JPH06234870A - ポリイミドのエッチング液およびその使用方法 - Google Patents

ポリイミドのエッチング液およびその使用方法

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JPH06234870A
JPH06234870A JP2097193A JP2097193A JPH06234870A JP H06234870 A JPH06234870 A JP H06234870A JP 2097193 A JP2097193 A JP 2097193A JP 2097193 A JP2097193 A JP 2097193A JP H06234870 A JPH06234870 A JP H06234870A
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polyimide
etching
alcohol
bis
solution
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JP2097193A
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Naoyuki Hamada
直之 濱田
Nagahiro Moroi
長広 諸井
Toshimichi Maruta
順道 丸田
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Central Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 剛直な主鎖構造を持つ低熱膨張性ポリイミド
あるいは含フッ素ポリイミドを、加工深さ20μm以上
の実用的な湿式加工を可能とする新規なエッチング液お
よびその使用方法を提供することにある。 【構成】 5〜20wt%の水酸化第四アンモニウムと
10〜60wt%のアミノアルコールと20〜80wt
%のアルコールを必須成分とするエッチング液およびそ
の使用方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】ポリイミドは耐熱性、耐薬品性、
電気特性、機械特性等に優れることから、電子材料とし
てIC、LSI、モジュール基板等の製造において、種
々の用途に用いられている。これらの用途においてはポ
リイミド樹脂をフィルム状あるいはコーティング膜とし
て用い、ポリイミドの一部をエッチング加工することに
よりパターンを形成する必要が少なからずある。
【0002】本発明は、このポリイミドにパターンを形
成する湿式加工法における新規なエッチング液および使
用方法に関する。
【0003】
【従来の技術】従来のポリイミドの湿式加工法として
は、部分イミド化したポリイミド前駆体(ポリアミド
酸)をポジ型レジストをマスクとしてアルカリ水溶液で
エッチング(溶解)する方法および完全イミド化したポ
リイミド前駆体をネガ型レジストをマスクとしてヒドラ
ジン−エチレンジアミンでエッチング(ヒドラジドの形
成による主鎖の分解)する方法が知られており、形成可
能なパターン深さは、そのパターンサイズにも依存する
が概ね15μm程度が限界である。
【0004】イミド化反応が完結しない部分イミド化状
態でのアルカリ水溶液によるエッチングは、イミド化率
のばらつきでエッチング速度が変化する、20μm以上
の厚膜加工に十分対応できない、また近年開発された剛
直な主鎖構造を持つ低熱膨張性ポリイミドあるいは含フ
ッ素ポリイミドはエッチングできないという問題点があ
り、イミド化反応完結後のエッチングは、エッチング液
が作業環境上好ましくないという問題点があった。
【0005】これらの改良法として、剛直な主鎖構造を
持つ低熱膨張性ポリイミドの加工については、特開昭6
2−253621号には、特定組成の剛直な主鎖構造よ
りなるポリイミドが低熱膨張性とヒドラジン−エチレン
ジアミンによる湿式加工性を兼備できることが述べられ
ており、また特開平4−15233号、特開平4−20
541号には、10wt%以上の尿素、8〜28wt%
のエチレンジアミン等のアミン化合物、1〜35wt%
の水酸化アルカリあるいは水酸化第四アンモニウムの水
溶液あるいは水性アルコール溶液により、ポリイミドを
加工する方法が記載されている。
【0006】この方法はヒドラジンを使用せずにポリイ
ミドを加工できるもので、作業環境を改善する新規なエ
ッチング組成液として優れているが、エチレンジアミン
を使用する点で依然問題が残されており、また近年開発
された剛直な主鎖構造を持つ低熱膨張性ポリイミドある
いは含フッ素ポリイミドのエッチングには不十分であ
る。
【0007】
【発明の目的】本発明の目的は、剛直な主鎖構造を持つ
低熱膨張性ポリイミドあるいは含フッ素ポリイミドを、
作業上その使用が問題であるヒドラジンあるいはエチレ
ンジアミン等を使用すること無く、加工深さ20μm以
上の実用的な湿式加工を可能とする新規なエッチング液
およびその使用方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記現状の
問題点に鑑み、ポリイミドのアルカリ分解条件を種々検
討したところ、剛直な低熱膨張性ポリイミドあるいは含
フッ素ポリイミドは、アルカリ水溶液に対する耐性が従
来ポリイミドよりはるかに優れているため、固液界面反
応を速やかに行なわせるためには有機媒体による濡れ性
の向上が必要であり、有機媒体の採用にあたっては耐溶
剤性に劣るノボラック系のポジ型レジストでは使用に絶
えず、耐溶剤性に優れる環化ゴム系のネガ型レジスト使
用が必須であるとの観点に立ち、ネガ型レジストの使用
条件と、種々のアルカリ溶液の組合せを鋭意検討したと
ころ、比較的安全性の高いアミノアルコールに、ポリイ
ミド湿式加工性向上の著しい効果を認め本発明を完成し
た。
【0009】すなわち、上記問題点を解決するために本
発明により提供される新規なポリイミドのエッチング液
は、5〜20wt%の水酸化第四アンモニウムと10〜
60wt%のアミノアルコールと20〜80wt%のア
ルコールを必須成分とすることを特徴とするもので、水
酸化第四アンモニウムとしては、水酸化テトラメチルア
ンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化
テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアン
モニウム等の水酸化テトラアルキルアンモニウムであ
り、アミノアルコールとしては、エタノールアミン、ア
ミノプロパノール、アミノブタノール、アミノヘキサノ
ール、アミノシクロヘキサノール等の炭素数2ないし8
の脂肪族または脂環式アミノアルコールであり、アルコ
ールとしてはメタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、n−プロパノール、n−ブタノール、sec−ブタ
ノール、tert−ブタノール、エチレングリコール等
の炭素数1ないし6の脂肪族アルコールを用いることが
できる。また、エッチングの作用を大きく変更すること
のない範囲において、他に有機溶媒、水または安定剤な
どを添加することも可能である。
【0010】エッチング液中の水酸化第四アンモニウム
の含有量は、濃度が5wt%以下ではエッチング速度が
遅くなり、20wt%以上ではエッチング速度は向上す
るもののパターン形状が不良となり、アミノアルコール
の添加量は、10wt%未満ではパターン形状が不良で
あり、60wt%以上ではエッチング速度が遅くなる。
エッチング速度はアミノアルコールの添加量により極大
値を示し、特に15wt%以上40wt%未満の範囲で
エッチング速度が大きくパターン形状が良好である。
【0011】ポリイミドのエッチングに際しては、ポリ
イミドがポリイミド前駆体溶液あるいはポリイミド前駆
体溶液と三次元熱硬化型樹脂よりなるポリイミド前駆体
組成物溶液を基板に塗布・脱溶媒した後、200〜30
0℃で焼成して得られるポリイミド、特に含フッ素ポリ
イミドあるいはポリイミド組成物であり、パターンのマ
スクが、環化ゴム系のネガ型フォトレジストを塗布・焼
成し、所望パターンを露光・現像して得られるマスクで
あり、エッチング処理を10〜60℃の液温範囲におい
て実施するものである。脱溶媒は、低温において長時間
かけて行なうことが好ましく、ポリイミドの膜厚にもよ
るが、50〜150℃の範囲で10〜150分間、空
気、水素などの不活性雰囲気下に行なえる。50℃以下
では時間が掛かりすぎ実用的ではなく、150℃以上で
は特に膜厚の大きい場合に平坦性、白化現象、泡の発生
などの問題が生じるので好ましくない。
【0012】本発明のエッチングに使用するレジスト
は、とくに限定されないが、例えば、東京応化(株)O
MRシリーズ、長瀬産業(株)NNRシリーズ、富士薬
品工業(株)FSRシリーズなどを挙げることができ
る。
【0013】ポリイミドの焼成温度は200℃未満では
イミド化が不完全でエッチング速度は速いが耐溶剤性に
乏しく、ネガ型レジストの剥離液温が100℃以上では
剥離液に完全に溶解し、また300℃以上ではエッチン
グは可能であるがエッチング速度が遅くなる。レジスト
の使用方法は市販製品の推奨条件で特に問題なく、エッ
チング処理は浸漬法、スプレイ法等が採用できる。エッ
チングの処理温度は、高温ではエッチング速度が大きく
なる傾向にあるが、有機媒体の蒸気圧も高くなることを
考慮すると10℃から60℃の範囲が好ましい。
【0014】本発明のエッチング液でエッチングされる
ポリイミドは、特に限定されないが、芳香族ポリイミド
が適し、含フッ素芳香族ポリイミドがより適し、ジアミ
ン成分が2,2’−置換−4,4’−ベンジジンとピロ
メリット酸またはピロメリット酸誘導体からなるポリイ
ミドおよびその物性をシロキシジアミンの共重合により
および/またはマレイミド化合物で改良したポリイミド
をさらに適するものとして挙げることができる。具体的
には、ジアミン成分は、4,4’−ジアミノベンズアニ
リド、4,4’−ビナフチルアミンおよび下式
【0015】
【化1】
【0016】(式中、Rは同一または異なるCF3、C
H3、C2H5、OCH3、OC2H5、Cl、Brまたはフ
ェニル基を表す。)で表される2,2’−置換−4,
4’−ベンジジンまたは4,4’−ジアミノベンズアニ
リド、4,4’−ビナフチルアミンなどであり、化1の
具体例としては、2,2’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ベンジジン、2,2’−ジメチル−
4,4’−ベンジジン、2,2’−ジクロロ−4,4’
−ベンジジン、2,2’−ジブロモ−4,4’−ベンジ
ジン、2,2’−ジメトキシ−4,4’−ベンジジン、
2,2’−ジエトキシ−4,4’−ベンジジン、2,
2’−ジフェニル−4,4’−ベンジジンなどが例示で
きる。
【0017】シロキシジアミンとしては、特に限定され
ないが1,2−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,
2,2−テトラメチルジシロキサン、1,2−ビス(3
−アミノブチル)−1,1,2,2−テトラメチルジシ
ロキサン、ビス(4−アミノフェノキシ)ジメチルシラ
ン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)テトラメチ
ルジシロキサン等が例示できる。
【0018】上記のジアミンの外に30モル%未満の割
合で組み合わせて使用されるジアミン成分としては、特
に限定されないがo−,m−,p−フェニレンジアミ
ン、2,4−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノトル
エン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノジ
ュレン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニル
スルフォン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフォ
ン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジ
アミノベンゾフェノン、1,3−ビス(3−アミノフェ
ノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフ
ェニル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕スルフォン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕スルフォン、2,2−ビス〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス〔4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス〔4−(4−アミノ−2−トリフルオロメ
チルフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス〔4−(3−アミノ−5−トリフルオロメ
チルフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス(3−アミノ−4−メチルフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)オ
クタフルオロビフェニル、3,5−ジアミノベンゾトリ
フルオリド、2,5−ジアミノベンゾトリフルオリド、
2,2’−ビストリフルオロメチル−4,4’−ジアミ
ノビフェニル、2,2’−ビストリフルオロメチル−
2,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ビストリフ
ルオロメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,
3’−ビストリフルオロメチル−5,5’−ジアミノビ
フェニル等が例示できる。
【0019】使用されるマレイミド化合物としてはビス
マレイミド類が好ましく、4,4’−ビスマレイミドジ
フェニルメタン、4,4’−ビスマレイミドジフェニル
エ−テル、4,4’−ビスマレイミドベンズアニリド、
2,2’−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フ
ェニル〕プロパン等とともに、2,2’−ビス(4−マ
レイミドフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’
−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕
ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス〔4−(2−
トリフルオロメチル−4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ビス(4−
マレイミドフェノキシ)オクタフルオロビフェニル等の
含フッ素ビスマレイミドを例示できる。
【0020】また、ピロメリット酸誘導体としては、特
に限定されないがピロメリット酸、トリフルオロメチル
ベンゼンテトラカルボン酸、ビストリフルオロメチルベ
ンゼンテトラカルボン酸、ジフルオロベンゼンテトラカ
ルボン酸の無水物またはエステルを例示できる。また、
その外に30モル%未満の割合で組み合わせて使用され
るテトラカルボン酸成分としては特に限定されないが、
ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸、ビフェニ
ルテトラカルボン酸、ベンゾフェノンテトラカルボン
酸、オキシジフタル酸、シクロブタンテトラカルボン
酸、ビシクロ(2,2,2)オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカ
ルボン酸の無水物またはエステルが例示できる。
【0021】本発明のエッチング液でエッチングするポ
リイミドの前駆体溶液は、上記したジアミン成分とテト
ラカルボン酸成分を、N,N−ジメチルアセトアミド、
N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチロラ
クトン、フェノール、クレゾール、ハロゲン化フェノー
ルなどの溶媒中、0〜150℃で混合反応させることに
より得られる。
【0022】
【実施例】
実施例1 温度計、攪拌装置、還流コンデンサー、窒素導入管を付
した4ツ口セパラブルフラスコに6.89gの2,2’
−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ベンジジン
(21.52mmol、97mol%)、0.16gの
1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン(0.66mmol、3mol%)と4.84
gのピロメリット酸二無水物(22.19mmol)お
よび1.78gの2,2’−ビス(4−(4−マレイミ
ド−2−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル)ヘ
キサフルオロプロパン(ポリアミド酸の固形分量に対し
て15wt%)を仕込み、77.5gのγ−ブチロラク
トンを加え、窒素気流下に室温で24時間攪拌し、粘度
490ポイズ(22℃)、固形分濃度15wt%のポリ
イミド前駆体組成物溶液を得た。
【0023】該溶液をシリコン基板に約25μmの膜厚
にスピンコートし、70℃で1時間脱溶媒し、250℃
で2時間焼成した後、ネガ型レジスト(富士薬品工業
(株)製FSR、以下同じ。)を塗布し、50、30、
20μmのライン・アンド・スペースパターンを露光・
現像し、水酸化テトラメチルアンモニウム12wt%、
2−アミノエタノール20wt%、メタノール65wt
%、水3wt%よりなるエッチング液に40℃で5分間
浸漬したのちレジストを剥離し、メタノールで洗浄後6
0℃で30分間乾燥した。
【0024】初期膜厚は24.7μmで、加工パターン
を走査電子顕微鏡で観察したところ、20μmのライン
・アンド・スペースパターンでも基板面まで明瞭にエッ
チングされており、ポリイミド面におけるパターン幅に
サイドエッチングは認められず、基板面におけるパター
ン幅はそれぞれ約40μm、約20μm、約10μmと
良好なものであった。この時の膜厚を触針式膜厚計で測
定したところ24.9μmで、さらに350℃で1時間
焼成した後の膜厚は23.6μmであった。
【0025】実施例2 温度計、攪拌装置、還流コンデンサー、窒素導入管を付
した四ツ口セパラブルフラスコに4.86gの2,2’
−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ベンジジン
(15.19mmol)、0.20gの1,3−ビス
(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
(0.80mmol)、0.71gのヘキサフルオロイ
ソプロピロデンフタル酸二無水物(1.60mmo
l)、3.14gのピロメリット酸二無水物(14.4
0mmol)と50.7gのγ−ブチロラクトンを加
え、窒素気流下に室温で24時間攪拌し、粘度170ポ
イズ(22℃)、固形分濃度15wt%のポリイミド前
駆体組成物溶液を得た。
【0026】該溶液をシリコン基板に約25μmの膜厚
が得られるようにスピンコートし、70℃で1時間脱溶
媒し、250℃で2時間焼成した後、ネガ型レジストを
塗布し、50μmのライン・アンド・スペースパターン
を露光・現像し、水酸化テトラメチルアンモニウム12
wt%、2−アミノエタノール20wt%、メタノール
63wt%、水3wt%よりなるエッチング液に40℃
で5分間浸漬したのちレジストを剥離し、メタノールで
洗浄後60℃で30分間乾燥した。
【0027】初期膜厚は22.9μmで、加工パターン
を走査電子顕微鏡で観察したところ、基板面まで明瞭に
エッチングされており、ポリイミド面におけるパターン
幅にサイドエッチングは認められず、基板面におけるパ
ターン幅はそれぞれ約40μmと良好なものであった。
この時の膜厚を触針式膜厚計で測定したところ23.3
μmで、350℃で1時間焼成した後の膜厚は21.6
μmであった。
【0028】比較例1 実施例1で得られた溶液をシリコン基板に約25μmの
膜厚にスピンコートし、70℃で1時間脱溶媒し、25
0℃で2時間焼成した後、ネガ型レジストを塗布し、5
0μmのライン・アンド・スペースパターンを露光・現
像し、25℃および40℃のヒドラジン−エチレンジア
ミン1対1溶液に5分間浸漬したところ、25℃では膜
厚減少が約5μmと小さく、40℃では基板面までエッ
チングされたが波状サイドエッチが大きく実用的では無
かった。
【0029】比較例2 実施例1で得られた溶液をシリコン基板に約25μmの
膜厚にスピンコートし、70℃で1時間脱溶媒し、25
0℃で2時間焼成した後、ネガ型レジストを塗布し、5
0μmのライン・アンド・スペースパターンを露光・現
像し、40℃の水酸化テトラメチルアンモニウム10w
t%、エチレンジアミン20wt%、尿素15wt%、
メタノール65wt%よりなるエッチング液に5分間浸
漬したところ、膜厚減少が約5μmと小さく実用的では
なかった。
【0030】
【発明の効果】本発明のエッチング液は、実施例におい
て明らかなように、エッチング速度が大きくしかもサイ
ドエッチングが少ないという特徴を有するため、ポリイ
ミドの微細加工においてスルーホールや深いパターンを
形成することができるという効果を奏する。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】5〜20wt%の水酸化第四アンモニウム
    と10〜60wt%のアミノアルコールと20〜80w
    t%のアルコールを必須成分とすることを特徴とするポ
    リイミドのエッチング液。
  2. 【請求項2】アミノアルコールが炭素数2ないし8の脂
    肪族または脂環式アミノアルコールであることを特徴と
    する請求項1記載のポリイミドのエッチング液。
  3. 【請求項3】アルコールが炭素数1ないし6の脂肪族ア
    ルコールであることを特徴とする請求の範囲1記載のポ
    リイミドのエッチング液。
  4. 【請求項4】ポリイミドをエッチングするに際し、ポリ
    イミドがポリイミド前駆体溶液を基板に塗布・脱溶媒し
    た後、200〜300℃で焼成して得られるポリイミド
    であり、パターンのマスクがネガ型フォトレジストを塗
    布・焼成し、所望パターンを露光・現像して得られたマ
    スクであり、エッチング液の温度が10〜60℃である
    ことを特徴とする請求項1〜3記載のエッチング液の使
    用方法。
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