JPH0623406B2 - 低s1銑吹製方法 - Google Patents

低s1銑吹製方法

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JPH0623406B2
JPH0623406B2 JP27676084A JP27676084A JPH0623406B2 JP H0623406 B2 JPH0623406 B2 JP H0623406B2 JP 27676084 A JP27676084 A JP 27676084A JP 27676084 A JP27676084 A JP 27676084A JP H0623406 B2 JPH0623406 B2 JP H0623406B2
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furnace
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metal
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行正 九島
清 柴田
雅彦 浜田
均 吉田
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Nippon Steel Corp
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Nippon Steel Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、高炉羽口から酸化鉄,酸化マンガン等の粉粒
体状の溶銑中Si酸化剤を炉内に吹込み、低Si銑を吹
製する方法の改良に関し、特に〔Si〕濃度0.2%以下
の低Si銑を安定して吹製できる低Si銑吹製方法を提
供するものである。
(従来の技術) 従来、高炉羽口から酸化鉄を炉内に吹込み低Si銑を吹製
する方法が、特開昭57〜137402号,特開昭58
〜34109号,特開昭58〜96803号公報等で提
供されている。
(発明が解決しようとする問題点) 高炉羽口から酸化鉄,酸化マンガン等の粉粒体状酸化剤
を炉内に吹込み、低Si銑を吹製する方法において、溶
銑中Siの酸化に必要な量以上の酸化剤を吹込むと、過
剰の酸化剤は炉内のコークスおよび溶銑中Cと反応す
る。この酸化剤とCの反応は大きな吸熱を伴なうため酸
化剤が大巾に過剰のときには溶銑温度が著しく低下し、
炉床温度を低下させることになり、更に温度が低下すれ
ば出銑滓が不能になり高炉操業の重大トラブルとなる。
一方、吹込み酸化剤が少な過ぎると溶銑中のSiを所望
の濃度まで下げられない。
このように羽口を介して炉内に吹込む酸化剤の量を、酸
化すべきSi量に対して適正量にすることが極めて重要
であるが、従来は出銑口から出てきた溶銑のSi濃度を
分折してからでないと適正度合が判定できなかつた。こ
のような方法では、出銑口後の溶銑中Si濃度が0.4
〜0.8%の範囲で変化する通常の高炉においては炉内
の溶銑中Si濃度が変化したときに吹込み酸化剤流量の調
節が数時間遅れることになり、〔Si〕濃度0.2%以下
のような低Si銑吹製操業では〔Si〕濃度を精度よく制
御することが困難であるだけでなく、上記高炉操業の重
大トラブルに至る恐れがある。
(問題点を解決するための手段) 本発明者らは高炉内のSi移行メカニズムを研究し、レ
ースウエイ近傍の酸素ポテンシアル(PO2)を測定した結
果、出銑口後の溶銑中〔Si〕濃度とレースウエイ近傍の
PO2とに密接な関係があることを見出し、この関係に着
目して羽口から吹込む酸化剤の流量を適正に制御して
〔Si〕濃度0.2%以下の低Si銑を安定して吹製する
方法を開発した。
すなわち、粉粒体状の酸化鉄,酸化マンガン等の溶銑中
Si酸化剤を高炉羽口から炉内に吹込む方法においてレ
ースウエイ近傍の溶融メタル,溶融スラグ滴下領域の酸
素ポテンシアルPO2を測定し、この酸素ポテンシアルPO2
が10-12atm以上、10-7atm以下に維持されるように
吹込みSi酸化剤の量を調節して上記滴下領域の温度を
1500〜1600℃とすることを特徴とする低Si銑
吹製方法を発明した。
以下本発明法について詳細に説明する。
高炉内でのSi移行に関わる主な反応は次のようなもの
である。
SiO2(S)+C=SiO(g)+CO(g) (1) SiO2(l)+C=SiO(g)+CO(g) (2) SiO(g)+C=Si+CO(g) (3) Si+2(MO)=SiO2(l)+M (4) M:Fe,Mn SiO(g)+1/2O2=SiO2(l) (5) コークス灰分中のSiO2、或は溶融摘下スラグ中のSiO
2(l)がコークス中のCと(1),(2)式のように反応し、Si
O(g)を発生させ、このSiO(g)が溶融滴下メタル中のCと
(3)式のように反応してSiがメタル中に入る。スラグ
中のFeO,MnO濃度が高いとき、溶融メタルと溶融スラグ
が接触すれば、(4)式の反応でメタル中Siが酸化され
る。また、炉内のPO2が高いときには、SiO(g)が(5)式の
反応によつて酸化され、SiO2(l)となりPSiOが低下して
加珪が少なくなる。
吹止後の高炉内調査結果、および操業中の高炉内から採
取したメタル,スラグ成分の調査結果から、高炉内でメ
タル中にSiが入る(加珪)のは主として羽口レベルか
ら上の場所であり、羽口レベルから下の方では(3)式に
よる加珪反応よりは(4)式によるSi酸化(脱珪)反応
の方が多いことが判明した。羽口部から酸化鉄,酸化マ
ンガン等のSi酸化剤を吹込むことの効果の一つは、炉
内の(4)式による脱珪反応を増加させて、溶銑中Si濃
度を低下させることにある。
羽口レベルでの炉内部観察、および採取メタル,スラグ
成分の解析結果から炉内を滴下するメタルとスラグの大
部分はレースウエイ周囲のコークス充填部(以下、滴下
領域と称す)を滴下していること及び滴下領域のメタル
中〔Si〕濃度は1〜8%の間で変動していることが明ら
かになつた。この滴下領域の温度は、通常1500〜1
600℃であり、PO2は10-13〜10-16atmである。滴
下領域のPO2が低いとき(<10-15atm)、出銑口後の
溶銑中〔Si〕濃度が高く、PO2が高いときには、溶銑中
〔Si〕濃度が低い。羽口から酸化鉄や酸化マンガン等を
吹込むと例えば(6)式の反応により滴下領 (FeO)=Fe+1/2O2 (6) 域のPO2が高くなり、溶銑中〔Si〕濃度が著しく低くな
る。滴下領域のメタル中〔Si〕濃度が1〜8%の間で変
動している炉内への吹込酸化剤の流量を種々変えた実験
から滴下領域のPO2と出銑口後の溶銑中〔Si〕濃度の間
に第1図の関係があることが判明した。〔Si〕濃度0.
2%以下のような低Si銑吹製を行なう場合には、滴下
領域のPO2を10-12atm以上に維持することが必要であ
る。
上記実験において、POが10-7atmを超えて大き
くなると炉床温度が低下すると共に炉下部のガス流も乱
れた。この理由は吹込み酸化剤が多過ぎて、多量の(Fe
O)、或は(MnO)がCによる直接還元(吸熱反応・・・
(7)式)を受け (MO)+C=M+CO(g) (7)M:Fe,Mn 炉床温度が低下するとともにスラグ中にCOガスが多量
に生成してフオーミングが起り、滴下スラグの流れが悪
くなり、その結果炉下部のガス流が乱れるようになると
考えられる。一方POを10-7atm以下に保つこと
により、(4)、(5)式の反応(いずれも発熱)と(7)式の
反応(吸熱の反応熱が丁度バランスし、滴下領域を炉床
部安定化に必要な1500℃以上の温度に維持すること
が可能となる。したがって、滴下領域のPO2は10-7atm
以下に維持することが必要である。
尚、上記実験で酸化剤として酸化鉄を用いた場合、吹込
み酸化剤と滴下領域のPO2の関係は、第2図のような結
果が得られた。
以上の研究結果から、レースウエイ近傍の溶融メタル,
溶融スラグ滴下領域のPO2を10-12〜10-7atmになる
ように羽口からの吹込酸化剤量を調節することにより炉
内〔Si〕濃度が変化する状況下でも〔Si〕濃度0.2%
以下の溶銑を安定して吹製することができることが明ら
かである。
(発明の効果) 以上詳述した様に本発明法によれば高炉内の溶銑中Si
濃度が変化する状況でも〔Si〕濃度0.2%以下の低S
i銑を安定して吹製することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、滴下領域の酸素ポテンシアルPO2と出銑〔S
i〕濃度の関係図、第2図は酸化鉄吹込量と滴下領域の
酸素ポテンシアルの関係図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 均 兵庫県姫路市広畑区富士町1 新日本製鐵 株式会社広畑製鐵所内 (56)参考文献 特開 昭58−96803(JP,A) 特開 昭58−56721(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】粉粒体状の酸化鉄、酸化マンガン等の溶銑
    中Si酸化剤を高炉羽口から炉内に吹込む方法におい
    て、レースウエイ近傍の溶融メタル、溶融スラグ滴下領
    域の酸素ポテンシアルPOを測定し、この酸素ポテン
    シアルPOが10-12atm以上、10-7atm以下
    に維持されるように吹込みSi酸化剤の量を調節して上
    記滴下領域の温度を1500〜1600℃とすることを
    特徴とする低Si銑吹製方法。
JP27676084A 1984-12-27 1984-12-27 低s1銑吹製方法 Expired - Lifetime JPH0623406B2 (ja)

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JPS61153212A JPS61153212A (ja) 1986-07-11
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7037607B2 (en) 1998-09-03 2006-05-02 Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. Magnetic recording medium, process for producing same and magnetic disc apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7037607B2 (en) 1998-09-03 2006-05-02 Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. Magnetic recording medium, process for producing same and magnetic disc apparatus

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JPS61153212A (ja) 1986-07-11

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