JPH06232031A

JPH06232031A - 露光装置

Info

Publication number: JPH06232031A
Application number: JP5014483A
Authority: JP
Inventors: Kazuaki Suzuki; 一明鈴木
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-02-01
Filing date: 1993-02-01
Publication date: 1994-08-19
Anticipated expiration: 2016-09-17
Also published as: JP3209294B2

Abstract

(57)【要約】【目的】スリットスキャン露光方式の露光装置におい
て、露光中にスリット状の照明領域の幅を変えることな
く、レチクル上の複数のパターン領域中の所望のパター
ン領域のパターンを感光基板上に転写する。【構成】光源１からの照明光でフライアイレンズ４、
コリメータレンズ５等を介して視野絞り６を照明し、視
野絞り６の開口部とリレーレンズ７に関して共役なレチ
クルＲ上のスリット状の照明領域を照明し、レチクルＲ
のスリット状の照明領域内のパターンを投影光学系１３
を介してウエハＷ上に転写する。遮光板８Ａ，８Ｂでレ
チクルＲ上の露光したくない領域を覆った状態で、レチ
クルＲ及びウエハＷをそのスリット状の照明領域に対し
て相対的に走査する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば矩形又は円弧状
等の照明領域に対してマスク及び感光基板を同期して走
査することにより、マスク上のその照明領域より広い面
積のパターンを感光基板上に露光する所謂スリットスキ
ャン露光方式の露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下、
「レチクル」と総称する）のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ又はガラス
プレート等の感光基板上に露光する投影露光装置が使用
されている。最近は、半導体素子の１個のチップパター
ン等が大型化する傾向にあり、投影露光装置において
は、レチクル上のより大きな面積のパターンを感光基板
上に露光する大面積化が求められている。

【０００３】斯かる大面積化に応えるために、例えば矩
形、円弧状又は６角形等の照明領域（これを「スリット
状の照明領域」という）に対してレチクル及び感光基板
を同期して走査することにより、レチクル上のそのスリ
ット状の照明領域より広い面積のパターンを感光基板上
に露光する所謂スリットスキャン露光方式の投影露光装
置が開発されている。従来は、レチクル上にそのスリッ
ト状の照明領域を設定するために、レチクルと実質的に
共役な位置又はレチクルの近傍にそのスリット状の照明
領域を決定する可動の遮光手段が配置されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
に於いては、下記の様な２つの大きな不都合があった。
一般に、投影露光装置の照明光学系はレチクルを均一な
照度の照明光（露光光）で照明するように設計されてい
る。そのため、スリットスキャン露光方式の投影露光装
置においては、スリット状の照明領域に対してレチクル
及び感光基板を走査して露光が終了した時点で、感光基
板上にて良好な照度均一性を得るために、走査方向のス
リット状の照明領域の幅が十分に一様でなくてはならな
い。

【０００５】そのスリット状の照明領域に対する走査方
向をＸ方向、この走査方向に垂直な非走査方向をＹ方向
とすると、そのスリット状の照明領域の走査方向の幅が
一様でない場合には、図５（ａ）に示すように、スリッ
ト状の照明領域３０の走査方向の平行度が悪い場合と、
図６（ａ）に示すように、スリット状の照明領域３１の
走査方向のエッジ部に凹凸がある場合等がある。図５
（ａ）の場合に感光基板上で得られる非走査方向（Ｙ方
向）の露光量Ｅの分布は、図５（ｂ）に示すようにＹ方
向に次第に増加又は減少するようなものとなる。一方、
図６（ａ）の場合に感光基板上で得られる非走査方向
（Ｙ方向）の露光量Ｅの分布は、図６（ｂ）に示すよう
にＹ方向に不規則に変動するようなものとなる。

【０００６】これに関して現在の投影露光装置は、デザ
インルールが０．５μｍ未満というサブ・ハーフミクロ
ン領域でも使用されている。このような領域で線幅コン
トロールに必要とされる露光量の均一性は±１％にも達
すると言われている。従って、スリットスキャン露光方
式の投影露光装置において十分な照度均一性を得るため
には、スリット状の照明領域を決定するための照明領域
設定手段に対して、走査方向のエッジ部の凹凸の少なさ
が要求されると共に、走査方向の幅を変化させる際に走
査方向のエッジ部を十分平行に保ったまま可動制御する
ことが要求される。このため、スリット状の照明領域を
決定するための照明領域設定手段を、後述の理由により
走査に同期して可変制御するのでは、要求される精度を
保ってその照明領域設定手段の動作を制御することが困
難であるという第１の不都合があった。

【０００７】また、図７に示す様に、レチクルＲ上に２
つの回路パターン領域３２Ａ及び３２Ｂが走査方向に幅
Ｌ１の遮光部を隔てて並べて形成されているものとし
て、このレチクルＲを走査方向の幅がＬ２のスリット状
の照明領域３３に対して走査する場合を考える。また、
スリット状の照明領域３３の幅Ｌ２は、回路パターン領
域３２Ａ，３２Ｂを隔てる遮光部の幅Ｌ１より大きいと
する。この場合、例えばレチクルＲの第１の回路パター
ン領域３２Ａのパターンのみをスリットスキャン露光方
式で感光基板上に露光しようとすると、第２の回路パタ
ーン領域３２Ｂのパターンの一部も感光基板上に転写さ
れてしまうという第２の不都合があった。

【０００８】これを回避するためには、レチクルＲ上の
遮光部の幅Ｌ１を十分大きくすれば良いが、それでは転
写用の回路パターン領域の面積が小さくなる。また、回
路パターン領域３２Ａの露光終了間際に、走査に同期し
てスリット状の照明領域３３の幅Ｌ２を照明領域設定手
段の動作により小さくしてもよいが、これでは照明領域
設定手段側の制御機構が複雑化する。

【０００９】本発明は斯かる点に鑑み、スリット状の照
明領域に対してレチクル及び感光基板を同期して走査す
ることにより、レチクル上のその照明領域より広い面積
のパターンを感光基板上に露光するスリットスキャン露
光方式の露光装置において、そのスリット状の照明領域
を決定するための照明領域設定手段をレチクルから離れ
た位置に配置できると共に、露光中にそのスリット状の
照明領域の幅を変えることなく、レチクル上の複数のパ
ターン領域中の所望のパターン領域のパターンのみを感
光基板上に転写できるようにすることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による露光装置
は、例えば図１に示す如く、転写用のパターンが形成さ
れたマスク（Ｒ）上のスリット状の照明領域を照明する
照明光学系（１〜７）と、そのスリット状の照明領域に
対してマスク（Ｒ）とこのマスクのパターンが露光され
る感光基板（Ｗ）とを同期して走査する相対走査手段
（１０，１２，１５）とを有し、そのスリット状の照明
領域に対してマスク（Ｒ）と感光基板（Ｗ）とを同期し
て走査することにより、マスク（Ｒ）上のそのスリット
状の照明領域よりも広い面積のパターンを感光基板
（Ｗ）上に露光する露光装置において、マスク（Ｒ）上
でその照明光学系により設定されるそのスリット状の照
明領域による照明を避けたい領域を覆うための遮光手段
（８Ａ，８Ｂ）を設けたものである。

【００１１】この場合、マスク（Ｒ）がその相対走査手
段により走査されるのに同期して、遮光手段（８Ａ，８
Ｂ）を走査する補助走査手段を設けることが望ましい。
更に、相対走査手段（１０，１２，１５）がその補助走
査手段を兼用し、その相対走査手段がマスク（Ｒ）及び
遮光手段（８Ａ，８Ｂ）を一体的に走査することが望ま
しい。

【００１２】また、その遮光手段はマスク（Ｒ）上の所
定の固定された領域を覆うものであってもよい。

【００１３】

【作用】斯かる本発明によれば、マスク（Ｒ）上のスリ
ット状の照明領域は、マスク（Ｒ）から離れた位置に配
置された照明光学系（１〜７）中の例えばそのマスク
（Ｒ）と共役な照明領域設定手段（６）により決定され
る。その照明領域設定手段（６）は、マスク（Ｒ）から
離れた位置にあるため、予めその照明領域設定手段
（６）を精密に製造あるいは調整することが出来、走査
後の感光基板（Ｗ）上での照度均一性が良好に維持され
る。

【００１４】また、照明領域設定手段（６）をマスク
（Ｒ）から離れた位置に設定し、しかもその照明領域設
定手段（６）を１回の走査露光中は動かさないものとす
ると、マスク（Ｒ）中で走査方向に隣接する複数の回路
パターン領域の所望の回路パターン領域のパターンを感
光基板上に露光する際に、他の回路パターン領域内のパ
ターンも感光基板上に露光される恐れがある。そこで、
例えばマスク（Ｒ）の近傍に配置された遮光手段（８
Ａ，８Ｂ）によりその他の回路パターン領域を覆ってお
くことにより、その他の回路パターン領域内のパターン
の露光が防止される。

【００１５】そして、マスク（Ｒ）がその相対走査手段
により走査されるのに同期して、遮光手段（８Ａ，８
Ｂ）を走査する補助走査手段を設けた場合には、１回の
露光中にその遮光手段（８Ａ，８Ｂ）の開口部の形状を
変化させる必要がなく、遮光手段（８Ａ，８Ｂ）の制御
が容易である。更に、相対走査手段（１０，１２，１
５）がその補助走査手段を兼用し、その相対走査手段が
マスク（Ｒ）及び遮光手段（８Ａ，８Ｂ）を一体的に走
査する場合には、新たに遮光手段（８Ａ，８Ｂ）用の走
査手段を設ける必要がなく、機構が単純化される。

【００１６】また、その遮光手段がマスク（Ｒ）上の所
定の固定された領域を覆うものである場合には、その遮
光手段自体には開口部の形状を変化させる機構が不要と
なる。従って、その遮光手段の構成が単純である。

【００１７】

【実施例】以下、本発明による露光装置の一実施例につ
き図１〜図３を参照して説明する。本実施例はスリット
スキャン露光方式の投影露光装置に本発明を適用したも
のである。図１は、本実施例の投影露光装置を示し、こ
の図１において、レチクルＲは点光源１〜リレーレンズ
７よりなる照明光学系により長方形のスリット状の照明
領域で均一な照度で照明され、長方形のスリット状の照
明領域で照明されたレチクルＲの回路パターンが投影光
学系１３によりウエハＷ上に転写される。

【００１８】即ち、水銀ランプ等の点光源１からの照明
光は、楕円鏡２により集光された後、コリメータレンズ
３により平行光束となってフライアイレンズ４に達す
る。但し、光源がエキシマレーザ光源等のコヒーレント
光源のときには、このコヒーレント光源から射出された
照明光は、楕円鏡２及びコリメータレンズ３の代わり
に、シリンドリカルレンズやビームエキスパンダ等のビ
ーム整形光学系を通過してフライアイレンズ４に達す
る。このフライアイレンズ４の射出面には多数の２次光
源が形成され、この射出面からの照明光は、コンデンサ
ーレンズ５によって集光されて視野絞り６に達する。

【００１９】視野絞り６には、長方形のスリット状の開
口部が形成され、この視野絞り６を通過した光束は、長
方形のスリット状の断面を有する光束となり、リレーレ
ンズ系７に入射する。リレーレンズ系７は視野絞り６と
レチクルＲの回路パターン形成面とを共役にするレンズ
系であり、視野絞り６の長方形のスリット状の開口部と
共役なレチクルＲ上の領域、即ちレチクルＲ上の長方形
のスリット状の照明領域に照明光が照射される。リレー
レンズ系７は両側テレセントリックな光学系であり、レ
チクルＲ上の長方形のスリット状の照明領域はテレセン
トリック性が維持されている。

【００２０】本例のレチクルＲ上には、レチクルＲに近
接して、スリット状の照明領域に対する走査方向に離れ
た２枚の遮光板８Ａ及び８Ｂが配置され、レチクルＲ及
び遮光板８Ａ，８Ｂがレチクルステージ９上に載置され
ている。遮光板８Ａ，８Ｂによりレチクルブラインドが
形成されており、そのスリット状の照明領域内で且つ遮
光板８Ａ，８Ｂで挟まれたレチクルＲ上の回路パターン
の像が、投影光学系１３を介してウエハＷ上に投影露光
される。投影光学系１３の光軸に垂直な２次元平面内
で、スリット状の照明領域に対するレチクルＲの走査方
向をＸ方向として、投影光学系１３の光軸に平行な方向
をＺ方向とする。

【００２１】この場合、レチクルＲ及び遮光板８Ａ，８
Ｂは走査方向であるＸ方向に一体的にレチクルステージ
駆動部１０により駆動され、遮光板８Ａ，８Ｂはレチク
ルステージ９上でそれぞれ遮光板駆動部１１によりＸ方
向に独立に移動できるように支持されている。レチクル
ステージ駆動部１０及び遮光板駆動部１１の動作を制御
するのが、装置全体の動作を制御する主制御系１２であ
る。また、ウエハＷはウエハステージ１４に載置され、
ウエハステージ１４は、投影光学系１３の光軸に垂直な
面内でウエハＷの位置決めを行うＸＹステージ及びＺ方
向にウエハＷの位置決めを行うＺステージ等より構成さ
れている。主制御系１２はウエハステージ駆動部１５を
介してウエハステージ１４の位置決め動作及び走査動作
を制御する。

【００２２】そして、レチクルＲ上のパターンを投影光
学系１３を介してウエハＷ上に露光する際には、視野絞
り６により設定される長方形のスリット状の照明領域に
対してＸ方向に、レチクルステージ９を介してレチクル
Ｒ及び遮光板８Ａ，８Ｂを一体的に走査する。また、こ
の走査と同期して、その長方形のスリット状の照明領域
の投影光学系１３による像に対して−Ｘ方向に、ウエハ
ステージ１４を介してウエハＷを走査する。即ち、この
−Ｘ方向がウエハＷの走査方向である。このようにレチ
クルＲ及びウエハＷを同期して走査することにより、ウ
エハＷ上にはレチクルＲの回路パターンが遂次転写され
る。

【００２３】さて、近年では、レチクル交換に要する時
間を短縮してスループットを向上させるために、レチク
ルＲ上に複数の回路パターン領域を設けることが行われ
ている。そして、そのレチクルＲ上の複数の回路パター
ン領域中から転写対象の回路パターン領域を選択するた
めに遮光板８Ａ及び８Ｂが使用される。そこで、本実施
例による投影露光装置には、レチクルＲ上の回路パター
ン領域に関する情報を入力する入力部１６と、この入力
部１６の入力情報を記憶するメモリー部１７とが設けら
れ、主制御系１２は、そのメモリー部１７の入力情報に
基づいて遮光板駆動部１１を介して遮光板８Ａ及び８Ｂ
が形成する開口部を所定の形状にする。

【００２４】ここで、遮光板８Ａ及び８Ｂの駆動機構に
ついて図２を参照して説明する。図２は、図１中のレチ
クルＲの周辺の詳細な構成を示し、この図２において、
レチクルステージ基台１９上にレチクルステージ９が走
査方向（Ｘ方向）に摺動自在に支持され、レチクルステ
ージ９の内側にレチクルＲが真空チャック等により保持
されている。レチクルステージ９のレチクルＲの回路パ
ターン形成領域に対応する部分は開口部となり、スリッ
ト状の照明領域の最大の領域に対応するレチクルステー
ジ基台１９上の領域も開口部となっている。また、レチ
クルステージ９の走査方向の両端部にそれぞれウォーム
ギア等の送り部１８Ａ及び１８Ｂを介して遮光板８Ａ及
び８Ｂが取り付けられている。図１の遮光板駆動部１１
によりそれら送り部１８Ａ及び１８Ｂを独立に駆動する
ことにより、それぞれ遮光板８Ａ及び８Ｂを走査方向に
独立に移動させることができる。

【００２５】また、図２において、走査方向（Ｘ方向）
と直交する図２の紙面に垂直な方向（非走査方向）の遮
光板は不図示であるが、この非走査方向の遮光板は、遮
光板８Ａ，８Ｂと同じくレチクルＲの近傍に配置しても
良く、又は、図１の視野絞り６と同じくレチクルＲと実
質的に共役な位置に配置しても構わない。以下、本例で
スリットスキャン露光方式で露光を行う際の動作につき
図１及び図３を参照して説明する。この際に、レチクル
Ｒ上には図３（ａ）に示す如く、２つの回路パターン領
域２０Ａ及び２０Ｂが形成され、これら回路パターン領
域２０Ａ，２０Ｂの境界部には走査方向の幅がＬ１の遮
光部２０Ｃが形成されているとする。また、本例のレチ
クルＲ上に形成される長方形のスリット状の照明領域
は、図３（ｂ）に示すように、走査方向の幅がＬ２のス
リット状の照明領域２１であり、その幅Ｌ２は遮光部２
０Ｃの幅Ｌ１より広いとする。

【００２６】このとき、先ず、オペレータは図１の入力
部１６を介してメモリー部１７に、レチクルＲ上の回路
パターン領域２０Ａ，２０Ｂに関する情報を入力する。
そして、第１の回路パターン領域２０Ａを投影光学系１
３を介してウエハＷ上に転写する場合には、主制御系１
２はメモリー部１７に記憶された入力情報の内の第１の
回路パターン領域２０Ａに関する情報を読み出し、この
情報に基づいて遮光板制御系１１を介して遮光板８Ａ，
８Ｂの走査方向の位置を調整する。これにより、図３
（ｂ）に示すように、レチクルＲ上の第２の回路パター
ン領域２０Ｂを遮光板８Ｂで覆い、第１の回路パターン
領域２０Ａのみにスリット状の照明領域２１の照明光が
照射されるようにする。

【００２７】次に、露光時には、図１の主制御系１２は
レチクルステージ駆動部１０を介してレチクルステージ
９を駆動して、レチクルＲ上の回路パターン領域２０Ａ
の右側にスリット状の照明領域２１を位置させた後、レ
チクルステージ９を駆動してレチクルＲ及び遮光板８
Ａ，８Ｂを一体的に走査方向（Ｘ方向）に移動させる。
これに同期して、主制御系１２は、ウエハステージ駆動
部１５を介してウエハステージ１４を駆動してウエハＷ
を走査方向（−Ｘ方向）に移動させる。この場合、レチ
クルＲ上の第１の回路パターン領域２０Ａのみに照明光
が照射されるので、ウエハＷ上には第１の回路パターン
領域２０Ａのパターンのみが転写される。

【００２８】さて、ウエハＷ上にレチクルＲ上の第２の
回路パターン領域２０Ｂのパターンを転写する場合に
は、主制御系１２はメモリー部１７に記憶された入力情
報の内の第２の回路パターン領域２０Ｂに関する情報を
読み出し、この情報に基づいて遮光板駆動部１１を介し
て遮光板８Ａ，８Ｂの走査方向の位置を調整する。これ
により、図３（ｃ）に示すように、レチクルＲ上の第１
の回路パターン領域２０Ａを遮光板８Ａで覆い、第２の
回路パターン領域２０Ｂのみにスリット状の照明領域２
１の照明光が照射されるようにする。

【００２９】次に、露光時においては、図１の主制御系
１２はレチクルステージ駆動部１０を介してレチクルス
テージ９を駆動して、レチクルＲ上の第２の回路パター
ン領域２０Ｂの右側にスリット状の照明領域２１を位置
させた後、レチクルステージ９を駆動してレチクルＲ及
び遮光板８Ａ，８Ｂを一体的にＸ方向に移動させる。こ
れに同期して、主制御系１２は、ウエハステージ駆動部
１５を介してウエハステージ１４を駆動してウエハＷを
−Ｘ方向に移動させる。この場合、レチクルＲ上の第２
の回路パターン領域２０Ｂのみに照明光が照射されるの
で、ウエハＷ上には第２の回路パターン領域２０Ｂのパ
ターンのみが転写される。

【００３０】このように、本実施例によれば、レチクル
ブラインドとしての遮光板８Ａ，８Ｂによって露光すべ
き回路パターン領域以外の領域を遮光しているので、レ
チクルＲに走査方向に狭い間隔で複数の回路パターン領
域を形成した場合でも、それらの内の所望の回路パター
ン領域のパターンのみをウエハＷ上に露光できる利点が
ある。従って、レチクルＲ上に狭い間隔で複数の回路パ
ターン領域を形成することができる。

【００３１】なお、上述実施例では遮光板８Ａ，８Ｂは
レチクルＲと一体的に駆動されているが、遮光板８Ａ，
８Ｂを走査方向にレチクルＲと同期して駆動するための
駆動手段を別に設けても良い。但し、スリットスキャン
露光時には、図１のレチクルステージ９は１００ｍｍ／
ｓｅｃ以上の高速で動く可能性があるため、遮光板８
Ａ，８Ｂの駆動速度も高速性が要求される。そこで、本
実施例の図２に示すように、レチクルステージ９上にレ
チクルＲ及び遮光板８Ａ，８Ｂを載置し、レチクルＲ及
び遮光板８Ａ，８Ｂを一体的に移動させるようにした場
合には、遮光板８Ａ，８Ｂ用の独立の駆動手段は不要と
なり、しかもレチクルＲと遮光板８Ａ，８Ｂとの移動の
同期性が優れている。

【００３２】また、上述実施例においては、レチクルＲ
に２つの回路パターン領域が形成されている場合を示し
たが、本実施例による投影露光装置ではレチクルＲに走
査方向に３つ以上の回路パターン領域が設けられている
場合にも対応できる。これに関して、図４（ａ）に示す
ように、走査方向の遮光板８Ａ，８Ｂの他に、走査方向
に垂直な非走査方向（Ｙ方向）に可動の２枚の遮光板８
Ｃ，８Ｄを設けた場合には、レチクルＲ上に非走査方向
に複数の回路パターン領域が形成されていても、所望の
回路パターン領域のみのパターンをウエハＷ上に露光で
きる。即ち、レチクルＲ上にＸ方向及びＹ方向に分離さ
れた形で例えば４個の回路パターン領域２０Ｃ〜２０Ｆ
が形成されている場合、４個の遮光板８Ａ〜８Ｄの位置
を独立に調整することにより、４個の回路パターン領域
２０Ｃ〜２０Ｆの任意の１つの回路パターン領域にのみ
照明光が照射されるようにすることができる。そして、
レチクルＲ及び遮光板８Ａ〜８Ｄを一体的にスリット状
の照明領域２１に対してＸ方向に走査することにより、
そのレチクルＲ上の選択された回路パターン領域のパタ
ーンがウエハＷ上に露光される。

【００３３】また、図４（ｂ）に示すように、レチクル
Ｒに１つの回路パターン領域２０Ｇのみが形成されてい
る場合に限定すれば、レチクルＲ上の照明領域の一部を
走査方向に遮光するためのレチクルブラインドとしての
遮光板は、レチクルステージ上に固定された遮光板２２
でも構わない。この構成では、遮光板２２による遮光範
囲を変更するための制御系は不要である。このような固
定式の遮光板２２が設けられていると、スリットスキャ
ン露光の開始又は終了時に、レチクルＲの周縁部から外
に照明光が漏れてウエハが感光されることが防止され
る。

【００３４】また、上述実施例では、遮光板８Ａ，８Ｂ
がレチクルＲの駆動に伴って移動する構成となっている
が、要は遮光板８Ａ，８Ｂの開口部が常にレチクルＲ上
の露光すべき回路パターン領域と一致するように移動す
る構成であれば良い。例えば、レチクルＲとウエハＷと
が固定されており、レチクルＲに対してスリット状の照
射領域を走査させつつ露光する場合には、露光中に遮光
板８Ａ，８Ｂを移動させる必要がない。また、スリット
状の照明領域の形状、即ち視野絞り６の開口の形状は長
方形に限られるわけではなく、例えば特公昭４６−３４
０５７号公報に開示されているような六角形の照明領
域、特公昭５３−２５７９０号公報に開示されているよ
うな菱形の照明領域、又は同じく本願人が特願平４−２
４２４８６号、特願平４−３１６７１７号で開示してい
るような円弧状の照明領域でも良いことは言うまでもな
い。

【００３５】更に、上述実施例における投影光学系１３
は、屈折系でも、反射系でも、反射屈折系でも良いこと
も言うまでもない。更に、本発明は投影露光装置のみに
限定されず、コンタクト方式やプロキシミティ方式の露
光装置にも適用できることは言うまでもない。このよう
に本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、マスク上の照明を避け
たい領域を覆うための遮光手段が設けられているので、
マスク上にスリット状の照明領域を設定するための照明
領域設定手段を、照明光学系中のマスクから離れた位置
に配置することができる。従って、照明領域設定手段の
走査方向の幅の制御を高精度に行うことができ、スリッ
トスキャン露光後の感光基板上での照度均一性を良好に
維持できる利点がある。更に、マスク上に走査方向に狭
い間隔で複数のパターン領域が形成されている場合で
も、露光したくないパターン領域をその遮光手段で覆う
ことにより、所望のパターン領域のみのパターンを感光
基板上に露光できる。

【００３７】また、マスクが相対走査手段により走査さ
れるのに同期して、遮光手段を走査する補助走査手段を
設けた場合には、１回の走査中に遮光手段の開口部の状
態を制御する必要が無くなり、遮光手段の開口部の状態
の制御が容易である。また、相対走査手段がその補助走
査手段を兼用し、その相対走査手段がマスク及び遮光手
段を一体的に走査する場合には、遮光手段を走査するた
めの駆動手段を新たに設ける必要が無い。

【００３８】更に、遮光手段はマスク上の所定の固定さ
れた領域を覆うものである場合には、遮光手段の開口部
の状態を制御する機構が不要となり、構成が単純であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の投影露光装置を示す構成図
である。

【図２】図１のレチクルＲ及び遮光板８Ａ，８Ｂの駆動
機構を示す構成図である。

【図３】（ａ）は図１のレチクルＲ上のパターンを示す
平面図、（ｂ）は回路パターン領域２０Ａのパターンを
露光する場合の遮光板８Ａ，８Ｂの配置を示す平面図、
（ｃ）は回路パターン領域２０Ｂのパターンを露光する
場合の遮光板８Ａ，８Ｂの配置を示す平面図である。

【図４】（ａ）は遮光板が４枚の場合を示す平面図、
（ｂ）は遮光板が固定式の場合を示す平面図である。

【図５】スリット状の照明領域の走査方向の形状精度が
走査後の照度均一性に影響を与える場合の一例を示す説
明図である。

【図６】スリット状の照明領域の走査方向の形状精度が
走査後の照度均一性に影響を与える場合の他の例を示す
説明図である。

【図７】レチクル上に配置された複数の回路パターン領
域とスリット状の照明領域との関係を示す図である。

【符号の説明】

ＲレチクルＷウエハ７リレーレンズ６視野絞り８Ａ，８Ｂ遮光板９レチクルステージ１０レチクルステージ駆動部１１遮光板駆動部１２主制御系１３投影光学系１４ウエハステージ１５ウエハステージ駆動部１６入力部１７メモリー部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】転写用のパターンが形成されたマスク上
のスリット状の照明領域を照明する照明光学系と、前記
スリット状の照明領域に対して前記マスクと該マスクの
パターンが露光される感光基板とを同期して走査する相
対走査手段とを有し、前記スリット状の照明領域に対して前記マスクと前記感
光基板とを同期して走査することにより、前記マスク上
の前記スリット状の照明領域よりも広い面積のパターン
を前記感光基板上に露光する露光装置において、前記マスク上で前記照明光学系により設定される前記ス
リット状の照明領域による照明を避けたい領域を覆うた
めの遮光手段を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】前記マスクが前記相対走査手段により走
査されるのに同期して、前記遮光手段を走査する補助走
査手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の露光装
置。
【請求項３】前記相対走査手段が前記補助走査手段を
兼用し、前記相対走査手段が前記マスク及び前記遮光手
段を一体的に走査することを特徴とする請求項２記載の
露光装置。
【請求項４】前記遮光手段は前記マスク上の所定の固
定された領域を覆うものであることを特徴とする請求項
３記載の露光装置。