JPH06235946A

JPH06235946A - 光セルフルーチングスイッチ

Info

Publication number: JPH06235946A
Application number: JP5022353A
Authority: JP
Inventors: Tomoji Kuroyanagi; 智司黒柳; Tetsuya Nishi; 哲也西; Takuji Maeda; 卓二前田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-02-10
Filing date: 1993-02-10
Publication date: 1994-08-23

Abstract

(57)【要約】【目的】光信号の状態でセルフルーチングを行わせる
光セルフルーチングスイッチに関し、電気信号に変換す
ることなく、光信号のままでセルフルーチングを行わせ
る。【構成】入ハイウェイ１を介して入力されたセル光
を、分岐波長変換部２の分岐部２ａにより複数に分岐
し、波長変換部２ｂに於いてタグ光を基に波長変換す
る。波長選択部３は、出ハイウェイ対応にそれぞれ異な
る通過波長の光フィルタを有し、波長変換部２ｂにより
波長変換されたセル光の波長を、通過波長とする光フィ
ルタを介してセル光が送出される。その場合、波長変換
部４により、元の波長に戻して出ハイウェイに送出する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、非同期転送モード（Ａ
ＴＭ）交換を光信号として処理する光セルフルーチング
スイッチに関する。非同期転送モード（ＡＴＭ：Ａsync
hronous Ｔranfer Ｍode ）は、４８バイトの情報フィ
ールドに５バイトのヘッダを付加して５３バイト長のセ
ルとして転送するものであり、ヘッダは、一般的フロー
制御フィールドと、仮想パス識別子（ＶＰＩ）と、仮想
チャネル識別子（ＶＣＩ）と、ペイロードタイプフィー
ルド（ＰＴ）と、予備フィールドと、セル優先順位フィ
ールド（ＣＬＰ）と、ヘッダ誤り制御フィールドとを含
み、ＡＴＭ交換機は、このヘッダの内容を識別して転送
経路情報に変換することにより、この転送経路情報に従
ってＡＴＭ交換機を構成するスイッチが切替動作して、
入ハイウェイから所定の出ハイウェイに交換出力され
る。即ち、セルフルーチングスイッチを構成することが
できる。光信号の状態で前述のようなセルフルーチング
を行わせる構成が要望されている。

【０００２】

【従来の技術】図１０は光ＡＴＭスイッチの説明図であ
り、入ハイウェイ８４−１〜８４−ｎ対応にセルフルー
チングスイッチ８５−１〜８５−ｎを備え、且つ出ハイ
ウェイ８７−１〜８７−ｎ対応にバッファメモリ８６−
１〜８６−ｎを備えている。セルフルーチングスイッチ
８５−１〜８５−ｎは、入ハイウェイ８４−１〜８４−
ｎからのセル光を、それぞれ所望の出ハイウェイ８７−
１〜８７−ｎにルーチングするものであり、バッファメ
モリ８６−１〜８６−ｎは、同時に複数のセル光が同一
の出ハイウェイにルーチングされた時に、一時的にセル
光を蓄積してセル光の衝突を回避するものである。

【０００３】図１１は従来例の説明図であり、前述の入
ハイウェイ対応のルーチングスイッチを示す。同図に於
いて、９０ａは例えば波長λ₀のセル光が伝送される入
ハイウェイ、９０ｂは波長λ_iのタグ光を入力するタグ
ハイウェイ、９１はセル光を出ハイウェイ９７−１〜９
７−ｎ対応に分岐する分岐器、９２−１〜９２−ｎはセ
ル光を出ハイウェイ９７−１〜９７−ｎに出力するか否
かを制御する光ゲートスイッチ、９３は波長λ_iのタグ
光をｎ個に分岐する分岐器、９４−１〜９４−ｎは、そ
れぞれ波長λ_iのタグ光をλ₁〜λ_nに分離する光フィ
ルタ、９５−１〜９５−ｎは光電変換器、９６−１〜９
６−ｎは駆動回路である。

【０００４】波長λ₀のセル光と共に、セルのヘッダ内
容の識別によって波長λ_iのタグ光が入力される。セル
光は分岐器９１により出ハイウェイ９７−１〜９７−ｎ
対応に分岐されて、それぞれ光ゲートスイッチ９２−１
〜９２−ｎに入力される。又タグ光は分岐器９３により
出ハイウェイ９７−１〜９７−ｎ対応に分岐されて、光
フィルタ９４−１〜９４−ｎにより出ハイウェイ９７−
１〜９７−ｎ対応の波長が選択出力される。

【０００５】例えば、セル光を出ハイウェイ９７−１に
出力する場合、波長λ₀のセル光とと共に波長λ₁のタ
グ光が入力される。このタグ光は分岐器９３により分岐
され、通過波長λ₁の光フィルタ９４−１から光電変換
器９５−１にタグ光が加えられて電気信号に変換され、
駆動回路９６−１に加えられる。この駆動回路９６−１
により光ゲートスイッチ９２−１がオン状態に制御され
て、分岐器９１により分岐されたセル光が出ハイウェイ
９７−１に送出される。

【０００６】又タグ光の波長をλ_nとすると、分岐器９
３により分岐されたタグ光は、通過波長λ_nの光フィル
タ９４−ｎから光電変換器９５−ｎに加えられて電気信
号に変換され、駆動回路９６−ｎに加えられる。この駆
動回路９６−ｎにより光ゲートスイッチ９２−ｎがオン
状態に制御されて、分岐器９１により分岐されたセル光
が出ハイウェイ９７−ｎに送出される。即ち、タグ光に
従ったルーチングが行われることになる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示す従来例
は、入ハイウェイ９０ａから入力されたセル光を、光信
号のままタグ光によって指定された出ハイウェイに送出
することができる。しかし、その為の光ゲートスイッチ
９２−１〜９２−ｎを制御する為に、タグ光を光電変換
器９５−１〜９５−ｎにより電気信号に変換する必要が
ある。その為に、高速化することが容易でないものとな
る。本発明は、光信号の状態でセルフルーチングを行わ
せることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の光セルフルーチ
ングスイッチは、図１を参照して説明すると、入ハイウ
ェイ１を介して入力されたセル光を複数に分岐した後に
宛先を示すタグ光を基に波長変換し、又はセル光をタグ
光を基に波長変換した後に複数に分岐して出力する分岐
波長変換部２と、この分岐波長変換部２により波長変換
されたセル光を、出ハイウェイ対応の波長に従って選択
出力する波長選択部３とを備えている。

【０００９】又波長選択部３により選択出力されたセル
光の波長を元の波長に変換する波長変換部４を設けるこ
とができる。

【００１０】又入ハイウェイ１を介して入力されたセル
光を、分岐波長変換部２の分岐部２ａにより分岐し、波
長変換部２ｂにより分岐されたセル光の一つをタグ光を
基に波長変換し、波長変換されたセル光を出ハイウェイ
対応の通過波長を有する波長選択部３から選択出力する
構成とすることができる。

【００１１】又入ハイウェイ１を介して入力されたセル
光を、分岐波長変換部２の波長変換部によりタグ光を基
に波長変換し、波長変換されたセル光を分岐部により複
数に分岐して出力し、出ハイウェイ対応の通過波長を有
する波長選択部３から選択出力する構成とすることがで
きる。

【００１２】又分岐波長変換部２の波長変換部を、セル
光とポンプ光とタグ光とを結合して入力する非線形光学
素子により構成することができる。

【００１３】又分岐波長変換部２の波長変換部を、セル
光とタグ光とを結合して入力する非線形光学素子により
構成することができる。

【００１４】

【作用】分岐波長変換部２は分岐部２ａと波長変換部２
ｂとからなり、前段に分岐部２ａを設けた場合、入ハイ
ウェイ１を介して入力されたセル光を分岐部２ａにより
分岐した後、波長変換部２ｂによりタグ光を基に波長変
換する。又前段に波長変換部２ｂを設けた場合、入ハイ
ウェイ１を介して入力されたセル光を波長変換部２ｂに
よりタグ光を基に波長変換した後、分岐部２ａにより複
数に分岐する。波長選択部３は、出ハイウェイ対応の通
過波長の光フィルタを含み、波長変換部２ｂに於いて波
長が変換されたセル光は、所望の出ハイウェイに選択出
力される。

【００１５】又波長選択部３から選択出力されたセル光
は、入ハイウェイ１を介して入力されたセル光の波長と
異なるものとなるから、元の波長に戻す必要がある場合
は、波長変換部４により波長変換し、入ハイウェイ１を
介して入力されたセル光と同一波長として出ハイウェイ
に送出することができる。

【００１６】又入ハイウェイ１を介して入力されたセル
光を分岐部２ａにより複数に分岐して波長変換部２ｂに
入力し、その分岐されたセル光の一つをタグ光を基に波
長変換部２ｂに於いて波長変換する。この波長変換され
たセル光は、出ハイウェイ対応の通過波長を有する波長
選択部３により、所望の出ハイウェイに選択出力され
る。

【００１７】又入ハイウェイ１を介して入力されたセル
光を、波長変換部２ｂによりタグ光を基に波長変換した
後、分岐部２ａにより複数に分岐して波長選択部３に入
力する。この波長変換されて分岐されたセル光は、出ハ
イウェイ対応の通過波長を有する波長選択部３により、
所望の出ハイウェイに選択出力される。

【００１８】又分岐波長変換部２の波長変換部２ｂを、
セル光とポンプ光とタグ光とを結合して、半導体レーザ
等の非線形光学素子に入力して波長変換を行う。この場
合、セル光の波長λ₀とポンプ光の波長λ_pとタグ光の
波長λ_i（ｉ＝１，２，・・・ｎ）とを、λ_p−λ₀＝
Δλとすると、非線形光学素子からは、セル光とポンプ
光とタグ光とのそれぞれの波長の成分と共に、λ_i±Δ
λの波長の成分が出力される。このλ_i±Δλの波長成
分にはセル光の成分を含むものであるから、タグ光の波
長λ_iを出ハイウェイ対応に設定し、波長選択部３の出
ハイウェイ対応の通過波長をλ_i±Δλに設定すること
により、セル光をタグ光に従った所望の出ハイウェイに
送出することができる。

【００１９】又分岐波長変換部２の波長変換部２ｂを、
セル光とタグ光とを結合して、半導体レーザ等の非線形
光学素子に入力して波長変換を行う。この場合、非線形
光学素子からは、セル光の波長λ₀と、タグ光の波長λ
_iの成分と共に、λ_i＋ｉΔλの波長の成分が出力され
る。この場合、ｉ＝１として、λ₁−λ₀＝Δλの関係
に選定される。従って、タグ光の波長λ_iを出ハイウェ
イ対応に設定し、波長選択部３の出ハイウェイ対応の通
過波長をλ_i＋ｉΔλに設定することにより、セル光を
タグ光に従った所望の出ハイウェイに送出することがで
きる。

【００２０】

【実施例】図２は本発明の第１の実施例の説明図であ
り、１０ａはセル光を入力する入ハイウェイ、１０ｂは
タグ光を入力するタグハイウェイ、１１は分岐器、１２
は波長変換部、１３は波長選択部、１４は波長変換部、
１５はタグ光を分岐する分岐器、１６−１〜１６−３は
結合器、１７−１〜１７−３は非線形光学素子としての
分布帰還型半導体レーザ、１８−１〜１８−３はタグ光
の波長を選択する光フィルタ、２０−１〜２０−３は光
フィルタ、２１−１〜２１−３は非線形光学素子として
の半導体レーザ、２２−１〜２２−３は出ハイウェイ、
２３はポンプ光を出力する半導体レーザ、２４は分岐器
である。この実施例は、図１に示すように、分岐波長変
換部２の分岐部２ａを前段に、波長変換部２ｂを後段に
接続した場合に相当し、出ハイウェイの本数を３とし
て、入ハイウェイからのセル光をタグ光に従って選択出
力する場合を示す。

【００２１】波長λ₀のセル光が入ハイウェイ１０ａを
介して入力されると共に、セルのヘッダの内容の識別に
よる波長λ_iのタグ光がタグハイウェイ１０ｂを介して
入力される。セル光は分岐器１１により出ハイウェイ２
２−１〜２２−３対応の数に分岐されて波長変換部１２
に入力される。又タグ光は分岐器１５により出ハイウェ
イ２２−１〜２２−３対応に分岐されて、それぞれ通過
波長の異なる光フィルタ１８−１〜１８−３に入力され
る。タグ光の波長λ_iを、出ハイウェイ２２−１〜２２
−３対応に、λ₁，λ₂，λ₃とすると、光フィルタ１
８−１〜１８−３の通過波長は、それぞれλ₁，λ₂，
λ₃に選定される。

【００２２】又半導体レーザ２３から波長λ_pのポンプ
光が出力され、分岐器２４により出ハイウェイ２２−１
〜２２−３対応に分岐される。そして、結合器１６−１
により、波長λ₀のセル光と、波長λ_pのポンプ光と、
波長λ₁のタグ光とが結合されて分布帰還型半導体レー
ザ１７−１に励起光として入力される。又結合器１６−
２により、波長λ₀のセル光と、波長λ_pのポンプ光
と、波長λ₂のタグ光とが結合されて分布帰還型半導体
レーザ１７−２に励起光として入力される。同様に、結
合器１６−３により、波長λ₀のセル光と、波長λ_pの
ポンプ光と、波長λ₃のタグ光とが結合されて分布帰還
型半導体レーザ１７−３に励起光として入力される。

【００２３】図３は本発明の第１の実施例の波長変換の
説明図であり、分布帰還型半導体レーザ１７−１〜１７
−３等の非線形光学素子１７に、波長λ₀のセル光と、
波長λ_pのポンプ光と、波長λ_iのタグ光とを結合して
入力すると、波長λ₀，λ_p，λ_i，λ_i−Δλ，λ_i
＋Δλのそれぞれの成分が出力される。但し、Δλは、
λ_p−λ₀＝Δλの関係に選定される。又タグ光の波長
λ_iの間隔は、λ_k−λ_k-1＝Δλ（但し、ｋ＝２，
３，・・・ｎ）に選定される。波長λ_i−Δλ，λ_i＋
Δλの成分は、それぞれセル光の成分を含む波長変換出
力成分となる。

【００２４】従って、波長選択部１３の光フィルタ２０
−１〜２０−３の通過波長をそれぞれλ₁＋Δλ，λ₂
＋Δλ，λ₃＋Δλに選定することにより、入力された
波長λ₀のセル光に対するタグ光の波長をλ₁とする
と、光フィルタ２０−１を介してセル光の成分を含む波
長λ₁＋Δλ（＝λ₁＋λ_p−λ₀）を選択出力して、
波長変換部１４に入力することができる。又波長λ₀の
入力されたセル光に対するタグ光の波長をλ₃とする
と、光フィルタ２０−３を介してセル光の成分を含む波
長λ₃＋Δλを選択出力して波長変換部１４に入力する
ことができる。

【００２５】波長変換部１４は、出ハイウェイ２２−１
〜２２−３に入ハイウェイ１０ａと同一の波長λ₀或い
は他の所望の波長に変換して出力する為のものであり、
半導体レーザ２１−１〜２１−３に光フィルタ２０−１
〜２０−３から選択出力された光信号を励起光として、
所望の波長に変換して出力するものである。例えば、半
導体レーザ２１−１は波長λ₁＋Δλを波長λ₀に変換
し、半導体レーザ２１−２は波長λ₂＋Δλを波長λ₀
に変換し、半導体レーザ２１−３は波長λ₃＋Δλを波
長λ₀に変換するように、それぞれ所定のバイアス電流
が供給されることになる。なお、波長選択部１３から選
択出力された波長のセル光をそのまま出ハイウェイ２２
−１〜２２−３に送出する場合は、波長変換部１４を省
略することができる。

【００２６】図４は本発明の第２の実施例の説明図であ
り、３０ａはセル光を入力する入ハイウェイ、３０ｂは
タグ光を入力するタグハイウェイ、３１はセル光を分岐
する分岐器、３２は波長変換部、３３は波長選択部、３
４は波長変換部、３５はタグ光を分岐する分岐器、３６
−１〜３６−３は結合器、３７−１〜３７−３は分布帰
還型半導体レーザ、３８−１〜３８−３は光フィルタ、
４０−１〜４０−３は光フィルタ、４１−１〜４１−３
は半導体レーザ、４２−１〜４２−３は出ハイウェイで
ある。

【００２７】この実施例は、波長λ₀のセル光と、波長
λ₁，λ₂，λ₃のタグ光とを、結合器３６−１〜３６
−３により結合して分布帰還型半導体レーザ３７−１〜
３７−３に入力する場合を示す。即ち、分布帰還型半導
体レーザ３７−１には、波長λ₀のセル光と波長λ₁の
タグ光とが結合されて励起光として入力され、分布帰還
型半導体レーザ３７−２には、波長λ₀のセル光と波長
λ₂のタグ光とが結合されて励起光として入力され、分
布帰還型半導体レーザ３７−３には、波長λ₀のセル光
と波長λ₃のタグ光とが結合されて励起光として入力さ
れる。

【００２８】図５は本発明の第２の実施例の波長変換の
説明図であり、分布帰還型半導体レーザ等の非線形光学
素子３７に、波長λ₀のセル光と波長λ_iのタグ光とを
結合して入力すると、波長λ_{0 ,}λ_{i ,}λ_i＋ｉΔλの
成分が出力される。この場合、ｉ＝１として、λ₁−λ
₀＝Δλの関係に選定され、又タグ光の波長間隔につい
ても、λ_k−λ_k-1＝Δλ（但し、ｋ＝２，３，・・・
ｎ）の関係となるように選定される。

【００２９】従って、波長λ₀のセル光と波長λ₁のタ
グ光とが入力されると、結合器３６−１によりセル光と
タグ光とが結合されて分布帰還型半導体レーザ３７−１
に入力され、波長λ₀，λ₁，λ₁＋Δλの成分が出力
される。波長選択部３３の光フィルタ４０−１の通過波
長をλ₁＋Δλとすると、タグ光の波長をλ₁とした時
に、波長変換されたλ₁＋Δλのセル光の成分は光フィ
ルタ４０−１を介して出力される。

【００３０】又波長λ₀のセル光と波長λ₃のタグ光と
が入力されると、結合器３６−３によりセル光とタグ光
とが結合されて分布帰還型半導体レーザ３７−３に入力
され、波長λ₀，λ₃，λ₃＋３Δλの成分が出力され
る。従って、波長選択部３３の光フィルタ４０−３の通
過波長をλ₃＋３Δλとすることにより、タグ光の波長
をλ₃とした時に、波長変換されたλ₃＋３Δλのセル
光の成分を光フィルタ４０−３を介して出力することが
できる。

【００３１】波長変換部３４は、前述の実施例の波長変
換部１４と同様に、入力されたセル光の波長を元に戻す
か或いは他の所望の波長に変換する為のものであり、出
ハイウェイ４２−１〜４２−３の特性等に対応して任意
に選択することができる。又波長選択部３３により選択
出力された波長のままで出ハイウェイ４２−１〜４２−
３に送出することも可能である。

【００３２】図６は本発明の第３の実施例の説明図であ
り、図１の分岐波長変換部２の前段に波長変換部２ｂを
設け、後段に分岐部２ａを設けた場合に相当し、５０ａ
はセル光を入力する入ハイウェイ、５０ｂはタグ光を入
力するタグハイウェイ、５１は波長変換部、５２は分岐
器、５３は波長選択部、５４は波長変換部、５６は結合
器、５７は分布帰還型半導体レーザ、５８はポンプ光を
出力する半導体レーザ、６０−１〜６０−３は光フィル
タ、６１−１〜６１−３は波長変換を行う半導体レー
ザ、６２−１〜６２−３は出ハイウェイである。

【００３３】入ハイウェイ５０ａを介して入力された波
長λ₀のセル光と、タグハイウェイ５０ｂを介して入力
された波長λ_iのタグ光と、半導体レーザ５８から入力
された波長λ_pのポンプ光とが結合器５６により結合さ
れて、分布帰還型半導体レーザ５７の励起光として入力
される。

【００３４】図７は本発明の第３の実施例の波長変換の
説明図であり、分布帰還型半導体レーザ等の非線形光学
素子５９に、波長λ₀のセル光と、波長λ_pのポンプ光
と、波長λ_iのタグ光とを結合して励起光として入力す
ると、波長λ₀，λ_p，λ_i，λ_i−Δλ，λ_i＋Δλ
の成分が出力される。この場合、λ_p−λ₀＝Δλと
し、タグ光の波長間隔については、λ_k−λ_k-1＝３Δ
λ（但し、ｋ＝２，３，・・・ｎ）の関係に選定する。
これは、タグ光を基に変換された波長が、他の波長のタ
グ光を基に変換された波長と同一とならないようにする
為である。

【００３５】前述のように、波長λ₀のセル光と、波長
λ_pのポンプ光と、波長λ₁のタグ光とを結合して分布
帰還型半導体レーザ５７に励起光として入力すると、分
布帰還型半導体レーザ５７からは、波長λ₀，λ_p，λ
₁，λ₁−Δλ，λ₁＋Δλの成分が出力され、分岐器
５２により出ハイウェイ６２−１〜６２−３の個数分に
分岐されて、波長選択部５３に入力される。この波長選
択部５３の光フィルタ６０−１〜６０−３の通過波長
を、それぞれλ₁＋Δλ，λ₂＋Δλ，λ₃＋Δλに選
定すると、タグ光の波長をλ₁とした時、波長変換され
たλ₁＋Δλの光信号が光フィルタ６０−１から選択出
力される。又タグ光の波長をλ₃とした時は、波長変換
されたλ₃＋Δλの光信号が光フィルタ６０−３から選
択出力される。従って、タグ光の波長を選択することに
より、セル光を所望の出ハイウェイに送出することがで
きる。

【００３６】又波長変換部５４は、出ハイウェイ６２−
１〜６２−３対応にそれぞれ半導体レーザ６１−１〜６
１−３を備え、入ハイウェイ５０ａのセル光の波長λ₀
に戻すか、或いは他の所望の波長に変換するものであ
る。

【００３７】図８は本発明の第４の実施例の説明図であ
り、７０ａはセル光の入ハイウェイ、７０ｂはタグ光の
タグハイウェイ、７１は波長変換部、７２は分岐器、７
３は波長選択部、７４は波長変換部、７６は結合器、７
７は分布帰還型半導体レーザ、８０−１〜８０−３は光
フィルタ、８１−１〜８１−３は半導体レーザ、８２−
１〜８２−３は出ハイウェイである。

【００３８】この実施例は、入ハイウェイ７０ａを介し
て入力された波長λ₀のセル光と、タグハイウェイ７０
ｂを介して入力された波長λ_iのタグ光とを、結合器７
６により結合して分布帰還型半導体レーザ７７の励起光
として入力し、分布帰還型半導体レーザ７７からは、波
長λ₀，λ_i，λ_i＋（２ｉ−１）Δλの成分が出力さ
れる。

【００３９】図９は本発明の第４の実施例の波長変換の
説明図であり、分布帰還型半導体レーザ等の非線形光学
素子７９に、波長λ₀のセル光と波長λ_iのタグ光とを
結合して入力すると、波長λ₀，λ_i，λ_i＋（２ｉ−
１）Δλの成分が出力される。この場合は、ｉ＝１とし
てλ₁−λ₀＝Δλ、タグ光の波長間隔は、λ_k−λ
_k-1＝２Δλ（但し、ｋ＝２，３，・・・ｎ）の関係に
選定する。この場合も、タグ光を基に変換された波長
と、他の波長のタグ光を基に変換された波長とが同一と
ならないようにする為である。

【００４０】前述のように、波長λ₀のセル光と波長λ
₁のタグ光とを結合して、分布帰還型半導体レーザ７７
に入力すると、波長λ₀，λ₁，λ₁＋Δλの成分が出
力される。又タグ光の波長をλ₂とした場合は、分布帰
還型半導体レーザ７７から、波長λ₀，λ₂，λ₂＋３
Δλの成分が出力される。又タグ光の波長をλ₃とした
場合は、分布帰還型半導体レーザ７７から、波長λ₀，
λ₃，λ₃＋５Δλの成分が出力される。

【００４１】波長選択部７３の光フィルタ８０−１〜８
０−３の通過波長をそれぞれλ₁＋Δλ，λ₂＋３Δ
λ，λ₃＋５Δλとすると、タグ光の波長λ₁〜λ₃の
選定に対応して、分布帰還型半導体レーザ７７により波
長変換された成分が光フィルタ８０−１〜８０−３によ
り選択出力される。そして、波長変換部７４に於いて元
の波長或いは他の波長に変換されて、出ハイウェイ８２
−１〜８２−３に送出される。

【００４２】前述の実施例は、３本の出ハイウェイにセ
ルフルーチングによりセル光をスイッチングする場合を
示すが、出ハイウェイの本数を更に増加することができ
ることは勿論であり、又多段接続構成を用いることも可
能である。又波長変換を行う為の非線形光学素子は、分
布帰還型半導体レーザ以外の他の光学素子を用いること
も可能である。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、入ハイ
ウェイ１を介して分岐波長変換部２に入力されたセル光
を、タグ光を基に波長変換し、出ハイウェイ対応の通過
波長の波長選択部３により出ハイウェイにセル光を送出
することができるものであり、総て光信号の状態でセル
フルーチング制御が可能となるから、高速化が容易とな
る利点がある。従って、光ＡＴＭスイッチを用いた光交
換システムを容易に構築できる利点がある。

【００４４】又波長選択部３の出力を加える波長変換部
４を設けることにより、波長変換されたセル光を元の波
長に戻すか、或いは出ハイウェイに適合した波長に変換
して送出することができる。又分布帰還型半導体レーザ
等の非線形光学素子に、セル光とタグ光更にはポンプ光
を結合して入力することにより、セル光をタグ光の波長
を基に波長変換した成分を出力することができるから、
波長選択部３により所望の出ハイウェイに選択出力する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図である。

【図２】本発明の第１の実施例の説明図である。

【図３】本発明の第１の実施例の波長変換の説明図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施例の説明図である。

【図５】本発明の第２の実施例の波長変換の説明図であ
る。

【図６】本発明の第３の実施例の説明図である。

【図７】本発明の第３の実施例の波長変換の説明図であ
る。

【図８】本発明の第４の実施例の説明図である。

【図９】本発明の第４の実施例の波長変換の説明図であ
る。

【図１０】光ＡＴＭスイッチの説明図である。

【図１１】従来例の説明図である。

【符号の説明】

１入ハイウェイ２分岐波長変換部２ａ分岐部２ｂ波長変換部３波長選択部４波長変換部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入ハイウェイ（１）を介して入力された
セル光を複数に分岐した後に宛先を示すタグ光を基に波
長変換し、又は前記セル光を前記タグ光を基に波長変換
した後に複数に分岐して出力する分岐波長変換部（２）
と、該分岐波長変換部（２）により波長変換された前記セル
光を、出ハイウェイ対応の波長に従って選択出力する波
長選択部（３）とを備えたことを特徴とする光セルフル
ーチングスイッチ。
【請求項２】前記波長選択部（３）により選択出力さ
れたセル光の波長を元の波長に変換する波長変換部
（４）を設けたことを特徴とする請求項１記載の光セル
フルーチングスイッチ。
【請求項３】前記入ハイウェイ（１）を介して入力さ
れたセル光を、分岐波長変換部（２）の分岐部（２ａ）
により分岐し、該分岐波長変換部（２）の波長変換部
（２ｂ）により分岐されたセル光の一つを前記タグ光を
基に波長変換し、波長変換されたセル光を出ハイウェイ
対応の通過波長を有する前記波長選択部（３）から選択
出力する構成としたことを特徴とする請求項１記載の光
セルフルーチングスイッチ。
【請求項４】前記入ハイウェイ（１）を介して入力さ
れたセル光を、分岐波長変換部（２）の波長変換部によ
り前記タグ光を基に波長変換し、該分岐波長変換部
（２）の分岐部により波長変換されたセル光を複数に分
岐して出力し、出ハイウェイ対応の通過波長を有する前
記波長選択部（３）から選択出力する構成としたことを
特徴とする請求項１記載の光セルフルーチングスイッ
チ。
【請求項５】前記分岐波長変換部（２）の波長変換部
を、セル光とポンプ光とタグ光とを結合して入力する非
線形光学素子により構成したことを特徴とする請求項１
記載の光セルフルーチングスイッチ。
【請求項６】前記分岐波長変換部（２）の波長変換部
は、セル光とタグ光とを結合して入力する非線形光学素
子により構成したことを特徴とする請求項１記載の光セ
ルフルーチングスイッチ。