JPH06224585A - フェライト電波吸収体とその製造方法 - Google Patents
フェライト電波吸収体とその製造方法Info
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- JPH06224585A JPH06224585A JP5027160A JP2716093A JPH06224585A JP H06224585 A JPH06224585 A JP H06224585A JP 5027160 A JP5027160 A JP 5027160A JP 2716093 A JP2716093 A JP 2716093A JP H06224585 A JPH06224585 A JP H06224585A
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Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 電波吸収を目的とする周波数域で、所定の値
より大きい吸収特性を有するNi−Zn系フェライト電波吸
収体製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 ２０〜２００ＭHzの周波数域で２０dB以上の
吸収特性を有する電波吸収体を作製する場合、Ni−Zn系
フェライト粉末を所定形状に成型し、1,２００〜1,３０
０℃の温度で焼成し、更に1,４３０〜1,４８０℃の温度
で２〜５時間焼成する。
より大きい吸収特性を有するNi−Zn系フェライト電波吸
収体製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 ２０〜２００ＭHzの周波数域で２０dB以上の
吸収特性を有する電波吸収体を作製する場合、Ni−Zn系
フェライト粉末を所定形状に成型し、1,２００〜1,３０
０℃の温度で焼成し、更に1,４３０〜1,４８０℃の温度
で２〜５時間焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電波吸収特性を改良し
た焼成されたフェライト電波吸収体及びその製造方法に
関する。
た焼成されたフェライト電波吸収体及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電波吸収体としては、磁気損失を利用し
たフェライトや、誘電損失を持つカーボンなどをウレタ
ンなどに含浸させたものなどが製品化されている。しか
しこれらは、電磁波の持つ２つの成分、すなわち磁界成
分と電界成分の一方のみを損失させること（フェライト
は磁界成分のみ、カーボンは電界成分のみ）により、電
磁波エネルギーを吸収すると言う特徴がある。これまで
のフェライト電波吸収体は、磁気損失の周波数分散のみ
を利用していたため、２０dB以上の吸収特性を持つ周波
数域が例えば５０〜４００ＭHzと狭く、最近問題となっ
ている自動車や電車等によって生ずる広い周波数に亘る
障害電波、特に低周波の周波数域に対して充分でなく、
フェライト電波吸収体のみで作られた簡易電波暗室にお
いては、満足した電波吸収特性が得られないと言う問題
点があった。
たフェライトや、誘電損失を持つカーボンなどをウレタ
ンなどに含浸させたものなどが製品化されている。しか
しこれらは、電磁波の持つ２つの成分、すなわち磁界成
分と電界成分の一方のみを損失させること（フェライト
は磁界成分のみ、カーボンは電界成分のみ）により、電
磁波エネルギーを吸収すると言う特徴がある。これまで
のフェライト電波吸収体は、磁気損失の周波数分散のみ
を利用していたため、２０dB以上の吸収特性を持つ周波
数域が例えば５０〜４００ＭHzと狭く、最近問題となっ
ている自動車や電車等によって生ずる広い周波数に亘る
障害電波、特に低周波の周波数域に対して充分でなく、
フェライト電波吸収体のみで作られた簡易電波暗室にお
いては、満足した電波吸収特性が得られないと言う問題
点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のフェ
ライト電波吸収体の上記の問題点にかんがみ、所要の周
波数域で電波吸収特性を改善することができるフェライ
ト電波吸収体及びその製造方法を提供することを課題と
する。
ライト電波吸収体の上記の問題点にかんがみ、所要の周
波数域で電波吸収特性を改善することができるフェライ
ト電波吸収体及びその製造方法を提供することを課題と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による電波吸収体
は、上記の課題を解決するため、焼成したフェライト電
波吸収体が、吸収を目的とする周波数域で誘電率が高く
なるような誘電率の周波数特性を有することを特徴とす
る。
は、上記の課題を解決するため、焼成したフェライト電
波吸収体が、吸収を目的とする周波数域で誘電率が高く
なるような誘電率の周波数特性を有することを特徴とす
る。
【０００５】上記の誘電率の周波数特性は、抵抗率が１
０-1〜１０-2Ω-mである焼成したNi−Zn系フェライトに
より得られる。
０-1〜１０-2Ω-mである焼成したNi−Zn系フェライトに
より得られる。
【０００６】その製造方法は、Ni−Zn系フェライト粉末
を所定の形状に成型し、その成型体を大気または還元性
雰囲気にて1,２００〜1,３００℃の温度で焼成し、更に
1,４３０〜1,４８０℃の温度で２〜５時間再焼成するこ
とを特徴とする。
を所定の形状に成型し、その成型体を大気または還元性
雰囲気にて1,２００〜1,３００℃の温度で焼成し、更に
1,４３０〜1,４８０℃の温度で２〜５時間再焼成するこ
とを特徴とする。
【０００７】
【作用】一般に、高周波域における物質の磁気損失
（μ″）や誘電損失（ε″）は、この物質の電波吸収体
としての基本的特性を表すものである。前者は、複素透
磁率μ* ＝μ′−ｊμ″（又は損失角tan δ＝μ″／
μ′）、後者については複素誘電率ε* ＝ε′−ｊε″
（又は損失角tan δ＝ε″／ε′）で表される事が知ら
れている。複素透磁率及び複素誘電率が分れば，この物
質の反射率（入射電磁波が物質に垂直入射した場合に、
物質表面で反射される割合）や、表皮深さ（入射電磁波
が物質中でＩ／ｅに減衰する迄の吸収層の厚み）が求め
られる。又、物質の吸収特性は、図７に示す如くフェラ
イト吸収体１の電波２の入射面３の裏側に反射板４を設
けて構成された電波吸収体の特性として知ることができ
る。
（μ″）や誘電損失（ε″）は、この物質の電波吸収体
としての基本的特性を表すものである。前者は、複素透
磁率μ* ＝μ′−ｊμ″（又は損失角tan δ＝μ″／
μ′）、後者については複素誘電率ε* ＝ε′−ｊε″
（又は損失角tan δ＝ε″／ε′）で表される事が知ら
れている。複素透磁率及び複素誘電率が分れば，この物
質の反射率（入射電磁波が物質に垂直入射した場合に、
物質表面で反射される割合）や、表皮深さ（入射電磁波
が物質中でＩ／ｅに減衰する迄の吸収層の厚み）が求め
られる。又、物質の吸収特性は、図７に示す如くフェラ
イト吸収体１の電波２の入射面３の裏側に反射板４を設
けて構成された電波吸収体の特性として知ることができ
る。
【０００８】本発明の電波吸収体は、電波吸収を目的と
する周波数域で誘電率が高くなるような誘電率の周波数
特性を持っているので、目的とする周波数域で所望の複
素透磁率（磁気損失）μ* を得るとともに、複素誘電率
（誘電損失）ε* をも生じさせることにより、吸収特性
を改良することができる。
する周波数域で誘電率が高くなるような誘電率の周波数
特性を持っているので、目的とする周波数域で所望の複
素透磁率（磁気損失）μ* を得るとともに、複素誘電率
（誘電損失）ε* をも生じさせることにより、吸収特性
を改良することができる。
【０００９】高周波域において必要とする複素透磁率
（μ* ＝μ′−ｊμ″）と、複素誘電率（ε* ＝ε′−
ε″）を得るため、種々研究を重ねた結果、上記の誘電
率の周波数特性は、Ni−Zn系フェライトの抵抗率が１０
-1〜１０-2Ω-mになるように制御することにより得られ
ることが判った。
（μ* ＝μ′−ｊμ″）と、複素誘電率（ε* ＝ε′−
ε″）を得るため、種々研究を重ねた結果、上記の誘電
率の周波数特性は、Ni−Zn系フェライトの抵抗率が１０
-1〜１０-2Ω-mになるように制御することにより得られ
ることが判った。
【００１０】一般的な磁性フェライトは、MO・Fe2O3 の
組成（ＭはMg、Ca、Zn、Ni、Cu等の２価の金属）のスピ
ネル構造の複合酸化物で、通常の酸化物セラミックス同
様、焼結体として製造される。例えば、電波吸収体とし
て一般的なNi−Zn系フェライトは、 NiO x・ZnO1-x・Fe
2O3 を組成とする複合酸化物で、次の方法で製造され
る。 NiO、ZnO 及びFe2O3 の粉末を所定量混合し、１０
００℃付近の温度で仮焼結する。このフェライト組成物
を粉砕した粉末を成型し、1,２００℃程度で本焼成する
ことによりNi−Zn系焼結体を製造する。
組成（ＭはMg、Ca、Zn、Ni、Cu等の２価の金属）のスピ
ネル構造の複合酸化物で、通常の酸化物セラミックス同
様、焼結体として製造される。例えば、電波吸収体とし
て一般的なNi−Zn系フェライトは、 NiO x・ZnO1-x・Fe
2O3 を組成とする複合酸化物で、次の方法で製造され
る。 NiO、ZnO 及びFe2O3 の粉末を所定量混合し、１０
００℃付近の温度で仮焼結する。このフェライト組成物
を粉砕した粉末を成型し、1,２００℃程度で本焼成する
ことによりNi−Zn系焼結体を製造する。
【００１１】しかし、本発明の目的とする誘電損失と磁
気損失とを併せ持つフェライト焼結体は、前記の製造方
法をそのまゝ採用しても得られない。
気損失とを併せ持つフェライト焼結体は、前記の製造方
法をそのまゝ採用しても得られない。
【００１２】1,３００℃以下の焼結では、誘電損失を持
ったフェライト焼結体を製造することはできない。1,４
００℃程度の場合、かなり長い時間焼成すれば目的の特
性を達成することはできるが、時間の管理が難しく実用
的ではない。焼成温度は、1,４００℃以上、好ましく
は、1,４３０℃以上で焼結する必要がある。しかし、焼
成温度まで一気に温度を上げた場合、成型体中の空気が
抜けない等の理由で焼結体が割れ、製品を造ることが出
来ない。昇温速度を緩やかにした場合、1,３００〜1,４
００℃で還元作用が徐々に進み、目的とする抵抗率に焼
結体を制御することが難しい。
ったフェライト焼結体を製造することはできない。1,４
００℃程度の場合、かなり長い時間焼成すれば目的の特
性を達成することはできるが、時間の管理が難しく実用
的ではない。焼成温度は、1,４００℃以上、好ましく
は、1,４３０℃以上で焼結する必要がある。しかし、焼
成温度まで一気に温度を上げた場合、成型体中の空気が
抜けない等の理由で焼結体が割れ、製品を造ることが出
来ない。昇温速度を緩やかにした場合、1,３００〜1,４
００℃で還元作用が徐々に進み、目的とする抵抗率に焼
結体を制御することが難しい。
【００１３】本発明では、Ni−Zn系フェライト粉末を所
定の形に成型し、1,２００〜1,３００℃程度で一旦焼成
したNi−Zn系フェライト焼結体を、さらに焼結温度を1,
４３０〜1,４８０℃と高くし、２〜５時間再焼結する事
により、目的の特性を得るようにしている。また、焼結
温度を1,５００℃以上と高くした場合、還元作用が進む
速度が大きく、工業的に製造することは難しい。
定の形に成型し、1,２００〜1,３００℃程度で一旦焼成
したNi−Zn系フェライト焼結体を、さらに焼結温度を1,
４３０〜1,４８０℃と高くし、２〜５時間再焼結する事
により、目的の特性を得るようにしている。また、焼結
温度を1,５００℃以上と高くした場合、還元作用が進む
速度が大きく、工業的に製造することは難しい。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の具体的実施例を、図面に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【００１５】＜比較例１＞従来の一般的なNi−Zn系フェ
ライト電波吸収体の焼結サイクルの一例を図１に示す。
この例では、Ni−Zn系フェライト成型体は1,２００℃の
焼成温度で５時間焼成する。焼成体の抵抗率は約１０7
Ω-m以上で、その周波数に対する電波吸収特性を図４に
示す。図４に示される如く、吸収特性が２０dB以上とな
る周波数帯域は５０〜４００ＭHzと狭く、特に２０〜５
０ＭHzの低周波域での吸収特性が悪い。
ライト電波吸収体の焼結サイクルの一例を図１に示す。
この例では、Ni−Zn系フェライト成型体は1,２００℃の
焼成温度で５時間焼成する。焼成体の抵抗率は約１０7
Ω-m以上で、その周波数に対する電波吸収特性を図４に
示す。図４に示される如く、吸収特性が２０dB以上とな
る周波数帯域は５０〜４００ＭHzと狭く、特に２０〜５
０ＭHzの低周波域での吸収特性が悪い。
【００１６】＜本発明の実施例＞図２は、本発明の焼結
サイクルの代表的な一例を示す図である。すなわち、1,
２００℃の焼結温度で２時間焼結して得られたNi−Zn系
フェライト焼結体を、さらに1,４５０℃の焼結温度で３
時間再焼結した。得られた焼結体の抵抗率は１０-1Ω-m
で、その電波吸収特性を図５に示す。この実施例では、
約２００ＭHz以下２０ＭHzに至る周波数域で吸収特性が
２０dB以下となり、低周波域、特に２０〜５０ＭHzの周
波数域の吸収特性が改善されている。
サイクルの代表的な一例を示す図である。すなわち、1,
２００℃の焼結温度で２時間焼結して得られたNi−Zn系
フェライト焼結体を、さらに1,４５０℃の焼結温度で３
時間再焼結した。得られた焼結体の抵抗率は１０-1Ω-m
で、その電波吸収特性を図５に示す。この実施例では、
約２００ＭHz以下２０ＭHzに至る周波数域で吸収特性が
２０dB以下となり、低周波域、特に２０〜５０ＭHzの周
波数域の吸収特性が改善されている。
【００１７】＜比較例２＞図３に比較例の焼結サイクル
を示す。この比較例では、第１次の焼結の温度及び時間
は、上記実施例と同様、1,２００℃、２時間であるが、
再焼結の温度は1,５００℃とされている。その結果得ら
れた焼結体の抵抗率は１０-3Ω-mとなり、電波吸収特性
は、図６に示す如く、１０ＭHzから１ＧHz迄の間一様に
殆んど零dBとなり、電波吸収体として使用できないもの
となる。
を示す。この比較例では、第１次の焼結の温度及び時間
は、上記実施例と同様、1,２００℃、２時間であるが、
再焼結の温度は1,５００℃とされている。その結果得ら
れた焼結体の抵抗率は１０-3Ω-mとなり、電波吸収特性
は、図６に示す如く、１０ＭHzから１ＧHz迄の間一様に
殆んど零dBとなり、電波吸収体として使用できないもの
となる。
【００１８】図２及び図５に夫々焼結サイクル及び吸収
特性を示した実施例は、本発明者が行なった多数の実施
例の中の代表的な一例を示したものであって、第１次の
焼結温度は1,２００〜1,３００℃、再焼結の温度及び時
間は1,４３０〜1,４８０℃及び２〜５時間の範囲であれ
ば、所要の電波吸収特性が得られる。又、焼結は大気中
のみならず、還元性雰囲気内で行なうのがよい。
特性を示した実施例は、本発明者が行なった多数の実施
例の中の代表的な一例を示したものであって、第１次の
焼結温度は1,２００〜1,３００℃、再焼結の温度及び時
間は1,４３０〜1,４８０℃及び２〜５時間の範囲であれ
ば、所要の電波吸収特性が得られる。又、焼結は大気中
のみならず、還元性雰囲気内で行なうのがよい。
【００１９】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、目的とす
る周波数域において、良好な電波吸収特性を備えたフェ
ライト電波吸収体とその製造方法を得ることができる。
る周波数域において、良好な電波吸収特性を備えたフェ
ライト電波吸収体とその製造方法を得ることができる。
【図１】一般的なNi−Zn系フェライト電波吸収体の焼結
サイクルの一例を示すグラフ図である。
サイクルの一例を示すグラフ図である。
【図２】本発明のNi−Zn系フェライト電波吸収体の焼結
サイクルの実施例を示すグラフ図である。
サイクルの実施例を示すグラフ図である。
【図３】不適切な焼結サイクルの比較例の一つを示すグ
ラフ図である。
ラフ図である。
【図４】従来の一般的な焼結サイクルにより作製された
Ni−Zn系フェライト電波吸収体の電波吸収特性の一例を
示す曲線図である。
Ni−Zn系フェライト電波吸収体の電波吸収特性の一例を
示す曲線図である。
【図５】本発明の焼結サイクルにより作製されたNi−Zn
系フェライト電波吸収体の一実施例の電波吸収特性を示
す曲線図である。
系フェライト電波吸収体の一実施例の電波吸収特性を示
す曲線図である。
【図６】不適切な焼結サイクルにより作製されたNi−Zn
系フェライト電波吸収体の比較例の電波吸収特性を示す
曲線図である。
系フェライト電波吸収体の比較例の電波吸収特性を示す
曲線図である。
【図７】フェライト電波吸収体の構成を説明する説明図
である。
である。
１ フェライト電波吸収体 ２ 電波の入射方向 ４ 反射板
Claims (3)
- 【請求項１】 焼成したフェライト電波吸収体が、吸収
を目的とする周波数域で誘電率が高くなるような誘電率
の周波数特性を有し、これにより特に２０〜５０ＭHzの
低周波域の電波吸収特性を改良したフェライト電波吸収
体。 - 【請求項２】 抵抗率が１０-1〜１０-2Ω-mである焼成
したNi−Zn系フェライトであることを特徴とする請求項
１に記載のフェライト電波吸収体。 - 【請求項３】 Ni−Zn系フェライト粉末を所定の形状に
成型し、その成型体を大気又は還元性雰囲気にて1,２０
０〜1,３００℃の温度で焼成し、更に1,４３０〜1,４８
０℃の温度で２〜５時間再焼成することを特徴とする請
求項２に記載のフェライト電波吸収体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5027160A JPH06224585A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | フェライト電波吸収体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5027160A JPH06224585A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | フェライト電波吸収体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224585A true JPH06224585A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12213309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5027160A Pending JPH06224585A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | フェライト電波吸収体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110752092A (zh) * | 2018-10-18 | 2020-02-04 | 嘉兴学院 | 一种电容器复合电介质材料的制备方法 |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP5027160A patent/JPH06224585A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110752092A (zh) * | 2018-10-18 | 2020-02-04 | 嘉兴学院 | 一种电容器复合电介质材料的制备方法 |
| CN110752092B (zh) * | 2018-10-18 | 2021-03-30 | 嘉兴学院 | 一种电容器复合电介质材料的制备方法 |
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