JPH06232343A - 指紋認識のためのセンサ装置およびその製造方法 - Google Patents

指紋認識のためのセンサ装置およびその製造方法

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JPH06232343A
JPH06232343A JP5287247A JP28724793A JPH06232343A JP H06232343 A JPH06232343 A JP H06232343A JP 5287247 A JP5287247 A JP 5287247A JP 28724793 A JP28724793 A JP 28724793A JP H06232343 A JPH06232343 A JP H06232343A
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JP
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sio
polysilicon
substrate
layer
sensor device
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JP5287247A
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Thomas Scheiter
シヤイター トーマス
Markus Biebl
ビーブル マルクス
Helmut Klose
クローゼ ヘルムート
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 指紋の認識および記憶が可能で指の墨付けを
省略し得るセンサ装置を提供する。 【構成】 少なくとも表面においてドープされたシリコ
ンから成る基板１１を備え、基板１１の表面に格子状
に、基板に対して電気的に絶縁されドープされたポリシ
リコンから成る膜１３２を配置し、各膜１３２が空所１
４を画成し、空所１４が膜１３２と基板１１の表面との
間に配置されるように少なくとも２つの支持個所１３１
において基板１１と各膜１３２とを固く結合し、膜１３
２への力の作用の際に変化するそれぞれ基板１１と膜１
３２との間の電気的量を読出しかつ記憶する読出しユニ
ットを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、指紋を認識するための
センサ装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】指紋の比較を容易にしかつ自動化するた
めには指紋のディジタル化およびそれに続く記憶が必要
である。
【０００３】指先に墨を付けた後に指紋の線構造のポジ
ティブスタンプを作ることは公知である。続いて指紋が
公知の画像認識、たとえばＣＣＤカメラまたはスキャナ
によりディジタル化される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、指紋
の認識および記憶が可能なセンサ装置であって、指の墨
付けを省略することのできるセンサ装置を提供するこ
と、このようなセンサ装置の製造方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の第１の課題を解決
するため、本発明によれば、少なくとも表面においてド
ープされているシリコンから成る基板を備え、基板の表
面に格子状に、基板に対して電気的に絶縁されているド
ープされたポリシリコンから成る膜が配置されており、
各膜が空所を張っており、また空所が膜と基板の表面と
の間に配置されるように少なくとも２つの支持個所にお
いて基板と固く結合されており、膜への力の作用の際に
変化するそれぞれ基板と膜との間の電気的量を読出しか
つ記憶する読出しユニットが設けられる。このセンサ装
置は、シリコンから成る基板を含んでおり、その表面に
格子状に、基板に対して電気的に絶縁されているポリシ
リコンから成る膜が配置されている。各膜は空所を張っ
ており、また少なくとも２つの支持個所において基板と
固く結合されている。空所はそれぞれ膜と基板の表面と
の間に配置されている。基板の表面も膜もドープされて
おり、またそれにより導電性である。各膜は１つのセン
サ要素を郭定している。指紋を認識するため表面へ指先
を作用させると、指先の線の範囲内に接触が生ずる。指
先の線の間の凹みでは膜の接触は生じない。従って、指
先を作用させた際に線の接触の結果として力が作用する
膜のみが静止位置から偏位させられる。従って膜の状態
は指先の線構造の写像である。
【０００６】膜と基板との間の絶縁は、それぞれｐｎ接
合により、または支持個所において基板とそのつどの膜
との間に配置されている絶縁構造により実現される。
【０００７】従って、膜の偏位の際に膜への力の作用の
結果として変化する電気的量の読出しにより指紋のディ
ジタル像が記録される。センサ装置はそのために、相応
の電気的量を読出しかつ記憶する読出しユニットを含ん
でいる。
【０００８】各膜の状態を評価するための電気的量とし
ては、たとえば膜と基板表面との間の電位または膜と基
板表面との間のキャパシタンス変化が適している。
【０００９】電気的量として膜と基板表面との間の電位
が記録されるべきであれば、膜と基板表面との接触の際
に膜への力の作用の結果として両者の間に電気的接触が
生ずるように、相応の空所に隣接する基板の表面は覆わ
れていない。
【００１０】それに対して、膜と基板表面との間のキャ
パシタンス変化が測定量として使用されるべき場合に
は、膜と基板表面との間に誘電体が配置される。そのた
めに基板の表面に絶縁層を配置することは有利である。
この配置はさらに、力作用の終了後にその静止位置に戻
らず、従って後続の検出の際に結果を誤るであろう膜が
相応の電位の印加により静止位置に戻され得る（リセッ
ト機能）という利点を有する。
【００１１】指紋の認識の際に十分な分解能を保証する
ため、膜は長方形断面を有し、膜の長さおよび幅はそれ
ぞれ１０μｍと５０μｍとの間である。
【００１２】センサ装置のセンサ要素がシリコンから成
る基板のなかに形成されているので、読出しユニットを
センサ装置と共に集積して基板のなかに設けることは本
発明の範囲内にある。このことは、個々のセンサ要素の
寸法が小さいために従来のような配線は困難であるので
有利である。特に、マイクロエレクトロニクスの超大規
模集積回路（ＶＬＳＩテクノロジー）から公知のように
導体路を介して膜が接続されている集積されたシフトレ
ジスタを介して、各センサ要素の状態情報に相応する電
気的量が有利に読出される。
【００１３】センサ装置の感度を高めるため、本発明の
範囲内で、各膜が押圧点を定めるための構造を設けられ
ている。押圧点を定めるための構造としては、たとえ
ば、膜の中央に配置されているポリシリコンから成る長
方形の断面を有する隆起が適している。
【００１４】センサ装置の表面に対して平行な指の動き
の際の膜の損傷を回避するため、各膜は側方運動を制限
するための補強を設けられている。
【００１５】膜の表面を保護するため、表面が膜を完全
に覆う平坦化層を設けることは有利である。その際に側
方の動きによる膜の損傷の危険が減ぜられる。さらに、
指先との接触により避けられない汚れによる機能障害が
回避される。さらにセンサ要素の清浄化が容易になる。
【００１６】上述の第２の課題を解決するため、本発明
においては、シリコンから成る基板の表面上にＳｉ3 Ｎ
4 層が被覆され、Ｓｉ3 Ｎ4 層の表面上にＳｉＯ2 層が
被覆され、ＳｉＯ2 層が、格子状に配置されたＳｉＯ2
構造要素を含んでいるＳｉＯ2 構造が生ずるように、ま
たＳｉ3 Ｎ4 層の表面がＳｉＯ2 構造の外側で露出され
るように構造化され、全面にポリシリコン層が析出され
かつドープされ、ポリシリコン層がＳｉＯ2 およびＳｉ
3 Ｎ4 に対して選択的なエッチングプロセスにより、各
ＳｉＯ2 構造要素に対してポリシリコン構造要素を含ん
でいるポリシリコン構造が生ずるように構造化され、そ
の際にポリシリコン構造要素がＳｉＯ2構造要素を完全
に覆い、また少なくとも２つの向かい合う側で側方に突
出しており、ＳｉＯ2 構造がポリシリコンおよびＳｉ3
Ｎ4 に対して選択的にＳｉＯ2 を除去するエッチングプ
ロセスにより除去され、その際にＳｉ3 Ｎ4 層とポリシ
リコン構造との間にそれぞれポリシリコン構造の相応の
部分により形成される膜により張られる空所が生ずるよ
うにする。シリコンから成る基板の表面上にＳｉ3Ｎ4
層が被覆される。Ｓｉ3 Ｎ4 層の上にＳｉＯ2 構造が形
成される。ＳｉＯ2構造は格子状に配置されたＳｉＯ2
構造要素を含んでいる。個々のＳｉＯ2 構造要素はたと
えば直方体状である。その上にポリシリコン構造が形成
される。ポリシリコン構造は各ＳｉＯ2 構造要素に対し
てポリシリコン構造要素を含んでいる。その際にポリシ
リコン構造要素はそのつどのＳｉＯ2 構造要素を完全に
覆っており、また少なくとも２つの向かい合う側におい
て側方に突き出ている。ポリシリコン構造要素はたとえ
ば長方形状である。続いて、ＳｉＯ2 構造が、ポリシリ
コンおよびＳｉ3 Ｎ4 に対して選択的にＳｉＯ2 を除去
するエッチングプロセスで除去される。その際にＳｉ3
Ｎ4 層とポリシリコン構造との間に、それぞれポリシリ
コン構造の相応の部分から形成される膜により張られる
空所が生ずる。本製造方法はマイクロエレクトロニクス
から公知の構造化ステップを含んでいる。この形式の製
造方法はマイクロメカニックとも呼ばれ、また、構造が
表面に作られるので、表面マイクロマシーニングとも呼
ばれる。
【００１７】本発明による製造方法により、約２０μｍ
の範囲内の分解能を有するセンサ装置を得ることが可能
である。指紋を認識するためのセンサ装置は指の相応の
大きさのゆえに約２ｃｍ の全面積を有するべきであろ
う。個々のセンサ要素の正方形状の膜の２０μｍの辺長
さの際にはセンサ装置は全体で５００，０００のセンサ
要素を含んでいる。このような装置は表面マイクロマシ
ーニングテクノロジーにより良好に製造可能である。
【００１８】ＳｉＯ2 構造の除去の際のエッチング作用
を改善するため、ポリシリコン構造の下にポリシリコン
に対して選択的にエッチング可能である補助構造を形成
することは本発明の範囲内にある。補助構造は部分的に
ＳｉＯ2 構造の外側のポリシリコン構造の下側を延びて
おり、またＳｉＯ2 構造によってもポリシリコン構造に
よっても覆われていない中間空所まで達している。補助
構造はたとえば、ＳｉＯ2 構造要素の縁から相応のポリ
シリコン構造要素の縁へ延びている通路を含んでいる。
こうしてエッチングの際にエッチング作用が同時に複数
の個所で行われるようにするエッチング溝が生ずる。そ
れによりＳｉＯ2 構造の除去のための継続時間、従って
またＳｉ3 Ｎ4 層のＳｉＯ2 で覆われていない表面にお
けるエッチング作用の継続時間が減ぜられ得る。
【００１９】さらに補助構造の使用は、相応のＳｉＯ2
構造要素にそれぞれすべての側で重なるポリシリコン構
造要素の使用を可能にする。それによりポリシリコン構
造要素は、そのつどのＳｉＯ2 構造要素を枠状に囲む閉
じられたアンカー面に沿ってＳｉ3 Ｎ4 層または補助構
造の表面と接続されている。各ＳｉＯ2 構造要素はこの
実施例では完全にポリシリコン構造要素により閉じられ
ている。ポリシリコンに対して選択的なエッチングプロ
セスで補助構造が除去され、その際にＳｉＯ2構造要素
を除去するためのエッチング溝が形成される。エッチン
グ溝は補助構造の形態に相応してポリシリコン構造要素
の縁の下をＳｉＯ2 構造要素まで延びている。
【００２０】補助構造をＳｉＯ2 から、またはＳｉＯ2
およびＳｉ3 Ｎ4 の組み合わせから形成することは本発
明の範囲内にある。
【００２１】エッチング溝はＳｉＯ2 構造要素の除去の
後に酸化ステップで再び閉じられ得る。
【００２２】本発明の他の構成はその他の請求項に示さ
れている。
【００２３】
【実施例】以下、図面および実施例により本発明を一層
詳細に説明する。
【００２４】たとえばｎドープされたシリコンから成る
基板１１の上に、たとえばＳｉ3 Ｎ4 から成る絶縁層１
２が配置されている（図１参照）。
【００２５】絶縁層１２の表面に、たとえばｎドープさ
れているポリシリコン構造１３が配置されている。ポリ
シリコン構造１３は多数の格子状に配置された、たとえ
ば長方形状のポリシリコン構造要素を含んでいる。ポリ
シリコン構造１３の各構造要素は支持個所１３１におい
てのみ直接に絶縁層１２と接続されている。ポリシリコ
ン構造１３の各構造要素のその間に位置する部分は、そ
れぞれ空所１４を張る膜１３２を形成している。支持個
所１３１は所属の膜１３２を枠状に囲んでおり、従って
膜１３２は支持個所１３１により形成される閉じられた
アンカー面の上に囲まれている。空所１４は閉じられて
おり、また絶縁層１２の表面、それを囲んでいる支持個
所１３１および所属の膜１３２により境される。膜１３
２の長さはたとえば１０ないし５０μｍである。基板１
１の表面に対して垂直なポリシリコン構造１３の厚みは
たとえば０．８μｍである。
【００２６】ポリシリコン構造１３の表面はたとえばＳ
ｉ3 Ｎ4 から成るパッシベーション層１５により覆われ
ている。
【００２７】各膜１３２の上側に押圧点１６を定めるた
めの構造が配置されている。構造１６はたとえば、長方
形断面を有する隆起としてほぼ各膜１３２の中央の上に
配置されているポリシリコンから成っている。
【００２８】センサ装置において電気的量として各膜１
３２と基板１１との間のキャパシタンス変化が評価され
る。その際に誘電体としては、それぞれ空所１４に隣接
する絶縁層１２の部分が作用する。指紋の認識のために
は膜１３２の１つが静止位置から偏位したか否かを確認
することのみが必要であるので、キャパシタンス変化の
記録の際には、測定されたキャパシタンスが予め定めら
れたしきいを超過したことを記録すれば十分である。し
きいは静止位置の膜に対する値と偏位した膜に対する値
との間に位置する。従って、この測定のためには１００
ｆＦの範囲内の測定精度で十分である。
【００２９】たとえばｎドープされたシリコンから成る
基板２１の表面に、たとえばＳｉ3Ｎ4 から成る絶縁構
造２２が配置されている（図２参照）。絶縁構造２２は
基板２１の表面に対して垂直にたとえば５０ｎｍの厚み
を有する。
【００３０】たとえばｎドープされているポリシリコン
構造２３が設けられている。ポリシリコン構造２３は多
数の格子状に配置された構造要素を含んでいる。ポリシ
リコン構造２３の構造要素はたとえば長方形状である。
ポリシリコン構造２３の構造要素はそれぞれ支持個所２
３１において絶縁構造２２と固く結合されている。隣接
する支持個所２３１の間のポリシリコン構造２３の各構
造要素の部分は膜２３２として空所２４を張っている。
空所２４のなかでは基板２１の表面は少なくとも部分的
に露出されている。空所２４は完全にポリシリコン構造
２３の構造要素の支持個所２３１により囲まれている。
ポリシリコン構造２３の構造要素の支持個所２３１は、
各空所２４を完全に枠状に囲む閉じられたアンカー面を
形成している。
【００３１】ポリシリコン構造２３はたとえば０．８μ
ｍの厚みを有する。各膜２３２はたとえば１０ないし５
０μｍの辺長さを有する。
【００３２】構造の表面は平坦化層２５により覆われて
いる。平坦化層２５はたとえばＢＰＳＧから成ってい
る。それは側方運動の際の損傷および汚れからポリシリ
コン構造２３の表面を保護し、また同時に表面をパッシ
ベーションする役割をする。
【００３３】図３はセンサ装置の一部分の平面図であ
る。センサ要素３１は格子状に基板の表面に配置されて
いる。センサ要素３１はそれぞれポリシリコンから成る
膜を含み、この膜は空所を張っており、また少なくとも
２つの支持個所において基板とそれぞれ絶縁構造を介し
て固く結合されている。好ましくは膜はその全縁に沿っ
て絶縁構造と固く結合されている。センサ要素３１の横
に基板のなかに読出しユニット３２が配置されている。
読出しユニットと各膜および基板との間の電気的接続が
設けられている。読出しユニット３２はたとえば、列ご
とにセンサ装置を読出すシフトレジスタを含んでいる。
【００３４】図４および図５により以下に指紋を認識す
るためのセンサ装置の製造方法を説明する。たとえばｎ
ドープされたシリコンから成る基板４１の表面に、たと
えばＳｉ3 Ｎ4 から成り、またたとえば５０ｎｍの厚み
を有する絶縁層４２が被覆される（図４参照）。絶縁層
４２の表面にＳｉＯ2 層の全面析出およびそれに続く構
造化によりＳｉＯ2 構造４３が形成される。ＳｉＯ2 構
造４３はたとえば直方体状の格子状に配置された構造要
素を含んでいる。ＳｉＯ2 構造４３の構造要素はたとえ
ば１０ないし５０μｍの幅を有する。基板４１の表面に
対して垂直なＳｉＯ2 構造４３の厚みはたとえば０．８
μｍである。
【００３５】ＳｉＯ2 構造の表面にＳｉＯ2 から成る補
助構造４４が配置されている。補助構造４４はＳｉＯ2
構造４３の構造要素と側方で重なっている。補助構造４
４は基板４１の表面に対して垂直にたとえば５０ｎｍの
厚みを有する。
【００３６】ポリシリコン層の全面析出およびそれに続
く構造化により、たとえばｎドープされているポリシリ
コン構造４５が形成される。ポリシリコン構造４５は長
方形状の格子状に配置された構造要素を含んでいる。ポ
リシリコン構造４５の構造要素はＳｉＯ2 構造４３の構
造要素と完全に重なっている。ＳｉＯ2 構造４３の構造
要素から側方に突き出ているポリシリコン構造４５の相
応の構造要素の部分は絶縁層４２またはその上に配置さ
れている補助構造４４とアンカー面を介して結合されて
いる。アンカー面はＳｉＯ2 構造４３の各構造要素を閉
じられた枠の形態で囲んでいる。
【００３７】たとえばフッ化水素酸を使用して湿式化学
的なエッチングプロセスで、たとえばＳｉＯ2 から成る
補助構造４４がＳｉ3 Ｎ4 およびポリシリコンに対して
選択的に除去される。その際にポリシリコン構造４５の
各構造要素のアンカー面の下でＳｉＯ2 構造４３の相応
の構造要素まで達するエッチング溝が生ずる。これらの
エッチング溝を介してエッチングプロセスの継続の際に
ＳｉＯ2 構造４３へのエッチング作用が行われる。その
際にＳｉＯ2 構造４３が完全に除去される。その際に、
それぞれポリシリコン構造４５の構造要素の一部分によ
り張られる空所が生ずる。空所を囲んでポリシリコン構
造４５の構造要素はそれぞれアンカー面の範囲内で絶縁
層４２を介して基板と固く結合されている。ポリシリコ
ン構造４５の構造要素の空所を張る部分は膜を形成して
おり、またそれによってセンサ装置の個々のセンサ要素
を郭定している。
【００３８】補助構造４４はポリシリコン構造４５のア
ンカー面と側方で重なっているので、補助構造４４を介
してＳｉＯ2 構造４３へのエッチング作用が生ずる。補
助構造４４の除去により生ずる空所の外側の溝は、セン
サ装置の完成のための後続のプロセスステップの際に再
び閉じられる。
【００３９】各膜の状態が基板表面と膜との間の電位の
測定により決定されるべきであれば、絶縁層４２はＳｉ
Ｏ2 構造４３の形成の前に、ＳｉＯ2 構造４３が少なく
とも部分的に直接に基板４１の表面に配置されているよ
うに構造化されなければならない。
【００４０】センサ装置を完成するためには、たとえば
全面に平坦化層が被覆される。
【図面の簡単な説明】
【図１】押圧点を定めるための構造を設けられた指紋認
識のためのセンサ装置の一部分の側面図である。
【図２】平坦化層を設けられた指紋認識のためのセンサ
装置の一部分の側面図である。
【図３】指紋を認識するためのセンサ装置の一部分の平
面図である。
【図４】指紋を認識するためのセンサ装置を製造するた
めに必要な層構成の側面図である。
【図５】図４のＶ‐Ｖ線に沿う層構成の断面である。
【符号の説明】
１１、２１ 基板 １２ 絶縁層 １４、２４ 空所 １６ 押圧点を定める構造 ４１ 基板 ４２ Ｓｉ3 Ｎ4 層 ４３ ＳｉＯ2 構造 ４４ 補助構造 ４５ ポリシリコン構造要素 １３１、２３１ 支持個所 １３２、２３２ 膜
フロントページの続き (72)発明者 ヘルムート クローゼ ドイツ連邦共和国 8000 ミユンヘン 83 シユテフアン‐ゲオルゲ‐リング ９

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも表面においてドープされてい
    るシリコンから成る基板（１１、２１）を備え、基板
    （１１、２１）の表面に格子状に、基板に対して電気的
    に絶縁されているドープされたポリシリコンから成る膜
    （１３２、２３２）が配置されており、各膜（１３２、
    ２３２）が空所（１４、２４）を張っており、また空所
    （１４、２４）が膜（１３２、２３２）と基板（１１、
    ２１）の表面との間に配置されるように少なくとも２つ
    の支持個所（１３１、２３１）において基板（１１、２
    １）と固く結合されており、膜（１３２、２３２）への
    力の作用の際に変化するそれぞれ基板（１１、２１）と
    膜（１３２、２３２）との間の電気的量を読出しかつ記
    憶する読出しユニットが設けられていることを特徴とす
    る指紋認識のためのセンサ装置。
  2. 【請求項２】 膜（１３２、２３２）が行状に配置され
    ており、空所（１４、２４）がそれぞれ行に対して垂直
    に延びている列に沿って配置されていることを特徴とす
    る請求項１記載のセンサ装置。
  3. 【請求項３】 少なくとも支持個所（１３１、２３１）
    の範囲内に膜（１３２、２３２）と基板（１１、２１）
    の表面との間に絶縁構造（１２、２２）が設けられてい
    ることを特徴とする請求項１または２記載のセンサ装
    置。
  4. 【請求項４】 基板の表面が少なくとも空所の範囲内に
    絶縁層（１２）を設けられていることを特徴とする請求
    項１ないし３の１つに記載のセンサ装置。
  5. 【請求項５】 読出しユニットが、電気的量を列ごとに
    読出しかつメモリに書込むシフトレジスタを含んでいる
    ことを特徴とする請求項４記載のセンサ装置。
  6. 【請求項６】 各膜が基板の表面に対して平行に長方形
    断面を有し、膜（１３２、２３２）の長さおよび幅がそ
    れぞれ１０μｍと５０μｍとの間にあることを特徴とす
    る請求項１ないし５の１つに記載のセンサ装置。
  7. 【請求項７】 各膜（１３２）が押圧点を定めるための
    構造（１６）を設けられていることを特徴とする請求項
    １ないし６の１つに記載のセンサ装置。
  8. 【請求項８】 各膜（１３２）が側方運動を制限するた
    めの補強を設けられていることを特徴とする請求項１な
    いし７の１つに記載のセンサ装置。
  9. 【請求項９】 表面が膜（２３２）を完全に覆う平坦化
    層（２５）を設けられていることを特徴とする請求項１
    ないし８の１つに記載のセンサ装置。
  10. 【請求項１０】 空所が基板の表面に対して垂直に０．
    １μｍと１μｍとの間の高さを有することを特徴とする
    請求項１ないし９の１つに記載のセンサ装置。
  11. 【請求項１１】 膜（１３２、２３２）が基板の表面に
    対して垂直な方向に０．２μｍと２μｍとの間の厚みを
    有することを特徴とする請求項１ないし１０の１つに記
    載のセンサ装置。
  12. 【請求項１２】 シリコンから成る基板（４１）の表面
    上にＳｉ3 Ｎ4 層（４２）が被覆され、Ｓｉ3 Ｎ4 層
    （４２）の表面上にＳｉＯ2 層が被覆され、ＳｉＯ2 層
    が、格子状に配置されたＳｉＯ2 構造要素を含んでいる
    ＳｉＯ2 構造（４３）が生ずるように、またＳｉ3 Ｎ4
    層（４２）の表面がＳｉＯ2 構造（４３）の外側で露出
    されるように構造化され、全面にポリシリコン層が析出
    されかつドープされ、ポリシリコン層がＳｉＯ2 および
    Ｓｉ3 Ｎ4 に対して選択的なエッチングプロセスによ
    り、各ＳｉＯ2 構造要素に対してポリシリコン構造要素
    を含んでいるポリシリコン構造（４５）が生ずるように
    構造化され、その際にポリシリコン構造要素がＳｉＯ2
    構造要素を完全に覆い、また少なくとも２つの向かい合
    う側で側方に突出しており、ＳｉＯ2 構造（４３）がポ
    リシリコンおよびＳｉ3 Ｎ4 に対して選択的にＳｉＯ2
    を除去するエッチングプロセスにより除去され、その際
    にＳｉ3 Ｎ4 層（４２）とポリシリコン構造（４５）と
    の間にそれぞれポリシリコン構造（４５）の相応の部分
    により形成される膜により張られる空所が生ずることを
    特徴とする指紋認識のためのセンサ装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 ポリシリコン層の析出の前にＳｉ3 Ｎ
    4 層（４２）が少なくともポリシリコン構造要素の縁に
    おいて除去されることを特徴とする請求項１２記載の方
    法。
  14. 【請求項１４】 ＳｉＯ2 層が０．１μｍないし１μｍ
    との間の範囲内の厚みに析出され、ポリシリコン層が
    ０．２μｍと２μｍとの間の範囲内の厚みに析出され、
    ＳｉＯ2 構造（４３）が１０μｍと５０μｍとの間の範
    囲内の表面に対して平行な広がりを有し、ポリシリコン
    構造（４５）が１０μｍと５０μｍとの間の範囲内の表
    面に対して平行な広がりを有することを特徴とする請求
    項１２または１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 ポリシリコン構造（４５）の下に、ポ
    リシリコンに対して選択的にエッチング可能であり、ま
    た少なくともＳｉＯ2 構造要素の縁からポリシリコン構
    造要素の縁まで延びている構造要素を含んでいる補助構
    造（４４）が作られ、またそれらからポリシリコンに対
    して選択的なエッチングプロセスでＳｉＯ2 構造要素の
    除去のためのエッチング溝が形成されることを特徴とす
    る請求項１２ないし１４の１つに記載の方法。
  16. 【請求項１６】 補助構造がＳｉＯ2 から、またはＳｉ
    Ｏ2 およびＳｉ3 Ｎ4 の組み合わせから形成されること
    を特徴とする請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 補助構造（４４）が２０ｎｍと２００
    ｎｍとの間の範囲内の基板（４１）の表面に対して垂直
    な厚みを有することを特徴とする請求項１５または１６
    記載の方法。
  18. 【請求項１８】 ポリシリコン構造要素が、ポリシリコ
    ン構造要素の縁が各ＳｉＯ2 構造要素を枠状に囲む閉じ
    られたアンカー面に沿ってＳｉ3 Ｎ4 層または補助構造
    の表面と結合されているように、ＳｉＯ2 構造要素をそ
    れぞれすべての側で覆っていることを特徴とする請求項
    １５ないし１７の１つに記載の方法。
  19. 【請求項１９】 Ｓｉ3 Ｎ4 層（４２）がＳｉＯ2 層の
    被覆前に、Ｓｉ3 Ｎ4 層（４２）がＳｉＯ2 層の帯の下
    で少なくとも部分的に除去されるように構造化されるこ
    とを特徴とする請求項１２ないし１８の１つに記載の方
    法。
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