JPH06235670A - 半導体圧力センサモジュール - Google Patents

半導体圧力センサモジュール

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JPH06235670A
JPH06235670A JP2145893A JP2145893A JPH06235670A JP H06235670 A JPH06235670 A JP H06235670A JP 2145893 A JP2145893 A JP 2145893A JP 2145893 A JP2145893 A JP 2145893A JP H06235670 A JPH06235670 A JP H06235670A
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JP
Japan
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housing
sensor module
pressure sensor
lower housing
connector
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JP2145893A
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Inventor
Shinichi Sato
慎一 佐藤
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Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 組み立て時の部品点数が少なく、量産化が容
易であり、製品コストの低減及び装置の小型化が可能な
半導体圧力センサモジュールを提供する。 【構成】 ハウジングは、上部ハウジング1及び下部ハ
ウジング2を組み合わせて構成されており、その内面に
は回路パターン1a,2aが形成されている。半導体チ
ップ6及びガラス台座5により構成されるセンサチップ
は、下部ハウジング2の内側中央部に設けられた凹部に
配設され、半導体チップ6の表面に設けられた感歪素子
はワイヤ7を介して回路パターン2aに電気的に接続さ
れている。下部ハウジング2には、ガラス台座5の孔に
整合する位置に圧力導入孔2cが設けられている。ま
た、コネクタ4は、下部ハウジング2と一体的に形成さ
れており、このコネクタ4の端子3は回路パターン2a
に電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、家電用エアコン、掃除
機及び給湯器等において圧力の測定に使用される半導体
圧力センサモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】図9は従来の半導体圧力センサモジュー
ルの一例を示す断面図である。
【0003】ハウジングは、上部ハウジング51及び下
部ハウジング52を組み合わせて構成され、このハウジ
ング内(下部ハウジング52側)には圧力センサ50及
びコネクタ(受け側コネクタ)54等が実装された回路
基板55が固定されている。コネクタ54は、ハウジン
グ外側に導出しており、このコネクタ54と対をなすコ
ネクタ(差し込み側コネクタ)と接続されるようになっ
ている。
【0004】圧力センサ50は、半導体チップ6及びこ
の半導体チップ6を支持するガラス台座5からなるセン
サチップをステム59a及びキャップ59bにより構成
されるパッケージ内に収納したものである。図10は、
センサチップを示す断面図である。半導体チップ6は単
結晶シリコンからなり、その中央部には、ウエハを薄肉
化することにより形成され弾力性を有するダイヤフラム
6aが設けられている。なお、このダイヤフラム6aの
表面にはピエゾ抵抗素子(感歪素子)が設けられてい
る。半導体チップ6は、その下面縁部がガラス台座5に
接合されて固定されている。また、ガラス台座5には、
ダイヤフラム6aとガラス台座5とにより囲まれた空間
を外部と連絡するための孔5aが設けられている。
【0005】ガラス台座5はステム59a上に接合さ
れ、ダイヤフラム6aの表面に形成されたピエゾ抵抗素
子は、ワイヤ7を介してステム59aに立設された端子
60に電気的に接続されている。また、ステム59aに
はガラス台座5の孔5aに対応する孔が設けられてお
り、ステム59aの下方にはこの孔に連絡するパイプ5
8が設けられている。
【0006】このように構成された圧力センサ50は、
パイプ58が回路基板55に設けられた穴を挿通し、端
子60が所定の回路パターンに半田付けされて回路基板
55に実装されている。そして、端子60は回路基板5
5に設けられた回路パターンを介してコネクタ54の端
子53に電気的に接続されている。
【0007】また、圧力センサ50のパイプ58は、下
部ハウジング52に設けられた圧力導入孔52cと連結
されている。このパイプ58と圧力導入孔52cとの間
の連結部にはOリング56が配設されており、連結部に
おける気密性を保持するようになっている。なお、符号
57はOリング56を固定するための固定部材である。
【0008】このように構成された半導体圧力センサモ
ジュールにおいて、下部ハウジング52に設けられた圧
力導入孔52cを介して半導体チップ6に圧力が加えら
れると、ダイヤフラム6aが変形し、このダイヤフラム
6aの表面に設けられたピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化
する。このピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に基づく信号
は、回路基板55に設けられたパターン配線及びコネク
タ54を介して外部に伝達される。
【0009】なお、ダイヤフラムの周囲に増幅器及び温
度補償回路等の電子回路が集積化されて設けられている
半導体チップもある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体圧力センサモジュールにおいては、部品
点数が多いため、組み立て工程が複雑であり、量産化が
難しく、製品コストの低減及び製品の小型化が困難であ
るという問題点がある。また、従来の半導体圧力センサ
モジュールは、Oリング56により圧力導入孔52cと
パイプ58との連結部における気密性を保持するように
なっているが、この連結部において圧力媒体の漏れが発
生しやすく、測定すべき圧力がセンサチップに正確に伝
達されない虞れがあるという欠点もある。
【0011】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、部品点数が少なく、量産化が容易であり、
製品の小型化及び製品コストの低減が容易であると共
に、ハウジングに設けられた圧力導入孔とセンサチップ
との間の気密性の保持が容易であり、信頼性が高い半導
体圧力センサモジュールを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力
センサモジュールは、その内面に所定の回路パターンが
形成されたハウジングと、このハウジング内面に搭載さ
れたセンサチップと、前記ハウジングと一体的に形成さ
れたコネクタとを有することを特徴とする。
【0013】
【作用】本発明に係る半導体圧力センサモジュールにお
いては、ハウジングの内面に回路パターンが形成されて
いると共に、センサチップがハウジング内面に直接搭載
されている。また、本発明に係る半導体圧力センサモジ
ュールにおいては、コネクタがハウジングと一体的に形
成されている。このため、本発明においては、従来必要
とされていた回路基板が不要であり、組み立て時の部品
点数を削減できる。従って、量産化が容易であり、製品
コストの低減を実現できると共に、製品の小型化が容易
である。また、センサチップがハウジングの内面に接合
されているため、センサチップとハウジングの圧力導入
孔との間を連絡するためのパイプ及びこのパイプと圧力
導入孔との連結部を気密的にシールするためのOリング
等が不要であり、圧力媒体の漏れが発生する虞れが極め
て少なく、測定すべき圧力をセンサチップに正確に伝達
することができる。このため、本発明に係る半導体圧力
センサモジュールは、信頼性が高い。
【0014】ところで、本発明においては、ハウジング
の内面に回路パターンを形成する必要上、ハウジング内
面は絶縁性であることが必要である。この場合に、ハウ
ジングに導電性材料からなる電磁シールド層を設けてハ
ウジング内の電気回路を外部と電磁的に遮断すると、ノ
イズの低減及び電磁障害の防止等の効果を得ることがで
きる。このため、前記ハウジングには導電性材料からな
る電磁シールド層を設けることが好ましい。なお、前記
電磁シールド層としては、例えば、前記ハウジングの外
面を金属等の導電性物質により構成し、このハウジング
外面を電磁シールド層としたものでもよい。
【0015】また、例えばハウジング内のセンサチップ
搭載面と反対側の面側に圧力導入孔がある場合は、ハウ
ジング内に仕切りを設け、この仕切りにより前記回路パ
ターンが設けられている空間と前記センサチップが配設
されている空間とを気密的に仕切ることが好ましい。こ
れにより、ハウジング内のセンサチップ搭載面と反対側
の面側に圧力導入孔がある場合も、圧力導入孔とセンサ
チップとを連絡するパイプ等の連絡部材が不要となる。
【0016】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
【0017】図1は本発明の第1の実施例に係る半導体
圧力センサモジュールを示す断面図である。
【0018】ハウジングは、上部ハウジング1及び下部
ハウジング2を組み合わせて構成されており、その内面
には導電性材料により所定の回路パターン1a,2aが
形成されている。上部ハウジング1及び下部ハウジング
2の回路パターン1a,2aは、接続部材9により電気
的に接続され所定の回路を構成している。
【0019】半導体チップ6及びガラス台座5により構
成されたセンサチップ(図10参照)は、下部ハウジン
グ2の内側中央部に設けられた凹部に、ガラス台座5の
孔が圧力導入孔2cに整合するようにして搭載されてい
る。そして、半導体チップ6の表面に設けられた感歪素
子は、ワイヤ7を介して回路パターン2aに電気的に接
続されている。また、下部ハウジング2の側部にはこの
下部ハウジング2と一体的に形成されたコネクタ(受け
側コネクタ)4が設けられており、回路パターン2aは
このコネクタ4の端子3に電気的に接続されている。な
お、コネクタ4の外周には、このコネクタ4に係合する
コネクタ(差し込み側コネクタ)を係止するための係止
用突起4aが設けられている。
【0020】図2(a),(b)は、図1に一点鎖線で
囲んだ部分を拡大して示す図である。センサチップは、
図2(a)に示すように、下部ハウジング2の凹部底面
にスパッタ又は蒸着等の方法により金属薄膜8を形成し
この金属薄膜8に半田を使用して接合(ダイボンディン
グ)するか、又は、図2(b)に示すように、シリコン
樹脂又はエポキシ樹脂等により接合する。
【0021】本実施例においては、センサチップがハウ
ジング内面に直接接合され、感歪素子はワイヤ7を介し
て回路パターン2aと電気的に接続されていると共に、
コネクタ4が下部ハウジング2と一体的に形成されてい
る。このため、本実施例においては、従来必要とされて
いた回路基板が不要である。また、下部ハウジング2に
センサチップを直接接合するため、ハウジングの圧力導
入孔とセンサチップとの間を連絡するパイプ等の連絡部
材及びOリング等のシール部材が不要である。このた
め、本実施例に係る半導体圧力センサモジュールは、組
み立て時の部品点数が従来に比して少ない。例えば、図
9に示す従来の半導体圧力センサモジュールにおいて
は、組み立て時の部品点数が8点であるのに対し、本実
施例においては3点の部品で足りる。従って、装置の小
型化が容易であると共に、量産化が容易であり、製品コ
ストを低減することができる。また、製造に要する時間
が従来に比して短く、リードタイム(日程計画におい
て、早期に手配すべき先行期間)を短縮することができ
るという効果もある。更に、本実施例においては、セン
サチップがハウジング内面に直接接合されているため、
圧力媒体の漏れが発生する虞れが極めて少なく、測定す
べき圧力をセンサチップに正確に伝達することができる
という効果もある。
【0022】図3は、本発明の第2の実施例に係る半導
体圧力センサモジュールを示す断面図である。なお、本
実施例は、特にEMI(Electromagnetic Interferenc
e)対策を考慮したものである。
【0023】ハウジングは、上部ハウジング11及び下
部ハウジング12を組み合わせることにより構成され
る。ハウジング11,12は、その外側が金属、内側が
絶縁性樹脂11b,12bにより構成されている。そし
て、この樹脂11b,12bの表面上に所定の回路パタ
ーン11a,12aが形成されている。また、上部ハウ
ジング11と下部ハウジング12とが組み合わされる
と、ハウジングの一部がコネクタ14を構成するように
なっている。このコネクタ14の端子13は、下部ハウ
ジング12の回路パターン12aに電気的に接続されて
いる。また、上部ハウジング11の回路パターン11a
及び下部ハウジング12の回路パターン12aは、導電
性接続部材19により電気的に接続され所定の回路を構
成している。
【0024】半導体チップ6及びガラス台座5により構
成されるセンサチップは、下部ハウジング12の内側中
央部の樹脂12bが被覆されていない領域に接合されて
いる。また、下部ハウジング12には、第1の実施例と
同様に、ガラス台座5の孔に整合する位置に圧力導入孔
12cが設けられている。
【0025】図4(a),(b)は、図3に一点鎖線で
囲んだ部分を拡大して示す図である。図4(a)に示す
ように、ハウジング11,12と端子13との間にはガ
ラス又はセラミックからなる絶縁材15により絶縁され
ているか、又は、図4(b)に示すように、樹脂11
b,12bが外側まで延出してハウジング11,12の
外面と端子13との間を電気的に絶縁している。即ち、
図5に示すように、ハウジング11,12と端子13と
により結合容量(コンデンサ)Cが構成される。この結
合容量により、外部ノイズを減衰させることができる。
【0026】本実施例は、ハウジング外面が金属により
構成されているため、このハウジング外面が電磁シール
ド層として作用し、ハウジング内の電気回路が外部から
電磁的に遮蔽される。このため、本実施例においては、
第1の実施例と同様の効果を得ることができるのに加え
て、外部ノイズ及び電磁障害を低減することができると
いう効果を得ることができる。
【0027】図6は、本発明を差圧タイプの半導体圧力
センサモジュールに適用した第3の実施例に係る半導体
圧力センサモジュールを示す断面図である。
【0028】本実施例においては、上部ハウジング21
及び下部ハウジング22の両方に圧力導入孔21c,2
2cが設けられている。半導体チップ6及びガラス台座
5により構成されるセンサチップは、下部ハウジング2
2の内側中央部に、ガラス台座5の孔と圧力導入孔22
cとが整合するように配設される。このセンサチップ
は、ハウジング21,22に夫々設けられた上部仕切り
板21d及び下部仕切り板22dにより、回路パターン
21a,22aが形成されている部屋と仕切られてい
る。なお、上部仕切り板21dと下部仕切り板22dと
の間はOリング又は樹脂等により気密性が保持されるよ
うになっている。そして、半導体チップ6の表面に設け
られた感歪素子は、ワイヤ7及び仕切り板22dを貫通
して配設されたリード25を介して回路パターン22a
に電気的に接続されている。また、本実施例において
は、第2の実施例と同様に、上部ハウジング21と下部
ハウジング22とを組み合わせると、ハウジングの一部
がコネクタ24を構成するようになっている。
【0029】本実施例に係る半導体圧力センサモジュー
ルは、圧力導入孔21cを介してセンサチップの上側か
ら加えられる圧力と、圧力導入孔22cを介してセンサ
チップの下側から加えられる圧力との差圧を検出する。
本実施例においても、第1の実施例と同様に、組み立て
時の部品点数が少なく、量産化が容易であり、製品コス
トの低減及び装置の小型化が可能であるという効果を得
ることができる。
【0030】図7は、本発明を上面加圧タイプの半導体
圧力センサモジュールに適用した第4の実施例を示す断
面図である。
【0031】ハウジングは、上部ハウジング31及び下
部ハウジング32により構成されており、その内面には
所定の回路パターン31a,32aが設けられている。
本実施例においては、上部ハウジング31に圧力導入孔
31cが設けられている。また、半導体チップ6及びガ
ラス台座5により構成されるセンサチップは、下部ハウ
ジング32の内側中央部に配設され、上部仕切り板31
d及び下部仕切り板32dにより、回路パターン31
a,32aが設けられた部屋と分離されている。半導体
チップ6の表面に設けられた感歪素子は、ワイヤ7及び
仕切り板32dを貫通して配設されたリード35を介し
て回路パターン32aに電気的に接続されている。な
お、上部仕切り板31dと下部仕切り板32dとの間は
Oリング又は樹脂により気密性を保持するようになって
いる。
【0032】また、本実施例においても、第2の実施例
と同様に、上部ハウジング31と下部ハウジング32と
を組み合わせると、ハウジングの一部がコネクタ34を
構成するようになっている。このコネクタ34の端子3
3は、下部ハウジング32の回路パターン32aに電気
的に接続されている。
【0033】本実施例に係る圧力センサは、圧力導入孔
31cを介してセンサチップの上方からセンサチップに
加えられる圧力を測定する絶対圧の圧力センサとして使
用する。本実施例においても、第1の実施例と同様の効
果を得ることができる。
【0034】図8は、本発明を水位センサに適用した第
5の実施例を示す断面図である。
【0035】ハウジングは、上部ハウジング41及び下
部ハウジング42を組み合わせて構成されており、その
内面には所定の回路パターン41a,42aが形成され
ている。また、コネクタ44は、下部ハウジング42と
一体的に形成されており、下部ハウジング42の下面か
ら下方に導出している。このコネクタ44の端子43
は、回路パターン42aに電気的に接続されている。半
導体チップ6及びガラス台座5により構成されるセンサ
チップは、下部ハウジング42の内側中央部に設けられ
た凹部に搭載されている。このセンサチップは、上部仕
切り板41d及び下部仕切り板42dにより回路パター
ン41a,42aが設けられている部屋と分離されてい
る。半導体チップ6の表面に設けられた感歪素子は、ワ
イヤ7及び仕切り板42dを貫通して配設されたリード
45を介して回路パターン42aに電気的に接続されて
いる。上部ハウジング41には、センサチップが露出す
る開口部41cが設けられており、この開口部41c内
にはゲル状物質46が装入されている。
【0036】このように構成された本実施例に係る半導
体圧力センサモジュールにおいて、圧力はゲル状物質4
6を介してセンサチップに加えられる。従って、本実施
例においては、センサチップが水(又は、その他の液
体)に直接接触することを回避できる。本実施例におい
ても、第1の実施例と同様の効果を得ることができる。
【0037】なお、上述の各実施例においては、いずれ
もガラス台座を備えたセンサチップを搭載した半導体圧
力センサモジュールについて説明したが、半導体チップ
とハウジングとの熱膨張係数の差に起因する熱歪の影響
を考慮しなくてもよい場合は、半導体チップをハウジン
グに直接ダイボンディングしてもよい。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
圧力センサモジュールにおいては、ハウジングの内面に
回路パターンが形成されており、センサチップはこのハ
ウジング内面に搭載され、且つ、コネクタが前記ハウジ
ングと一体的に形成されているから、従来に比して組み
立て時の部品点数を著しく削減することができる。この
ため、本発明に係る半導体圧力センサモジュールは、量
産化が容易であり、製品コストを低減できると共に、装
置の小型化が容易である。また、リードタイムを短縮す
ることができるという効果もある。更に、本発明に係る
半導体圧力センサモジュールにおいては、ハウジングと
センサチップとが直接接合されているため、ハウジング
の圧力導入孔とセンサチップとを連絡するためのパイプ
等の連絡部材及びOリング等のシール部材が不要であ
り、圧力媒体の漏れが発生する虞れが極めて少なく、測
定すべき圧力をセンサチップに正確に伝達することがで
きて、信頼性が高いという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る半導体圧力センサ
モジュールを示す断面図である。
【図2】(a),(b)は、いずれも図1に一点鎖線で
囲んだ部分を拡大して示す図である。
【図3】本発明の第2の実施例に係る半導体圧力センサ
モジュールを示す断面図である。
【図4】(a),(b)は、いずれも図3に一点鎖線で
囲んだ部分を拡大して示す図である。
【図5】図3に一点鎖線で囲んだ部分の等価回路を示す
図である。
【図6】本発明の第3の実施例に係る半導体圧力センサ
モジュールを示す断面図である。
【図7】本発明の第4の実施例に係る半導体圧力センサ
モジュールを示す断面図である。
【図8】本発明の第5の実施例に係る半導体圧力センサ
モジュールを示す断面図である。
【図9】従来の半導体圧力センサモジュールの一例を示
す断面図である。
【図10】センサチップを示す断面図である。
【符号の説明】
1,11,21,31,41;上部ハウジング 1a,2a,11a,12a,21a,22a,31
a,32a,41a,42a;回路パターン 2,12,22,32,42;下部ハウジング 2c,12c,21c,22c,52c;圧力導入孔 3,13,23,33,43;端子 4,14,24,34,44;コネクタ 5;ガラス台座 6;半導体チップ 7;ワイヤ 21d,22d,31d,32d,41d,42d;仕
切り板 41c;開口部 46;ゲル状物質

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 その内面に所定の回路パターンが形成さ
    れたハウジングと、このハウジング内面に搭載されたセ
    ンサチップと、前記ハウジングと一体的に形成されたコ
    ネクタとを有することを特徴とする半導体圧力センサモ
    ジュール。
  2. 【請求項2】 前記ハウジングには導電性材料からなる
    電磁シールド層が設けられており、前記ハウジング内の
    電気回路は前記電磁シールド層により外部と電磁的に遮
    断されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体
    圧力センサモジュール。
  3. 【請求項3】 前記ハウジングには、前記回路パターン
    が設けられている空間と前記センサチップが配設されて
    いる空間とを気密的に仕切る仕切りが設けられているこ
    とを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体圧力セン
    サモジュール。
JP2145893A 1993-02-09 1993-02-09 半導体圧力センサモジュール Pending JPH06235670A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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