JPH06224722A - トランシーバ用ドライバー回路 - Google Patents

トランシーバ用ドライバー回路

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JPH06224722A
JPH06224722A JP4285952A JP28595292A JPH06224722A JP H06224722 A JPH06224722 A JP H06224722A JP 4285952 A JP4285952 A JP 4285952A JP 28595292 A JP28595292 A JP 28595292A JP H06224722 A JPH06224722 A JP H06224722A
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JP
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circuit
current
pull
transistor
transistors
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JP4285952A
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Inventor
Stephen R Tomasetti
アール.トマセッティ スティーブン
Danny Tsong
ツオング ダニー
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Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/017509Interface arrangements
    • H03K19/017518Interface arrangements using a combination of bipolar and field effect transistors [BIFET]

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 トランシーバ用ドライバー回路を提供する。 【構成】 トランシーバ1は出力が所定値を越える場合
にプルアップ/プルダウン回路14、17への入力駆動
を終止させる出力カレントミラー回路15、18を具備
するプルアップ/プルダウン回路14、17への伝送線
6上に信号入力を有するドライバー回路2を備えてい
る。入力信号が所定レベルよりも降下する時にスピード
アップ回路16、19が回路14、17の電流源を急速
にオフとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はトランシーバに関し、特
にトランシーバ用ドライバー回路に関する。
【0002】
【従来の技術】トランシーバは電気信号、特にデジタル
フォーマットのデータを表わす信号を送受信する電気装
置である。トランシーバの一つのシステムもしくは装置
ともう一つのシステムもしくは装置に接続された伝送路
間のインターフェイスに配置される。例えば、トランシ
ーバはコンピュータの出力においてコンピュータ出力を
ワイヤを介してビデオディスプレイ端末やプリンタ等の
周辺装置へ伝送するのに使用される。中央処理装置やマ
イクロプロセッサやマイクロコンピュータを有する多く
のシステムがトランシーバを使用している。このような
システムはコンピュータ、電話システム、ディスクドラ
イブ、自動車制御システムおよびその他の産業システム
とすることができる。トランシーバに接続可能な伝送路
はリボン、同軸ケーブルもしくは撚対線とすることがで
きる。後の伝送路はRS485インターフェイス標準に
適合するトランシーバに代表的に接続される。
【0003】トランシーバは2部分、すなわちドライバ
ーおよび受信機により構成される。ドライバーの入力
は、代表的にUART(universal asyn
chronovs receiver tranami
tter)のシリアル出力において、システムの出力に
接続されている。UART装置がコンピュータバス上の
正規のパラレルデータビットをシリアルビット流へ変換
する。シリアルビット流はトランシーバのドライバ回路
への入力信号を形成する。ドライバ回路は入力の論理レ
ベル信号を伝送路とコンパチブルなレベルへ変換する。
例えば、ドライバーはTTL、ECLもしくはCMOS
論理レベル信号を1.5V以上の差電圧を有し54Ω負
荷を駆動可能なRS485信号へ変換することができ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来技術のドライバー
回路はバイポーラトランジスタだけを使用して1個の半
導体基板上へ集積される。このようなデバイスは高速で
駆動能力が高いが、信号を駆動しない時でも多量の電力
を消費する。バイポーラトランジスタ回路は通常信号を
駆動しない時でもバイポーラトランジスタへ給電を行う
バイアス電流源を有している。さらに、1個の半導体基
板上へ集積できるトランシーバの数はバイポーラトラン
ジスタの消費電力により制限される。現在、1個の基板
上にはRS485型トランシーバは4個までしか集積で
きないが、トランシーバ基板へより多くの高駆動、高速
バイポーラドライバー回路を付加することにより集積密
度を高めることが望ましい。
【0005】消費電力問題に対する一つの解決方法はド
ライバー回路内にCMOSトランジスタだけを使用する
ことであった。しかしながら、純粋なCMOS回路には
いくつかの制約がある。その一つは部品の破壊電圧であ
る。CMOSデバイスは入力信号の電圧範囲を簡単に操
作してコモンモード動作の許容範囲とすることができな
い。コモンモード動作はドライバー性能の尺度である。
【0006】したがって、静止状態における消費電力が
低く、コモンモード動作の高い、高速ドライバーを有す
るトランシーバに対するニーズが以前から存在してい
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明はBICMOS回
路を有するトランシーバを提供することにより従来の問
題点を解決し従来技術における以前からのニーズに応え
るものである。本発明ではCMOSトランジスタは静止
状態における消費電力を最少限に抑えるように配置され
バイポーラトランジスタは負荷を駆動およびスイッチす
るように配置される。
【0008】特に、トランシーバドライバー回路はプル
アップ/プルダウン回路を有し、CMOSトランジスタ
がバイポーラプルアップおよびプルダウントランジスタ
へベース電流を供給する。静止状態ではCMOSトラン
ジスタは電流を引き出さないため無負荷状態における回
路の消費電力が最少限に抑えられる。本発明によりバイ
ポーラ差動ドライバー回路を有する5個以上のトランシ
ーバを1個の基板上に集積することができる。
【0009】本発明のドライバー回路はカレントミラー
回路も含んでいる。カレントミラー回路はドライバーが
伝送路の駆動電流、電圧およびプルアップ/プルダウン
トランジスタの定格電流、電圧を越えないように保護す
る。カレントミラーICがプルアップ/プルダウン回路
の入出力間に接続されている。それは出力電流を測定す
る。所定の出力電流を越えると、カレントミラー回路は
バイポーラトランジスタのベース電流供給をオフとす
る。カレントミラー回路はプルアップ/プルダウントラ
ンジスタの数分の1のサイズの一対のバイポーラトラン
ジスタを具備している。
【0010】ドライバー回路はスピードアップ回路も有
している。スピードアップ回路は接地とバイポーラプル
アップ/プルダウントランジスタのベース間に接続され
たCMOSトランジスタを具備している。スピードアッ
プバイポーラトランジスタのゲートはドライバーの入力
に接続されている。入力ドライバー信号がローとなる
と、ゲートがオンとされてプルアップもしくはプルダウ
ントランジスタの適切なベースが接地されプルアップも
しくはプルダウントランジスタの遮断がスピードアップ
される。
【0011】
【実施例】図1を参照して、ビデオディスプレイ端末も
しくはプリンタ等の周辺装置22で終端する一対の伝送
路12に接続されたトランシーバ1を有する、例えば、
コンピュータである第1のシステム20を示す。トラン
シーバ1はドライバ回路2もしくは受信機回路3を具備
している。信号に応答して、コンピュータ20からチッ
プへの出力によりファンクションピン4がイネーブルさ
れ、トランシーバ1はドライバー2もしくは受信機3を
イネーブルする。シングルエンデッドデジタル信号形状
の情報が伝送路6および7等の数本の伝送路を含む代表
的に大型バスを介してコンピュータ20から出力され
る。例えば、伝送路6はドライバー回路2により伝送路
12、13の要求に適合するレベルの信号へ変換される
シングルエンデッド信号に合致している。実施例では、
伝送路12、13は標準RS485インターフェイスに
適合するように設計されている。この伝送路は、伝送路
10、11を介して受信機回路3にも接続されている。
チップイネーブルピン4がシングルエンデッド信号から
なる受信機3の出力を伝送路8、9等を介してコンピュ
ータ20入力へ接続する。伝送路8、9は一般的にコン
ピュータ20の大型バスの一部ともなっている。図1に
示すシステムは1個のトランシーバを有している。バイ
ポーラ回路とコンパチブルな集積の電流レベルにより1
個の半導体基板上に最大4個のトランシーバを集積する
ことができる。しかしながら、本発明では1個の基板上
に5個以上のトランシーバを集積することができる。今
までのところ、本発明では1個の基板上に9個までのト
ランシーバを集積するのに成功している。
【0012】ドライバー回路2の詳細を図2に示す。伝
送路6上の信号はシングルエンデッドを通って公知の差
動信号送信機へ通され23がそれぞれ伝送路6a、6b
を介してプルアップ/プルダウン回路14、17へ入力
される。プルアップ/プルダウン回路14、17は共に
ドライバトランジスタのベースへ給電を行うMOS電流
源を有するバイポーラドライブトランジスタを具備して
いる。図3に関して代表的なドライバ回路の詳細検討を
行う。各々が出力回路ミラー回路15、18を有するプ
ルアップ/プルダウン回路14、17がそれぞれプルア
ップ/プルダウン回路の出力と回路自体間に接続されて
いる。カレントミラー回路15、18は伝送路12、1
3上の出力を測定する。出力が所定値を越えると、カレ
ントミラーはプルアップ/プルダウン回路14、17へ
の入力駆動を終止する。プルアップ/プルダウン回路1
4、17にはそれぞれスピードアップ回路16、19も
接続されている。スピードアップ回路16、19は入力
線6a、6b上の入力信号レベルを感知する。入力信号
が所定のレベルよりも降下して伝送路6a、6b上に信
号がないことが示されると、スピードアップ回路16、
19はプルアップ/プルダウン回路へ電流を供給する電
流源を急速にオフとするのを助ける。
【0013】図3に図2のドライバー回路14、17の
回路図を示す。入力電圧Vi がnmosトランジスタm
n1のゲートおよびインバータ22の入力へ与えられ
る。インバータ22の出力は抵抗器Rip2を介してP
チャネルトランジスタmp1のゲートに接続され、かつ
抵抗器Ri2を介してnチャネルトランジスタmn2の
ゲートに接続されている。
【0014】Pチャネルトランジスタmp1のソースは
ショットキーダイオードDi 1のアノードだけでなくN
PNトランジスタQ1、Q2のベースにも接続されてい
る。トランジスタmp1のドレーンはショットキーダイ
オードdi2のカソードに接続され、そのアノードは電
源電圧Vccに接続されている。
【0015】トランジスタQ1のコレクタはショットキ
ーダイオードDi 5を介してVccに接続され、トランジ
スタQ2のコレクタは抵抗器Rioshおよびショット
キーダイオードDi 6を介してVccに接続されている。
抵抗器RioshはPNPトランジスタQp1のエミッ
タおよびベース間にも接続され、そのエミッタはVcc
接続されている。トランジスタQp1のエミッタはショ
ットキーダイオードD i 7を介してトランジスタMp1
のゲートに接続されている。
【0016】トランジスタQ1、Q2のエミッタはそれ
ぞれ抵抗器Reh1、Reh2を介してノード6に接続
されている。
【0017】トランジスタmn2のゲートはnチャネル
トランジスタMn3のゲートおよびNPNトランジスタ
Q3のコレクタに接続されている。トランジスタMn2
のソースはトランジスタMn3のソースだけでなく、ト
ランジスタMn1のドレーンおよびNPNトランジスタ
Q2、Q2aのベースにも接続されている。トランジス
タMn3のドレーンはショットキーダイオードDi 8を
介してノード6に接続されている。
【0018】トランジスタQ2のコレクタは、一端がP
NPトランジスタQp2のベースおよびコレクタに接続
されている抵抗器Rioshの他端に接続されているだ
けでなく、ショットキーダイオードDi 9を介してノー
ド6にも接続されている。トランジスタQ2aのコレク
タはトランジスタQp2のベースに接続されている。ト
ランジスタQ2、Q2aのエミッタはそれぞれ抵抗器R
el1、Rel2を介して接地されている。
【0019】トランジスタQp2のコレクタはトランジ
スタQ3のベースに接続されている。Q3のベースは抵
抗器Rgを介して接地され、Q3のエミッタは接地され
かつトランジスタMn1のソースに接続されている。
【0020】図3に示す回路はノード6にR1、C1と
して示す差動伝送路の一端のプッシュプル駆動を行う。
【0021】ドライバー回路20の入力に論理入力信号
i が与えられる。好ましくは簡単なCMOSインバー
タであるインバータ22を使用して相補形信号Vip2が
発生される。Vi がハイの時はVip2はローとなり、ト
ランジスタMp1がオンとされてプルアップ段出力トラ
ンジスタQ1へベース駆動電流が供給され、それにより
負荷へ駆動電流が供給される。
【0022】同時に、Vip2がローであるため、トラン
ジスタMn2がオフとされ駆動トランジスタQ1から電
流を引き出さないようにされる。Mn3も同時にオフと
されてノード6から電流を引き出すことが防止される。
【0023】Q1a、Qp1、RioshおよびRip
2はRS485で要求される限流回路を形成する。Q
1、Q1aはQ1aのコレクタ電流がQ1のコレクタ電
流の倍数となるようなスケールで整合される。実施例で
は、倍率は5対1である。出力インピーダンスが降下す
ると(出力の短絡状態に向う)、Qp1のベース・エミ
ッタ接合間に電圧降下が生じる。それが増大して順バイ
アス電圧に達すると、Qp1はMp1のゲートへコレク
タ電流を戻し、Rip2の両端間に電圧降下を生じてM
p1をオフとする。Rioshは適切なQ1aコレクタ
電流においてQp1がオンとされるように選択されてい
る。Q1、Q1a間の倍率はRioshの値が妥当であ
って容易に製造できるように選択される。
【0024】Vi がハイであると、それはMn1のゲー
トにも与えられてそれをオンとし、それによりシンクト
ランジスタQ2、Q2aのベースからの低インピーダン
ス経路が提供され、それらをオフとするのを助ける。
【0025】Vi がローであれば、インバータ22がP
MOSトランジスタMp1へハイ信号を与えてそれをオ
フとし、次にソーストランジスタQ1、Q1aから駆動
電流が除去される。同時に、Mn2のゲートおよびMn
1へハイ信号が与えられる。したがって、Mn2のソー
スはQ2のベースへ連結され、そのドレーンはDS2を
介してQ1、Q1aのベースへ接続される。これにより
急速なターンオフを行う蓄積ベース電荷の放電経路が提
供され、回路は無負荷状態において静止電流0で作動す
ることができる。また、Q2をオンとするのを助ける短
い電流サージも供給される。
【0026】同時に、Mn3もオンとされ、出力ノード
6からドレーントランジスタQ2、Q2aのベースへ連
結される。したがって、シンクトランジスタQ2、Q2
aのベース駆動電流は実際上負荷から送られ、これは一
つの利点となる。通常所要電力の10〜15%に達する
ベース駆動は従来電源により行われている。この構成に
より消費電力を最少限に抑えることができる。
【0027】シンクトランジスタは駆動トランジスタQ
1a、Q1aと同じ比率である。Q2aを流れる電流は
Q1aを流れる電流と同様に監視される。Q2a、Qp
2、Rios1およびRi2はシンクトランジスタQ
2、Q2の限流回路を形成する。Rios1両端間の電
圧降下が1Vbeに達すると、トランジスタQp2がオン
とされ、Q3へベース電流が送られてQ3をオンとし、
次にMn2、Mn3のゲートへ駆動信号がシンクされて
それらをオフとし、それによりQ2、Q2aのベースか
ら駆動電流が除去されてそれらをオフとする。
【0028】ショットキー阻止ダイオードを高電圧MO
Sおよびバイポーラ素子と共に使用してRS485が要
求するVccよりも高く接地よりも低い拡張された出力コ
モンモード範囲が得られる。プルアップ段に対しては、
出力がVccよりも高く引き上げられる場合にMp1のド
レーン・バックゲートダイオードを通る電流経路がD i
2により阻止される。同じ状況の元で、Ds 5、Ds
はQ1、Q1aのベース・コレクタダイオードに対して
同様な阻止を行う。
【0029】プルダウン段に対しては、Ds 7がQ2、
Q2aのベース・コレクタダイオードにより形成される
電流経路を阻止する。
【0030】特定例について本発明を説明してきたが、
本開示は単なる例にすぎず同業者ならば発明の範囲およ
び精神を逸脱することなくさまざまな部品の組合せおよ
び配置を考えられるものと思われる。
【0031】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1) 一対のバイポーラトランジスタおよびバイポー
ラトランジスタのベースへバイアス電流を供給する一対
のMOSトランジスタを有する回路。
【0032】(2) バイポーラトランジスタのベース
へバイアス電流を供給する一対のMOSトランジスタを
有する一対のバイポーラプルアップおよびプルダウント
ランジスタを具備するドライバ回路。
【0033】(3) 第1、第2のバイポーラトランジ
スタおよび第1、第2のバイポーラトランジスタのベー
スへそれぞれ接続された第1、第2のMOSトランジス
タを有するドライバー回路。
【0034】(4) 第(3)項記載の回路において、
MOSトランジスタは相補形MOSトランジスタである
回路。
【0035】(5) 第(4)項記載の回路において、
MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの各ベー
スへ電流を供給する電流経路を有する回路。
【0036】(6) 第(5)項記載の回路において、
MOSトランジスタはゲート電極に加わる電圧に応答し
てMOSトランジスタの電流経路を流れる電流を変える
ゲート電極を有する回路。
【0037】(7) 第(6)項記載の回路において、
MOSトランジスタの電極に電圧が加わらない場合にM
OSトランジスタに流れる電流は無視できる回路。
【0038】(8) 第(7)項記載の回路において、
バイポーラトランジスタは電流経路を有しベース電極は
そこに加わる電流に応答してバイポーラトランジスタの
電流経路を流れる電流を変える回路。
【0039】(9) 第(8)項記載の回路において、
MOSトランジスタのゲート電極に電圧が加わる場合に
バイポーラトランジスタに流れる電流は無視できる回
路。
【0040】(10) 第(3)項記載の回路におい
て、さらにカレントミラー回路を具備する回路。
【0041】(11) 第(10)項記載の回路におい
て、カレントミラー回路は第1および第2のバイポーラ
トランジスタに接続されている回路。
【0042】(12) 第(10)項記載の回路におい
て、カレントミラー回路は第3および第4のバイポーラ
トランジスタを具備する回路。
【0043】(13) 第(12)項記載の回路におい
て、第3および第4のバイポーラトランジスタは電流経
路およびベース電極の電流に従って前記電流経路の電流
を制御する前記ベース電極を有する回路。
【0044】(14) 第(13)項記載の回路におい
て、第3および第4のバイポーラトランジスタのベース
電極はそれぞれ第1および第2のバイポーラトランジス
タのベースに接続されている回路。
【0045】(15) 第(14)項記載の回路におい
て、第3および第4のトランジスタはその各電流経路が
第1および第2のトランジスタの電流経路の所定サイズ
とされている回路。
【0046】(16) 第(15)項記載の回路におい
て、第1および第2のトランジスタの第3および第4の
トランジスタに対する電流経路の比はおよそ50:1で
ある回路。
【0047】(17) 第(3)項記載の回路におい
て、さらに第3および第4のMOSトランジスタを具備
する回路。
【0048】(18) 第(17)項記載の回路におい
て、第3および第4のMOSトランジスタはそれぞれ第
1および第2のバイポーラトランジスタに接続された電
流経路を有する回路。
【0049】(19) 第(18)項記載の回路におい
て、第3および第4のMOSトランジスタの電流経路は
それぞれ第1および第2のバイポーラトランジスタのベ
ースに接続されている回路。
【0050】(20) 第(18)項記載の回路におい
て、第3および第4のMOSトランジスタは第1および
第2のトランジスタがオフとされている間第1および第
2のバイポーラトランジスタのベースへ補助電流を供給
して、第1もしくは第2のバイポーラトランジスタがオ
フとされるまでの時間を短縮する回路。
【0051】(21) 第(3)項記載の回路におい
て、さらに第1および第2のバイポーラトランジスタを
急速にオフとする補助プルダウン回路を具備する回路。
【0052】(22) 第(21)項記載の回路におい
て、補助プルダウン回路はそれぞれ第1および第2のバ
イポーラトランジスタに接続された電流経路を有する第
3および第4のMOSトランジスタを具備する回路。
【0053】(23) 第(22)項記載の回路におい
て、第3および第4のMOSトランジスタは第1および
第2のバイポーラトランジスタがオフとされている間第
1および第2のバイポーラトランジスタのベースへ補助
電流を供給して第1もしくは第2のバイポーラトランジ
スタがオフとされるまでの時間を短縮する回路。
【0054】(24) 第(3)項記載の回路におい
て、さらに1個以上のトランジスタ経路内にその基板電
流経路を流れる電流を制限する1個以上のダイオードを
具備する回路。
【0055】(25) 第(12)項記載の回路におい
て、さらに1個以上のトランジスタの電流経路内にその
基板電流経路を流れる電流を制限する1個以上のダイオ
ードを具備する回路。
【0056】(26) 第(22)項記載の回路におい
て、さらに1個以上のトランジスタの電流経路内にその
基板電流経路を流れる電流を制限する1個以上のダイオ
ードを具備する回路。
【0057】(27) 1個の基板上に5つ以上のバイ
ポーラプルアップ/プルダウン回路を具備するBICM
OSドライバ回路。
【0058】(28) 第(3)項記載の回路におい
て、該回路はある論理レベルの信号を受信する入力およ
び伝送路とコンパチブルな所定レベルの信号を送信する
出力を有する回路。
【0059】(29) 各々が出力が所定値を越える場
合にプルアップ/プルダウン回路14、17への入力駆
動を終止させる出力カレントミラー回路15、18を具
備するプルアップ/プルダウン回路14、17への伝送
線6上に信号入力を有するドライバ回路2を備えたトラ
ンシーバ。入力信号が所定レベルよりも降下する時にス
ピードアップ回路16、19が回路14、17の電流源
を急速にオフとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】トランシーバを使用するシステムのブロック
図。
【図2】図1のトランシーバ用差動ドライバーのブロッ
ク図。
【図3】図2の差動ドライバーの半分の回路図。
【符号の説明】
1 トランシーバ 2 ドライバー回路 3 受信機 4 ファンクションピン 6 伝送路 7 伝送路 8 伝送路 9 伝送路 10 伝送路 11 伝送路 12 伝送路 13 伝送路 14 プルアップ/プルダウン回路 15 ミラー回路 16 スピードアップ回路 17 プルアップ/プルダウン回路 18 カレントミラー回路 19 スピードアップ回路 20 コンピュータ 22 インバータ
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04B 1/40 8949−5K

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対のバイポーラトランジスタおよびバ
    イポーラトランジスタのベースへバイアス電流を供給す
    る一対のMOSトランジスタを有する回路。
JP4285952A 1991-10-25 1992-10-23 トランシーバ用ドライバー回路 Pending JPH06224722A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78292991A 1991-10-25 1991-10-25
US782929 1991-10-25

Publications (1)

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JPH06224722A true JPH06224722A (ja) 1994-08-12

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ID=25127622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4285952A Pending JPH06224722A (ja) 1991-10-25 1992-10-23 トランシーバ用ドライバー回路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5338987A (ja)
EP (1) EP0539230B1 (ja)
JP (1) JPH06224722A (ja)
KR (1) KR100319578B1 (ja)
DE (1) DE69228911T2 (ja)
MY (1) MY118023A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7821992B2 (en) 2005-01-06 2010-10-26 Lg Electronics Inc. High speed uplink packet access scheme

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5483184A (en) * 1993-06-08 1996-01-09 National Semiconductor Corporation Programmable CMOS bus and transmission line receiver
US5557223A (en) * 1993-06-08 1996-09-17 National Semiconductor Corporation CMOS bus and transmission line driver having compensated edge rate control
KR100302890B1 (ko) * 1993-06-08 2001-11-22 클라크 3세 존 엠. 프로그램가능한cmos버스및전송라인드라이버
US5539341A (en) * 1993-06-08 1996-07-23 National Semiconductor Corporation CMOS bus and transmission line driver having programmable edge rate control
JP3476465B2 (ja) * 1993-06-08 2003-12-10 ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション Cmosbtl互換バス及び伝送線路ドライバ
US5543746A (en) * 1993-06-08 1996-08-06 National Semiconductor Corp. Programmable CMOS current source having positive temperature coefficient
US5471663A (en) * 1993-07-01 1995-11-28 Motorola, Inc. Expanded microcomputer system for controlling radio frequency interference
KR970005573B1 (ko) * 1994-08-17 1997-04-17 한국전기통신공사 낮은 출력 임피던스를 갖는 버퍼회로
US5576654A (en) * 1995-05-16 1996-11-19 Harris Corporation BIMOS driver circuit and method
JP3699764B2 (ja) * 1996-01-31 2005-09-28 株式会社東芝 ドライバ回路装置及びインターフェース
US5793193A (en) * 1996-02-15 1998-08-11 Harris Corporation DC-to-DC converter having enhanced control features and associated methods
US5821740A (en) * 1996-02-15 1998-10-13 Harris Corporation DC-to-DC converter having fast over-current detection and associated methods
US5808883A (en) * 1996-02-15 1998-09-15 Harris Corporation DC-to-DC converter having charge pump and associated methods
US5818260A (en) * 1996-04-24 1998-10-06 National Semiconductor Corporation Transmission line driver having controllable rise and fall times with variable output low and minimal on/off delay
US6046621A (en) * 1996-09-30 2000-04-04 Advanced Micro Devices, Inc. Differential signal generator with dynamic beta ratios
US5933375A (en) * 1997-09-17 1999-08-03 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Main amplifier with fast output disablement
GB2335556B (en) 1998-03-18 2002-10-30 Ericsson Telefon Ab L M Switch circuit
US6329843B1 (en) * 1999-10-14 2001-12-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Output driver with current compensation circuit for variation of common mode voltage
JP3423267B2 (ja) * 2000-01-27 2003-07-07 寛治 大塚 ドライバ回路、レシーバ回路、および信号伝送バスシステム
US6292010B1 (en) 2000-02-02 2001-09-18 Teradyne, Inc. Dynamic pin driver combining high voltage mode and high speed mode
US6590436B2 (en) 2001-10-12 2003-07-08 Texas Instruments Incorporated System and method of translating wide common mode voltage ranges into narrow common mode voltage ranges
US6628150B1 (en) 2002-04-02 2003-09-30 Texas Instruments Incorporated System and method to speed-up operation of a driver
DE10243603B4 (de) * 2002-09-19 2007-04-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Verwendung beim Trimmen, Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät zum Durchführen des Verfahrens und Halbleiter-Bauelement-Test-System
US7161442B2 (en) * 2003-01-06 2007-01-09 United Microelectronics Corp. Latch system comprising an action module to increase negative resistance
US7208993B2 (en) * 2003-03-11 2007-04-24 Texas Instruments Incorporated Input current leakage correction for multi-channel LVDS front multiplexed repeaters

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3845405A (en) * 1973-05-24 1974-10-29 Rca Corp Composite transistor device with over current protection
JPH0693626B2 (ja) * 1983-07-25 1994-11-16 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
JPH0292113A (ja) * 1988-09-29 1990-03-30 Nec Corp インバータ回路
JPH06103839B2 (ja) * 1988-12-28 1994-12-14 株式会社東芝 半導体論理回路
DE3941840A1 (de) * 1989-03-21 1991-01-24 Fraunhofer Ges Forschung Schaltung
KR930001439B1 (ko) * 1990-05-08 1993-02-27 한국전기통신공사 BiCMOS용 출력회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7821992B2 (en) 2005-01-06 2010-10-26 Lg Electronics Inc. High speed uplink packet access scheme

Also Published As

Publication number Publication date
EP0539230A2 (en) 1993-04-28
KR930009268A (ko) 1993-05-22
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MY118023A (en) 2004-08-30
DE69228911T2 (de) 1999-10-21
EP0539230A3 (en) 1993-09-29
US5338987A (en) 1994-08-16
KR100319578B1 (ko) 2002-04-22
DE69228911D1 (de) 1999-05-20

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