JPH06236956A

JPH06236956A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH06236956A
Application number: JP5021365A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiko Tada; 信彦多田; Naoki Mitsuyanagi; 直毅三柳; Yoshiaki Shimomura; 義昭下村; Shigeyuki Sakurai; 茂行桜井; Yoshiya Nagano; 義也長野
Original assignee: Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Current assignee: Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority date: 1993-02-09
Filing date: 1993-02-09
Publication date: 1994-08-23

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置のリードフレームが損傷や変形を起
こしたり他の部品に干渉することなく、高い信頼性と高
強度を保つことができるようにすると共に、取扱いを容
易にする。【構成】半導体チップ２をダイパッド３に接合すると共
に、半導体チップ２の端子部分まで伸ばしたリードフレ
ーム４の先端部分を金バンプ７を介して直接この端子に
接続する。また、樹脂モールド部５内部においてリード
フレーム４の該端子に至る途中に凸部４ａを形成し、凸
部４ａの外方に位置する屈曲した部分を残してそれより
も外方のリードフレーム４及び枠材１１を切除する。こ
れにより露出部４ｂ及び屈曲部４ｃが形成される。この
半導体装置１は露出部４ｂを接続端子としてＣＯＢ方式
により基板上に実装される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に係わり、特に、アウターリードが外部に突出せ
ず、ＣＯＢ（Chip On Board）と呼ばれる方式により基
板上に搭載される半導体装置及びその製造方法に係わ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置のプラスチックフラッ
トパッケージは、例えば特開昭６０−８８４４７号公
報、特開平１−１２８８９３号公報等に記載のように、
金属製のリードフレーム上に樹脂モールドによって半導
体チップが封止されている。

【０００３】このうち、特開昭６０−８８４４７号公報
に記載の技術では、ダイパッド上に搭載された半導体チ
ップの端子とリードフレームのインナーリードとが金線
等のワイヤによりワイヤボンディングされる。また、リ
ードフレームのアウターリードの外方部分をモールドの
表面に露出させており、この露出させたアウターリード
を基板上への実装用の端子として使用する。これによ
り、アウターリードが変形したり損傷したりすることが
低減され、端子としての信頼性が向上する。

【０００４】また、特開平１−１２８８９３号公報に記
載の技術では、搭載された半導体チップの端子とリード
フレームのインナーリードとはハンダ等のバンプにより
接続され、インナーリードの半導体チップの端子への接
続部分、即ちインナーリードの先端部分をモールドの表
面に露出させている。また、半導体チップのインナーリ
ードが接続された側の面の一部もモールドされずに露出
している。さらに、リードフレームのアウターリード外
方部分をモールドのインナーリードが露出する面とは反
対の面に露出させており、この露出させたアウターリー
ドを基板上への実装用の端子として使用する。この半導
体装置のアウターリードも上記特開昭６０−８８４４７
号公報に記載のものと同様の形状をしているので、アウ
ターリードが変形したり損傷したりすることが低減さ
れ、端子としての信頼性が向上する。

【０００５】一方、半導体チップを基板上に直接搭載す
る方式としてＣＯＢ（Chip On Board）法と呼ばれる方
式がある。これは半導体チップをそのまま基板に搭載し
てその端子と基板の回路パターンとを接続する方式であ
り、当然半導体チップにはリードフレームが取り付けら
れておらず、従ってアウターリードは存在せず、半導体
チップの端子が接続用に利用される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、特開昭
６０−８８４４７号公報及び特開平１−１２８８９３号
公報に記載の技術によれば、アウターリードが変形した
り損傷したりすることが低減され、端子としての信頼性
がある程度向上するが、依然としてアウターリードが樹
脂モールドより突出しているために、アウターリードの
変形や損傷が十分に防止されるとは言えず、さらに輸送
中に他の半導体装置やその他の電子部品にこの突出した
アウターリードが引っかかって干渉し易く他の部品等を
破損させる恐れがある。

【０００７】また、ＣＯＢ方式においてはアウターリー
ドが存在しないため上記のような問題が生じないが、次
のような別の問題点がある。即ち、従来のＣＯＢ方式で
使用される半導体チップはフリップチップと呼ばれるも
ので、多くの場合そのサイズは小さく、そのために取扱
いが容易ではなく、基板上への実装時には高い位置決め
精度が要求される。また、近年における電子機器の小型
化や高性能化に対応して基板上の回路パターンも極めて
微細なものが必要とされるため、ＣＯＢ方式を採用する
場合には基板の製作が容易でなく、端子接続も特殊な接
続装置等を必要とし技術的にも難しい。また、半導体チ
ップを裸のまま取り扱うために通常のＩＣチップに比べ
て煩わしい前処理を必要とし、その前処理の内容も限定
され、さらに、半導体チップ自体は衝撃に対する強度が
弱く、周囲の環境に対しても非常にデリケートでありそ
の影響を受け易い。

【０００８】本発明の目的は、リードフレームが損傷や
変形を起こしたり他の部品に干渉することなく、高い信
頼性と高強度を保つことができ取扱いが容易な半導体装
置及びその製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、半導体チップの端子をリードフレ
ームに電気的に接続し、これら半導体チップ及びリード
フレームをモールド部にて一体に封止した半導体装置に
おいて、前記リードフレームの該端子に至る途中部分に
前記モールド部の表面に露出する露出部が形成され、前
記リードフレームの長手方向外方の端部が前記モールド
部内部に屈曲していることを特徴とする半導体装置が提
供される。

【００１０】上記半導体装置において、好ましくは、前
記リードフレームはその長手方向内方の端部が前記半導
体チップの端子部分まで伸びて該端子に接続されてい
る。

【００１１】上記半導体装置において、好ましくは、前
記リードフレームの露出部を、相隣り合う前記リードフ
レーム間で長手方向にずらせて形成する。

【００１２】また上記半導体装置において、好ましく
は、前記リードフレームの途中部分に、前記露出部に対
して反対側の前記モールド部の表面に露出する他の露出
部をさらに形成する。

【００１３】また、上記目的を達成するため、本発明に
よれば、半導体チップの端子をリードフレームに電気的
に接続し、これら半導体チップ及びリードフレームをモ
ールド部にて一体に封止した半導体装置の製造方法にお
いて、一枚の金属板からリードフレームを形成し、この
リードフレームの途中に前記モールド部の表面に露出す
るように凸部を形成し、前記リードフレームの長手方向
内方の端部に前記半導体チップ端子が対向するよう半導
体チップを配置し、前記リードフレームの長手方向内方
の端部と前記半導体チップの端子とを接続し、その後、
前記凸部のリードフレーム長手方向外方に位置する屈曲
した部分を残してそれよりも外方のリードフレームを切
除し、次いでこれら半導体チップ及びリードフレームを
モールドにて一体的に封止することを特徴とする半導体
装置の製造方法が提供される。

【００１４】また上記半導体装置の製造方法において、
好ましくは、前記リードフレームの途中に前記凸部を形
成した直後に、前記凸部の露出する面、または前記凸部
の露出する面に対する反対の面に補強テープを貼付け
る。

【００１５】

【作用】以上のように構成した本発明においては、リー
ドフレームの途中部分に形成された露出部はモールド部
によって強固にかつ正確に固定されるため、この露出部
を接続端子としてＣＯＢ方式と同様の方式で基板上に実
装することができ、しかも寸法精度がよく実装時の位置
決めが容易となり、信頼性が向上する。また、ファイン
ピッチ化によりリードフレームは内方ほどピッチが狭く
外方ほどピッチが広い放射状の形状となるが、露出部を
リードフレームの途中部分に形成することにより、相隣
り合う露出部、即ち接続端子の間隔が半導体チップの端
子の間隔に比べて広くなり、基板上の回路パターンを微
細にする必要がなくなって基板の製作が楽になる。ま
た、基板上への半導体装置の実装時に端子接続が容易に
なり、従来のワイヤボンディング法の他、ハンダバンプ
を用いる方法や従来のＱＦＰ（Quad Flat Package）と
同様のリフローハンダ付けによる方法が可能となる。

【００１６】また、リードフレームの長手方向外方の端
部、即ち半導体チップの端子に接続される側とは反対の
端部をモールド部内部に屈曲させることにより、リード
フレームのその端部はモールド部内部に埋め込まれるこ
とになり、リードフレームが変形したり損傷したりする
ことがなく、さらにリードフレームが他の部品等に干渉
して破損させることがない。

【００１７】また、半導体チップ及びリードフレームを
上記のような状態でモールド部により一体に封止した本
発明の半導体装置は、ＣＯＢ方式で実装する場合、従来
の裸の半導体チップに比較して十分大きいサイズであ
り、その取扱いは容易で、位置決め精度も向上する。さ
らに、半導体チップがモールド部で保護されていること
により、煩わしい前処理を必要とせずに通常のＩＣチッ
プと同様の前処理を行うことが可能であり、その上衝撃
に対する強度も向上し、周囲の環境の影響も受けにく
い。

【００１８】ところで、近年における電子機器の小型化
や高性能化に対応するためにリードフレームのファイン
ピッチ化を目指した加工方法として、本件出願人は、エ
ッチングで加工できない微細ピッチのインナーリードの
先端部分だけをＹＡＧレーザで切断し、残りはエッチン
グ及びプレスで事前または事後に加工する加工方法を先
に提案し、出願している（特願平４−３１３６１５号：
平成４年１１月２４日出願）。この加工方法により、板
厚０．１５ｍｍの素材を用いインナーリードの先端部分
を０．０７ｍｍ程度のピッチまで切断可能となった。本
発明では、上記微細加工の技術により微細ピッチに加工
したリードフレームの長手方向内方の端部を半導体チッ
プの端子近傍まで伸ばし、その先端を該端子に直接接合
することで、リードフレームと半導体チップを電気的に
接続する。これにより、リードフレームと半導体チップ
とを金バンプを用いて一括で接続できるので、加工時間
が短縮する。

【００１９】また、本発明においては、リードフレーム
の露出部を、相隣り合うリードフレーム間で長手方向に
ずらせて形成することにより、露出部の間隔がさらに広
くなり、基板の製作や端子接続がさらに容易になる。

【００２０】また、上記露出部に対して反対側のモール
ド部の表面に露出する他の露出部をさらに形成すること
により、上記他の露出部を回路検査用の検査端子、また
は基板への実装後の電気部品の追加や回路変更のための
接続端子として使用することが可能となる。

【００２１】また、リードフレームの一端を半導体チッ
プの端子近傍まで伸ばしてこれらを直接接合するのでは
なく、リードフレームと半導体チップの端子を従来のワ
イヤーボンディング法で接続してもよい。

【００２２】以上の半導体装置は上記本発明の製造方法
により製造できる。この本発明の製造方法においては、
リードフレームの途中にモールド部の表面に露出するよ
うに凸部を形成し、リードフレームと半導体チップの端
子を接続後に、上記凸部のリードフレーム長手方向外方
に位置する屈曲した部分を残してそれよりも外方のリー
ドフレームを切除することにより、上述した露出部、及
びモールド部内部に屈曲する部分が形成される。

【００２３】また、リードフレームの途中に上記凸部を
形成した後に、凸部の露出する面またはその反対の面に
補強テープを貼付けることにより、リードフレームと半
導体チップの端子を接続後に上記凸部の外方のリードフ
レームを切除し個々に分離しても、これらの位置がずれ
たり、ばらばらになることが防止される。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の一実施例による半導体装置を
図１及び図２により説明する。本実施例はＣＯＢ（Chip
On Board）と呼ばれる方式によって基板上に搭載され
る半導体装置に本発明を適用した例である。

【００２５】図１及び図２において、本実施例の半導体
装置１は半導体チップ２と、半導体チップ２の上側に位
置しこれを搭載したダイパッド３と、半導体チップ２の
端子に電気的に接続されたリードフレーム４と、これら
半導体チップ２、ダイパッド３及びリードフレーム４を
一体的に封止した樹脂モールド部５とで構成されてい
る。リードフレーム４はその長手方向内方の端部が半導
体チップ２の端子部分まで伸びて該端子に金バンプ７に
より電気的に接続されると共に、樹脂モールド部５の内
部においてリードフレーム４の該端子に至る途中に凸部
４ａが形成されている。この凸部４ａは、樹脂モールド
部５の表面に露出するように形成され、その露出部４ｂ
には接続端子として使用する場合に接続がし易いように
ハンダメッキ（図示していない）が施されている。ま
た、リードフレーム４の長手方向外方の端部、即ち半導
体チップ２の端子に接続されていない方の端部には屈曲
部４ｃが形成され、この屈曲部４ｃは樹脂モールド部５
の内部に屈曲している。つまり、リードフレーム４の外
方の端部は、樹脂モールド部５の内部に埋め込まれる状
態で終端しており、従来のＱＦＰにあるような樹脂モー
ルド部５から突出するアウターリードは存在しない。ま
た、リードフレーム４の内方部分は図２に示すように放
射状に配置され、かつその部分の幅は半導体チップ２に
近づくにしたがって次第に狭くなっている。さらに、半
導体チップ２は、回路形成面をダイパッド３に向けて熱
硬化性の接着剤６でダイパッド３に接合されている。

【００２６】以上のように構成した半導体装置１におい
ては、樹脂モールド部５の内部においてリードフレーム
４のチップ端子に至る途中に凸部４ａを形成したので、
凸部４ａは樹脂モールド部によって強固にかつ正確に固
定され、この凸部４ａの露出部４ｂを接続端子としてＣ
ＯＢ方式と同様の方式で基板上に実装することができ、
しかも寸法精度がよく実装時の位置決めが容易となり、
信頼性が向上する。さらに、リードフレーム４のピッチ
は図２に示す通り半導体チップ２に近づくに従って狭く
なるが、凸部４ａをリードフレーム４ｂの途中部分に形
成するので、相隣り合う露出部４ｂ、即ち接続端子の間
隔が半導体チップ２の端子の間隔に比べて広くなる。従
って、基板上の回路パターンを微細にする必要がなく基
板の製作が楽になり、また基板上への半導体装置の実装
時に端子接続が容易になって、従来のワイヤボンディン
グ法の他、ハンダバンプを用いる方法や従来のＱＦＰ
（Quad Flat Package）と同様のリフローハンダ付けに
よる方法が可能となる。また、ポリイミドフィルム上に
形成したＣｕ箔のリードと半導体チップの端子とを直接
接合するＴＡＢ（Tap Automated Bonding ）方式の半導
体装置等に比べても実装時の取扱いが極めて容易であ
る。

【００２７】また、リードフレーム４の外方の端部の屈
曲部４ｃが樹脂モールド部５の内部に屈曲している。こ
れにより、リードフレーム４の外方の端部は樹脂モール
ド部５の内部に埋め込まれる状態で終端することにな
り、リードフレームが外部の他の部品等に引っかかって
変形したり損傷したりすることがなく、またリードフレ
ームが他の部品等に干渉して破損させることがない。ま
た、リードフレーム４の長手方向外方の端部を樹脂モー
ルド部５内部に屈曲させずに、樹脂モールド部５の表面
においてこの端部を終端させてもよく、この場合にはそ
の終端部は樹脂モールド部５で強固に固定されているた
めに上記と同様の効果が得られる。

【００２８】また、本実施例の半導体装置１は、半導体
チップ２及びリードフレーム４を図１のような状態で樹
脂モールド部５により一体に封止するので、従来の裸の
半導体チップに比較して十分大きいサイズとなり、ＣＯ
Ｂ方式で実装する場合、取扱いが容易で、位置決め精度
も向上する。逆に、半導体チップ２自体の大きさをさら
に小さくすることができ、一層の高密度化や高集積化に
対応することができる。また、半導体チップ２が樹脂モ
ールド部５で保護されているので、煩わしい前処理を必
要とせずに通常のＩＣチップと同様の前処理を行うこと
が可能である。さらに、半導体チップ２は、通常脆くて
欠け易いＳｉ等を素材としているが、樹脂モールド部５
によって保護されているので衝撃に対する強度が向上
し、半導体チップ２自体が露出していないため、熱や湿
度やその他の周囲の環境の影響も受けにくい。

【００２９】次に、上述した半導体装置１の製造方法の
一実施例を図３〜図５により説明する。まず、ステップ
１００において、例えば鋼、銅合金，４２アロイ、コバ
ール等の金属板をレベラーにかけ、所定厚さに加工す
る。次にステップ１０１において、その金属板を加工
し、図４に示すように、ダイパッド３及びリードフレー
ム４と、これらを製造途中に支持するためのダムバー１
０及びガイド穴１２を有する周辺枠材１１とを形成す
る。このとき、リードフレーム４のリードフレーム４
は、後ほど凸部を形成した際においてもその先端が半導
体チップ２の端子部分まで伸びる長さに成形する。ま
た、リードフレーム４の先端部分のピッチは金属板の板
厚が０．１５ｍｍの場合で０．０７ｍｍ程度とする。リ
ードフレーム４の先端部分をこのような長さ及び微細ピ
ッチとすることにより、高集積化され微細ピッチを持つ
半導体チップの端子にリードフレーム４を直接接続する
ことが可能となる。このような微細ピッチを持つリード
フレーム４の加工は、先に述べた先願発明の加工方法に
よって実現可能である。次に、上記のように加工した金
属板の全面にハンダメッキ処理を施す。

【００３０】次に、ステップ１０２において、金型プレ
ス等を用いてリードフレーム４の途中に凸部４ａを形成
する。この凸部４ａの高さはモールド後において樹脂モ
ールド部５の表面に露出できるような寸法とする。そし
て、ステップ１０３において、凸部４ａの露出する面、
即ち露出部４ｂの表面に補強テープ８を貼付ける（図４
参照）。このようにすれば、凸部４ａの外方のリードフ
レーム４及び枠材１１を切除し個々にリードフレームを
個々に分離しても（後述するステップ１０７の工程参
照）、これらの位置がずれたり、ばらばらになることが
防止される。尚、この補強テープ８は凸部４ａの露出す
る面に対する反対の面、即ち露出部４ｂの裏面に貼り付
けてもよい。補強テープ８が貼り付けられた状態を図４
に示す。

【００３１】尚、上記ステップ１０１でリードフレーム
４の内方の端部、即ち半導体チップ２の端子に接続され
る側の端部を連結した状態に形成しておき、ステップ１
０３で補強テープ８を貼り付けた後にリードフレーム４
の内方の端部を個々に分離してもよい。これにより、個
々のリードフレーム４の内方の端部が連結した状態にお
いてはその部分で、また補強テープ８が貼り付けられた
後はその補強テープで８でリードフレーム４の位置ずれ
が防止される。

【００３２】次にステップ１０４において、半導体チッ
プ２の回路形成面に熱硬化性の接着剤を塗布すると共
に、半導体チップ２の端子に金バンプを配置する。な
お、熱硬化性の接着剤を塗布する前に、半導体チップ２
の回路形成面には予め電気絶縁性の保護膜を形成してお
くことが好ましい。

【００３３】次にステップ１０５において、上記のよう
に形成された金属板のダイパッド３上に半導体チップ２
を搭載する。このとき、半導体チップ２は接着剤の塗布
した回路形成面をダイパッド３に対向するように配置
し、かつリードフレーム４の先端を半導体チップ２の端
子に配置された金バンプに一致させる。

【００３４】次にステップ１０６において、ダイパッド
３の上から高温に加熱したコテを押し当てることで熱と
圧力を加え、熱硬化性の接着剤を硬化させて半導体チッ
プとダイパッド３を接着する。また、リードフレーム４
の先端部分にも同様に高温に加熱したコテを押し当てる
ことで熱と圧力を加え、リードフレーム４の先端と半導
体チップ２の端子を金バンプを介して電気的に接続す
る。この場合、２つのコテを一緒に押し当てることによ
り、半導体チップ２とダイパッド３の接合とリードフレ
ーム先端とチップ端子との接続は同時に行われる。この
接続が完了した状態を図５に示す。

【００３５】次にステップ１０７において、凸部４ａの
リードフレーム長手方向にみて外方に位置する屈曲した
部分を残してそれよりも外方のリードフレーム４及び枠
材１１を切除する。これによって露出部４ｂ及び屈曲部
４ｃが形成される。また、リードフレーム４に屈曲部４
ｃを形成せずに露出部４ｂの途中でリードフレーム４を
終端させてもよい。

【００３６】次にステップ１０８において、半導体チッ
プ２、ダイパッド３及びリードフレーム４を樹脂モール
ドにて一体的に封止し、樹脂モールド部５を形成する。
この段階ではステップ１０２でリードフレーム４の途中
に形成した凸部４ａの露出部４ｂ表面には補強テープ８
が貼り付けられたままの状態であるので、樹脂モールド
部５の表面を研削し露出部４ｂの清浄な表面を完全に露
出させる。さらにこの露出部４ｂを接続端子として使用
する時に接続がし易いようにこの部分にハンダメッキを
施す。尚、図示していないが、露出部４ｂをさらに電気
絶縁材で覆うことにより、露出部４ｂが保護される。

【００３７】次にステップ１０９において、半導体チッ
プ２とリードフレーム４との接続状況を検査し、ステッ
プ１１０において、製造番号や製品番号等をマーキング
し、最後にステップ１１１において製品の検査をし、包
装して出荷する。

【００３８】以上の半導体装置１の製造方法によれば、
リードフレーム４の途中に樹脂モールド部５の表面に凸
部４ａを形成し、半導体チップ２との接続後に凸部４ａ
の外方に位置する屈曲した部分を残してそれよりも外方
のリードフレーム４及び枠材１１を切除するので、露出
部４ｂ及び屈曲部４ｃを形成することができる。また、
リードフレーム４に屈曲部４ｃを形成せずに、樹脂モー
ルド部５の表面、即ち露出部４ｂの途中においてリード
フレーム４を終端させても先述した理由から同様の効果
が得られる。

【００３９】また、リードフレーム４の途中に凸部４ａ
を形成した後に、凸部４ａ露出する面またはその反対の
面に補強テープ８を貼付けることにより、凸部４ａの外
方のリードフレーム４及び枠材１１を切除しリードフレ
ーム個々に分離しても、これらの位置がずれたり、ばら
ばらになることが防止される。

【００４０】また、以上の半導体装置１の製造方法にお
いては、リードフレーム４とチップ端子との接続は金バ
ンプを介して直接行われる。したがって、リードフレー
ム４と半導体チップ２とを一括で接続できるので、加工
時間が短縮し、半導体装置の製造工程が大幅に簡素化さ
れ量産性が向上する。また、半導体チップ２の位置決め
精度の向上等が図れ、半導体装置の信頼性が著しく高め
られる。

【００４１】尚、上記のようにリードフレーム４の一端
を半導体チップ２の端子近傍まで伸ばしてこれらを直接
接合するのではなく、リードフレーム４と半導体チップ
２の端子を従来のワイヤーボンディング法で接続しても
よい。

【００４２】本発明の他の実施例を図６により説明す
る。本実施例においては、相隣り合うリードフレーム４
の凸部４ｄ及び４ｅをリードフレームの長手方向にずら
せて形成し、さらにそれぞれ露出部４ｆ，４ｇ及び屈曲
部４Ｆ，４Ｇを形成している。これ以外の構成は図１の
実施例と同様である。このように構成した本実施例によ
れば、凸部４ｄ，４ｅのそれぞれの露出部４Ｆ，４Ｇの
間隔を、半導体チップ２の端子の間隔に比べて広くする
ことができることは勿論、これらをずらせずに形成した
ときに比べさらに広くすることができ、基板の製作や端
子接続がさらに容易になる。尚、本実施例ではダイパッ
ドがないが、勿論これを設けてもよい。

【００４３】本発明のさらに他の実施例を図７により説
明する。本実施例においては、樹脂モールド部５の一方
の面に露出する露出部４ｈに加え、露出部４ｈが露出し
ている面とは反対の面に露出部４ｉをさらに形成してい
る。そして、図１と同様に、露出部４ｉの端部の屈曲部
４ｊを残してリードフレーム部分が切除されており、こ
の屈曲部４ｊは樹脂モールド部５の内部に屈曲してい
る。つまり、図１と同様に、リードフレーム４の端部は
樹脂モールド部５の内部に埋め込まれる状態で終端する
ことになる。また、この露出部４ｈ，４ｉ及び屈曲部４
ｊの形成方法としては、まずリードフレーム４に露出部
４ｈとなる凸部を形成し、次にリードフレーム４の外方
部分を切除し、その後露出部４ｉとなる凸部を形成する
方法が一例としてあげられる。

【００４４】このように構成した本実施例によれば、Ｃ
ＯＢ方式を採用して基板上への実装ができると共に、露
出部４ｈまたは４ｉを回路検査用の検査端子、または基
板への実装後の電気部品の追加や回路変更のための接続
端子として使用することができる。

【００４５】

【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、リードフ
レームが損傷や変形を起こしたり他の部品に干渉するこ
となく、高い信頼性と高強度を保つことができると共
に、取扱いを容易にすることができる。

【００４６】また、ＣＯＢ方式と同様の方式で基板上に
実装することができ、しかも寸法精度がよく実装時の位
置決めが容易となり、信頼性が向上する。また、これを
実装する基板の製作も容易になり、基板上への実装時の
接続方法も種々の方法を利用できる。さらに、従来の裸
の半導体チップを使用せずにモールド部で保護できるの
で、通常のＩＣチップと同様の前処理を行うことがで
き、衝撃に対する強度が向上し、周囲の環境の影響も受
けにくい。

【００４７】また、本発明の製造方法によれば、リード
フレームのピッチを微細化し、かつ半導体装置の精度及
び信頼性を向上できると共に、半導体装置の製造工程が
簡単化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体装置の断面図で
ある。

【図２】図１に示す半導体装置の樹脂モールド部を除去
して示す平面図である。

【図３】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
の製造工程を示す図である。

【図４】図３に示す製造工程において、リードフレーム
に補強テープを貼り付けた後の金属板の平面図である。

【図５】図３に示す製造工程において、ダイパッドとリ
ードフレームに半導体チップを接合、接続した状態を示
す平面図である。

【図６】本発明の他の実施例による半導体装置の断面図
である。

【図７】本発明のさらに他の実施例による半導体装置の
断面図である。

【符号の説明】

１半導体装置２半導体チップ３ダイパッド４リードフレーム４ａ凸部４ｂ露出部４ｃ屈曲部４ｄ，４ｅ凸部４ｆ，４ｇ露出部４Ｆ，４Ｇ屈曲部４ｈ，４ｉ露出部４ｊ屈曲部５樹脂モールド部６接着剤７金バンプ８補強テープ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｊ 8617−4Ｍ (72)発明者桜井茂行茨城県土浦市神立町650番地日立建機株式会社土浦工場内 (72)発明者長野義也茨城県土浦市神立町650番地日立建機株式会社土浦工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップの端子をリードフレームに
電気的に接続し、これら半導体チップ及びリードフレー
ムをモールド部にて一体に封止した半導体装置におい
て、前記リードフレームの該端子に至る途中部分に前記モー
ルド部の表面に露出する露出部が形成され、前記リード
フレームの長手方向外方の端部が前記モールド部内部に
屈曲していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、前
記リードフレームはその長手方向内方の端部が前記半導
体チップの端子部分まで伸びて該端子に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、前
記リードフレームの露出部を、相隣り合う前記リードフ
レーム間で長手方向にずらせて形成したことを特徴とす
る半導体装置。
【請求項４】請求項１記載の半導体装置において、前
記リードフレームの途中部分に、前記露出部に対して反
対側の前記モールド部の表面に露出する他の露出部をさ
らに形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】半導体チップの端子をリードフレームに
電気的に接続し、これら半導体チップ及びリードフレー
ムをモールド部にて一体に封止した半導体装置の製造方
法において、一枚の金属板からリードフレームを形成し、このリード
フレームの途中に前記モールド部の表面に露出するよう
に凸部を形成し、前記リードフレームの長手方向内方の
端部に前記半導体チップ端子が対向するよう半導体チッ
プを配置し、前記リードフレームの長手方向内方の端部
と前記半導体チップの端子とを接続し、その後、前記凸
部のリードフレーム長手方向外方に位置する屈曲した部
分を残してそれよりも外方のリードフレームを切除し、
次いでこれら半導体チップ及びリードフレームをモール
ドにて一体的に封止することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
【請求項６】請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記リードフレームの途中に前記凸部を形成し
た直後に、前記凸部の露出する面に補強テープを貼付け
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記リードフレームの途中に前記凸部を形成し
た直後に、前記凸部の露出する面に対する反対の面に補
強テープを貼付けることを特徴とする半導体装置の製造
方法。