガス濃度や種類等を検出してプラズマ発生用
電源のパワーとかフローガスの導入量を制御するように
したから、加工処理を極めて安定に高効率に行なうこと
ができる。
【０００８】
【実施例】以下図面に示した実施例を参照しつゝ本発明
を具体的に説明する。図１は本発明に係るプラズマを利
用するスパッタ蒸着装置の一実施例を示し、プラズマ中
にターゲットと基板を置き、プラズマ中で発生したイオ
ンをその場所で利用するものである。図中、１は処理
室、２はターゲット、３は対向電極で、蒸着する基板４
を保持する。ターゲット１に高周波駆動電源５を接続
し、対向電極３は接地してある。1aは内部の排気をする
排気口で、真空ポンプに連結する。６は処理室１を囲
繞、画成する室壁で、多孔質通気性に形成してあり、材
料としてはＳｉＯ2 を固定部に用い、その他にはアル
ミ、テフロンコーティングして用いる。７は更にその外
側を囲繞する外壁で、これにより二重壁に形成され、そ
の隙間にガス供給口８からアルゴンなどの作動ガスが供
給される。９はプラズマに集束用磁界を作用させる磁気
コイルである。
【０００９】以上において、ガス供給口８から10-2 Tor
r 程度の圧力でアルゴンを流しながら、ターゲット２及
び対向電極３の両極間に電圧を印加しグロー放電を発生
させる。駆動電源５に高周波を用いることによって、低
圧でも高密度のプラズマ10を発生させることができる。
プラズマ中の正イオンは陰極暗部の強電界によって加速
されてターゲット２に衝突し、スパッタ現象を起こす。
これによってたたき出されたターゲットの原子は、プラ
ズマ10中を通過して対向電極３側へ向かい、その上に置
かれた基板４上に蒸着せしめられる。ターゲット２から
スパッタされて基板４に蒸着されるターゲット物質はほ
とんど中性原子又は分子である。
【００１０】而して、イオンがターゲットに衝突する
と、スパッタと共に衝突イオンの散乱や二次電子放出な
どの現象が起こり、これが室壁６に衝突して壁面をスパ
ッタすると壁面からたたき出された不純物の混入が起こ
り、基板４の蒸着純度が低下するという不具合を生じ
る。然しながら、本発明における室壁６は前記の如く多
孔質の通気性に形成され、ガス供給口８から供給される
アルゴンがこの室壁６を通じて流れ込み、処理室１の内
部に向けて全体的に均一なガス流を形成し、室壁６の近
傍と内部とは圧力差を生じ、室壁６部分の圧力を高め
る。従って、この室壁近傍のミーンフリーパスが短縮さ
れ、壁面へのイオン、電子等の衝突が抑えられる。ま
た、内部プラズマ10には、周りの磁気コイル９によって
集束用の磁界が作用し、前記ミーンフリーパスの制御と
共にプラズマの拡散を抑制する。これにより壁面スパッ
タによる不純物の混入を防止し、半導体等の加工を極め
て高純度に処理することができる。
【００１１】図２は、スパッタエッチングを行なう処理
装置の実施例で、ターゲット電極11に被加工体試料13を
設け、これに対向するようもう一方の電極12を配置す
る。ターゲット電極11にはセルフバイアスを与えるコン
デンサを介して高周波電源14を接続し、対向電極12を接
地する。15は処理室１の室壁で、多孔質通気性の例えば
ＳｉＯ2 で構成され、外壁16との間にガス通路を形成す
る。17は排気口で、室壁15内及び外壁16間のガス通路に
連通し、真空ポンプに連結する。18はガス供給路であ
る。
【００１２】供給口18から導入するガスとしては、不活
性スパッタエッチングの場合にはアルゴン等の不活性ガ
スを利用し、反応性スパッタエッチングの場合にはプラ
ズマ中で中性ラジカルを発生しやすい反応性ガスを利用
する。このガス導入によって室内気圧を10-3〜10-1 Tor
r 程度に保ち、又、室壁15を隔てた外側を10〜150Torr
程度に保ちながら高周波電圧を印加すると、電極11及び
12間にグロー放電が発生する。ターゲット電極11はコン
デンサで絶縁されているので、移動度の大きい電子だけ
が表面に蓄積し、ほぼ高周波電圧に等しい値まで負にセ
ルフバイアスされる。このためターゲット電極11の近傍
の空間から電子が排除され、イオンと中性ガス分子だけ
が存在するプラズマ20が形成される。印加電圧の大部分
はこのプラズマに加わるから、ここでは電界強度が大き
くなり、ガスイオンはこの電界に加速されて試料13を衝
撃してエッチング加工する。
【００１３】ガス供給口18に導入するガスとしてＳＦ6
などの反応性ガスを用いた場合は、中性ラジカルの化学
反応とターゲットへ入射するイオン衝撃とのスパッタ効
果及びそれらの複合作用により複合エッチングされ、エ
ッチング効果が向上する。実験に用いたフローガスは、
ＳＦ6 ガスを 400Sccm、Ｏ2 ガスを 250Sccm、Ｎ 2 ガス
を 250Sccmとした。例えばＳＦ6 ガスを用い、処理室の
内部圧を３×10-1Torrの条件で、高周波電源に 700Ｗ、
2460ＭＨz のパワー供給を行ないエッチング処理をした
とき、エッチング速度は約1280Å／min であった。室壁
15の内側直下は約５Torrで、磁界は２×10-2Ｔであっ
た。アスペクト比は24であった。又、ＳＦ1 〜ＳＦ4 の
反応層が10〜30Åできた。又、−60〜−100 ℃の低温エ
ッチングを行なったときは、純度の向上とアスペクト比
が 300程度になった。
【００１４】図３は図２の場合と反対に、図２におい
て、ガスフローは室壁15を介して処理室１の外側から内
側に向かい、排気口17から排出される。21は排気口17に
挿入して排ガス濃度を測定するためのセンサであり、22
がセンサ信号によってプラズマ発生用電源14のパワー制
御を行なう制御回路である。半導体等のエッチング加工
においては、純粋なイオンによるエッチングを目的と
し、ガス中不純物による汚染をきらうので、排出ガスの
濃度や種類をセンサで検出し、これに基づいてプラズマ
発生パワーとか導入ガスを制御するようにすれば安定し
た所期のエッチング処理ができるようになる。
【００１５】なお、ガスセンサの一例としては、レーザ
照射を利用することが考えられ、図３に示す如くレーザ
発振器23からガス排出口の壁面に傾斜してレーザビーム
を照射すると、レーザビームは内壁面を繰り返し反射し
ながら進み、他方に配置した受光素子24で検出する。レ
ーザビームが反射を繰り返しながら進行する過程におい
てフローガスに衝突すると、吸収、反射、散乱が起こ
り、その吸収量がガス濃度とかガスの種類によって相違
するので、一定の照射ビームに対し受光素子24で受光す
る光量に変化を生ずることになり、この受光信号の処理
により判定できる。例えば前記実施例におけるＳＦ1 〜
ＳＦ4 の吸収を求め、正確に不純物の量の測定、加工処
理速度の測定をすることができ、これに基づいて制御回
路22でプラズマ発生用電源14のパワーを制御し、又、図
示しないフローガスの流量制御を行ない、純度の高い安
定加工を可能とすることができる。又、ドライエッチン
グでスクレーピング加工をすることもできる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、処理
室を形成する室壁の内壁面全体にわたって、内壁面近傍
の処理室内にイオン衝撃を軽減するミーンフリーパスを
小さくする部分を介在させる手段を設け、その一手段と
して内壁面近傍と処理室内との間に一定の圧力差を形成
するようにしたから、壁面部分の気圧を内部よりも高め
ることによってミーンフリーパスを短縮してプラズマの
拡散を防ぐことができ、壁面からのスパッタによる不純
物の混入を防止して汚染のない純度の高い処理をするこ
とができる。
【００１７】この壁面部分と内部との気圧差をつくるの
に、室壁の壁材として多孔質通気性のものを用いて、壁
を通してフローガスの噴出をすることにより、壁面全体
にわたって内外気流を均等に発生させることができ、均
一処理を行なうことができる。又、本発明は、排出ガス
の濃度や種類等を検出してプラズマ発生用電源のパワー
とかフローガスの導入量を制御するようにしたから、加
工処理を極めて安定に高効率に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ利用装置の一実施例を示
す説明図である。
【図２】本発明に係るプラズマ利用装置のもう一つの実
施例を示す説明図である。
【図３】本発明に係るプラズマ利用装置に設けられる排
出ガス検出センサの一例を示す説明図である。
【符号の説明】 1 処理室 1a 排気口 2 ターゲット 3 対向電極 4 基板 5 プラズマ発生用電源 6 室壁 7 外壁 8 ガス供給口 9 磁気コイル 10 プラズマ 11 ターゲット電極 12 対向電極 13 被加工体試料 14 プラズマ発生用電源 15 室壁 16 外壁 17 排気口 18 ガス供給口 21 排気ガス濃度検出センサ 22 制御回路 23 レーザ発振器 24 受光素子
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】プラズマを利用して蒸着、反応、エッチン
    グ等の処理を行なう装置において、処理室(1) を形成す
    る室壁(6) の内壁面全体にわたって、内壁面近傍の処理
    室内にイオン衝撃を軽減するミーンフリーパスを大きく
    する部分を介在させる手段を設けたことを特徴とするプ
    ラズマ利用装置。
  2. 【請求項２】上記ミーンフリーパスを大きくする手段
    が、内壁面近傍と処理室内との間に一定の圧力差を形成
    することである請求項１に記載のプラズマ利用装置。
  3. 【請求項３】上記圧力差形成手段として、上記室壁(6)
    の壁材に多孔質通気性のものを用い、壁材を通してフロ
    ーガスを吸引又は噴出することにより壁材の内外にガス
    流を形成するよう構成したことを特徴とする請求項２に
    記載のプラズマ利用装置。
  4. 【請求項４】上記処理室(1) から排出されるガスの濃度
    若しくは種類を検出するセンサ(21)を設け、該センサの
    出力に基づいてプラズマ発生用電源(14)のパワー若しく
    はフローガス導入量を制御する制御装置(22)を設けたこ
    とを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれか一に記
    載のプラズマ利用装置。
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