JPH1187261A - 低ドーズ量のイオン注入方法及びその装置 - Google Patents
低ドーズ量のイオン注入方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH1187261A JPH1187261A JP10190125A JP19012598A JPH1187261A JP H1187261 A JPH1187261 A JP H1187261A JP 10190125 A JP10190125 A JP 10190125A JP 19012598 A JP19012598 A JP 19012598A JP H1187261 A JPH1187261 A JP H1187261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- gas
- ions
- dopant
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】正確で安定した制御が可能な低ドーズ量のイオ
ン注入方法及びその装置を提供すること。 【解決手段】希釈剤としての希ガスと特定のドーパント
ガスをイオン化し、これを基板Ｓ内に注入するためのイ
オン源12を用いるイオン注入システムを構成する。この
ための希ガスは、ドーパントガスあるいはイオン室24の
内壁を被覆したドーパント残留物とも反応しないので、
正確で、安定した低ドーズ量のイオンを注入でき、さら
に、この希ガスは、基板内に導電率を変化させるイオン
または不純物を導入しないことから、基板Ｓに注入する
ドーパントイオンのドーズ量が、特に、低ドーズ量の適
用において正確に制御される。
ン注入方法及びその装置を提供すること。 【解決手段】希釈剤としての希ガスと特定のドーパント
ガスをイオン化し、これを基板Ｓ内に注入するためのイ
オン源12を用いるイオン注入システムを構成する。この
ための希ガスは、ドーパントガスあるいはイオン室24の
内壁を被覆したドーパント残留物とも反応しないので、
正確で、安定した低ドーズ量のイオンを注入でき、さら
に、この希ガスは、基板内に導電率を変化させるイオン
または不純物を導入しないことから、基板Ｓに注入する
ドーパントイオンのドーズ量が、特に、低ドーズ量の適
用において正確に制御される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンを発生する
イオン源及びイオンを基板に注入するための注入システ
ムに関し、特に、イオンを低ドーズ量で基板に注入する
ことが容易にできるイオン注入システムに関する。
イオン源及びイオンを基板に注入するための注入システ
ムに関し、特に、イオンを低ドーズ量で基板に注入する
ことが容易にできるイオン注入システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入は、半導体ウエハまたは薄膜
を蒸着したガラス基板等の基板内に、導電性を変えるド
ーパント（不純物）を迅速かつ制御した方法で導くため
の、標準として商業的に受け入れられた技術となってい
る。
を蒸着したガラス基板等の基板内に、導電性を変えるド
ーパント（不純物）を迅速かつ制御した方法で導くため
の、標準として商業的に受け入れられた技術となってい
る。
【０００３】従来のイオン注入システムは、所望の不純
物元素をイオン化するイオン源を含む、このドーパント
イオンを加速して規定エネルギーのイオンビームを形成
する。このビームは、基板の表面に向けられる。一般的
に、イオンビームの活性イオンは、一塊の基板を貫通
し、材料の結晶格子内にとどまり、所望の導電性領域を
形成する。
物元素をイオン化するイオン源を含む、このドーパント
イオンを加速して規定エネルギーのイオンビームを形成
する。このビームは、基板の表面に向けられる。一般的
に、イオンビームの活性イオンは、一塊の基板を貫通
し、材料の結晶格子内にとどまり、所望の導電性領域を
形成する。
【０００４】このイオン注入工程は、一般に、高真空中
で、加工物ハンドリング組立体、加工物サポート組立体
及びイオン源を含む気密処理室において行われる。この
高真空環境により、イオンビームがガス分子に衝突して
発散するのを防止し、また、空気伝達される粒子によっ
て基板が汚染される危険を最小限にする。
で、加工物ハンドリング組立体、加工物サポート組立体
及びイオン源を含む気密処理室において行われる。この
高真空環境により、イオンビームがガス分子に衝突して
発散するのを防止し、また、空気伝達される粒子によっ
て基板が汚染される危険を最小限にする。
【０００５】イオン源において、燐またはボロン等のド
ーパントガスと、一般的に窒素または水素である希釈ガ
スが、活性化した陰極によってイオン化されてプラズマ
を形成する。このプラズマは、イオン源から適当な電極
によって加速され、イオンビームを形成し、このイオン
ビームは、イオン注入装置の注入室内に導かれる。イオ
ンビーム内にあるイオンは、基板に衝突して基板内に注
入される。
ーパントガスと、一般的に窒素または水素である希釈ガ
スが、活性化した陰極によってイオン化されてプラズマ
を形成する。このプラズマは、イオン源から適当な電極
によって加速され、イオンビームを形成し、このイオン
ビームは、イオン注入装置の注入室内に導かれる。イオ
ンビーム内にあるイオンは、基板に衝突して基板内に注
入される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン源及びイ
オン注入装置の欠点は、ドーパントガスが、一般的に、
イオン室の壁面に残留物の被膜を形成することである。
イオン源のプラズマ室に希釈ガスが導入されるとき、残
留物の被膜と反応して不純物質を形成し、希釈ガス内の
ドーパントガスの有効な濃度を高めてしまう。
オン注入装置の欠点は、ドーパントガスが、一般的に、
イオン室の壁面に残留物の被膜を形成することである。
イオン源のプラズマ室に希釈ガスが導入されるとき、残
留物の被膜と反応して不純物質を形成し、希釈ガス内の
ドーパントガスの有効な濃度を高めてしまう。
【０００７】プラズマ内への制御されないドーパントの
解放により、低ドーズ量のイオン注入を制御することが
妨げられる。注入室への不純物質の導入を避ける１つの
方法は、イオン源を個々に使用した後に、イオン源の壁
面から不純物質を洗浄することである。しかし、この方
法論は、イオン注入装置における生産量を減少するとと
もに、イオン源の作業時間に大きな損失を生じるので、
実際的ではない。
解放により、低ドーズ量のイオン注入を制御することが
妨げられる。注入室への不純物質の導入を避ける１つの
方法は、イオン源を個々に使用した後に、イオン源の壁
面から不純物質を洗浄することである。しかし、この方
法論は、イオン注入装置における生産量を減少するとと
もに、イオン源の作業時間に大きな損失を生じるので、
実際的ではない。
【０００８】ドーパント残留物と希釈ガスとの反応によ
って生じる不純物質は、一般的に、高ドーズ量の場合に
は許容できるけれども、低ドーズ量のイオンを基板に注
入するイオン源への強い要望があった。このような応用
では、ビーム電流とイオンの安定した確実な制御が必要
である。イオンビームにおける不純物質の存在により、
基板に注入されるイオンのドーズ量を制御するのが難し
くなる。
って生じる不純物質は、一般的に、高ドーズ量の場合に
は許容できるけれども、低ドーズ量のイオンを基板に注
入するイオン源への強い要望があった。このような応用
では、ビーム電流とイオンの安定した確実な制御が必要
である。イオンビームにおける不純物質の存在により、
基板に注入されるイオンのドーズ量を制御するのが難し
くなる。
【０００９】ここに、イオン源とイオン注入システムの
技術において、低ドーズ量のイオン注入を容易にする必
要がある。特に、従来使用されている形式、一般に、
「イオン源の履歴(source history)」として知られる従
来型のイオン源において、残留物を取り除くために頻繁
に洗浄しないものでは、大いに改良の余地がある。
技術において、低ドーズ量のイオン注入を容易にする必
要がある。特に、従来使用されている形式、一般に、
「イオン源の履歴(source history)」として知られる従
来型のイオン源において、残留物を取り除くために頻繁
に洗浄しないものでは、大いに改良の余地がある。
【００１０】このような事情に鑑みて、本発明は、正確
で安定した制御が可能な低ドーズ量のイオン注入方法及
びその装置を提供することを目的としている。
で安定した制御が可能な低ドーズ量のイオン注入方法及
びその装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は各請求項に記載の構成を備えている。本発
明の好ましい実施形態は、以下に記載される。しかし、
当業者であれば、本発明の技術的思想および特許請求の
範囲から逸脱しないで種々の変更及び修正が可能であ
る。例えば、本発明の好ましい実施例に利用される種々
の構成要素を用いる装置は、非反応希釈ガスを使用する
ことができる。
に、本発明は各請求項に記載の構成を備えている。本発
明の好ましい実施形態は、以下に記載される。しかし、
当業者であれば、本発明の技術的思想および特許請求の
範囲から逸脱しないで種々の変更及び修正が可能であ
る。例えば、本発明の好ましい実施例に利用される種々
の構成要素を用いる装置は、非反応希釈ガスを使用する
ことができる。
【００１２】請求項１によれば、本発明は、イオン源内
で選択されたガス混合物をイオン化するための方法であ
って、イオン源のイオン室内で、ドーパントガスと、こ
のガスと混合され、かつ前記選択されたガス混合物に対
して不活性である、希釈剤の希ガスとを導入し、前記ド
ーパントガスと前記希釈剤の希ガスとをイオン化する、
各工程を有することを特徴とする。
で選択されたガス混合物をイオン化するための方法であ
って、イオン源のイオン室内で、ドーパントガスと、こ
のガスと混合され、かつ前記選択されたガス混合物に対
して不活性である、希釈剤の希ガスとを導入し、前記ド
ーパントガスと前記希釈剤の希ガスとをイオン化する、
各工程を有することを特徴とする。
【００１３】また、本発明は、基板に希釈剤の希ガスと
特定のドーパントガスをイオン化しさらに注入するため
のイオン源を用いるイオン注入装置を提供する。本発明
の希ガスは、ドーパントあるいはイオン源のイオン室の
壁に被覆したドーパント残留物とも反応しない。
特定のドーパントガスをイオン化しさらに注入するため
のイオン源を用いるイオン注入装置を提供する。本発明
の希ガスは、ドーパントあるいはイオン源のイオン室の
壁に被覆したドーパント残留物とも反応しない。
【００１４】このため、正確で、安定した低ドーズ量の
イオン注入に使用されるイオン源が可能となり、さら
に、希ガスは、基板Ｓ内に、導電率を変えるイオンある
いはその不純物質を導入しない。その結果、基板に注入
されるドーパントのドーズ量は、特に、低ドーズ量で、
正確に制御できることになる。
イオン注入に使用されるイオン源が可能となり、さら
に、希ガスは、基板Ｓ内に、導電率を変えるイオンある
いはその不純物質を導入しない。その結果、基板に注入
されるドーパントのドーズ量は、特に、低ドーズ量で、
正確に制御できることになる。
【００１５】本発明は、ドーパントガスとこれと混合さ
れる希釈剤の希ガスをイオン源のイオン室内に導き、さ
らにドーパントガスと希ガスをイオン化することによっ
て、イオン源内の選択されたガス混合物をイオン化する
上述の目的及び他の目的を達成する。
れる希釈剤の希ガスをイオン源のイオン室内に導き、さ
らにドーパントガスと希ガスをイオン化することによっ
て、イオン源内の選択されたガス混合物をイオン化する
上述の目的及び他の目的を達成する。
【００１６】本発明によれば、希ガスイオンとドーパン
トイオンは、基板内に注入される。また、更なる構成で
は、この希ガスはヘリウムであり、イオン源は、イオン
源の履歴に係わらず作動する。
トイオンは、基板内に注入される。また、更なる構成で
は、この希ガスはヘリウムであり、イオン源は、イオン
源の履歴に係わらず作動する。
【００１７】また、別の構成では、比較的低いドーズ量
のイオンが、基板内に注入される。ここに用いる「低ド
ーズ量」は、ドーパントイオンの濃度を約１×１０11cm
-2〜約１×１０16cm-2の範囲内にするイオンビームを形
成することを意味する。
のイオンが、基板内に注入される。ここに用いる「低ド
ーズ量」は、ドーパントイオンの濃度を約１×１０11cm
-2〜約１×１０16cm-2の範囲内にするイオンビームを形
成することを意味する。
【００１８】本発明の更なる構成によれば、イオン源
は、注入ハウジングに連結され、このハウジングは、基
板を収容する大きさのイオン室を有する。そして、基板
は、イオン源から放出し、そして、イオンを基板に衝突
させることによってイオン注入される。
は、注入ハウジングに連結され、このハウジングは、基
板を収容する大きさのイオン室を有する。そして、基板
は、イオン源から放出し、そして、イオンを基板に衝突
させることによってイオン注入される。
【００１９】本発明の上記及び他の目的は、一部的に明
らかとなり、さらに、他の部分は、添付の図面及び以下
に続く記載から理解されるであろう。
らかとなり、さらに、他の部分は、添付の図面及び以下
に続く記載から理解されるであろう。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら説明す
ると、図１において、イオン注入装置１０は、特定のド
ーパントガスと、希釈剤の希ガスをイオン化するイオン
源を用いる。本発明の希ガスは、好ましくは、ドーパン
トガスまたはイオン源のイオン室の壁面に被覆したドー
パント残留物と反応しない。これにより、イオン源は、
正確で、安定した低ドーズ量のイオン注入のために使用
することができる。
ると、図１において、イオン注入装置１０は、特定のド
ーパントガスと、希釈剤の希ガスをイオン化するイオン
源を用いる。本発明の希ガスは、好ましくは、ドーパン
トガスまたはイオン源のイオン室の壁面に被覆したドー
パント残留物と反応しない。これにより、イオン源は、
正確で、安定した低ドーズ量のイオン注入のために使用
することができる。
【００２１】従来使用されてきたイオン源の場合には、
ドーズ量が高いか低いかが重要であり、一般的に、低い
ドーズ量のイオン注入においては前もって洗浄が行われ
る。本発明は、希釈ガスとして希ガスを用いる。それゆ
え、低ドーズ量のイオン注入においても前もってイオン
源を洗浄する必要がなくなる。
ドーズ量が高いか低いかが重要であり、一般的に、低い
ドーズ量のイオン注入においては前もって洗浄が行われ
る。本発明は、希釈ガスとして希ガスを用いる。それゆ
え、低ドーズ量のイオン注入においても前もってイオン
源を洗浄する必要がなくなる。
【００２２】図１は、イオン源１２と、このイオン源と
連通しかつ一般的に注入室１４Ａ内に基板Ｓを取り付け
る注入ハウジング１４とを含むイオン注入装置１０を形
成するブロック図を示す。
連通しかつ一般的に注入室１４Ａ内に基板Ｓを取り付け
る注入ハウジング１４とを含むイオン注入装置１０を形
成するブロック図を示す。
【００２３】図示したイオン源１２は、選択されたイオ
ンを基板に注入するために、基板Ｓ上に衝突するイオン
ビームを放出する。一般的なイオン注入装置は、従来か
ら公知であり、特に、オハイオ州、クリーブランドのイ
ートン社のものが特徴がありかつ商業的に使用されてい
る。図示したイオン源は、選択されたイオンを基板に注
入するために使用するのに適した従来のイオン源であ
る。これらの形式のイオン源は、上記イートン社製のも
のが大変優れており、かつ利用できる。
ンを基板に注入するために、基板Ｓ上に衝突するイオン
ビームを放出する。一般的なイオン注入装置は、従来か
ら公知であり、特に、オハイオ州、クリーブランドのイ
ートン社のものが特徴がありかつ商業的に使用されてい
る。図示したイオン源は、選択されたイオンを基板に注
入するために使用するのに適した従来のイオン源であ
る。これらの形式のイオン源は、上記イートン社製のも
のが大変優れており、かつ利用できる。
【００２４】図示のイオン源１２は、標準構成を含み、
特に、イオン室２４を形成する標準ハウジング１８を含
む。イオン源１２は、さらに陰極等の励起電極２０を有
し、この陰極は電気リード線２１等の電気接続を介して
電源に連結されている。イオン室２４は、流体導管３
０，３２Ａ〜３２Ｂ等の適当な流体回路を介してドーパ
ントガスの貯蔵室２６と希ガスの貯蔵室に連結される。
特に、イオン室２４を形成する標準ハウジング１８を含
む。イオン源１２は、さらに陰極等の励起電極２０を有
し、この陰極は電気リード線２１等の電気接続を介して
電源に連結されている。イオン室２４は、流体導管３
０，３２Ａ〜３２Ｂ等の適当な流体回路を介してドーパ
ントガスの貯蔵室２６と希ガスの貯蔵室に連結される。
【００２５】イオン源、電極、電源、及び流体回路の前
述の構造は、従来から知られ、かつ商業的に利用されて
いる。そして、これらの接続及びその作用は、当業者で
あれば明らかである。
述の構造は、従来から知られ、かつ商業的に利用されて
いる。そして、これらの接続及びその作用は、当業者で
あれば明らかである。
【００２６】例えば、励起電極２０は、作動時の電源２
２により励起される。ボロンまたは燐等の選択されたド
ーパントガスは、その貯蔵室２６内に収容される。この
ガスは、流体導管３２Ａ，３０を介してイオン室２４に
導入され、そして、プラズマを形成するために励起され
た電極によってイオン化する。流体レギュレータを設け
て、イオン室に導かれる希釈ガスとドーパントガスの量
を調整する。
２により励起される。ボロンまたは燐等の選択されたド
ーパントガスは、その貯蔵室２６内に収容される。この
ガスは、流体導管３２Ａ，３０を介してイオン室２４に
導入され、そして、プラズマを形成するために励起され
た電極によってイオン化する。流体レギュレータを設け
て、イオン室に導かれる希釈ガスとドーパントガスの量
を調整する。
【００２７】同様に、希釈ガスは、前もって、または同
時に、あるいはドーパントガスを導入した後、流体導管
３２Ｂ，３０によってイオン室に導かれる。励起電極２
０は、また希釈ガスをイオン化し、これはプラズマの一
部を形成する。
時に、あるいはドーパントガスを導入した後、流体導管
３２Ｂ，３０によってイオン室に導かれる。励起電極２
０は、また希釈ガスをイオン化し、これはプラズマの一
部を形成する。
【００２８】特に、希ガス及びドーパントガスをイオン
室２４内で混合し、そして、励起電極２０によってイオ
ン化され、ドーパントイオンと希ガスイオンを形成す
る。プラズマ内に存在するこれらのイオンは、イオン源
ハウジング１８を通過して加速され、そして、イオン源
の出力端から放出されて、上述のエネルギー、例えば、
ある電流密度のイオンビームを形成する。
室２４内で混合し、そして、励起電極２０によってイオ
ン化され、ドーパントイオンと希ガスイオンを形成す
る。プラズマ内に存在するこれらのイオンは、イオン源
ハウジング１８を通過して加速され、そして、イオン源
の出力端から放出されて、上述のエネルギー、例えば、
ある電流密度のイオンビームを形成する。
【００２９】イオン源１２によって発生したイオンビー
ムは、注入室１４Ａを形成する従来の注入ハウジング２
８内に導入される。注入される適当な基板Ｓは、注入室
１４Ａ内、例えば、公知の基板ハンドリング組立体（図
示略）及びイオン源１２から発生するイオンビーム通路
（矢印３０で示される）内に配置される。イオンビーム
３０の一部を形成する励起したイオンは、基板Ｓに当た
り、その内部に侵入する。これにより希ガスイオンとと
もに導電率を変えるドーパントイオンを基板内に導く。
ムは、注入室１４Ａを形成する従来の注入ハウジング２
８内に導入される。注入される適当な基板Ｓは、注入室
１４Ａ内、例えば、公知の基板ハンドリング組立体（図
示略）及びイオン源１２から発生するイオンビーム通路
（矢印３０で示される）内に配置される。イオンビーム
３０の一部を形成する励起したイオンは、基板Ｓに当た
り、その内部に侵入する。これにより希ガスイオンとと
もに導電率を変えるドーパントイオンを基板内に導く。
【００３０】このように、希ガスは、ドーパントガスと
混合され、イオン源１２によりイオン化されてプラズマ
を形成する。プラズマのイオン化された希ガス部分は、
イオン源ないの適切な圧力を維持するように働き、続い
て起こるイオン注入のためにイオンビームを安定させ
る。それゆえ、イオン源によって発生したプラズマの希
ガス部分は、イオン源１２内の選択された圧力に維持さ
れ、これによって発生すべき種々のビーム電流が可能と
なる。当業者であれば、ドーパントガス及び希ガスがイ
オン室内で混合され、あるいはイオン源に導入する前に
混合されることが理解できるであろう。
混合され、イオン源１２によりイオン化されてプラズマ
を形成する。プラズマのイオン化された希ガス部分は、
イオン源ないの適切な圧力を維持するように働き、続い
て起こるイオン注入のためにイオンビームを安定させ
る。それゆえ、イオン源によって発生したプラズマの希
ガス部分は、イオン源１２内の選択された圧力に維持さ
れ、これによって発生すべき種々のビーム電流が可能と
なる。当業者であれば、ドーパントガス及び希ガスがイ
オン室内で混合され、あるいはイオン源に導入する前に
混合されることが理解できるであろう。
【００３１】従来のイオン注入装置の欠点は、従来にお
ける水素等の希釈ガスが、イオン源の内部で起こるイオ
ン化処理中に、燐等のドーパントガスと反応し、さら
に、イオン室２４の壁面１８Ａを被覆する残留物とも反
応することである。このイオン源の壁面に被覆した残留
物は、水素及び燐（一般的にイオン注入に使用されるガ
ス）との間の反応によって形成される反応イオン種と共
に、不純物質を作り出して、その後、基板Ｓ内に注入さ
れる。
ける水素等の希釈ガスが、イオン源の内部で起こるイオ
ン化処理中に、燐等のドーパントガスと反応し、さら
に、イオン室２４の壁面１８Ａを被覆する残留物とも反
応することである。このイオン源の壁面に被覆した残留
物は、水素及び燐（一般的にイオン注入に使用されるガ
ス）との間の反応によって形成される反応イオン種と共
に、不純物質を作り出して、その後、基板Ｓ内に注入さ
れる。
【００３２】高いドーズ量のイオン注入では、基板に導
入される不純物質は、一般的に許容できる範囲にある。
しかし、低いドーズ量のイオン注入では、その正確さが
最も重要なことであり、この不純物質の発生は、基板Ｓ
内に注入されるイオンの特定のドーズ量に大いに影響す
る。さらに、イオンビーム内の不純物質の存在は、基板
に注入すべきドーパントイオンのドーズ量を正確に制御
するための重大な障害となる。
入される不純物質は、一般的に許容できる範囲にある。
しかし、低いドーズ量のイオン注入では、その正確さが
最も重要なことであり、この不純物質の発生は、基板Ｓ
内に注入されるイオンの特定のドーズ量に大いに影響す
る。さらに、イオンビーム内の不純物質の存在は、基板
に注入すべきドーパントイオンのドーズ量を正確に制御
するための重大な障害となる。
【００３３】低ドーズ量の注入工程中でのイオンのドー
ズ量の正確さを確実にする従来の技術は、イオン源を分
解して、イオン源の室の壁面に被覆される残留物、即
ち、イオン源の履歴を取り除くために洗浄することであ
った。
ズ量の正確さを確実にする従来の技術は、イオン源を分
解して、イオン源の室の壁面に被覆される残留物、即
ち、イオン源の履歴を取り除くために洗浄することであ
った。
【００３４】この洗浄技術は、壁面の残留物を取り除き
かつ希釈ガスと残留物の間の反応によって作り出される
不純物質の発生をなくすけれども、ドーパントガスと希
釈ガスの反応によって作られる不純物質を与えない。そ
れゆえ、これらの不純物質は、イオンビームの一部を形
成し、基板に注入される不純物の量を制御するのが難し
くなる。この制御は、不純物質が高いドーズ量の注入に
対する全ビーム電流百分率を大いに高くするので、低ド
ーズ量の注入において特に悪化する。
かつ希釈ガスと残留物の間の反応によって作り出される
不純物質の発生をなくすけれども、ドーパントガスと希
釈ガスの反応によって作られる不純物質を与えない。そ
れゆえ、これらの不純物質は、イオンビームの一部を形
成し、基板に注入される不純物の量を制御するのが難し
くなる。この制御は、不純物質が高いドーズ量の注入に
対する全ビーム電流百分率を大いに高くするので、低ド
ーズ量の注入において特に悪化する。
【００３５】さらに、イオン源を分解して洗浄すること
は、かなり長い時間がかかり、イオン源がイオン注入装
置の停止をもたらし、直接、装置の全体のスルーアウト
に影響を与える。イオン注入装置は、高低両用のドーズ
量で注入処理が行える柔軟性が利点であるので、これ
は、非常に好ましくないことである。
は、かなり長い時間がかかり、イオン源がイオン注入装
置の停止をもたらし、直接、装置の全体のスルーアウト
に影響を与える。イオン注入装置は、高低両用のドーズ
量で注入処理が行える柔軟性が利点であるので、これ
は、非常に好ましくないことである。
【００３６】図示したイオン注入装置１０は、低ドーズ
量でドーパントイオンを基板Ｓに注入するのに特に適し
ている。希ガスの貯蔵室２８は、例えば、水素等の従来
の希釈ガスではなくてヘリウム等の希ガスを流体導管２
３Ｂ，３０によって注入室内に導く。この希ガスは、ド
ーパントガスに対して不活性であり、それゆえ、ドーパ
ントガスまたはイオン源１２のイオン室の壁面に被覆す
る残留物ともほどんど反応しない。
量でドーパントイオンを基板Ｓに注入するのに特に適し
ている。希ガスの貯蔵室２８は、例えば、水素等の従来
の希釈ガスではなくてヘリウム等の希ガスを流体導管２
３Ｂ，３０によって注入室内に導く。この希ガスは、ド
ーパントガスに対して不活性であり、それゆえ、ドーパ
ントガスまたはイオン源１２のイオン室の壁面に被覆す
る残留物ともほどんど反応しない。
【００３７】さらに、希ガス及びドーパントガスをイオ
ン化して、イオン源から放出するイオンビームは、導電
率を変えるイオンまたは不純物質を基板Ｓ内に導かな
い。その結果、基板に注入されるドーパントイオンのド
ーズ量は、特に低ドーズ量での利用において、正確に制
御される。他の利点は、装置の作業者が、基板に注入さ
れるヘリウムイオンの量に注意を払う必要がなくなるこ
とであり、そのため、これらのイオンは、基板の電気的
特性を変えることがない。
ン化して、イオン源から放出するイオンビームは、導電
率を変えるイオンまたは不純物質を基板Ｓ内に導かな
い。その結果、基板に注入されるドーパントイオンのド
ーズ量は、特に低ドーズ量での利用において、正確に制
御される。他の利点は、装置の作業者が、基板に注入さ
れるヘリウムイオンの量に注意を払う必要がなくなるこ
とであり、そのため、これらのイオンは、基板の電気的
特性を変えることがない。
【００３８】図示した本発明に係るイオン注入装置１０
は、従来のイオン注入装置の前述の欠点を解決すること
ができる。重要なことに、ヘリウム等の希ガスを用いる
ことによって、安定した、そして非常に高い正確さでも
って低ドーズ量を生じさせるイオン注入装置を提供す
る。
は、従来のイオン注入装置の前述の欠点を解決すること
ができる。重要なことに、ヘリウム等の希ガスを用いる
ことによって、安定した、そして非常に高い正確さでも
って低ドーズ量を生じさせるイオン注入装置を提供す
る。
【００３９】この装置は、ボロンまたは燐等のドーパン
トガスと反応しない、またイオン源１８の室の壁面１８
Ａに被覆された残留物とも反応しない希ガスを用いるこ
とにより、上記の利点が容易となる。さらに、希ガス
は、ドーパントガスに対して不活性であり、希ガスから
生じたイオンを注入することによって、基板の導電率を
変化させることなく、また、基板に適用される特定のド
ーズ量に影響を与える不純物質を作り出さない。
トガスと反応しない、またイオン源１８の室の壁面１８
Ａに被覆された残留物とも反応しない希ガスを用いるこ
とにより、上記の利点が容易となる。さらに、希ガス
は、ドーパントガスに対して不活性であり、希ガスから
生じたイオンを注入することによって、基板の導電率を
変化させることなく、また、基板に適用される特定のド
ーズ量に影響を与える不純物質を作り出さない。
【００４０】図２は、希ガスを用いた本発明のイオン注
入装置１０の作動を説明するための表にした図である。
この表は、電源２２が励起電極２０に正味順方向ＲＦパ
ワー(net forward RF power)を与えることを示す。サン
プル値１〜９のフロー（流れ）において、イオン室内ヘ
のヘリウム及び燐化水素（ＰＨ3）のフローは、変えら
れ、かつ１分間当たり標準立方センチに設定されてい
る。
入装置１０の作動を説明するための表にした図である。
この表は、電源２２が励起電極２０に正味順方向ＲＦパ
ワー(net forward RF power)を与えることを示す。サン
プル値１〜９のフロー（流れ）において、イオン室内ヘ
のヘリウム及び燐化水素（ＰＨ3）のフローは、変えら
れ、かつ１分間当たり標準立方センチに設定されてい
る。
【００４１】この表において示されたヘリウムと燐化水
素のフローは、窒素ユニット(nitrogen units) による
測定によっている。イオン源１２から放出するイオンビ
ーム３０内に生じる燐化水素の濃度も設定され、イオン
室２４に導入される燐化水素の量に比例して変化する。
ドーパント率は、燐イオン等のドーパントイオンからな
るイオンビーム３０の百分率である。８０ｋｅＶで測定
されたイオンビーム電流密度は、電源２２から供給され
る正味順方向ＲＦパワーを用いて励起電極に対して直接
変化する。ドーパント電流は、ドーパント率とビーム電
流との積であり、この表内で設定される。
素のフローは、窒素ユニット(nitrogen units) による
測定によっている。イオン源１２から放出するイオンビ
ーム３０内に生じる燐化水素の濃度も設定され、イオン
室２４に導入される燐化水素の量に比例して変化する。
ドーパント率は、燐イオン等のドーパントイオンからな
るイオンビーム３０の百分率である。８０ｋｅＶで測定
されたイオンビーム電流密度は、電源２２から供給され
る正味順方向ＲＦパワーを用いて励起電極に対して直接
変化する。ドーパント電流は、ドーパント率とビーム電
流との積であり、この表内で設定される。
【００４２】欄 １に示されるように、ドーパントガ
スの貯蔵室には、イオン室内にどんな不純物をも導入し
ない。そして、希ガスの貯蔵室は、７２．３ SCCM のヘ
リウムの流れを有する。その結果生じるＰＨ3 の濃度
と、ドーパント率は０パーセントである。
スの貯蔵室には、イオン室内にどんな不純物をも導入し
ない。そして、希ガスの貯蔵室は、７２．３ SCCM のヘ
リウムの流れを有する。その結果生じるＰＨ3 の濃度
と、ドーパント率は０パーセントである。
【００４３】この結果は、イオン室２４内にはヘリウム
のみ存在するので、いかなる反応種も発生させないこと
が重要である。また、イオン室２４の壁面１８Ａを被覆
するいかなる残留物とも相互に反応しない。この結果、
イオン源１２は、基板に注入されるようないかなる量の
不純物も生じさせない。更に、欄１に関して、イオンビ
ーム電流密度は、１ｃｍ当たり２５２μＡであり、その
結果ドーパント電流は、１ｃｍ当たり０μＡであった。
のみ存在するので、いかなる反応種も発生させないこと
が重要である。また、イオン室２４の壁面１８Ａを被覆
するいかなる残留物とも相互に反応しない。この結果、
イオン源１２は、基板に注入されるようないかなる量の
不純物も生じさせない。更に、欄１に関して、イオンビ
ーム電流密度は、１ｃｍ当たり２５２μＡであり、その
結果ドーパント電流は、１ｃｍ当たり０μＡであった。
【００４４】図２の欄３に関して、正味順方向ＲＦパワ
ーは、１２４８．４ワット、ヘリウムの流れは７１．５
SCCM 、燐化水素の流れは、０．７ SCCM であった。ド
ーパントと希ガスの流れは、イオン室内での燐化水素濃
度は０．９７％となった。同様に、イオン源によって発
生したイオンビーム内の燐化水素イオンの百分率を示す
ドーパント率は、１．６％であった。
ーは、１２４８．４ワット、ヘリウムの流れは７１．５
SCCM 、燐化水素の流れは、０．７ SCCM であった。ド
ーパントと希ガスの流れは、イオン室内での燐化水素濃
度は０．９７％となった。同様に、イオン源によって発
生したイオンビーム内の燐化水素イオンの百分率を示す
ドーパント率は、１．６％であった。
【００４５】電源により供給される電力がより小さいの
で、ビーム電流はわずかに低く、そして、ドーパントイ
オンだけから構成される場合のビーム電流を表すドーパ
ント電流は、２００μＡであった（この場合の全イオン
ビーム電流は、実際１２．４ｍＡであるが）。
で、ビーム電流はわずかに低く、そして、ドーパントイ
オンだけから構成される場合のビーム電流を表すドーパ
ント電流は、２００μＡであった（この場合の全イオン
ビーム電流は、実際１２．４ｍＡであるが）。
【００４６】この欄は、イオン源１２のイオン室２４内
に導かれるドーパントガスがドーパントイオンの相当量
を作り出すことを示す。これらのイオンは、ドーパント
電流にのみ貢献しており、その理由は、付加的な不純物
質が、ドーパントガスと希ガスの間の反応または希ガス
とイオン室の残留物との間の反応のいずれによっても発
生しないからである。
に導かれるドーパントガスがドーパントイオンの相当量
を作り出すことを示す。これらのイオンは、ドーパント
電流にのみ貢献しており、その理由は、付加的な不純物
質が、ドーパントガスと希ガスの間の反応または希ガス
とイオン室の残留物との間の反応のいずれによっても発
生しないからである。
【００４７】残りの欄４〜９は、イオン室２４内に導
く、ヘリウムの量を減少しかつ燐化水素の量を増加す
る。その結果生じるＰＨ3 の濃度は、その対応する部分
だけ増加する。これらの欄は、また、付加的な不純物質
が、ドーパントガスと希ガスの間の反応または希ガスと
イオン室の残留物との間の反応のいずれにおいても発生
しないことを示している。
く、ヘリウムの量を減少しかつ燐化水素の量を増加す
る。その結果生じるＰＨ3 の濃度は、その対応する部分
だけ増加する。これらの欄は、また、付加的な不純物質
が、ドーパントガスと希ガスの間の反応または希ガスと
イオン室の残留物との間の反応のいずれにおいても発生
しないことを示している。
【００４８】希ガス（ヘリウム）が水素に置き換えられ
るならば、特に、イオン源がイオン室２４の壁面１８Ａ
を被覆する残留物を有している場合、生じたＰＨ3 の濃
度は、図２で設定されたよりも顕著に異なる様相を呈す
るであろう。さらに、特別なことには、生じたＰＨ3 の
濃度は、表に設定したよりも大いに高い値になるであろ
う。その理由は、水素では、イオン室２４内に存在する
ガス状のドーパントに対して反応するのみならず、イオ
ン室の残留物とも反応するからである。これらの反応
は、イオン源１２によって発生したイオンビームの一部
を形成する不純物質を作り出す。前に記載したように、
これらの不純物質は、低ドーズ量で基板内にイオン注入
することに対して障害となる。、 図３は、図２の表に
設定した、ドーパント電流とその結果生じたＰＨ3濃度
の代表値を図示したものであり、パーセント表示のＰＨ
3 希釈剤が横軸に沿って示され、ドーパント電流が縦軸
に沿って示されている。関連データは、直角座標でプロ
ットされている。図から明らかなように、イオンビーム
内に存在するドーパントイオン濃度は、特に、正味ＲＦ
パワーが比較的狭い電力範囲にあるとき、ドーパントガ
ス濃度とともに増加する。
るならば、特に、イオン源がイオン室２４の壁面１８Ａ
を被覆する残留物を有している場合、生じたＰＨ3 の濃
度は、図２で設定されたよりも顕著に異なる様相を呈す
るであろう。さらに、特別なことには、生じたＰＨ3 の
濃度は、表に設定したよりも大いに高い値になるであろ
う。その理由は、水素では、イオン室２４内に存在する
ガス状のドーパントに対して反応するのみならず、イオ
ン室の残留物とも反応するからである。これらの反応
は、イオン源１２によって発生したイオンビームの一部
を形成する不純物質を作り出す。前に記載したように、
これらの不純物質は、低ドーズ量で基板内にイオン注入
することに対して障害となる。、 図３は、図２の表に
設定した、ドーパント電流とその結果生じたＰＨ3濃度
の代表値を図示したものであり、パーセント表示のＰＨ
3 希釈剤が横軸に沿って示され、ドーパント電流が縦軸
に沿って示されている。関連データは、直角座標でプロ
ットされている。図から明らかなように、イオンビーム
内に存在するドーパントイオン濃度は、特に、正味ＲＦ
パワーが比較的狭い電力範囲にあるとき、ドーパントガ
ス濃度とともに増加する。
【００４９】上述した記載から明らかなように、本発明
は、上記に設定された目的を有効に達成することができ
ることが理解できよう。上記構成は、本発明の特許請求
の範囲から逸脱しないで変更が可能であり、上記記載に
含まれ、かつ付随する図面に示された全ての構成は、例
示のためのものであり、制限を加えるものではない。ま
た、本発明の特許請求の範囲は、ここに記載した本発明
の全ての包括的かつ特定の特徴を包含するものであり、
また、本発明の範囲内で述べた構成を含むものである。
は、上記に設定された目的を有効に達成することができ
ることが理解できよう。上記構成は、本発明の特許請求
の範囲から逸脱しないで変更が可能であり、上記記載に
含まれ、かつ付随する図面に示された全ての構成は、例
示のためのものであり、制限を加えるものではない。ま
た、本発明の特許請求の範囲は、ここに記載した本発明
の全ての包括的かつ特定の特徴を包含するものであり、
また、本発明の範囲内で述べた構成を含むものである。
【図１】本発明に係る希釈ガスを用いるイオン注入装置
の概略的なブロック図である。
の概略的なブロック図である。
【図２】図１のイオン注入装置における希釈ガスとして
のヘリウムを用いて達成される測定結果を表にした図で
ある。
のヘリウムを用いて達成される測定結果を表にした図で
ある。
【図３】図２の結果、縦座標のドーパント電流と横座標
の燐化水素の百分率との関係を示す図である。
の燐化水素の百分率との関係を示す図である。
１０ イオン注入装置 １２ イオン源 １４ 注入ハウジング １４Ａ 注入室 ２０ 励起電極 ２２ 電源 ２４ イオン室 ３０，３２Ａ〜３２Ｂ 流体導管 Ｓ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 390033020 Ｅａｔｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｃｌｅｖｅｌ ａｎｄ，Ｏｈｉｏ 44114，Ｕ．Ｓ．Ａ.
Claims (21)
- 【請求項１】イオン源内で選択されたガス混合物をイオ
ン化するための方法であって、 イオン源(12)のイオン室(24)内に、ドーパントガスと、
このガスと混合されかつ前記選択されたガス混合物に対
して不活性である希釈剤の希ガスとを導入し、 前記ドーパントガスと前記希ガスとをイオン化する、各
工程を有することを特徴とする方法。 - 【請求項２】希釈剤の希ガスをイオン化する工程は、ヘ
リウムをイオン室(24)内に導くステップからなることを
特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】イオン室(24)からドーパントイオン及び希
ガスイオンを引き出すステップをさらに含むことを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】イオン源(12)のイオン室(24)内に、ドーパ
ントガスと、このガスに対して不活性である希釈剤の希
ガスとを導き、 イオン室(24)内で前記ドーパントガスと前記希ガスを混
合し、 イオン室(24)内に置かれた前記ドーパントガスと前記希
ガスをイオン化してドーパントイオンと希ガスイオンを
形成し、 これらのイオンを基板(S) に注入する、各工程を有する
ことを特徴とする基板へのイオン注入方法。 - 【請求項５】希釈剤の希ガスは、ヘリウムをイオン室(2
4)内に導くステップからなることを特徴とする請求項４
記載のイオン注入方法。 - 【請求項６】注入工程は、ドーパントイオンを基板(S)
に低ドーズ量で注入するステップを更に含むことを特徴
とする請求項４記載のイオン注入方法。 - 【請求項７】注入工程の前に、さらに、注入ハウジング
(14)の注入室(14A) 内に基板を配置するステップを含む
ことを特徴とする請求項４記載のイオン注入方法。 - 【請求項８】イオン源の形成過程に関係なくイオン源を
作動させるステップを更に含むことを特徴とする請求項
４記載のイオン注入方法。 - 【請求項９】イオン源(12)は、ドーパントイオンと希ガ
スイオンを含むビーム電流を発生し、注入工程は、ドー
パントイオンを１×１０11cm-2 〜 １×１０16cm-2の
範囲で注入することを特徴とする請求項４記載のイオン
注入方法。 - 【請求項１０】基板に低ドーズ量のイオンを注入する方
法であって、 ドーパントガスと、このガスに対して不活性である希釈
剤の希ガスとをイオン源(12)のイオン室(24)内に導入し
て混合し、 前記ドーパントガスと前記希ガスをイオン化して、各々
からイオンを発生し、 これらのイオンを低ドーズ量で基板(S) に注入する、各
工程を有することを特徴とする基板へのイオン注入方
法。 - 【請求項１１】希釈剤の希ガスを導く工程は、更に、ヘ
リウムをイオン室(24)に導くステップを含むことを特徴
とする請求項１０記載のイオン注入方法。 - 【請求項１２】注入工程は、イオンをイオン源(12)から
放出し、これらのイオンを基板上に衝突させるステップ
を含んでいることを特徴とする請求項１０記載のイオン
注入方法。 - 【請求項１３】注入工程の前に、さらに、注入ハウジン
グ(14)の注入室(14A) 内に基板(S) を配置するステップ
を含むことを特徴とする請求項１０記載のイオン注入方
法。 - 【請求項１４】イオン源の形成過程に関係なくイオン源
を作動させるステップを更に含むことを特徴とする請求
項１０記載のイオン注入方法。 - 【請求項１５】イオン源(12)は、ドーパントイオンと希
ガスイオンを含むビーム電流を発生し、注入工程は、ド
ーパントイオンを１×１０11cm-2 〜 １×１０16cm-2
の範囲で注入することを特徴とする請求項１０記載のイ
オン注入方法。 - 【請求項１６】イオンを基板に注入するためのイオン注
入装置であって、 イオン室(24)を有するイオン源(12)と、 このイオン源(12)に連結されかつ基板(S) を収容する大
きさの注入室(14A) を有する注入ハウジング(14)と、 希釈剤の希ガスとドーパントガスを含む１つまたは複数
の流体貯蔵室(26,28)と、 前記希ガスとドーパントガ
スを混合するイオン室(24)にこれらのガスを導くための
ガス導入手段(30,32A,32B)と、 選択されたドーパントガスと希ガスが、イオン室(24)内
に置かれたときにイオン化して活性したイオンを形成す
るための電極(20)と、 前記注入室(14A) 内でかつイオンの通路内に基板(S) が
置かれたとき、この基板(S) 内に活性したイオンを注入
する手段と、を備えていることを特徴とするイオン注入
装置。 - 【請求項１７】希釈剤の希ガスが、ヘリウムからなるこ
とを特徴とする請求項１６記載のイオン注入装置。 - 【請求項１８】ガス導入手段(30,32A,32B)は、イオン源
(12)に連結されかつ前記ガスを搬送するための流体貯蔵
室(26,28) に連結されていることを特徴とする請求項１
６記載のイオン注入装置。 - 【請求項１９】電極(20)は、イオン源(12)と、電極(20)
に電力を供給する電源(22)との両方に連結されているこ
とを特徴とする請求項１６記載のイオン注入装置。 - 【請求項２０】イオン注入手段は、ドーパントイオンを
低ドーズ量で基板(S) に注入する手段からなっているこ
とを特徴とする請求項１６記載のイオン注入装置。 - 【請求項２１】希釈剤の希ガスが、ドーパントガスとは
反応せず、比較的低いドーズ量でイオンを基板(S) に注
入できることを特徴とする請求項２０記載のイオン注入
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/891,415 US5962858A (en) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Method of implanting low doses of ions into a substrate |
| US891415 | 1997-07-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187261A true JPH1187261A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=25398141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190125A Pending JPH1187261A (ja) | 1997-07-10 | 1998-07-06 | 低ドーズ量のイオン注入方法及びその装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5962858A (ja) |
| EP (1) | EP0890657B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1187261A (ja) |
| KR (1) | KR100428619B1 (ja) |
| CN (1) | CN1208954A (ja) |
| DE (1) | DE69804546T2 (ja) |
| TW (1) | TW385495B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006121131A1 (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマドーピング方法およびプラズマドーピング装置 |
| US9318298B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-04-19 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion generator and ion generating method |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335534B1 (en) | 1998-04-17 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion implantation apparatus, ion generating apparatus and semiconductor manufacturing method with ion implantation processes |
| US6756600B2 (en) * | 1999-02-19 | 2004-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ion implantation with improved ion source life expectancy |
| US6891173B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-05-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implantation systems and methods utilizing a downstream gas source |
| US7586109B2 (en) * | 2007-01-25 | 2009-09-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving the performance and extending the lifetime of an ion source with gas dilution |
| CN102074448B (zh) * | 2009-11-20 | 2014-09-24 | 同方威视技术股份有限公司 | 离子迁移谱仪以及提高其检测灵敏度的方法 |
| TWI466179B (zh) | 2010-02-26 | 2014-12-21 | 尖端科技材料股份有限公司 | 用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備 |
| US8779383B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-07-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
| SG11201601015RA (en) | 2013-08-16 | 2016-03-30 | Entegris Inc | Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3916034A (en) * | 1971-05-21 | 1975-10-28 | Hitachi Ltd | Method of transporting substances in a plasma stream to and depositing it on a target |
| US3924134A (en) * | 1974-11-29 | 1975-12-02 | Ibm | Double chamber ion source |
| US4881010A (en) * | 1985-10-31 | 1989-11-14 | Harris Semiconductor Patents, Inc. | Ion implantation method and apparatus |
| US4775818A (en) * | 1986-04-14 | 1988-10-04 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source and alloy |
| US4988640A (en) * | 1988-07-25 | 1991-01-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of doping and implanting using arsine, antimony, and phosphine substitutes |
| US5558718A (en) * | 1994-04-08 | 1996-09-24 | The Regents, University Of California | Pulsed source ion implantation apparatus and method |
-
1997
- 1997-07-10 US US08/891,415 patent/US5962858A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-23 TW TW087110065A patent/TW385495B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-07-02 DE DE69804546T patent/DE69804546T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-02 EP EP98305259A patent/EP0890657B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-06 JP JP10190125A patent/JPH1187261A/ja active Pending
- 1998-07-09 CN CN98115969A patent/CN1208954A/zh active Pending
- 1998-07-10 KR KR10-1998-0027779A patent/KR100428619B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006121131A1 (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマドーピング方法およびプラズマドーピング装置 |
| US7358511B2 (en) | 2005-05-12 | 2008-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma doping method and plasma doping apparatus |
| JP4979580B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2012-07-18 | パナソニック株式会社 | プラズマドーピング方法 |
| US9318298B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-04-19 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion generator and ion generating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0890657A1 (en) | 1999-01-13 |
| KR100428619B1 (ko) | 2004-08-04 |
| US5962858A (en) | 1999-10-05 |
| DE69804546T2 (de) | 2002-11-14 |
| KR19990013752A (ko) | 1999-02-25 |
| DE69804546D1 (de) | 2002-05-08 |
| CN1208954A (zh) | 1999-02-24 |
| TW385495B (en) | 2000-03-21 |
| EP0890657B1 (en) | 2002-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101065449B1 (ko) | 이온원 장치 및 그의 클리닝 최적화 방법 | |
| CN102232241B (zh) | 离子植入控制的激发气体注入 | |
| JP2011505678A (ja) | 気体混合物から形成されるガス・クラスター・イオン・ビームを制御する方法および装置 | |
| KR101884246B1 (ko) | 탄소 주입용 수소-co 가스 | |
| JP2009506580A5 (ja) | ||
| JP2023548015A (ja) | アルミニウムイオンビームを発生させるためのソース材料としてジメチルアルミニウムクロリドを流す場合におけるフッ素系分子共ガス | |
| KR20150016580A (ko) | 갈륨 이온 소스 및 그 재료들 | |
| JPH1187261A (ja) | 低ドーズ量のイオン注入方法及びその装置 | |
| US7223984B2 (en) | Helium ion generation method and apparatus | |
| CN103928280B (zh) | 离子注入装置和离子注入装置的运转方法 | |
| JP3099819B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005535131A (ja) | 希釈ガスのスパッタリングによるプラズマ堆積表面層の除去 | |
| JPS6380534A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2789247B2 (ja) | イオン処理装置のクリーニング方法 | |
| JP2848590B1 (ja) | 電子ビーム励起プラズマ発生装置 | |
| JPS63155546A (ja) | イオンドーピング装置 | |
| JP2000306543A (ja) | イオン注入装置 | |
| CN114600222B (zh) | 用于离子植入的等离子体浸渍方法 | |
| JPH06224183A (ja) | プラズマ利用装置 | |
| JP3398639B2 (ja) | 電子ビーム励起プラズマ発生装置 | |
| EP0809721B1 (en) | Method and apparatus for producing single crystal carbon films | |
| CN103229271B (zh) | 用于碳注入的氢助气 | |
| JP2523552B2 (ja) | 圧力勾配型イオン源 | |
| JP3451777B2 (ja) | イオンシャワードーピング方法 | |
| JPH07335395A (ja) | プラズマ発生方法およびそれを用いた成膜方法、エッチング方法、半導体堆積方法ならびにドーピング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050428 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071101 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090422 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090930 |