JPH0992593A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH0992593A JPH0992593A JP7243132A JP24313295A JPH0992593A JP H0992593 A JPH0992593 A JP H0992593A JP 7243132 A JP7243132 A JP 7243132A JP 24313295 A JP24313295 A JP 24313295A JP H0992593 A JPH0992593 A JP H0992593A
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- substrate
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- optical system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査方向による焦点位置の検出誤差又はアラ
イメント誤差の発生を抑制し、各種センサの設置数を少
なくする。 【解決手段】 光源系とレチクルとの間に設けたレチク
ルブラインドにより、投影光学系の有効露光フィールド
内に2つの照野フィールド21a,21bの何れかを走
査方向に所定間隔で選択的に形成する。2つの照野フィ
ールド21a,21bのほぼ中間の先読み領域22に焦
点位置検出系のAFビームがスリット光として照射され
るように設定し、2つのアライメントセンサのアライメ
ント照明光が先読み領域22の両端のアライメント領域
23a,23bに照射されるように設定する。ショット
領域25aを−X方向に走査するときには、−X方向側
の照野フィールド21aを使用し、ショット領域25b
を+X方向に走査するときは、+X方向側の照野フィー
ルド21bを使用する。
イメント誤差の発生を抑制し、各種センサの設置数を少
なくする。 【解決手段】 光源系とレチクルとの間に設けたレチク
ルブラインドにより、投影光学系の有効露光フィールド
内に2つの照野フィールド21a,21bの何れかを走
査方向に所定間隔で選択的に形成する。2つの照野フィ
ールド21a,21bのほぼ中間の先読み領域22に焦
点位置検出系のAFビームがスリット光として照射され
るように設定し、2つのアライメントセンサのアライメ
ント照明光が先読み領域22の両端のアライメント領域
23a,23bに照射されるように設定する。ショット
領域25aを−X方向に走査するときには、−X方向側
の照野フィールド21aを使用し、ショット領域25b
を+X方向に走査するときは、+X方向側の照野フィー
ルド21bを使用する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁
気ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に使
用される投影露光装置に関し、特に矩形又は円弧状等の
照明領域に対してマスク及び感光性の基板を同期して走
査することにより、マスク上のパターンを投影光学系を
介して逐次その基板上に露光する所謂スリットスキャン
方式、又はステップ・アンド・スキャン方式等の走査露
光型の投影露光装置に適用して好適なものである。
子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁
気ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に使
用される投影露光装置に関し、特に矩形又は円弧状等の
照明領域に対してマスク及び感光性の基板を同期して走
査することにより、マスク上のパターンを投影光学系を
介して逐次その基板上に露光する所謂スリットスキャン
方式、又はステップ・アンド・スキャン方式等の走査露
光型の投影露光装置に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子等を製造する際に使用
されていた露光装置は、主にレチクル(又はフォトマス
ク等)のパターンを投影光学系を介してステップ・アン
ド・リピート方式でフォトレジストが塗布されたウエハ
(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に露光す
る一括露光方式の投影露光装置(ステッパー等)であっ
た。これに対して最近、半導体素子等の1個のチップパ
ターンが大型化する傾向にあり、投影露光装置において
は、より大きな面積のパターンを効率的にウエハ上の各
ショット領域に露光する大面積化が求められている。こ
のような大面積化を行う場合でも、特に投影像のディス
トーションを各ショット領域の全面で所定量以下に収め
る必要がある。そこで、ディストーションを各ショット
領域の全面で小さくし、且つ大面積化に応えるために、
ウエハ上の各ショット領域を走査開始位置にステッピン
グした後、例えば矩形、円弧状又は複数の台形等からな
る照明領域(これを「スリット状の照明領域」という)
に対してレチクル及びウエハを同期して走査することに
より、レチクル上のパターンを各ショット領域に逐次露
光する所謂ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露
光型の露光装置が注目されている。
されていた露光装置は、主にレチクル(又はフォトマス
ク等)のパターンを投影光学系を介してステップ・アン
ド・リピート方式でフォトレジストが塗布されたウエハ
(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に露光す
る一括露光方式の投影露光装置(ステッパー等)であっ
た。これに対して最近、半導体素子等の1個のチップパ
ターンが大型化する傾向にあり、投影露光装置において
は、より大きな面積のパターンを効率的にウエハ上の各
ショット領域に露光する大面積化が求められている。こ
のような大面積化を行う場合でも、特に投影像のディス
トーションを各ショット領域の全面で所定量以下に収め
る必要がある。そこで、ディストーションを各ショット
領域の全面で小さくし、且つ大面積化に応えるために、
ウエハ上の各ショット領域を走査開始位置にステッピン
グした後、例えば矩形、円弧状又は複数の台形等からな
る照明領域(これを「スリット状の照明領域」という)
に対してレチクル及びウエハを同期して走査することに
より、レチクル上のパターンを各ショット領域に逐次露
光する所謂ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露
光型の露光装置が注目されている。
【0003】このような走査露光型の露光装置でも、通
常、ウエハの焦点位置(投影光学系の光軸方向の位置)
を検出するための焦点位置検出系、及びレチクルとウエ
ハとの各ショット領域の位置合わせに使用されるアライ
メントセンサが備えられている。そして、焦点位置検出
系及びアライメントセンサから、それぞれ焦点位置検出
用光ビーム(以下、「AFビーム」という)及びアライ
メント照明光をウエハ上に照射して、ウエハの各ショッ
ト領域のオートフォーカス及び位置合わせを行ってい
た。
常、ウエハの焦点位置(投影光学系の光軸方向の位置)
を検出するための焦点位置検出系、及びレチクルとウエ
ハとの各ショット領域の位置合わせに使用されるアライ
メントセンサが備えられている。そして、焦点位置検出
系及びアライメントセンサから、それぞれ焦点位置検出
用光ビーム(以下、「AFビーム」という)及びアライ
メント照明光をウエハ上に照射して、ウエハの各ショッ
ト領域のオートフォーカス及び位置合わせを行ってい
た。
【0004】図4は、従来の走査露光型の露光装置にお
けるウエハ上のAFビーム及びアライメント照明光の照
射領域を示している。この場合、アライメントセンサと
しては、例えばレーザ光をウエハ上のドット列状のウエ
ハマークに照射し、そのマークにより回折又は散乱され
た光を用いてそのマークの位置を検出するLSA(Lase
r Step Alignment)方式等のアライメントセンサが使用
される。この図4において、ウエハ上の走査方向(X方
向)に所定幅で形成されたスリット状の照野フィールド
31の走査方向の手前側の先読み領域32a及び32b
に、2個の焦点位置検出系からのAFビームがそれぞれ
複数のスリット光(不図示)として照射されている。ま
た、照野フィールド31の−X方向の先読み領域32a
の非走査方向(±Y方向)の近傍のアライメント領域3
3a,34aにアライメントセンサからのアライメント
照明光がそれぞれ照射されるように設定され、同様に照
野フィールド31の+X方向の先読み領域32bの非走
査方向の近傍のアライメント領域33b,34bに1対
のアライメントセンサからのアライメント照明光が照射
されるように設定されている。
けるウエハ上のAFビーム及びアライメント照明光の照
射領域を示している。この場合、アライメントセンサと
しては、例えばレーザ光をウエハ上のドット列状のウエ
ハマークに照射し、そのマークにより回折又は散乱され
た光を用いてそのマークの位置を検出するLSA(Lase
r Step Alignment)方式等のアライメントセンサが使用
される。この図4において、ウエハ上の走査方向(X方
向)に所定幅で形成されたスリット状の照野フィールド
31の走査方向の手前側の先読み領域32a及び32b
に、2個の焦点位置検出系からのAFビームがそれぞれ
複数のスリット光(不図示)として照射されている。ま
た、照野フィールド31の−X方向の先読み領域32a
の非走査方向(±Y方向)の近傍のアライメント領域3
3a,34aにアライメントセンサからのアライメント
照明光がそれぞれ照射されるように設定され、同様に照
野フィールド31の+X方向の先読み領域32bの非走
査方向の近傍のアライメント領域33b,34bに1対
のアライメントセンサからのアライメント照明光が照射
されるように設定されている。
【0005】そして、例えばショット領域30aを照野
フィールド31に対して矢印Bで示す+X方向に走査し
て露光を行う際には、−X方向側の先読み領域32aで
検出されるウエハの焦点位置に基づいてオートフォーカ
スが行われると共に、アライメント領域33a及び34
aで検出されるウエハマークの位置情報に基づいてアラ
イメントが行われていた。一方、ショット領域30bを
照野フィールド31に対して矢印Aで示す−X方向に走
査して露光を行う際には、+X方向側の先読み領域32
b及びアライメント領域33b,34bで検出される情
報に基づいてオートフォーカス及びアライメントが行わ
れていた。
フィールド31に対して矢印Bで示す+X方向に走査し
て露光を行う際には、−X方向側の先読み領域32aで
検出されるウエハの焦点位置に基づいてオートフォーカ
スが行われると共に、アライメント領域33a及び34
aで検出されるウエハマークの位置情報に基づいてアラ
イメントが行われていた。一方、ショット領域30bを
照野フィールド31に対して矢印Aで示す−X方向に走
査して露光を行う際には、+X方向側の先読み領域32
b及びアライメント領域33b,34bで検出される情
報に基づいてオートフォーカス及びアライメントが行わ
れていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
においては、走査方向の切り換えに対応するために、2
つの焦点位置検出系及び2対のアライメントセンサを用
いていたため、焦点位置検出系同士及びアライメントセ
ンサ同士の検出結果の間にオフセットが発生している
と、走査方向によりデフォーカス及びアライメント誤差
が発生する不都合があった。また、照野フィールド31
の走査方向の両側に2つの焦点位置検出系及び2対のア
ライメントセンサを必要とするため、焦点位置検出系及
びアライメントセンサを含む機構が大型化し、且つ複雑
化するという不都合もあった。
においては、走査方向の切り換えに対応するために、2
つの焦点位置検出系及び2対のアライメントセンサを用
いていたため、焦点位置検出系同士及びアライメントセ
ンサ同士の検出結果の間にオフセットが発生している
と、走査方向によりデフォーカス及びアライメント誤差
が発生する不都合があった。また、照野フィールド31
の走査方向の両側に2つの焦点位置検出系及び2対のア
ライメントセンサを必要とするため、焦点位置検出系及
びアライメントセンサを含む機構が大型化し、且つ複雑
化するという不都合もあった。
【0007】本発明は斯かる点に鑑み、走査方向による
焦点位置の検出誤差又はアライメント誤差が発生せず、
走査方向に依らずに正確にオートフォーカス又はアライ
メントを行うことができると共に、焦点位置検出系又は
アライメントセンサ等のセンサの設置数の少ない投影露
光装置を提供することを目的とする。
焦点位置の検出誤差又はアライメント誤差が発生せず、
走査方向に依らずに正確にオートフォーカス又はアライ
メントを行うことができると共に、焦点位置検出系又は
アライメントセンサ等のセンサの設置数の少ない投影露
光装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、マスク(1)上の転写用のパターンの一部を投影
光学系(3)を介して基板(2)上に投影した状態で、
そのマスク(1)をその投影光学系に対して所定方向
(+X方向又は−X方向)に走査するのと同期して、そ
の基板(2)をその投影光学系(3)に対してその所定
方向に対応する方向(−X方向又は+X方向)に走査す
ることにより、そのマスク(1)の転写用のパターンの
像を逐次その基板(2)上に転写する投影露光装置にお
いて、その投影光学系(3)の有効露光フィールド(2
0)内でその基板(2)の走査方向に離れた位置又は連
続した位置に切り換え自在に複数個の露光領域(21
a,21b)を設定する露光領域切り換え手段(10,
11)と、それら複数個の露光領域(21a,21b)
の間のその基板(2)のその投影光学系(3)の光軸
(AX)方向の位置を検出し、この検出結果に基づいて
その基板(2)の高さ又は傾斜角を制御する面位置制御
手段(8a,8b,5,7,17)と、その基板(2)
のその投影光学系(3)に対する走査方向に応じてその
露光領域切り換え手段(10,11)を介してその投影
光学系(3)による露光領域を切り換える制御手段(1
7)と、を有するものである。
置は、マスク(1)上の転写用のパターンの一部を投影
光学系(3)を介して基板(2)上に投影した状態で、
そのマスク(1)をその投影光学系に対して所定方向
(+X方向又は−X方向)に走査するのと同期して、そ
の基板(2)をその投影光学系(3)に対してその所定
方向に対応する方向(−X方向又は+X方向)に走査す
ることにより、そのマスク(1)の転写用のパターンの
像を逐次その基板(2)上に転写する投影露光装置にお
いて、その投影光学系(3)の有効露光フィールド(2
0)内でその基板(2)の走査方向に離れた位置又は連
続した位置に切り換え自在に複数個の露光領域(21
a,21b)を設定する露光領域切り換え手段(10,
11)と、それら複数個の露光領域(21a,21b)
の間のその基板(2)のその投影光学系(3)の光軸
(AX)方向の位置を検出し、この検出結果に基づいて
その基板(2)の高さ又は傾斜角を制御する面位置制御
手段(8a,8b,5,7,17)と、その基板(2)
のその投影光学系(3)に対する走査方向に応じてその
露光領域切り換え手段(10,11)を介してその投影
光学系(3)による露光領域を切り換える制御手段(1
7)と、を有するものである。
【0009】斯かる本発明の投影露光装置によれば、例
えば図3に示すように、ショット領域(25a)を矢印
Aの方向に走査するときには、一方の露光領域(21
a)を使用し、ショット領域(25b)を矢印Bの方向
に走査するときには、他方の露光領域(21b)を使用
する。また、走査方向に依らずに、共通にその面位置制
御手段を用いてオートフォーカス又はオートレベリング
が行われる。従って、走査方向に依らずに共通の検出位
置での検出値を使用するため、走査方向に依る検出値の
誤差が発生することもなく、常に面位置の検出が高精度
に行える。また、焦点位置検出系等のセンサを露光領域
の両側に備える必要がなく、センサの設置数を少なくで
きる。
えば図3に示すように、ショット領域(25a)を矢印
Aの方向に走査するときには、一方の露光領域(21
a)を使用し、ショット領域(25b)を矢印Bの方向
に走査するときには、他方の露光領域(21b)を使用
する。また、走査方向に依らずに、共通にその面位置制
御手段を用いてオートフォーカス又はオートレベリング
が行われる。従って、走査方向に依らずに共通の検出位
置での検出値を使用するため、走査方向に依る検出値の
誤差が発生することもなく、常に面位置の検出が高精度
に行える。また、焦点位置検出系等のセンサを露光領域
の両側に備える必要がなく、センサの設置数を少なくで
きる。
【0010】この場合、それら複数個の露光領域(21
a,21b)の間の近傍の領域でその基板(2)上の位
置合わせ用マークの位置を検出するアライメントセンサ
(9a)を設け、このアライメントセンサの検出結果よ
りその基板(2)とそのマスク(4)との位置合わせを
行うことが好ましい。これにより、走査方向に依らずに
共通のアライメントセンサ(9a)により基板(2)上
の位置合わせマークの位置を検出して、位置合わせを行
う。
a,21b)の間の近傍の領域でその基板(2)上の位
置合わせ用マークの位置を検出するアライメントセンサ
(9a)を設け、このアライメントセンサの検出結果よ
りその基板(2)とそのマスク(4)との位置合わせを
行うことが好ましい。これにより、走査方向に依らずに
共通のアライメントセンサ(9a)により基板(2)上
の位置合わせマークの位置を検出して、位置合わせを行
う。
【0011】また、その露光領域切り換え手段(10,
11)は、その投影光学系(3)の有効露光フィールド
内でそれら複数個の露光領域(21a,21b)の全部
を含む一括露光領域(21e)を選択的に設定し、この
一括露光領域(21e)が設定されたときにそのマスク
(1)とその基板(2)とを静止させた状態で露光を行
ってもよい。
11)は、その投影光学系(3)の有効露光フィールド
内でそれら複数個の露光領域(21a,21b)の全部
を含む一括露光領域(21e)を選択的に設定し、この
一括露光領域(21e)が設定されたときにそのマスク
(1)とその基板(2)とを静止させた状態で露光を行
ってもよい。
【0012】これにより、本発明の投影露光装置は走査
露光型としてのみならず、ステッパーのような一括露光
型としても兼用できることになる。
露光型としてのみならず、ステッパーのような一括露光
型としても兼用できることになる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明による投影露光装置
の実施の形態の一例につき図1〜図3を参照して説明す
る。本例は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露
光装置に本発明を適用したものである。図1は、本例の
投影露光装置の概略構成を示し、この図1において、露
光用の水銀ランプ及びオプティカル・インテグレータ等
を含む光源系13から射出された照明光ILは、第1リ
レーレンズ12aを透過した後、後述のレチクル1とほ
ぼ共役な面に配置されたレチクルブラインド(可変視野
絞り)10に入射する。レチクルブラインド10は、照
明光ILの通過領域の位置及び形状を所望の状態に設定
するための4枚の可動ブレードから構成されており、ブ
ラインド駆動装置11によりそれらの4枚の可動ブレー
ドの位置が制御できるようになっている。レチクルブラ
インド10は、ブラインド駆動装置11を介して、主制
御系17により制御される。なお、露光用の照明光とし
ては、水銀ランプのi線(波長:365nm)等の他、
エキシマレーザ光(波長:248nm,193nm等)
等も使用できる。また、光源系13内にはシャッターが
設置され、このシャッターによって所望の期間だけ照明
光ILを照射できるようになっている。
の実施の形態の一例につき図1〜図3を参照して説明す
る。本例は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露
光装置に本発明を適用したものである。図1は、本例の
投影露光装置の概略構成を示し、この図1において、露
光用の水銀ランプ及びオプティカル・インテグレータ等
を含む光源系13から射出された照明光ILは、第1リ
レーレンズ12aを透過した後、後述のレチクル1とほ
ぼ共役な面に配置されたレチクルブラインド(可変視野
絞り)10に入射する。レチクルブラインド10は、照
明光ILの通過領域の位置及び形状を所望の状態に設定
するための4枚の可動ブレードから構成されており、ブ
ラインド駆動装置11によりそれらの4枚の可動ブレー
ドの位置が制御できるようになっている。レチクルブラ
インド10は、ブラインド駆動装置11を介して、主制
御系17により制御される。なお、露光用の照明光とし
ては、水銀ランプのi線(波長:365nm)等の他、
エキシマレーザ光(波長:248nm,193nm等)
等も使用できる。また、光源系13内にはシャッターが
設置され、このシャッターによって所望の期間だけ照明
光ILを照射できるようになっている。
【0014】レチクルブラインド10で成形された照明
光ILは、第2リレーレンズ12bを通過して、ダイク
ロイックミラー14に入射する。ダイクロイックミラー
14で下方に折り曲げられた照明光ILは、コンデンサ
ーレンズ15を介してレチクル1上に照射され、レチク
ル1上の照明領域内のパターンの像が、投影光学系3を
介して投影倍率β(βは例えば1/4、又は1/5等)
でウエハ2上の照野フィールドに投影される。ここで、
投影光学系PLの光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直
な平面内で走査露光時のレチクル1及びウエハ2の走査
方向に平行(図1の紙面に平行な方向)にX軸を取り、
Z軸に垂直な平面内でX軸に垂直な方向(非走査方向)
にY軸を取る。本例では、レチクル1は、不図示のレチ
クルベース上でX方向に摺動自在なレチクルステージ1
6上に載置され、ウエハ2は、ウエハホルダ4を介して
ウエハホルダ4を投影光学系3の光軸AX方向に駆動す
るためのZステージ5上に載置され、Zステージ5は、
ウエハ2をX方向に走査すると共にY方向に位置決めす
るXYステージ18上に保持されている。また、Zステ
ージ5及びXYステージ18は、それぞれZステージ駆
動系7及びウエハステージ駆動系19を介して主制御系
17により制御されている。
光ILは、第2リレーレンズ12bを通過して、ダイク
ロイックミラー14に入射する。ダイクロイックミラー
14で下方に折り曲げられた照明光ILは、コンデンサ
ーレンズ15を介してレチクル1上に照射され、レチク
ル1上の照明領域内のパターンの像が、投影光学系3を
介して投影倍率β(βは例えば1/4、又は1/5等)
でウエハ2上の照野フィールドに投影される。ここで、
投影光学系PLの光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直
な平面内で走査露光時のレチクル1及びウエハ2の走査
方向に平行(図1の紙面に平行な方向)にX軸を取り、
Z軸に垂直な平面内でX軸に垂直な方向(非走査方向)
にY軸を取る。本例では、レチクル1は、不図示のレチ
クルベース上でX方向に摺動自在なレチクルステージ1
6上に載置され、ウエハ2は、ウエハホルダ4を介して
ウエハホルダ4を投影光学系3の光軸AX方向に駆動す
るためのZステージ5上に載置され、Zステージ5は、
ウエハ2をX方向に走査すると共にY方向に位置決めす
るXYステージ18上に保持されている。また、Zステ
ージ5及びXYステージ18は、それぞれZステージ駆
動系7及びウエハステージ駆動系19を介して主制御系
17により制御されている。
【0015】レチクルステージ16及びXYステージ1
8よりステージ駆動機構が構成され、走査露光時には主
制御系17は、レチクルステージ16を介して+X方向
(又は−X方向)に所定速度VR でレチクルRを走査す
るのと同期して、XYステージ18を介してウエハ2上
の所定のショット領域を照野フィールドに対して−X方
向(又は+X方向)に速度VW (=β・VR )で走査す
る。これにより、そのショット領域上にレチクル1のパ
ターンが逐次転写露光される。
8よりステージ駆動機構が構成され、走査露光時には主
制御系17は、レチクルステージ16を介して+X方向
(又は−X方向)に所定速度VR でレチクルRを走査す
るのと同期して、XYステージ18を介してウエハ2上
の所定のショット領域を照野フィールドに対して−X方
向(又は+X方向)に速度VW (=β・VR )で走査す
る。これにより、そのショット領域上にレチクル1のパ
ターンが逐次転写露光される。
【0016】また、図1の装置には、ウエハ2の露光面
に向けて斜めにスリット像24a〜24c(図2(a)
参照)を形成するための複数の計測ビーム(以下、「A
Fビーム」という)LFを照射する照射光学系8aと、
そのフォーカスビームLFのウエハ2の露光面での反射
光束を受光して各スリット像を再結像する受光光学系8
bとからなる斜入射方式の焦点位置検出系(以下、「焦
点位置検出系8a,8b」という)が備えられている。
に向けて斜めにスリット像24a〜24c(図2(a)
参照)を形成するための複数の計測ビーム(以下、「A
Fビーム」という)LFを照射する照射光学系8aと、
そのフォーカスビームLFのウエハ2の露光面での反射
光束を受光して各スリット像を再結像する受光光学系8
bとからなる斜入射方式の焦点位置検出系(以下、「焦
点位置検出系8a,8b」という)が備えられている。
【0017】図2(a)〜(e)はそれぞれ本例の投影
光学系3の有効露光フィールド20を示し、それらの内
の図2(a)に示すように、有効露光フィールド20の
中央部をY方向(非走査方向)に横切るように設定され
たスリット状の先読み領域22内に、Y方向に等間隔に
図1の焦点位置検出系8a,8bからのAFビームLF
がスリット像24a〜24cとして照射されている。そ
して、図1の受光光学系8bからはスリット像24a〜
24cの再結像された像の横ずれ量に対応する3個のフ
ォーカス信号が主制御系17に供給され、主制御系17
では供給されたフォーカス信号よりウエハ2の先読み領
域22内の平均的な焦点位置を求める。そして、主制御
系17はこの焦点位置が投影光学系3の結像面の焦点位
置に常に合致するように、Zステージ駆動系7を介して
ウエハの先読みオートフォーカス制御を行う。更に、先
読み領域22の非走査方向(Y方向)の両端部の近傍に
は、それぞれ後述のアライメントセンサからのアライメ
ント照明光が照射されるアライメント領域23a,23
bが設定されている。
光学系3の有効露光フィールド20を示し、それらの内
の図2(a)に示すように、有効露光フィールド20の
中央部をY方向(非走査方向)に横切るように設定され
たスリット状の先読み領域22内に、Y方向に等間隔に
図1の焦点位置検出系8a,8bからのAFビームLF
がスリット像24a〜24cとして照射されている。そ
して、図1の受光光学系8bからはスリット像24a〜
24cの再結像された像の横ずれ量に対応する3個のフ
ォーカス信号が主制御系17に供給され、主制御系17
では供給されたフォーカス信号よりウエハ2の先読み領
域22内の平均的な焦点位置を求める。そして、主制御
系17はこの焦点位置が投影光学系3の結像面の焦点位
置に常に合致するように、Zステージ駆動系7を介して
ウエハの先読みオートフォーカス制御を行う。更に、先
読み領域22の非走査方向(Y方向)の両端部の近傍に
は、それぞれ後述のアライメントセンサからのアライメ
ント照明光が照射されるアライメント領域23a,23
bが設定されている。
【0018】ここで、図1のレチクルブラインド10の
制御によって所望の状態に設定できる本例の照野フィー
ルドの例につき、図2(a)〜(e)を参照して説明す
る。先ず、照野フィールドとは、図1のレチクルブライ
ンド10によってレチクル1のパターン形成面に設定さ
れる照明領域と、投影光学系3に関して共役なウエハ2
上の露光領域、即ち、或る時点でのウエハ2上へのレチ
クル1のパターンの投影領域を指す。
制御によって所望の状態に設定できる本例の照野フィー
ルドの例につき、図2(a)〜(e)を参照して説明す
る。先ず、照野フィールドとは、図1のレチクルブライ
ンド10によってレチクル1のパターン形成面に設定さ
れる照明領域と、投影光学系3に関して共役なウエハ2
上の露光領域、即ち、或る時点でのウエハ2上へのレチ
クル1のパターンの投影領域を指す。
【0019】そして、本例ではレチクルブラインド10
の制御によって、図2(a)に示すように、有効露光フ
ィールド20内で先読み領域22に対して−X方向(走
査方向)に所定間隔離してスリット状の照野フィールド
21aを設定できる。また、図2(b)に示すように、
先読み領域22に対して+X方向に所定間隔離して、照
野フィールド21aと対称にスリット状の照野フィール
ド21bを設定することもできる。更に、レチクルブラ
インド10の制御によって、図2(c)及び(d)に示
すように、先読み領域22を含むように照野フィールド
21c及び21dを設定することもでき、図2(e)に
示すように、図2(a)及び(b)の照野フィールド2
1a,21bを覆う大きさの照野フィールド21eを設
定することもできる。最後の大面積の照野フィールド2
1eを用いれば、通常の静止状態での一括露光方式での
露光を行うことができる。
の制御によって、図2(a)に示すように、有効露光フ
ィールド20内で先読み領域22に対して−X方向(走
査方向)に所定間隔離してスリット状の照野フィールド
21aを設定できる。また、図2(b)に示すように、
先読み領域22に対して+X方向に所定間隔離して、照
野フィールド21aと対称にスリット状の照野フィール
ド21bを設定することもできる。更に、レチクルブラ
インド10の制御によって、図2(c)及び(d)に示
すように、先読み領域22を含むように照野フィールド
21c及び21dを設定することもでき、図2(e)に
示すように、図2(a)及び(b)の照野フィールド2
1a,21bを覆う大きさの照野フィールド21eを設
定することもできる。最後の大面積の照野フィールド2
1eを用いれば、通常の静止状態での一括露光方式での
露光を行うことができる。
【0020】また、投影光学系6の上部側面付近で且つ
レチクルステージ16の下方には、一例としてTTL
(スルー・ザ・レンズ)方式で且つLSA(Laser Step
Alignment)方式のアライメントセンサ9aが設置され
ている。このアライメントセンサ9aは、レチクル1と
ウエハ2の各ショット領域との最終的な位置合わせ(ア
ライメント)に使用される。このため、図3(a)に示
すように、ウエハ2上のショット領域25aの側面には
ドット列状のウエハマーク27a,27bよりなるウエ
ハマーク28a〜28dが所定間隔で配列されている。
また、ショット領域25aの反対側の側面にも対称にウ
エハマーク29a〜29dが配列されている。
レチクルステージ16の下方には、一例としてTTL
(スルー・ザ・レンズ)方式で且つLSA(Laser Step
Alignment)方式のアライメントセンサ9aが設置され
ている。このアライメントセンサ9aは、レチクル1と
ウエハ2の各ショット領域との最終的な位置合わせ(ア
ライメント)に使用される。このため、図3(a)に示
すように、ウエハ2上のショット領域25aの側面には
ドット列状のウエハマーク27a,27bよりなるウエ
ハマーク28a〜28dが所定間隔で配列されている。
また、ショット領域25aの反対側の側面にも対称にウ
エハマーク29a〜29dが配列されている。
【0021】ウエハのアライメントに際して、アライメ
ントセンサ9aからウエハ2上のフォトレジスト層に対
して感光性の弱い波長域のアライメント照明光Laが射
出される。アライメントセンサ9aから射出されたアラ
イメント照明光Laは、投影光学系3を介してウエハ2
上のアライメント領域23a(図3(a)参照)に十字
型のスリット光26a,26bとして照射される。その
状態でXYステージ18を駆動して、例えば図3(a)
のドット列状のウエハマーク28aがスリット光26
a,26bをX方向に横切るようにすると、ウエハマー
ク28aがスリット光26a,26bにかかるときにウ
エハマーク28aからの回折光が発生する。ウエハマー
ク28aからの回折光は、入射した光路を逆戻りして、
再び投影光学系3を介して、アライメントセンサ9aに
戻り、内部の受光センサに入射する。アライメントセン
サ9aからは、その受光センサに入射する光量を光電変
換した検出信号が発生する。その検出信号はアライメン
ト処理系(不図示)に供給され、アライメント処理系に
おいて、光量が最も大きくなるときのXYステージ18
のX座標よりそのウエハマーク28aの2次元的な位置
が検出される。なお、本例の投影露光装置にはアライメ
ントセンサ9aと対称に2軸のLSA方式のアライメン
トセンサ(不図示)が配置されており、このアライメン
トセンサにより例えば図3(a)のショット領域25a
のウエハマーク29a〜29dの2次元的な位置が検出
され、これらの検出結果に基づいてウエハ2の走査位置
及び回転角が微調整される。
ントセンサ9aからウエハ2上のフォトレジスト層に対
して感光性の弱い波長域のアライメント照明光Laが射
出される。アライメントセンサ9aから射出されたアラ
イメント照明光Laは、投影光学系3を介してウエハ2
上のアライメント領域23a(図3(a)参照)に十字
型のスリット光26a,26bとして照射される。その
状態でXYステージ18を駆動して、例えば図3(a)
のドット列状のウエハマーク28aがスリット光26
a,26bをX方向に横切るようにすると、ウエハマー
ク28aがスリット光26a,26bにかかるときにウ
エハマーク28aからの回折光が発生する。ウエハマー
ク28aからの回折光は、入射した光路を逆戻りして、
再び投影光学系3を介して、アライメントセンサ9aに
戻り、内部の受光センサに入射する。アライメントセン
サ9aからは、その受光センサに入射する光量を光電変
換した検出信号が発生する。その検出信号はアライメン
ト処理系(不図示)に供給され、アライメント処理系に
おいて、光量が最も大きくなるときのXYステージ18
のX座標よりそのウエハマーク28aの2次元的な位置
が検出される。なお、本例の投影露光装置にはアライメ
ントセンサ9aと対称に2軸のLSA方式のアライメン
トセンサ(不図示)が配置されており、このアライメン
トセンサにより例えば図3(a)のショット領域25a
のウエハマーク29a〜29dの2次元的な位置が検出
され、これらの検出結果に基づいてウエハ2の走査位置
及び回転角が微調整される。
【0022】以上のように構成された本例の投影露光装
置の動作について、主に図3を参照して説明する。走査
型露光装置は、通常両方向(±X方向)の走査が可能な
構成となっており、本例では走査方向に応じて例えば図
2(a)の照野フィールド21aと図2(b)の照野フ
ィールド21bとを切り換えて使用する。そのように照
野フィールド21a又は21bが設定された後、図1の
主制御系17はウエハステージ駆動系19を介してXY
ステージ18を駆動することによりウエハ2の露光対象
のショット領域を走査開始位置に位置決めした後、露光
用の照明光ILの照射を開始して、レチクルステージ1
6及びXYステージ18を相対的に走査してレチクル1
のパターン像をそのショット領域に逐次転写する。
置の動作について、主に図3を参照して説明する。走査
型露光装置は、通常両方向(±X方向)の走査が可能な
構成となっており、本例では走査方向に応じて例えば図
2(a)の照野フィールド21aと図2(b)の照野フ
ィールド21bとを切り換えて使用する。そのように照
野フィールド21a又は21bが設定された後、図1の
主制御系17はウエハステージ駆動系19を介してXY
ステージ18を駆動することによりウエハ2の露光対象
のショット領域を走査開始位置に位置決めした後、露光
用の照明光ILの照射を開始して、レチクルステージ1
6及びXYステージ18を相対的に走査してレチクル1
のパターン像をそのショット領域に逐次転写する。
【0023】この場合、先ず図3(a)に示すように、
ウエハ2上のショット領域25aを矢印Aで示す−X方
向に走査して露光を行うときには、先読み領域22に対
して−X方向側の照野フィールド21aが使用される。
そして、先読み領域22で検出されるショット領域25
aの焦点位置に基づいてウエハのオートフォーカスが行
われ、アライメント領域23a,23bで検出されるウ
エハマーク28a〜28d,29a〜29dの位置に基
づいて、レチクル1とショット領域25aとのアライメ
ントが行われる。
ウエハ2上のショット領域25aを矢印Aで示す−X方
向に走査して露光を行うときには、先読み領域22に対
して−X方向側の照野フィールド21aが使用される。
そして、先読み領域22で検出されるショット領域25
aの焦点位置に基づいてウエハのオートフォーカスが行
われ、アライメント領域23a,23bで検出されるウ
エハマーク28a〜28d,29a〜29dの位置に基
づいて、レチクル1とショット領域25aとのアライメ
ントが行われる。
【0024】一方、図3(b)に示すように、ウエハ2
上の別のショット領域25bを矢印Bで示す+X方向に
走査して露光を行うときには、先読み領域22に対して
+X方向側の照野フィールド21bが使用される。この
際にも、先読み領域22で検出されるショット領域25
bの焦点位置に基づいてウエハのオートフォーカスが行
われ、アライメント領域23a,23bで検出されるウ
エハマークの位置に基づいて、レチクル1とショット領
域25bとのアライメントが行われる。
上の別のショット領域25bを矢印Bで示す+X方向に
走査して露光を行うときには、先読み領域22に対して
+X方向側の照野フィールド21bが使用される。この
際にも、先読み領域22で検出されるショット領域25
bの焦点位置に基づいてウエハのオートフォーカスが行
われ、アライメント領域23a,23bで検出されるウ
エハマークの位置に基づいて、レチクル1とショット領
域25bとのアライメントが行われる。
【0025】以上、本例によれば、走査方向に応じてレ
チクルブラインド10により2つの照野フィールド21
a,21bの一方を切り換えて形成し、これら2つの照
野フィールドの中間位置におけるショット領域の焦点位
置及びウエハマークの位置情報に基づき、オートフォー
カス及びアライメントを行いつつそのショット領域を走
査露光するので、走査方向により焦点位置検出系及びア
ライメントセンサの検出結果のオフセットが生ずること
がない。また、従来例に比較して半分の数の焦点位置検
出系及びアライメントセンサを設置するだけでよい。
チクルブラインド10により2つの照野フィールド21
a,21bの一方を切り換えて形成し、これら2つの照
野フィールドの中間位置におけるショット領域の焦点位
置及びウエハマークの位置情報に基づき、オートフォー
カス及びアライメントを行いつつそのショット領域を走
査露光するので、走査方向により焦点位置検出系及びア
ライメントセンサの検出結果のオフセットが生ずること
がない。また、従来例に比較して半分の数の焦点位置検
出系及びアライメントセンサを設置するだけでよい。
【0026】なお、本例では、2つの照野フィールド2
1a,21bは走査方向に互いに離れた構成となってい
るが、図2(c)及び(d)に示すように一部の領域で
重なるような2つの照野フィールド21c,21dを切
り換えて使用してもよい。また、レチクルブラインド1
0は、本例では第2リレーレンズ12bの前に設けられ
ているが、レチクルブラインド10はレチクル面とほぼ
共役な面にあればよいので、例えばレチクル1の下方に
配置してもよい。
1a,21bは走査方向に互いに離れた構成となってい
るが、図2(c)及び(d)に示すように一部の領域で
重なるような2つの照野フィールド21c,21dを切
り換えて使用してもよい。また、レチクルブラインド1
0は、本例では第2リレーレンズ12bの前に設けられ
ているが、レチクルブラインド10はレチクル面とほぼ
共役な面にあればよいので、例えばレチクル1の下方に
配置してもよい。
【0027】また、本例ではアライメントセンサとし
て、投影光学系3を介したTTL方式且つLSA方式の
ものを使用しているが、例えば、投影光学系3を介さな
いオフ・アクシス方式のアライメントセンサ、又は、レ
チクル1及び投影光学系3を介したTTR方式のアライ
メントセンサを使用してもよい。また、2光束干渉方式
(LIA方式)や撮像方式のアライメントセンサを使用
してもよい。
て、投影光学系3を介したTTL方式且つLSA方式の
ものを使用しているが、例えば、投影光学系3を介さな
いオフ・アクシス方式のアライメントセンサ、又は、レ
チクル1及び投影光学系3を介したTTR方式のアライ
メントセンサを使用してもよい。また、2光束干渉方式
(LIA方式)や撮像方式のアライメントセンサを使用
してもよい。
【0028】更に、図2(e)に示すように2つの照野
フィールド21a,21bを覆う広い照野フィールド2
1eを設定し、レチクル1とウエハ2とを静止した状態
で、レチクル1上のパターンをウエハ2上の各ショット
領域に一括露光してもよい。従って、本例の投影露光装
置は、走査露光型に限らず、レチクルのパターンをウエ
ハのショット領域に一括して露光するステッパー等の一
括露光型の投影露光装置としても兼用できる。
フィールド21a,21bを覆う広い照野フィールド2
1eを設定し、レチクル1とウエハ2とを静止した状態
で、レチクル1上のパターンをウエハ2上の各ショット
領域に一括露光してもよい。従って、本例の投影露光装
置は、走査露光型に限らず、レチクルのパターンをウエ
ハのショット領域に一括して露光するステッパー等の一
括露光型の投影露光装置としても兼用できる。
【0029】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。
【0030】
【発明の効果】本発明の投影露光装置によれば、走査方
向に応じて露光領域を切り換えるようにして、共通の面
位置制御手段を使用しているため、面位置制御手段用の
焦点位置検出系等のセンサの設置数が少なくて済む他、
走査方向によって焦点位置(高さ)等の検出誤差が生ず
ることがない利点がある。従って、面位置制御手段に使
用される例えば焦点位置検出系のオフセット補正等を行
う必要もなくなり、シンプルな装置構成にできる利点が
ある。
向に応じて露光領域を切り換えるようにして、共通の面
位置制御手段を使用しているため、面位置制御手段用の
焦点位置検出系等のセンサの設置数が少なくて済む他、
走査方向によって焦点位置(高さ)等の検出誤差が生ず
ることがない利点がある。従って、面位置制御手段に使
用される例えば焦点位置検出系のオフセット補正等を行
う必要もなくなり、シンプルな装置構成にできる利点が
ある。
【0031】また、複数個の露光領域の間の近傍の領域
で基板上の位置合わせ用マークの位置を検出するアライ
メントセンサを設け、このアライメントセンサの検出結
果より基板とマスクとの位置合わせを行う場合には、ア
ライメントセンサの設置数を少なくできる。また、面位
置制御手段の場合と同様に、走査方向によってアライメ
ントセンサの検出誤差(アライメント誤差)の発生もな
く、マスクと基板とを高精度に位置合わせできる利点が
ある。
で基板上の位置合わせ用マークの位置を検出するアライ
メントセンサを設け、このアライメントセンサの検出結
果より基板とマスクとの位置合わせを行う場合には、ア
ライメントセンサの設置数を少なくできる。また、面位
置制御手段の場合と同様に、走査方向によってアライメ
ントセンサの検出誤差(アライメント誤差)の発生もな
く、マスクと基板とを高精度に位置合わせできる利点が
ある。
【0032】また、露光領域切り換え手段が、投影光学
系の有効露光フィールド内で複数個の露光領域の全部を
含む一括露光領域を選択的に設定し、この一括露光領域
が設定されたときにマスクと基板とを静止させた状態で
露光を行う場合には、本発明の投影露光装置を一括露光
方式の投影露光装置としても兼用できる利点がある。
系の有効露光フィールド内で複数個の露光領域の全部を
含む一括露光領域を選択的に設定し、この一括露光領域
が設定されたときにマスクと基板とを静止させた状態で
露光を行う場合には、本発明の投影露光装置を一括露光
方式の投影露光装置としても兼用できる利点がある。
【図1】本発明による投影露光装置の実施の形態の一例
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図2】図1のレチクルブラインド10の制御によって
設定できる照野フィールドの種々の例を示す図である。
設定できる照野フィールドの種々の例を示す図である。
【図3】(a)はショット領域を−X方向に走査する場
合に使用される照野フィールドを示す平面図、(b)は
ショット領域を+X方向に走査する場合に使用される照
野フィールドを示す平面図である。
合に使用される照野フィールドを示す平面図、(b)は
ショット領域を+X方向に走査する場合に使用される照
野フィールドを示す平面図である。
【図4】従来の投影露光装置における照野フィールド及
び焦点位置の先読み領域等の配置を示す平面図である。
び焦点位置の先読み領域等の配置を示す平面図である。
1 レチクル 2 ウエハ 3 投影光学系 5 Zステージ 8a 照射光学系(焦点位置検出系) 8b 受光光学系(焦点位置検出系) 9a アライメントセンサ 10 レチクルブラインド 11 ブラインド駆動装置 16 レチクルステージ 17 主制御系 18 XYステージ 21a〜21e 照野フィールド 22 先読み領域 23a,23b アライメント領域 25a,25b ショット領域
Claims (3)
- 【請求項1】 マスク上の転写用のパターンの一部を投
影光学系を介して基板上に投影した状態で、前記マスク
を前記投影光学系に対して所定方向に走査するのと同期
して、前記基板を前記投影光学系に対して前記所定方向
に対応する方向に走査することにより、前記マスクの転
写用のパターンの像を逐次前記基板上に転写する投影露
光装置において、 前記投影光学系の有効露光フィールド内で前記基板の走
査方向に離れた位置に切り換え自在に複数個の露光領域
を設定する露光領域切り換え手段と、 前記複数個の露光領域の間の前記基板の前記投影光学系
の光軸方向の位置を検出し、該検出結果に基づいて前記
基板の高さ又は傾斜角を制御する面位置制御手段と、 前記基板の前記投影光学系に対する走査方向に応じて前
記露光領域切り換え手段を介して前記投影光学系による
露光領域を切り換える制御手段と、を有することを特徴
とする投影露光装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の投影露光装置であって、 前記複数個の露光領域の間の近傍の領域で前記基板上の
位置合わせ用マークの位置を検出するアライメントセン
サを設け、 該アライメントセンサの検出結果より前記基板と前記マ
スクとの位置合わせを行うことを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の投影露光装置であ
って、 前記露光領域切り換え手段は、前記投影光学系の有効露
光フィールド内で前記複数個の露光領域の全部を含む一
括露光領域を選択的に設定し、 該一括露光領域が設定されたときに前記マスクと前記基
板とを静止させた状態で露光を行うことを特徴とする投
影露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7243132A JPH0992593A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 投影露光装置 |
| KR1019960039215A KR970016824A (ko) | 1995-09-21 | 1996-09-11 | 투영노광장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7243132A JPH0992593A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992593A true JPH0992593A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17099282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7243132A Withdrawn JPH0992593A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 投影露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992593A (ja) |
| KR (1) | KR970016824A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006195353A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 露光装置及び表示デバイスの製造方法 |
| WO2007077925A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nikon Corporation | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007097379A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9329060B2 (en) | 2006-02-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9690214B2 (en) | 2006-02-21 | 2017-06-27 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP7243132A patent/JPH0992593A/ja not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-09-11 KR KR1019960039215A patent/KR970016824A/ko not_active Withdrawn
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2006195353A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 露光装置及び表示デバイスの製造方法 |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
| JP2012099850A (ja) * | 2005-12-28 | 2012-05-24 | Nikon Corp | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007077925A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nikon Corporation | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| US9857697B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| US10088759B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-10-02 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US10409173B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-09-10 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| US10345121B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-07-09 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| WO2007097379A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US9329060B2 (en) | 2006-02-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| KR101495471B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2015-02-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101356270B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2014-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US9989859B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-06-05 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| JP5195417B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US10012913B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-07-03 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US9690214B2 (en) | 2006-02-21 | 2017-06-27 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US10088343B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-10-02 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| CN101980085A (zh) * | 2006-02-21 | 2011-02-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
| US10132658B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-11-20 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US10139738B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-11-27 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| CN101980085B (zh) | 2006-02-21 | 2012-11-07 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
| US10234773B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970016824A (ko) | 1997-04-28 |
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