JPH06236938A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH06236938A JPH06236938A JP5022665A JP2266593A JPH06236938A JP H06236938 A JPH06236938 A JP H06236938A JP 5022665 A JP5022665 A JP 5022665A JP 2266593 A JP2266593 A JP 2266593A JP H06236938 A JPH06236938 A JP H06236938A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- connection pad
- package
- sintered body
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/63—Vias, e.g. via plugs
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子への熱の影響及び電源ノイズの影響
を有効に防止し、半導体素子を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。 【構成】内部に半導体素子３を収容するための空所を有
する窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁容器１に、
内部に収容する半導体素子３の電源電極及び接地電極に
接続される接続パッド５ａを形成するとともに該接続パ
ッド５ａに容量素子８を取着して成る半導体素子収納用
パッケージであって、前記絶縁容器１に形成された接続
パッド５ａと容量素子８との間に酸化アルミニウム質焼
結体から成る板部材９が介在している。
を有効に防止し、半導体素子を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。 【構成】内部に半導体素子３を収容するための空所を有
する窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁容器１に、
内部に収容する半導体素子３の電源電極及び接地電極に
接続される接続パッド５ａを形成するとともに該接続パ
ッド５ａに容量素子８を取着して成る半導体素子収納用
パッケージであって、前記絶縁容器１に形成された接続
パッド５ａと容量素子８との間に酸化アルミニウム質焼
結体から成る板部材９が介在している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には
内部に収容する半導体素子への電源ノイズの悪影響を有
効に防止するようになした半導体素子収納用パッケージ
に関するものである。
めの半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には
内部に収容する半導体素子への電源ノイズの悪影響を有
効に防止するようになした半導体素子収納用パッケージ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは図３に示すように、酸化アル
ミニウム質焼結体から成り、上面に半導体素子10を収容
するための凹部11a 及び該凹部11a 周辺から下面にかけ
て導出するタングステン、モリブデン、マンガン等の高
融点金属粉末から成るメタライズ配線層12を有する絶縁
基体11と、半導体素子10の各電極を外部電気回路に接続
するために前記メタライズ配線層12に銀ロウ等のロウ材
を介し取着された外部リード端子13と、蓋体14とから構
成されており、絶縁基体11の凹部11a 底面に半導体素子
10をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定
するとともに各電極をメタライズ配線層12にボンディン
グワイヤ15を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基
体11の上面に蓋体14をガラス、樹脂、ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶縁基体11と蓋体14とから成る容器
内部に半導体素子10を気密に封入することによって製品
として半導体装置となる。
体素子収納用パッケージは図３に示すように、酸化アル
ミニウム質焼結体から成り、上面に半導体素子10を収容
するための凹部11a 及び該凹部11a 周辺から下面にかけ
て導出するタングステン、モリブデン、マンガン等の高
融点金属粉末から成るメタライズ配線層12を有する絶縁
基体11と、半導体素子10の各電極を外部電気回路に接続
するために前記メタライズ配線層12に銀ロウ等のロウ材
を介し取着された外部リード端子13と、蓋体14とから構
成されており、絶縁基体11の凹部11a 底面に半導体素子
10をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定
するとともに各電極をメタライズ配線層12にボンディン
グワイヤ15を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基
体11の上面に蓋体14をガラス、樹脂、ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶縁基体11と蓋体14とから成る容器
内部に半導体素子10を気密に封入することによって製品
として半導体装置となる。
【０００３】尚、かかる従来の半導体素子収納用パッケ
ージは絶縁基体11の上面に内部に収容される半導体素子
10の電源電極及び接地電極に接続される接続パッド16が
形成されており、該接続パッドにチタン酸バリウム磁器
を誘電体とした容量素子17が半田等のロウ材やエポキシ
樹脂に銀粉末を充填して成る導電性接着剤を介して直接
取着され、半導体素子10の電源電極と接地電極の間に容
量素子を接続することによって半導体素子10への電源ノ
イズの悪影響を有効に防止するようになっている。
ージは絶縁基体11の上面に内部に収容される半導体素子
10の電源電極及び接地電極に接続される接続パッド16が
形成されており、該接続パッドにチタン酸バリウム磁器
を誘電体とした容量素子17が半田等のロウ材やエポキシ
樹脂に銀粉末を充填して成る導電性接着剤を介して直接
取着され、半導体素子10の電源電極と接地電極の間に容
量素子を接続することによって半導体素子10への電源ノ
イズの悪影響を有効に防止するようになっている。
【０００４】しかしながら、この従来の半導体素子収納
用パッケージは半導体素子10を収容する絶縁基体11が酸
化アルミニウム質焼結体から成り、その熱伝導率が15W/
m ・K と低いこと及び近時、半導体素子10は高密度化、
高集積化が急激に進み、半導体素子10の単位面積、単位
体積当たりの発熱量が増大してきたこと等から絶縁基体
11の凹部11a 内に半導体素子10を収容し、半導体装置と
なした後、半導体素子10を作動させると半導体素子10が
該素子10自身の発する熱膨張係数によって高温となり、
半導体素子10に熱破壊を起こさせたり、特性に熱変化を
来し、誤動作させるという欠点を有していた。
用パッケージは半導体素子10を収容する絶縁基体11が酸
化アルミニウム質焼結体から成り、その熱伝導率が15W/
m ・K と低いこと及び近時、半導体素子10は高密度化、
高集積化が急激に進み、半導体素子10の単位面積、単位
体積当たりの発熱量が増大してきたこと等から絶縁基体
11の凹部11a 内に半導体素子10を収容し、半導体装置と
なした後、半導体素子10を作動させると半導体素子10が
該素子10自身の発する熱膨張係数によって高温となり、
半導体素子10に熱破壊を起こさせたり、特性に熱変化を
来し、誤動作させるという欠点を有していた。
【０００５】そこで上記欠点を解消するために絶縁基体
11を酸化アルミニウム質焼結体に変えて熱伝導率が50W/
m ・K 以上と極めて熱を伝えやすい窒化アルミニウム質
焼結体で形成し、半導体素子10の発する熱を絶縁基体11
を介して大気中に良好に放散させることが考えられる。
11を酸化アルミニウム質焼結体に変えて熱伝導率が50W/
m ・K 以上と極めて熱を伝えやすい窒化アルミニウム質
焼結体で形成し、半導体素子10の発する熱を絶縁基体11
を介して大気中に良好に放散させることが考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、窒化ア
ルミニウム質焼結体で絶縁基体11を形成した場合、窒化
アルミニウム質焼結体の熱膨張係数は4 〜5 ×10-6/ ℃
であり、容量素子17を構成するチタン酸バリウム磁器の
熱膨張係数(10 〜11×10-6/ ℃) と大きく相違するため
半導体素子10の作動時に発する熱が絶縁基体11と容量素
子17との接合部に印加されると両者の接合部に両者の熱
膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生し、その
結果、前記熱応力によって容量素子17が絶縁基体11上面
より外れ、容量素子17によって半導体素子10への電源ノ
イズの悪影響を有効に防止することができなくなるとい
う欠点を誘発した。
ルミニウム質焼結体で絶縁基体11を形成した場合、窒化
アルミニウム質焼結体の熱膨張係数は4 〜5 ×10-6/ ℃
であり、容量素子17を構成するチタン酸バリウム磁器の
熱膨張係数(10 〜11×10-6/ ℃) と大きく相違するため
半導体素子10の作動時に発する熱が絶縁基体11と容量素
子17との接合部に印加されると両者の接合部に両者の熱
膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生し、その
結果、前記熱応力によって容量素子17が絶縁基体11上面
より外れ、容量素子17によって半導体素子10への電源ノ
イズの悪影響を有効に防止することができなくなるとい
う欠点を誘発した。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたも
ので、その目的は半導体素子への熱の影響及び電源ノイ
ズの影響を有効に防止し、半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることができる半導体素子収
納用パッケージを提供することにある。
ので、その目的は半導体素子への熱の影響及び電源ノイ
ズの影響を有効に防止し、半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることができる半導体素子収
納用パッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は内部に半導体素
子を収容するための空所を有する窒化アルミニウム質焼
結体から成る絶縁容器に、内部に収容する半導体素子の
電源電極及び接地電極に接続される接続パッドを形成す
るとともに該接続パッドに容量素子を取着して成る半導
体素子収納用パッケージであって、前記絶縁容器に形成
された接続パッドと容量素子との間に酸化アルミニウム
質焼結体から成る板部材が介在していることを特徴とす
るものである。
子を収容するための空所を有する窒化アルミニウム質焼
結体から成る絶縁容器に、内部に収容する半導体素子の
電源電極及び接地電極に接続される接続パッドを形成す
るとともに該接続パッドに容量素子を取着して成る半導
体素子収納用パッケージであって、前記絶縁容器に形成
された接続パッドと容量素子との間に酸化アルミニウム
質焼結体から成る板部材が介在していることを特徴とす
るものである。
【０００９】
【作用】本発明の半導体素子収納用パッケージによれ
ば、絶縁容器を窒化アルミニウム質焼結体で形成したこ
とから半導体素子の作動時に発する熱は容器を介して大
気中に良好に放散され、その結果、容器内部に収容され
る半導体素子は常に低温となり、半導体素子を長期間に
わたり正常、且つ安定に作動させることができる。
ば、絶縁容器を窒化アルミニウム質焼結体で形成したこ
とから半導体素子の作動時に発する熱は容器を介して大
気中に良好に放散され、その結果、容器内部に収容され
る半導体素子は常に低温となり、半導体素子を長期間に
わたり正常、且つ安定に作動させることができる。
【００１０】また絶縁容器に設けた接続パッドに容量素
子を、間に熱膨張係数が絶縁容器と容量素子の熱膨張係
数に対し中間値である酸化アルミニウム質焼結体から成
る板部材を介在させて取着したことから絶縁容器と容量
素子との間には大きな熱応力が発生することはなく、そ
の結果、絶縁容器に容量素子が強固に取着され、該容量
素子によって半導体素子への電源ノイズの悪影響が有効
に防止される。
子を、間に熱膨張係数が絶縁容器と容量素子の熱膨張係
数に対し中間値である酸化アルミニウム質焼結体から成
る板部材を介在させて取着したことから絶縁容器と容量
素子との間には大きな熱応力が発生することはなく、そ
の結果、絶縁容器に容量素子が強固に取着され、該容量
素子によって半導体素子への電源ノイズの悪影響が有効
に防止される。
【００１１】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。
る。
【００１２】図1 及び図2 は本発明の半導体素子収納用
パッケージの一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は蓋体
である。この絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収
容するための容器4 が構成される。前記絶縁基体1 は窒
化アルミニウム質焼結体から成り、その上面に半導体素
子３を収容する空所を形成するための凹部1aを有し、該
凹部1a底面には半導体素子3 がガラス、樹脂、ロウ材等
の接着剤を介して接着固定される。
パッケージの一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は蓋体
である。この絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収
容するための容器4 が構成される。前記絶縁基体1 は窒
化アルミニウム質焼結体から成り、その上面に半導体素
子３を収容する空所を形成するための凹部1aを有し、該
凹部1a底面には半導体素子3 がガラス、樹脂、ロウ材等
の接着剤を介して接着固定される。
【００１３】前記窒化アルミニウム質焼結体から成る絶
縁基体1 は例えば、窒化アルミニウム(AlN) 、イットリ
ア(Y2 O 3 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア(MgO) 等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状
となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法や
カンレンダーロール法等を採用することによってセラミ
ックグリーンシート( セラミック生シート) を得、しか
る後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともに複数枚積層し、高温( 約1800℃) で
焼成することによって製作される。
縁基体1 は例えば、窒化アルミニウム(AlN) 、イットリ
ア(Y2 O 3 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア(MgO) 等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状
となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法や
カンレンダーロール法等を採用することによってセラミ
ックグリーンシート( セラミック生シート) を得、しか
る後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともに複数枚積層し、高温( 約1800℃) で
焼成することによって製作される。
【００１４】前記窒化アルミニウム質焼結体から成る絶
縁基体1 はその熱伝導率が50W/m ・K 以上であり、熱を
伝え易いことから半導体素子3 が作動時に多量の熱を発
生したとしてもその熱は絶縁基体1 を介して大気中に良
好に放散され、その結果、半導体素子3 は該素子3 自身
の発する熱によって高温になることは一切なく、半導体
素子3 に熱破壊や特性に熱変化を来し、誤動作を起こさ
せることはなくなる。
縁基体1 はその熱伝導率が50W/m ・K 以上であり、熱を
伝え易いことから半導体素子3 が作動時に多量の熱を発
生したとしてもその熱は絶縁基体1 を介して大気中に良
好に放散され、その結果、半導体素子3 は該素子3 自身
の発する熱によって高温になることは一切なく、半導体
素子3 に熱破壊や特性に熱変化を来し、誤動作を起こさ
せることはなくなる。
【００１５】また前記絶縁基体1 は凹部1a周辺から下面
にかけて複数個のメタライズ配線層5 が被着形成されて
おり、該メタライズ配線層5 の凹部1a周辺部には半導体
素子3 の各電極( 電源電極、接地電極、信号電極) がボ
ンディングワイヤ6 を介して電気的に接続され、また絶
縁基体1 の下面に導出された部位には外部電気回路と接
続される外部リード端子7 が銀ロウ等のロウ材を介して
取着されている。
にかけて複数個のメタライズ配線層5 が被着形成されて
おり、該メタライズ配線層5 の凹部1a周辺部には半導体
素子3 の各電極( 電源電極、接地電極、信号電極) がボ
ンディングワイヤ6 を介して電気的に接続され、また絶
縁基体1 の下面に導出された部位には外部電気回路と接
続される外部リード端子7 が銀ロウ等のロウ材を介して
取着されている。
【００１６】前記メタライズ配線層5 はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、該
タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1 となる
セラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン
印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによ
って絶縁基体1 の凹部1a周辺から下面にかけて被着され
る。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、該
タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1 となる
セラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン
印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによ
って絶縁基体1 の凹部1a周辺から下面にかけて被着され
る。
【００１７】尚、前記メタライズ配線層5 はその露出表
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ
性の良い金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚み
に層着させておくとメタライズ配線層5 の酸化腐食を有
効に防止することができるとともにメタライズ配線層5
とボンディングワイヤ6 との接続及びメタライズ配線層
5 への外部リード端子の取着を強固となすことができ
る。従って、メタライズ配線層5 の酸化腐食を防止し、
メタライズ配線層5 とボンディングワイヤ6 及び外部リ
ード端子7 との取着を強固とするにはメタライズ配線層
5 の露出表面にニッケル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚
みに層着させておくことが好ましい。
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ
性の良い金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚み
に層着させておくとメタライズ配線層5 の酸化腐食を有
効に防止することができるとともにメタライズ配線層5
とボンディングワイヤ6 との接続及びメタライズ配線層
5 への外部リード端子の取着を強固となすことができ
る。従って、メタライズ配線層5 の酸化腐食を防止し、
メタライズ配線層5 とボンディングワイヤ6 及び外部リ
ード端子7 との取着を強固とするにはメタライズ配線層
5 の露出表面にニッケル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚
みに層着させておくことが好ましい。
【００１８】また前記メタライズ配線層5 に銀ロウ等の
ロウ材を介して取着される外部リード端子7 はコバール
金属( 鉄ーニッケルーコバルト合金) や42アロイ( 鉄ー
ニッケル合金) 等の金属材料から成り、外部リード端子
7 を外部電気回路に接続することによって絶縁基体1 の
凹部1a内に収容される半導体素子3 の各電極はメタライ
ズ配線層5 及び外部リード端子7 を介して外部電気回路
に電気的に接続されることとなる。
ロウ材を介して取着される外部リード端子7 はコバール
金属( 鉄ーニッケルーコバルト合金) や42アロイ( 鉄ー
ニッケル合金) 等の金属材料から成り、外部リード端子
7 を外部電気回路に接続することによって絶縁基体1 の
凹部1a内に収容される半導体素子3 の各電極はメタライ
ズ配線層5 及び外部リード端子7 を介して外部電気回路
に電気的に接続されることとなる。
【００１９】前記外部リード端子7 はコバール金属等の
インゴット( 塊) を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従
来周知の金属加工法を採用することによって所定の形状
に形成される。
インゴット( 塊) を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従
来周知の金属加工法を採用することによって所定の形状
に形成される。
【００２０】また前記外部リード端子7 はその露出表面
にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性
の良い金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに
層着させておくと外部リード端子7 の酸化腐食を有効に
防止することができるとともに外部リード端子7 を半田
等のロウ材を介し外部電気回路に強固に接続することが
可能となる。従って、前記外部リード端子7 はその露出
表面にニッケル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚みに層着
させておくことが好ましい。
にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性
の良い金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに
層着させておくと外部リード端子7 の酸化腐食を有効に
防止することができるとともに外部リード端子7 を半田
等のロウ材を介し外部電気回路に強固に接続することが
可能となる。従って、前記外部リード端子7 はその露出
表面にニッケル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚みに層着
させておくことが好ましい。
【００２１】前記絶縁基体1 はまたその上面に内部に収
容する半導体素子3 の電源電極及び接地電極に接続され
る接続パッド5aが形成されており、該接続パッド5aには
図2に示すように容量素子8 が間に酸化アルミニウム質
焼結体から成る板部材9 を挟んだ状態で半田や導電性樹
脂により取着されている。
容する半導体素子3 の電源電極及び接地電極に接続され
る接続パッド5aが形成されており、該接続パッド5aには
図2に示すように容量素子8 が間に酸化アルミニウム質
焼結体から成る板部材9 を挟んだ状態で半田や導電性樹
脂により取着されている。
【００２２】前記接続パッド5aは容量素子8 を絶縁基体
1 上面に取着させるための下地部材として作用するとと
もに容量素子8 を半導体素子3 の電源電極と接地電極の
間に接続させる作用を為し、タングステン、モリブデ
ン、マンガン等の高融点金属粉末により形成されてい
る。
1 上面に取着させるための下地部材として作用するとと
もに容量素子8 を半導体素子3 の電源電極と接地電極の
間に接続させる作用を為し、タングステン、モリブデ
ン、マンガン等の高融点金属粉末により形成されてい
る。
【００２３】尚、前記接続パッド5aはメタライズ配線層
5 と同様の方法によって絶縁基体1の上面に所定形状に
形成される。
5 と同様の方法によって絶縁基体1の上面に所定形状に
形成される。
【００２４】また前記接続パッド5aに取着される容量素
子8 は例えば、チタン酸バリウム磁器内に対向電極を多
数埋設して形成され、該容量素子8 は半導体素子3 の誤
動作の原因となる供給電源電圧の変動に起因する電源ノ
イズを除去する作用を為し、これによって半導体素子3
は電源ノイズの悪影響から保護され、長期間にわたり正
常、且つ安定に作動することが可能となる。
子8 は例えば、チタン酸バリウム磁器内に対向電極を多
数埋設して形成され、該容量素子8 は半導体素子3 の誤
動作の原因となる供給電源電圧の変動に起因する電源ノ
イズを除去する作用を為し、これによって半導体素子3
は電源ノイズの悪影響から保護され、長期間にわたり正
常、且つ安定に作動することが可能となる。
【００２５】前記絶縁基体1 に設けた接続パッド5aと容
量素子8 との間には更に絶縁基体1の熱膨張係数(4〜5
×10-6/ ℃) と容量素子8 の熱膨張係数(10 〜11×10-6
/ ℃) に対し、中間の熱膨張係数(7×10-6/ ℃) を有す
る酸化アルミニウム質焼結体から成る板部材9 が介在さ
れており、該板部材9 は絶縁基体1 と容量素子8 との間
に両者の熱膨張係数の相違に起因して発生する熱応力を
緩和する作用を為し、これによって絶縁基体1 に容量素
子8 が強固に取着されることとなり、容量素子8 によっ
て半導体素子3 への電源ノイズの悪影響が有効に防止さ
れることとなる。
量素子8 との間には更に絶縁基体1の熱膨張係数(4〜5
×10-6/ ℃) と容量素子8 の熱膨張係数(10 〜11×10-6
/ ℃) に対し、中間の熱膨張係数(7×10-6/ ℃) を有す
る酸化アルミニウム質焼結体から成る板部材9 が介在さ
れており、該板部材9 は絶縁基体1 と容量素子8 との間
に両者の熱膨張係数の相違に起因して発生する熱応力を
緩和する作用を為し、これによって絶縁基体1 に容量素
子8 が強固に取着されることとなり、容量素子8 によっ
て半導体素子3 への電源ノイズの悪影響が有効に防止さ
れることとなる。
【００２６】前記板部材9 は酸化アルミニウム(Al 2 O
3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア(M
gO) 等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末
を調整し、次に前記原料粉末を所定金型内に充填すると
ともに一定圧力で押圧して生成形体を形成し、しかる
後、前記生成形体を約1600℃の温度で焼成することによ
って製作される。
3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア(M
gO) 等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末
を調整し、次に前記原料粉末を所定金型内に充填すると
ともに一定圧力で押圧して生成形体を形成し、しかる
後、前記生成形体を約1600℃の温度で焼成することによ
って製作される。
【００２７】また前記酸化アルミニウム質焼結体から成
る板部材9 はその上面から下面にかけてメタライズ金属
層9aが被着されており、該メタライズ金属層9aは容量素
子8の各電極を半導体素子3 の電源電極及び接地電極が
接続されている接続パッド5aに電気的に接続させる作用
を為す。
る板部材9 はその上面から下面にかけてメタライズ金属
層9aが被着されており、該メタライズ金属層9aは容量素
子8の各電極を半導体素子3 の電源電極及び接地電極が
接続されている接続パッド5aに電気的に接続させる作用
を為す。
【００２８】尚、前記板部材9 のメタライズ金属層9aは
タングステン、モリブデン等から成り、タングステン等
の粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属
ペーストを板部材9 となる生成形体に予め所定形状に塗
布しておくことによって板部材9 の上面から下面にかけ
て被着される。
タングステン、モリブデン等から成り、タングステン等
の粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属
ペーストを板部材9 となる生成形体に予め所定形状に塗
布しておくことによって板部材9 の上面から下面にかけ
て被着される。
【００２９】また前記酸化アルミニウム質焼結体から成
る板部材9 を間に介在しての絶縁基体1 上への容量素子
8 の取着は絶縁基体1 に設けた接続パッド5a上に板部材
9 及び容量素子8 を順次、各々の間に半田や導電性接着
剤を挟んで載置させ、しかる後、接続パッド5aと板部材
9 との間及び板部材9 と容量素子8 との間に挟まれてい
る半田や導電性接着剤を加熱溶融、或いは熱硬化させる
ことによって行われる。この場合、板部材9 の熱膨張係
数が接続パッド5aの被着されている窒化アルミニウム質
焼結体1 の熱膨張係数と容量素子8 の熱膨張係数の中間
値であることから絶縁基体1 と板部材9 との間及び板部
材9 と容量素子8 との間には大きな熱応力が発生するこ
とはなく、結果として容量素子9 を絶縁基体1 の接続パ
ッド5aに極めて強固に取着することが可能となる。
る板部材9 を間に介在しての絶縁基体1 上への容量素子
8 の取着は絶縁基体1 に設けた接続パッド5a上に板部材
9 及び容量素子8 を順次、各々の間に半田や導電性接着
剤を挟んで載置させ、しかる後、接続パッド5aと板部材
9 との間及び板部材9 と容量素子8 との間に挟まれてい
る半田や導電性接着剤を加熱溶融、或いは熱硬化させる
ことによって行われる。この場合、板部材9 の熱膨張係
数が接続パッド5aの被着されている窒化アルミニウム質
焼結体1 の熱膨張係数と容量素子8 の熱膨張係数の中間
値であることから絶縁基体1 と板部材9 との間及び板部
材9 と容量素子8 との間には大きな熱応力が発生するこ
とはなく、結果として容量素子9 を絶縁基体1 の接続パ
ッド5aに極めて強固に取着することが可能となる。
【００３０】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体素子3 を
ガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定する
とともに半導体素子3 の各電極をメタライズ配線層5 に
ボンディングワイヤ6 を介して電気的に接続し、しかる
後、絶縁基体1 の上面に蓋体2 をガラス、樹脂、ロウ材
等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体1 と蓋体
2 とから成る容器4 内部に半導体素子3 を気密に収容す
ることによって製品としての半導体装置が完成する。
ージによれば絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体素子3 を
ガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定する
とともに半導体素子3 の各電極をメタライズ配線層5 に
ボンディングワイヤ6 を介して電気的に接続し、しかる
後、絶縁基体1 の上面に蓋体2 をガラス、樹脂、ロウ材
等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体1 と蓋体
2 とから成る容器4 内部に半導体素子3 を気密に収容す
ることによって製品としての半導体装置が完成する。
【００３１】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば絶縁容器を窒化アルミニウム質焼結体で形成した
ことから半導体素子の作動時に発する熱は容器を介して
大気中に良好に放散され、その結果、容器内部に収容さ
れる半導体素子は常に低温となり、半導体素子を長期間
にわたり正常、且つ安定に作動させることができる。
よれば絶縁容器を窒化アルミニウム質焼結体で形成した
ことから半導体素子の作動時に発する熱は容器を介して
大気中に良好に放散され、その結果、容器内部に収容さ
れる半導体素子は常に低温となり、半導体素子を長期間
にわたり正常、且つ安定に作動させることができる。
【００３３】また絶縁容器に設けた接続パッドに容量素
子を、間に熱膨張係数が絶縁容器と容量素子の熱膨張係
数に対し中間値である酸化アルミニウム質焼結体から成
る板部材を介在させて取着したことから絶縁容器と容量
素子との間には大きな熱応力が発生することはなく、そ
の結果、絶縁容器に容量素子が強固に取着され、該容量
素子によって半導体素子への電源ノイズの悪影響が有効
に防止される。
子を、間に熱膨張係数が絶縁容器と容量素子の熱膨張係
数に対し中間値である酸化アルミニウム質焼結体から成
る板部材を介在させて取着したことから絶縁容器と容量
素子との間には大きな熱応力が発生することはなく、そ
の結果、絶縁容器に容量素子が強固に取着され、該容量
素子によって半導体素子への電源ノイズの悪影響が有効
に防止される。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】図１に示すパッケージの要部拡大断面図であ
る。
る。
【図３】従来の半導体素子収納用パッケージの断面図で
ある。
ある。
１・・・・絶縁基体 ２・・・・蓋体 ３・・・・半導体素子 ４・・・・容器 ５・・・・メタライズ配線層 ７・・・・外部リード端子 ８・・・・容量素子 ９・・・・板部材
Claims (1)
- 【請求項１】内部に半導体素子を収容するための空所を
有する窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁容器に、
内部に収容する半導体素子の電源電極及び接地電極に接
続される接続パッドを形成するとともに該接続パッドに
容量素子を取着して成る半導体素子収納用パッケージで
あって、前記絶縁容器に形成された接続パッドと容量素
子との間に酸化アルミニウム質焼結体から成る板部材が
介在していることを特徴とする半導体素子収納用パッケ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5022665A JPH06236938A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5022665A JPH06236938A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236938A true JPH06236938A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12089151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5022665A Pending JPH06236938A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116040569A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-05-02 | 苏州研材微纳科技有限公司 | 适于mems器件的悬挂绝热封装结构及制备方法 |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP5022665A patent/JPH06236938A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116040569A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-05-02 | 苏州研材微纳科技有限公司 | 适于mems器件的悬挂绝热封装结构及制备方法 |
| CN116040569B (zh) * | 2022-12-29 | 2026-02-03 | 苏州研材微纳科技有限公司 | 适于mems器件的悬挂绝热封装结构及制备方法 |
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