JPH06230036A - プローブ基板,その製造方法,およびその使用方法 - Google Patents
プローブ基板,その製造方法,およびその使用方法Info
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- JPH06230036A JPH06230036A JP4192793A JP4192793A JPH06230036A JP H06230036 A JPH06230036 A JP H06230036A JP 4192793 A JP4192793 A JP 4192793A JP 4192793 A JP4192793 A JP 4192793A JP H06230036 A JPH06230036 A JP H06230036A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被検査対象に半導体テスト装置からの信号を
確実に導くプローブ基板,その製造方法,およびその使
用方法を得ること。 【構成】 ベースフィルム1aの一方の表面上に所要の
パターンを有するように配線層1b1,1b2を形成
し、この配線層の一端付近の、被検査対象の電極パッド
に対応する位置にバンプ電極1d2,1d3を形成する
とともにこの配線層の他端付近に、半導体テスト装置と
の間で電気的に信号のやりとりを行うためのバンプ電極
1d1,1d4を形成し、この工程により完成した配線
フィルム1を基材2上に取り付けてプローブ基板を完成
し、この基材2の開口部2aに風船6を載置するように
した。
確実に導くプローブ基板,その製造方法,およびその使
用方法を得ること。 【構成】 ベースフィルム1aの一方の表面上に所要の
パターンを有するように配線層1b1,1b2を形成
し、この配線層の一端付近の、被検査対象の電極パッド
に対応する位置にバンプ電極1d2,1d3を形成する
とともにこの配線層の他端付近に、半導体テスト装置と
の間で電気的に信号のやりとりを行うためのバンプ電極
1d1,1d4を形成し、この工程により完成した配線
フィルム1を基材2上に取り付けてプローブ基板を完成
し、この基材2の開口部2aに風船6を載置するように
した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、プローブ基板,その
製造方法,およびその使用方法に関し、特に半導体チッ
プをウエハ状態でテストする際やチップに切り出した状
態でその電気的なテストをする場合、さらには複数のベ
アチップを同一のベース基板に搭載してなるマルチチッ
プモジュールのベース基板(このベース基板も半導体製
造プロセスと同様のプロセスで製造されるので、広義の
半導体装置と言える)の電気的なテストを行う際に、半
導体テスト装置と上記のような被試験対象との電気的な
接触を確実に行うことができるプローブ基板,その製造
方法,およびその使用方法に関するものである。
製造方法,およびその使用方法に関し、特に半導体チッ
プをウエハ状態でテストする際やチップに切り出した状
態でその電気的なテストをする場合、さらには複数のベ
アチップを同一のベース基板に搭載してなるマルチチッ
プモジュールのベース基板(このベース基板も半導体製
造プロセスと同様のプロセスで製造されるので、広義の
半導体装置と言える)の電気的なテストを行う際に、半
導体テスト装置と上記のような被試験対象との電気的な
接触を確実に行うことができるプローブ基板,その製造
方法,およびその使用方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の装置として図3に示すも
のがあった。この図3はプローブカードと呼ばれるもの
で、被検査対象である半導体チップ,半導体チップが作
りこまれた半導体ウエハ,マルチチップモジュールのベ
ース基板等と電気的な信号のやりとりを行うことによっ
てその良否を判定する半導体テスト装置のプローブヘッ
ドに取り付けられ、被検査対象の電極パッドと電気的な
接触を行うものである。
のがあった。この図3はプローブカードと呼ばれるもの
で、被検査対象である半導体チップ,半導体チップが作
りこまれた半導体ウエハ,マルチチップモジュールのベ
ース基板等と電気的な信号のやりとりを行うことによっ
てその良否を判定する半導体テスト装置のプローブヘッ
ドに取り付けられ、被検査対象の電極パッドと電気的な
接触を行うものである。
【0003】図において、101は半導体テスト装置の
プローブヘッドに取り付けられるプローブカード本体、
101aはその開口部、102はこのプローブカード本
体101に複数植設され、被検査対象のパッドに直接接
触するピンである。
プローブヘッドに取り付けられるプローブカード本体、
101aはその開口部、102はこのプローブカード本
体101に複数植設され、被検査対象のパッドに直接接
触するピンである。
【0004】このプローブカードは、ミニコン等で構成
される半導体テスト装置の本体において発生されたテス
トパターンをそのピン102を介して被検査対象の電極
パッドに流し込み、この被検査対象が出力した応答信号
をピン102を介して半導体テスト装置に伝達する。半
導体テスト装置本体ではこの被検査対象からの応答信号
を、その内部に対して蓄積してある期待値と比較し、こ
れが一致するか否かを検出し、一致していればこれを良
品であると判定し、不一致であればこれを不良品である
と判定する。
される半導体テスト装置の本体において発生されたテス
トパターンをそのピン102を介して被検査対象の電極
パッドに流し込み、この被検査対象が出力した応答信号
をピン102を介して半導体テスト装置に伝達する。半
導体テスト装置本体ではこの被検査対象からの応答信号
を、その内部に対して蓄積してある期待値と比較し、こ
れが一致するか否かを検出し、一致していればこれを良
品であると判定し、不一致であればこれを不良品である
と判定する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のプローブカード
は以上のように構成されており、そのピンのプローブカ
ード本体への取り付けは人手作業に依存するため、例え
ば200ピンのものであると百万円台の価格が提示され
ており、装置が大変高価になるという問題があった。ま
た、近年、半導体集積回路の高性能化に伴ってパッド数
が激増し、これに伴ってピン数も多ピン化する必要に迫
られているが、プローブカードではプローブピッチに制
限があるため、そのピッチは80μm位が限界と言われ
ている。このためそのピン数も500ピン程度が限界と
言われており、この場合、その価格は数百万円にもなる
と言われている。
は以上のように構成されており、そのピンのプローブカ
ード本体への取り付けは人手作業に依存するため、例え
ば200ピンのものであると百万円台の価格が提示され
ており、装置が大変高価になるという問題があった。ま
た、近年、半導体集積回路の高性能化に伴ってパッド数
が激増し、これに伴ってピン数も多ピン化する必要に迫
られているが、プローブカードではプローブピッチに制
限があるため、そのピッチは80μm位が限界と言われ
ている。このためそのピン数も500ピン程度が限界と
言われており、この場合、その価格は数百万円にもなる
と言われている。
【0006】また、プローブカードはこのように高価で
あるにもかかわらず、それ自体が消耗品であり、被検査
対象との接触を繰り返すごとに磨耗するため、ある一定
の期間が過ぎるとこれを交換する必要が生じ、これがテ
ストコストに反映されて被検査対象の価格の上昇につな
がるという問題がある。
あるにもかかわらず、それ自体が消耗品であり、被検査
対象との接触を繰り返すごとに磨耗するため、ある一定
の期間が過ぎるとこれを交換する必要が生じ、これがテ
ストコストに反映されて被検査対象の価格の上昇につな
がるという問題がある。
【0007】さらに、プローブカードを用いて実際にテ
スト作業を行なう際に、オーバードライブと称して、パ
ッドとの接触抵抗を低減するために一旦外力により加圧
してピンをパッドにくい込ませる作業を行うが、その
際、加圧のコントロールに失敗するとピンが塑性変形し
てしまい、元に戻らないということがよくある。また作
業者自身がピンに触れてしまい、これを破損するといっ
た事故もよく経験する。
スト作業を行なう際に、オーバードライブと称して、パ
ッドとの接触抵抗を低減するために一旦外力により加圧
してピンをパッドにくい込ませる作業を行うが、その
際、加圧のコントロールに失敗するとピンが塑性変形し
てしまい、元に戻らないということがよくある。また作
業者自身がピンに触れてしまい、これを破損するといっ
た事故もよく経験する。
【0008】この発明は、上記のような従来のものの問
題点を解決するためになされたもので、安価に構成で
き、テストコストの上昇を抑えることができるととも
に、取扱いが容易でしかも被検査対象との電気的な接触
を確実に行なえるプローブ基板,その製造方法,および
その使用方法を得ることを目的とする。
題点を解決するためになされたもので、安価に構成で
き、テストコストの上昇を抑えることができるととも
に、取扱いが容易でしかも被検査対象との電気的な接触
を確実に行なえるプローブ基板,その製造方法,および
その使用方法を得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明に係るプローブ
基板は、絶縁体から形成されたフィルム状基体と、この
フィルム状基体の一方の表面上に所要のパターンを有す
るように形成された配線層と、この配線層の一端付近の
被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成された第
1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成された半
導体テスト装置との間で電気的に信号のやりとりを行う
ための第2の電極部材とを有する配線フィルムと、その
上にこの配線フィルムが搭載される、上記第1の電極部
材に相当する付近に開口部を有する基材とでプローブ基
板を構成するようにしたものである。
基板は、絶縁体から形成されたフィルム状基体と、この
フィルム状基体の一方の表面上に所要のパターンを有す
るように形成された配線層と、この配線層の一端付近の
被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成された第
1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成された半
導体テスト装置との間で電気的に信号のやりとりを行う
ための第2の電極部材とを有する配線フィルムと、その
上にこの配線フィルムが搭載される、上記第1の電極部
材に相当する付近に開口部を有する基材とでプローブ基
板を構成するようにしたものである。
【0010】また、この発明に係るプローブ基板の製造
方法は、絶縁物から形成されたフィルム状基体の一方の
表面上に所要のパターンを有するように配線層を形成
し、この配線層の一端付近の被検査対象の電極パッドに
対応する位置に第1の電極部材を形成するとともに、こ
の配線層の他端付近に半導体テスト装置との間で電気的
に信号のやりとりを行うための第2の電極部材を形成し
て配線フィルムを完成し、さらにこの配線フィルムを、
上記第1の電極部材に相当する付近に開口部を有する基
材上に取り付けてプローブ基板を完成するようにしたも
のである。
方法は、絶縁物から形成されたフィルム状基体の一方の
表面上に所要のパターンを有するように配線層を形成
し、この配線層の一端付近の被検査対象の電極パッドに
対応する位置に第1の電極部材を形成するとともに、こ
の配線層の他端付近に半導体テスト装置との間で電気的
に信号のやりとりを行うための第2の電極部材を形成し
て配線フィルムを完成し、さらにこの配線フィルムを、
上記第1の電極部材に相当する付近に開口部を有する基
材上に取り付けてプローブ基板を完成するようにしたも
のである。
【0011】また、この発明に係るプローブ基板の使用
方法は、絶縁物から形成されたフィ絶縁物から形成され
たフィルム状基体と、このフィルム状基体の一方の表面
上に所要のパターンを有するように形成された配線層
と、この配線層の一端付近の、被検査対象の電極パッド
に対応する位置に形成された第1の電極部材と、この配
線層の他端付近に形成された、半導体テスト装置との間
で電気的に信号のやりとりを行うための第2の電極部材
とを有する配線フィルムと、その上にこの配線フィルム
が搭載される、上記第1の電極部材に相当する付近に開
口部を有する基材とで構成したプローブ基板を使用する
にあたって、第1の電極部材と上記被検査対象の電極パ
ッドとの位置合わせを行ない、基材の開口部にその内部
に加圧用の媒体が封入された風船を載置して、上記配線
フィルムを上記第1の電極部材の形成面の反対側の面か
ら加圧するようにしたものである。
方法は、絶縁物から形成されたフィ絶縁物から形成され
たフィルム状基体と、このフィルム状基体の一方の表面
上に所要のパターンを有するように形成された配線層
と、この配線層の一端付近の、被検査対象の電極パッド
に対応する位置に形成された第1の電極部材と、この配
線層の他端付近に形成された、半導体テスト装置との間
で電気的に信号のやりとりを行うための第2の電極部材
とを有する配線フィルムと、その上にこの配線フィルム
が搭載される、上記第1の電極部材に相当する付近に開
口部を有する基材とで構成したプローブ基板を使用する
にあたって、第1の電極部材と上記被検査対象の電極パ
ッドとの位置合わせを行ない、基材の開口部にその内部
に加圧用の媒体が封入された風船を載置して、上記配線
フィルムを上記第1の電極部材の形成面の反対側の面か
ら加圧するようにしたものである。
【0012】さらに、この発明に係るプローブ基板の使
用方法は、上記加圧用の風船を載置した後、上記プロー
ブ基板の第1の電極部材と上記被検査対象の電極パッド
との接触部に上記風船を介して超音波による振動を加え
るようにしたものである。
用方法は、上記加圧用の風船を載置した後、上記プロー
ブ基板の第1の電極部材と上記被検査対象の電極パッド
との接触部に上記風船を介して超音波による振動を加え
るようにしたものである。
【0013】
【作用】この発明においては、上述のように、配線フィ
ルムと、これを搭載する第1の電極部材に相当する付近
に開口部を有する基材とからプローブ基板を構成するよ
うにしたので、半導体テスト装置から被検査対象に信号
を導くピンが不要となり、このピンの取付けに要する人
手作業が不要となるのみならず、プローブ基板を加圧し
てプローブ基板と被検査対象との電気的な接触性を改善
する風船を載置するスペースを確保できる。
ルムと、これを搭載する第1の電極部材に相当する付近
に開口部を有する基材とからプローブ基板を構成するよ
うにしたので、半導体テスト装置から被検査対象に信号
を導くピンが不要となり、このピンの取付けに要する人
手作業が不要となるのみならず、プローブ基板を加圧し
てプローブ基板と被検査対象との電気的な接触性を改善
する風船を載置するスペースを確保できる。
【0014】また、この発明においては、上述のよう
に、半導体を製造するのと同様のプロセスで配線フィル
ムを完成し、これを、第1の電極部材に相当する付近に
開口部を有する基材上に取付けてプローブ基板を完成す
るようにしたので、半導体テスト装置から被検査対象に
信号を導くピンが不要となり、このピンの取付けに要す
る人手作業が不要となるのみならず、プローブ基板を加
圧してプローブ基板と被検査対象との電気的な接触性を
改善する風船を載置するスペースを確保できるプローブ
基板を実際に製造できる方法が得られる。
に、半導体を製造するのと同様のプロセスで配線フィル
ムを完成し、これを、第1の電極部材に相当する付近に
開口部を有する基材上に取付けてプローブ基板を完成す
るようにしたので、半導体テスト装置から被検査対象に
信号を導くピンが不要となり、このピンの取付けに要す
る人手作業が不要となるのみならず、プローブ基板を加
圧してプローブ基板と被検査対象との電気的な接触性を
改善する風船を載置するスペースを確保できるプローブ
基板を実際に製造できる方法が得られる。
【0015】また、この発明においては、上述のよう
に、配線フィルムとこれを搭載する、第1の電極部材に
相当する付近に開口部を有する基材とから構成したプロ
ーブ基板を使用するにあたって、第1の電極部材と上記
被検査対象の電極パッドとの位置合わせを行ない、基材
の開口部にその内部に加圧用の媒体が封入された風船を
載置して、上記配線フィルムを上記第1の電極部材の形
成面の反対側の面から加圧するようにしたので、第1の
電極部材と上記被検査対象の電極パッドとの電気的な接
触を確実に行なえる。
に、配線フィルムとこれを搭載する、第1の電極部材に
相当する付近に開口部を有する基材とから構成したプロ
ーブ基板を使用するにあたって、第1の電極部材と上記
被検査対象の電極パッドとの位置合わせを行ない、基材
の開口部にその内部に加圧用の媒体が封入された風船を
載置して、上記配線フィルムを上記第1の電極部材の形
成面の反対側の面から加圧するようにしたので、第1の
電極部材と上記被検査対象の電極パッドとの電気的な接
触を確実に行なえる。
【0016】さらに、この発明においては、上述のよう
に、加圧用の風船を載置した後、上記プローブ基板の第
1の電極部材と上記被検査対象の電極パッドとの接触部
に上記風船を介して超音波による振動を加えるようにし
たので、被検査対象の電極パッドに発生する自然酸化膜
を超音波振動により破壊でき、第1の電極部材と上記被
検査対象の電極パッドとの電気的な接触をより確実に行
なえる。
に、加圧用の風船を載置した後、上記プローブ基板の第
1の電極部材と上記被検査対象の電極パッドとの接触部
に上記風船を介して超音波による振動を加えるようにし
たので、被検査対象の電極パッドに発生する自然酸化膜
を超音波振動により破壊でき、第1の電極部材と上記被
検査対象の電極パッドとの電気的な接触をより確実に行
なえる。
【0017】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は、この発明の一実施例によるプローブ基板
を示す。図において、1はその表面に単層の配線が形成
された単層配線フィルムであり、これはベースフィルム
1a,配線層1b,保護層1cおよびバンプ電極1dか
ら構成されている。1aは金属配線層1bの支持体とな
るベースフィルムであり、これは例えばポリイミド,ポ
リエステル等の樹脂を材料として、例えば25μmの厚
みを有するように形成されている。また1bはこのベー
スフィルム上に所要のパターンを有するように形成され
た配線層であり、例えば銅,アルミニウム等をこの材料
として、例えば3μmの厚みを有するように形成されて
いる。また1cはこの配線層1bを覆う保護層であり、
例えばポリイミド等をその材料として、例えば2〜10
μmの厚みを有するように形成されている。また、1d
は配線層1bの所要箇所に設けられたバンプ電極であ
り、例えば金,タングステン,半田等をその材料とする
ものであり、例えば20μm程度の高さを有するように
形成されている。なお、この配線フィルムはその表面に
多層の配線を形成してもよい。また、2はこのような構
成を有する単層配線フィルム1を取り付けるため基材で
あり、例えばアルミニウム,鉄等の金属やプラスチック
等をその材料とし、例えば1mm〜2mmの厚みを有す
るように形成されている。なお、このプローブ基板をプ
ローブヘッドにネジ止めして固定する場合には、この基
材2はこれを例えば5mmの厚さを有するように形成す
るとよい。そして、その中央部には、その内部に加圧用
の媒体が封入された風船6を載置して図中矢印で示した
方向にフィルム配線1に加圧を行なうために、開口部2
aが設けられている。また、6はこの開口部2aに載置
される風船であり、例えばポリイミド,ポリエチレン等
で構成され、例えば10〜100mm程度の直径を有
し、その内部には加圧用の媒体として空気,N2 ガス,
Arガス等の気体や水,フロリナート等の液体、あるい
はゼリー状の物質が封入されている。
する。図1は、この発明の一実施例によるプローブ基板
を示す。図において、1はその表面に単層の配線が形成
された単層配線フィルムであり、これはベースフィルム
1a,配線層1b,保護層1cおよびバンプ電極1dか
ら構成されている。1aは金属配線層1bの支持体とな
るベースフィルムであり、これは例えばポリイミド,ポ
リエステル等の樹脂を材料として、例えば25μmの厚
みを有するように形成されている。また1bはこのベー
スフィルム上に所要のパターンを有するように形成され
た配線層であり、例えば銅,アルミニウム等をこの材料
として、例えば3μmの厚みを有するように形成されて
いる。また1cはこの配線層1bを覆う保護層であり、
例えばポリイミド等をその材料として、例えば2〜10
μmの厚みを有するように形成されている。また、1d
は配線層1bの所要箇所に設けられたバンプ電極であ
り、例えば金,タングステン,半田等をその材料とする
ものであり、例えば20μm程度の高さを有するように
形成されている。なお、この配線フィルムはその表面に
多層の配線を形成してもよい。また、2はこのような構
成を有する単層配線フィルム1を取り付けるため基材で
あり、例えばアルミニウム,鉄等の金属やプラスチック
等をその材料とし、例えば1mm〜2mmの厚みを有す
るように形成されている。なお、このプローブ基板をプ
ローブヘッドにネジ止めして固定する場合には、この基
材2はこれを例えば5mmの厚さを有するように形成す
るとよい。そして、その中央部には、その内部に加圧用
の媒体が封入された風船6を載置して図中矢印で示した
方向にフィルム配線1に加圧を行なうために、開口部2
aが設けられている。また、6はこの開口部2aに載置
される風船であり、例えばポリイミド,ポリエチレン等
で構成され、例えば10〜100mm程度の直径を有
し、その内部には加圧用の媒体として空気,N2 ガス,
Arガス等の気体や水,フロリナート等の液体、あるい
はゼリー状の物質が封入されている。
【0018】次にその製造工程について図2を用いて説
明する。まず、ベースフィルム1a上に蒸着もしくはス
パッタリングにより配線層となるべき一層の金属層を全
面に形成する(図2(a) 参照)。次にこの金属層を写真
製版によりエッチングを行って所要のパターンを有する
配線層1b1,1b2を形成する(図2(b) 参照)。
明する。まず、ベースフィルム1a上に蒸着もしくはス
パッタリングにより配線層となるべき一層の金属層を全
面に形成する(図2(a) 参照)。次にこの金属層を写真
製版によりエッチングを行って所要のパターンを有する
配線層1b1,1b2を形成する(図2(b) 参照)。
【0019】次に保護層となるべき層を全面に塗布する
ことにより形成し(図2(c) 参照)、この層においてバ
ンプ電極を形成すべき箇所にフォトリソグラフィーによ
り開口1c3〜1c6を形成し、保護層1c1,1c2
を形成する(図2(d) 参照)。そしてこの開口を形成し
たことによりこの開口部分では配線層の地肩が露出する
が、ここにメッキを行うことによりバンプ材料を析出さ
せることができ、これにより、バンプ電極1d1〜1d
4を形成することができる(図2(e) 参照)。以上の各
工程を実行することにより、単層配線フィルム1を形成
することができた。
ことにより形成し(図2(c) 参照)、この層においてバ
ンプ電極を形成すべき箇所にフォトリソグラフィーによ
り開口1c3〜1c6を形成し、保護層1c1,1c2
を形成する(図2(d) 参照)。そしてこの開口を形成し
たことによりこの開口部分では配線層の地肩が露出する
が、ここにメッキを行うことによりバンプ材料を析出さ
せることができ、これにより、バンプ電極1d1〜1d
4を形成することができる(図2(e) 参照)。以上の各
工程を実行することにより、単層配線フィルム1を形成
することができた。
【0020】次にこのようにして形成された単層配線フ
ィルム1を、その中央部に開口部2aを有する基材2と
Si系,エポキシ系,ポリイミド系のいずれかの接着
剤、もしくは低融点ガラスにより相互に接着することに
より、プローブ基板を完成する(図2(f) 参照)。
ィルム1を、その中央部に開口部2aを有する基材2と
Si系,エポキシ系,ポリイミド系のいずれかの接着
剤、もしくは低融点ガラスにより相互に接着することに
より、プローブ基板を完成する(図2(f) 参照)。
【0021】この状態でプローブ基板としては完成して
いるが、本実施例ではこれにさらに風船6を載置するこ
とにより(図1,図2(g) 参照)、被検査対象との電気
的な接触の改善を行なうようにしている。
いるが、本実施例ではこれにさらに風船6を載置するこ
とにより(図1,図2(g) 参照)、被検査対象との電気
的な接触の改善を行なうようにしている。
【0022】即ち、このプローブ基板を用いて被検査対
象の検査を行うには、図2(g) に示すように、基材2の
開口部2aにその内部に加圧用の媒体を封入した風船6
を載置し、この状態の装置を半導体テスト装置のプロー
ブヘッドに取り付け、基材2の開口部2a直下に相当す
るバンプ電極1d2,1d3が被検査対象のパッドに相
当する位置に来るようにその位置合わせを行い、風船6
の内部の媒体による圧力で矢印Aの方向に被検査対象に
対し配線フィルムを均一に加圧することにより、被検査
対象のパッドとこのプローブ基板のバンプ電極との接触
面を確実に接触させ、これにより被検査対象のパッドと
このプローブ基板のバンプ電極との間の電気的な接触抵
抗を低減させる。そしてその際、風船6の背後から矢印
Bの方向に超音波振動を加えることにより、風船6およ
び配線フィルム1を介して被検査対象の電極パッドに超
音波振動が伝わる。被検査対象の電極パッドが例えばア
ルミニウムの場合、その表面に自然酸化膜が生じるが、
この超音波振動の印加により自然酸化膜が破壊されるの
で、被検査対象のパッドとこのプローブ基板のバンプ電
極との間の接触抵抗をより一層軽減することができる。
象の検査を行うには、図2(g) に示すように、基材2の
開口部2aにその内部に加圧用の媒体を封入した風船6
を載置し、この状態の装置を半導体テスト装置のプロー
ブヘッドに取り付け、基材2の開口部2a直下に相当す
るバンプ電極1d2,1d3が被検査対象のパッドに相
当する位置に来るようにその位置合わせを行い、風船6
の内部の媒体による圧力で矢印Aの方向に被検査対象に
対し配線フィルムを均一に加圧することにより、被検査
対象のパッドとこのプローブ基板のバンプ電極との接触
面を確実に接触させ、これにより被検査対象のパッドと
このプローブ基板のバンプ電極との間の電気的な接触抵
抗を低減させる。そしてその際、風船6の背後から矢印
Bの方向に超音波振動を加えることにより、風船6およ
び配線フィルム1を介して被検査対象の電極パッドに超
音波振動が伝わる。被検査対象の電極パッドが例えばア
ルミニウムの場合、その表面に自然酸化膜が生じるが、
この超音波振動の印加により自然酸化膜が破壊されるの
で、被検査対象のパッドとこのプローブ基板のバンプ電
極との間の接触抵抗をより一層軽減することができる。
【0023】そして、このようにして接触抵抗を軽減さ
せた状態で、単層配線フィルムの外側にあるバンプ電極
1d1,1d4から配線層1b1,1b2を経て内側の
バンプ電極1d2,1d3を介して被検査対象の側にテ
スト信号を送り、この逆の経路で被検査対象の応答信号
を取り出すことにより、半導体テスト装置は、被検査対
象に対し確実にテスト信号を送り込むことができ、か
つ、被検査対象からの応答信号を精度よく得ることが可
能となる。
せた状態で、単層配線フィルムの外側にあるバンプ電極
1d1,1d4から配線層1b1,1b2を経て内側の
バンプ電極1d2,1d3を介して被検査対象の側にテ
スト信号を送り、この逆の経路で被検査対象の応答信号
を取り出すことにより、半導体テスト装置は、被検査対
象に対し確実にテスト信号を送り込むことができ、か
つ、被検査対象からの応答信号を精度よく得ることが可
能となる。
【0024】このように、上記実施例によれば、半導体
テスト装置と被検査対象との間でこれに電気的に接触し
て信号のやりとりを行うプローブ基板を、半導体を製造
するのと同様のプロセスを用いて作製し、かつその際配
線フィルムを搭載する基材の開口部に風船を載置するよ
うにしたので、人手作業に依存することなくこれを安価
に製造することができ、テストコストの上昇やこれの製
品価格への転嫁を抑えることができる。また被測定装置
の多パッド化によるバンプ電極同士の短ピッチ化に対し
てもこれに容易に対応でき、マルチチップモジュールの
ベース基板等のように500ピン以上を有するものが被
検査対象であったとしても、これに対応できるものを実
際に、かつ安価に製造することが可能となるのみなら
ず、配線フィルムを被検査対象に対し均一に加圧するこ
とができるため、被検査対象の電極パッドとプローブ基
板のバンプ電極との電気的な接触を確実に行なうことが
できる。そしてさらに、この風船の反対側から超音波振
動を加えることにより、被検査対象の電極パッドに生じ
た自然酸化膜を破壊してその接触抵抗をさらに低減する
ことができる。また、バンプ電極が配線フィルム上にメ
ッキで形成されているため、テスト作業者の不注意によ
り、これを破損することは極めて起こりにくく、また作
業者の不注意によりこれに誤って接触して汚れを付着さ
せたとしても、これを洗浄することにより容易に正常な
状態に戻すことができる。
テスト装置と被検査対象との間でこれに電気的に接触し
て信号のやりとりを行うプローブ基板を、半導体を製造
するのと同様のプロセスを用いて作製し、かつその際配
線フィルムを搭載する基材の開口部に風船を載置するよ
うにしたので、人手作業に依存することなくこれを安価
に製造することができ、テストコストの上昇やこれの製
品価格への転嫁を抑えることができる。また被測定装置
の多パッド化によるバンプ電極同士の短ピッチ化に対し
てもこれに容易に対応でき、マルチチップモジュールの
ベース基板等のように500ピン以上を有するものが被
検査対象であったとしても、これに対応できるものを実
際に、かつ安価に製造することが可能となるのみなら
ず、配線フィルムを被検査対象に対し均一に加圧するこ
とができるため、被検査対象の電極パッドとプローブ基
板のバンプ電極との電気的な接触を確実に行なうことが
できる。そしてさらに、この風船の反対側から超音波振
動を加えることにより、被検査対象の電極パッドに生じ
た自然酸化膜を破壊してその接触抵抗をさらに低減する
ことができる。また、バンプ電極が配線フィルム上にメ
ッキで形成されているため、テスト作業者の不注意によ
り、これを破損することは極めて起こりにくく、また作
業者の不注意によりこれに誤って接触して汚れを付着さ
せたとしても、これを洗浄することにより容易に正常な
状態に戻すことができる。
【0025】実施例2.なお、上記実施例1ではベース
フィルム上の配線層の形成を真空蒸着により行うように
したが、図4に示すように、接着によりこれを行うよう
にしてもよい。
フィルム上の配線層の形成を真空蒸着により行うように
したが、図4に示すように、接着によりこれを行うよう
にしてもよい。
【0026】図4は本発明の第2の実施例によるプロー
ブ基板の製造工程を示す図である。まず、ベースフィル
ム1aの上にシリコン樹脂により配線層となるべき銅箔
を全面にはりつける(図4(a) 参照)。次にこの銅箔を
フォトリソグラフィーにより所要のパターンとなるよう
にエッチングし、配線層1b1,1b2を形成する(図
4(b) 参照)、これ以降の工程は図2に示すものと同様
である。
ブ基板の製造工程を示す図である。まず、ベースフィル
ム1aの上にシリコン樹脂により配線層となるべき銅箔
を全面にはりつける(図4(a) 参照)。次にこの銅箔を
フォトリソグラフィーにより所要のパターンとなるよう
にエッチングし、配線層1b1,1b2を形成する(図
4(b) 参照)、これ以降の工程は図2に示すものと同様
である。
【0027】即ち、保護層となるべき層を全面に塗布す
ることにより形成し(図4(c) 参照)、この層において
バンプ電極を形成すべき箇所にフォトリソグラフィーに
より開口1c3〜1c6を形成し、保護層1c1,1c
2を形成する(図4(d) 参照)。そしてこの開口を形成
したことによりこの開口部分では配線層の地肩が露出す
るが、ここにメッキを行うことによりバンプ材料を析出
させることができ、これによりバンプ電極1d1〜1d
4を形成することができる(図4(e) 参照)。以上の各
工程を実行することにより、単層配線フィルム1を形成
することができた。
ることにより形成し(図4(c) 参照)、この層において
バンプ電極を形成すべき箇所にフォトリソグラフィーに
より開口1c3〜1c6を形成し、保護層1c1,1c
2を形成する(図4(d) 参照)。そしてこの開口を形成
したことによりこの開口部分では配線層の地肩が露出す
るが、ここにメッキを行うことによりバンプ材料を析出
させることができ、これによりバンプ電極1d1〜1d
4を形成することができる(図4(e) 参照)。以上の各
工程を実行することにより、単層配線フィルム1を形成
することができた。
【0028】次にこのようにして形成された単層配線フ
ィルム1を、その中央部に開口部2aを有する基材2と
Si系,エポキシ系,ポリイミド系のいずれかの接着
剤、もしくは低融点ガラスにより相互に接着することに
より、図2(f) に相当するプローブ基板を完成する(図
4(f) 参照)。
ィルム1を、その中央部に開口部2aを有する基材2と
Si系,エポキシ系,ポリイミド系のいずれかの接着
剤、もしくは低融点ガラスにより相互に接着することに
より、図2(f) に相当するプローブ基板を完成する(図
4(f) 参照)。
【0029】この状態でプローブ基板としては完成して
いるが、本実施例ではこれにさらに風船6を載置するこ
とにより(図4(g) 参照)、被検査対象との電気的な接
触の改善を図るようにしている。
いるが、本実施例ではこれにさらに風船6を載置するこ
とにより(図4(g) 参照)、被検査対象との電気的な接
触の改善を図るようにしている。
【0030】この実施例では、図2の実施例のように真
空蒸着を用いるのではなく、接着により配線層となるべ
き金属層を形成しているので、図2の実施例に比し装置
を安価に構成できる。
空蒸着を用いるのではなく、接着により配線層となるべ
き金属層を形成しているので、図2の実施例に比し装置
を安価に構成できる。
【0031】実施例3.また、上記実施例2ではベース
フィルム上の配線層の形成を接着により行うようにした
が、図5に示すように、メッキによりこれを行うように
してもよい。
フィルム上の配線層の形成を接着により行うようにした
が、図5に示すように、メッキによりこれを行うように
してもよい。
【0032】図5は本発明の第3の実施例によるプロー
ブ基板の製造工程を示す図である。まず、ポリイミド製
のベースフィルム1aの上に無電解メッキ法により配線
層となるべき銅を全面に析出させる(図5(a) 参照)。
次に、この銅をフォトリソグラフィーにより所要箇所以
外の箇所を除去することにより配線層1bを形成する
(図5(b) 参照)。これ以降の工程は図2に示すものと
同様である。
ブ基板の製造工程を示す図である。まず、ポリイミド製
のベースフィルム1aの上に無電解メッキ法により配線
層となるべき銅を全面に析出させる(図5(a) 参照)。
次に、この銅をフォトリソグラフィーにより所要箇所以
外の箇所を除去することにより配線層1bを形成する
(図5(b) 参照)。これ以降の工程は図2に示すものと
同様である。
【0033】即ち、保護層となるべき層を全面に塗布す
ることにより形成し(図5(c) 参照)、この層において
バンプ電極を形成すべき箇所にフォトリソグラフィーに
より開口1c3〜1c6を形成し、保護層1c1,1c
2を形成する(図5(d) 参照)。そしてこの開口を形成
したことによりこの開口部分では配線層の地肩が露出す
るが、ここにメッキを行うことによりバンプ材料を析出
させることができ、これにより、バンプ電極1d1〜1
d4を形成することができる(図5(e) 参照)。以上の
各工程を実行することにより、単層配線フィルム1を形
成することができた。
ることにより形成し(図5(c) 参照)、この層において
バンプ電極を形成すべき箇所にフォトリソグラフィーに
より開口1c3〜1c6を形成し、保護層1c1,1c
2を形成する(図5(d) 参照)。そしてこの開口を形成
したことによりこの開口部分では配線層の地肩が露出す
るが、ここにメッキを行うことによりバンプ材料を析出
させることができ、これにより、バンプ電極1d1〜1
d4を形成することができる(図5(e) 参照)。以上の
各工程を実行することにより、単層配線フィルム1を形
成することができた。
【0034】次にこのようにして形成された単層配線フ
ィルム1を、その中央部に開口部2aを有する基材2と
Si系,エポキシ系,ポリイミド系のいずれかの接着
剤、もしくは低融点ガラスにより相互に接着することに
より、プローブ基板を完成する(図5(f) 参照)。
ィルム1を、その中央部に開口部2aを有する基材2と
Si系,エポキシ系,ポリイミド系のいずれかの接着
剤、もしくは低融点ガラスにより相互に接着することに
より、プローブ基板を完成する(図5(f) 参照)。
【0035】この状態でプローブ基板としては完成して
いるが、本実施例ではこれにさらに風船6を載置するこ
とにより(図5(g) 参照)、被検査対象との電気的な接
触の改善を図るようにしている。
いるが、本実施例ではこれにさらに風船6を載置するこ
とにより(図5(g) 参照)、被検査対象との電気的な接
触の改善を図るようにしている。
【0036】この実施例では、図2の実施例のように真
空蒸着を用いるのではなく、メッキにより配線層となる
べき金属層を形成しているので、図2の実施例に比し装
置を安価に構成でき、しかも接着によりこれを形成する
図4の実施例に比しその付着力を増すことができ、この
図4の実施例に比しより信頼性を増すことができる。
空蒸着を用いるのではなく、メッキにより配線層となる
べき金属層を形成しているので、図2の実施例に比し装
置を安価に構成でき、しかも接着によりこれを形成する
図4の実施例に比しその付着力を増すことができ、この
図4の実施例に比しより信頼性を増すことができる。
【0037】なお、上記実施例2,上記実施例3では風
船により加圧することにより被検査対象との接触を改善
するようにしたが、実施例1に示すように、これに加え
て超音波による振動を加えるようにしてもよく、これに
より、被検査対象のパッドに生じる自然酸化膜を破壊し
て電気的な接触性をより改善するようにしてもよい。
船により加圧することにより被検査対象との接触を改善
するようにしたが、実施例1に示すように、これに加え
て超音波による振動を加えるようにしてもよく、これに
より、被検査対象のパッドに生じる自然酸化膜を破壊し
て電気的な接触性をより改善するようにしてもよい。
【0038】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るプローブ
基板によれば、絶縁体から形成されたフィルム状基体
と、このフィルム状基体の一方の表面上に所要のパター
ンを有するように形成された配線層と、この配線層の一
端付近の被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成
された第1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成
された半導体テスト装置との間で電気的に信号のやりと
りを行うための第2の電極部材とを有する配線フィルム
と、その上にこの配線フィルムが搭載される、上記第1
の電極部材に相当する付近に開口部を有する基材とでプ
ローブ基板を構成するようにしたので、半導体テスト装
置から被検査対象に信号を導くピンが不要となり、この
ピンの取付けに要する人手作業が不要となるのみなら
ず、プローブ基板を加圧してプローブ基板と被検査対象
との電気的な接触性を改善する風船を載置するスペース
を確保できるという効果がある。
基板によれば、絶縁体から形成されたフィルム状基体
と、このフィルム状基体の一方の表面上に所要のパター
ンを有するように形成された配線層と、この配線層の一
端付近の被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成
された第1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成
された半導体テスト装置との間で電気的に信号のやりと
りを行うための第2の電極部材とを有する配線フィルム
と、その上にこの配線フィルムが搭載される、上記第1
の電極部材に相当する付近に開口部を有する基材とでプ
ローブ基板を構成するようにしたので、半導体テスト装
置から被検査対象に信号を導くピンが不要となり、この
ピンの取付けに要する人手作業が不要となるのみなら
ず、プローブ基板を加圧してプローブ基板と被検査対象
との電気的な接触性を改善する風船を載置するスペース
を確保できるという効果がある。
【0039】また、この発明に係るプローブ基板の製造
方法によれば、絶縁物から形成されたフィルム状基体の
一方の表面上に所要のパターンを有するように配線層を
形成し、この配線層の一端付近の被検査対象の電極パッ
ドに対応する位置に第1の電極部材を形成するととも
に、この配線層の他端付近に半導体テスト装置との間で
電気的に信号のやりとりを行うための第2の電極部材を
形成して配線フィルムを完成し、さらにこの配線フィル
ムを、上記第1の電極部材に相当する付近に開口部を有
する基材上に取り付けてプローブ基板を完成するように
したので、半導体テスト装置から被検査対象に信号を導
くピンが不要となり、このピンの取付けに要する人手作
業が不要となるのみならず、プローブ基板を加圧してプ
ローブ基板と被検査対象との電気的な接触性を改善する
風船を載置するスペースを確保できるプローブ基板を実
際に製造できる方法が得られるという効果がある。
方法によれば、絶縁物から形成されたフィルム状基体の
一方の表面上に所要のパターンを有するように配線層を
形成し、この配線層の一端付近の被検査対象の電極パッ
ドに対応する位置に第1の電極部材を形成するととも
に、この配線層の他端付近に半導体テスト装置との間で
電気的に信号のやりとりを行うための第2の電極部材を
形成して配線フィルムを完成し、さらにこの配線フィル
ムを、上記第1の電極部材に相当する付近に開口部を有
する基材上に取り付けてプローブ基板を完成するように
したので、半導体テスト装置から被検査対象に信号を導
くピンが不要となり、このピンの取付けに要する人手作
業が不要となるのみならず、プローブ基板を加圧してプ
ローブ基板と被検査対象との電気的な接触性を改善する
風船を載置するスペースを確保できるプローブ基板を実
際に製造できる方法が得られるという効果がある。
【0040】また、この発明に係るプローブ基板の使用
方法によれば、絶縁体から形成されたフィルム状基体
と、このフィルム状基体の一方の表面上に所要のパター
ンを有するように形成された配線層と、この配線層の一
端付近の被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成
された第1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成
された半導体テスト装置との間で電気的に信号のやりと
りを行うための第2の電極部材とを有する配線フィルム
と、その上にこの配線フィルムが搭載される、上記第1
の電極部材に相当する付近に開口部を有する基材とで構
成したプローブ基板を使用するにあたって、第1の電極
部材と上記被検査対象の電極パッドとの位置合わせを行
ない、基材の開口部に、その内部に加圧用の媒体が封入
された風船を載置して、上記配線フィルムを上記第1の
電極部材の形成面の反対側の面から加圧するようにした
ので、配線フィルムが均一に加圧され、第1の電極部材
と上記被検査対象の電極パッドとの電気的な接触が確実
に行なえる、という効果がある。
方法によれば、絶縁体から形成されたフィルム状基体
と、このフィルム状基体の一方の表面上に所要のパター
ンを有するように形成された配線層と、この配線層の一
端付近の被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成
された第1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成
された半導体テスト装置との間で電気的に信号のやりと
りを行うための第2の電極部材とを有する配線フィルム
と、その上にこの配線フィルムが搭載される、上記第1
の電極部材に相当する付近に開口部を有する基材とで構
成したプローブ基板を使用するにあたって、第1の電極
部材と上記被検査対象の電極パッドとの位置合わせを行
ない、基材の開口部に、その内部に加圧用の媒体が封入
された風船を載置して、上記配線フィルムを上記第1の
電極部材の形成面の反対側の面から加圧するようにした
ので、配線フィルムが均一に加圧され、第1の電極部材
と上記被検査対象の電極パッドとの電気的な接触が確実
に行なえる、という効果がある。
【0041】さらに、この発明に係るプローブ基板の使
用方法によれば、上記加圧用の風船を載置した後、上記
プローブ基板の第1の電極部材と上記被検査対象の電極
パッドとの接触部に上記風船を介して超音波による振動
を加えるようにしたので、被検査対象の電極パッドに発
生する自然酸化膜を超音波振動により破壊でき、第1の
電極部材と上記被検査対象の電極パッドとの電気的な接
触をより確実に行なえる、という効果がある。
用方法によれば、上記加圧用の風船を載置した後、上記
プローブ基板の第1の電極部材と上記被検査対象の電極
パッドとの接触部に上記風船を介して超音波による振動
を加えるようにしたので、被検査対象の電極パッドに発
生する自然酸化膜を超音波振動により破壊でき、第1の
電極部材と上記被検査対象の電極パッドとの電気的な接
触をより確実に行なえる、という効果がある。
【図1】この発明の一実施例によるプローブ基板および
その使用方法を示す断面図である。
その使用方法を示す断面図である。
【図2】図1の装置の製造方法を示すプロセスフロー図
である。
である。
【図3】従来のプローブカードを示す図である。
【図4】図1の装置の他の製造方法を示すプロセスフロ
ー図である。
ー図である。
【図5】図1の装置のさらに他の製造方法を示すプロセ
スフロー図である。
スフロー図である。
1 単層配線フィルム 1a ベースフィルム 1b1,1b2 配線層 1c 保護層 1d1,1d2,1d3,1d4 バンプ電極 2 基材 2a 開口部 6 風船
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁体から形成されたフィルム状基体
と、このフィルム状基体の一方の表面上に所要のパター
ンを有するように形成された配線層と、この配線層の一
端付近の被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成
された第1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成
された半導体テスト装置との間で電気的に信号のやりと
りを行うための第2の電極部材とを有する配線フィルム
と、 その上に上記配線フィルムが搭載される、上記第1の電
極部材に相当する付近に開口部を有する基材とを備えた
ことを特徴とするプローブ基板。 - 【請求項2】 絶縁体から形成されたフィルム状基体の
一方の表面上に所要のパターンを有するように配線層を
形成する第1の工程と、 この配線層の一端付近の被検査対象の電極パッドに対応
する位置に第1の電極部材を形成するとともに、この配
線層の他端付近に半導体テスト装置との間で電気的に信
号のやりとりを行うための第2の電極部材を形成する第
2の工程と、 この第1,第2の工程により完成した配線フィルムを、
上記第1の電極部材に相当する付近に開口部を有する基
材上に取り付けてプローブ基板を完成する第3の工程と
を備えたことを特徴とするプローブ基板の製造方法。 - 【請求項3】 絶縁物から形成されたフィルム状基体
と、このフィルム状基体の一方の表面上に所要のパター
ンを有するように形成された配線層と、この配線層の一
端付近の被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成
された第1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成
された半導体テスト装置との間で電気的に信号のやりと
りを行うための第2の電極部材とを有する配線フィルム
と、 その上に上記配線フィルムが搭載される、上記第1の電
極部材に相当する付近に開口部を有する基材とを備えた
プローブ基板を使用するにあたって、 上記プローブ基板の第1の電極部材と上記被検査対象の
電極パッドとの位置合わせを行なう第1の工程と、 上記基材の開口部に、その内部に加圧用の媒体が封入さ
れた風船を載置して、上記配線フィルムを上記第1の電
極部材の形成面の反対側の面から加圧する第2の工程と
を備えたことを特徴とするプローブ基板の使用方法。 - 【請求項4】 請求項3記載のプローブ基板の使用方法
において、 上記第2の工程により上記加圧用の風船を載置した後、
上記プローブ基板の第1の電極部材と上記被検査対象の
電極パッドとの接触部に上記風船を介して超音波による
振動を加える第3の工程を備えたことを特徴とするプロ
ーブ基板の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192793A JPH06230036A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | プローブ基板,その製造方法,およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192793A JPH06230036A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | プローブ基板,その製造方法,およびその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06230036A true JPH06230036A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12621879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4192793A Pending JPH06230036A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | プローブ基板,その製造方法,およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06230036A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08220140A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プローブカードの製造方法及びプローブカード |
| JP2000227446A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-08-15 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
| CN105445135A (zh) * | 2015-11-14 | 2016-03-30 | 贵阳时代沃顿科技有限公司 | 一种检测湿式反渗透膜元件干燥的方法 |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP4192793A patent/JPH06230036A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08220140A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プローブカードの製造方法及びプローブカード |
| JP2000227446A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-08-15 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
| CN105445135A (zh) * | 2015-11-14 | 2016-03-30 | 贵阳时代沃顿科技有限公司 | 一种检测湿式反渗透膜元件干燥的方法 |
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