JPH06236980A - フォトセンサ - Google Patents
フォトセンサInfo
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- JPH06236980A JPH06236980A JP5047360A JP4736093A JPH06236980A JP H06236980 A JPH06236980 A JP H06236980A JP 5047360 A JP5047360 A JP 5047360A JP 4736093 A JP4736093 A JP 4736093A JP H06236980 A JPH06236980 A JP H06236980A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度で、高分解能の密着型のフォトセンサ
を提供することを目的とする。 【構成】 フォトセンサ１０は複数のセンサ部１１がラ
イン状に形成されたものであり、各センサ部１１は絶縁
性基板１２上に形成された遮光性・絶縁性を有する四角
形の遮光層１３を有する。遮光層１３には第１導光窓１
４が形成され、遮光層１３及び絶縁性基板１２を覆って
透明絶縁膜１５が形成される。透明絶縁膜１５を挟み遮
光層１３上にシリコン薄膜層１６が形成され、そのチャ
ネル領域１６ａには第２導光窓１７が形成される。チャ
ネル領域１６ａの左右両側のソース・ドレイン領域１６
ｂ上にソース電極１８とドレイン電極１９が形成され、
これらを光透過性・絶縁性を有する保護層２０が覆って
いる。この保護膜２０内のシリコン薄膜層１６の上部に
透明なゲート電極２１が形成され、上記第１導光窓１４
及び第２導光窓１７は相対向する状態でシリコン薄膜層
１６のチャネル長さ方向に長く、その幅方向に短い長方
形に形成されている。
を提供することを目的とする。 【構成】 フォトセンサ１０は複数のセンサ部１１がラ
イン状に形成されたものであり、各センサ部１１は絶縁
性基板１２上に形成された遮光性・絶縁性を有する四角
形の遮光層１３を有する。遮光層１３には第１導光窓１
４が形成され、遮光層１３及び絶縁性基板１２を覆って
透明絶縁膜１５が形成される。透明絶縁膜１５を挟み遮
光層１３上にシリコン薄膜層１６が形成され、そのチャ
ネル領域１６ａには第２導光窓１７が形成される。チャ
ネル領域１６ａの左右両側のソース・ドレイン領域１６
ｂ上にソース電極１８とドレイン電極１９が形成され、
これらを光透過性・絶縁性を有する保護層２０が覆って
いる。この保護膜２０内のシリコン薄膜層１６の上部に
透明なゲート電極２１が形成され、上記第１導光窓１４
及び第２導光窓１７は相対向する状態でシリコン薄膜層
１６のチャネル長さ方向に長く、その幅方向に短い長方
形に形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置やス
キャナ装置等に使用される、いわゆる密着型のフォトセ
ンサに関する。
キャナ装置等に使用される、いわゆる密着型のフォトセ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】ファクシミリ装置やスキャナ装置等にお
いては、小型化を図るために、いわゆる密着型のフォト
センサを使用しており、従来の密着型のフォトセンサ
は、図５に示すように構成されている。
いては、小型化を図るために、いわゆる密着型のフォト
センサを使用しており、従来の密着型のフォトセンサ
は、図５に示すように構成されている。
【０００３】すなわち、図４において、フォトセンサ１
は、透明基板２上にライン状に遮光層３が形成され、遮
光層３には、所定間隔毎に複数の導光窓４が形成されて
いる。各遮光層３上には、光電変換層５が形成されてお
り、センサ素子部６を構成している。これら透明基板
２、遮光層３及び光電変換層５を覆うように保護膜７が
形成されている。そして各導光窓４は、通常、１辺が１
００μｍ程度の四角形に形成される。
は、透明基板２上にライン状に遮光層３が形成され、遮
光層３には、所定間隔毎に複数の導光窓４が形成されて
いる。各遮光層３上には、光電変換層５が形成されてお
り、センサ素子部６を構成している。これら透明基板
２、遮光層３及び光電変換層５を覆うように保護膜７が
形成されている。そして各導光窓４は、通常、１辺が１
００μｍ程度の四角形に形成される。
【０００４】このフォトセンサ１は、透明基板２側に設
けられた蛍光灯や発光ダイオード等の光源（図示略）か
ら照射された光が、導光窓４を通して原稿８に照射さ
れ、原稿８に照射された光は、原稿８で反射されるが、
この反射光のうち、当該光の透過してきた導光窓４に隣
接するセンサ素子部６の位置する斜め方向に反射された
反射光のみが、その光電変換層５に入射され、光電変換
層５で光電変換されて、その光量が検出される。
けられた蛍光灯や発光ダイオード等の光源（図示略）か
ら照射された光が、導光窓４を通して原稿８に照射さ
れ、原稿８に照射された光は、原稿８で反射されるが、
この反射光のうち、当該光の透過してきた導光窓４に隣
接するセンサ素子部６の位置する斜め方向に反射された
反射光のみが、その光電変換層５に入射され、光電変換
層５で光電変換されて、その光量が検出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のフォトセンサ１にあっては、導光窓４を挟ん
で各センサ素子部６が隣接して形成されていたため、画
素毎、すなわち各センサ素子部６毎の分解能が悪いとい
う問題や、受光効率が悪く感度が悪いという問題があっ
た。
うな従来のフォトセンサ１にあっては、導光窓４を挟ん
で各センサ素子部６が隣接して形成されていたため、画
素毎、すなわち各センサ素子部６毎の分解能が悪いとい
う問題や、受光効率が悪く感度が悪いという問題があっ
た。
【０００６】すなわち、従来のフォトセンサ１にあって
は、図４に示すように、導光窓４を挟んで遮光性の各セ
ンサ素子部６が隣接して形成されており、光源からの照
射光が遮光層３により遮光されるので、導光窓４から原
稿８に照射された光は、各種方向に反射されるが、その
うち当該導光窓４に相隣接する２つのセンサ素子部６の
方向に斜めに反射された光のみが、各センサ素子部６の
光電変換層５に入射され、原稿８から光電変換層５に至
る反射光の光路長が、長くなる。反射光の光強度は、反
射光の光路長の２乗で減衰するため、画素からの距離に
対する反射光強度は、センサ素子部６間の中心、すなわ
ち各センサ素子部６の端部側において最大となり、該端
部位置から離れるに従ってその距離の２乗に比例して減
少する。その結果、反射光の光路が長い分だけ、光電変
換層５における受光効率が低下し、フォトセンサ１の感
度が悪いという問題があった。
は、図４に示すように、導光窓４を挟んで遮光性の各セ
ンサ素子部６が隣接して形成されており、光源からの照
射光が遮光層３により遮光されるので、導光窓４から原
稿８に照射された光は、各種方向に反射されるが、その
うち当該導光窓４に相隣接する２つのセンサ素子部６の
方向に斜めに反射された光のみが、各センサ素子部６の
光電変換層５に入射され、原稿８から光電変換層５に至
る反射光の光路長が、長くなる。反射光の光強度は、反
射光の光路長の２乗で減衰するため、画素からの距離に
対する反射光強度は、センサ素子部６間の中心、すなわ
ち各センサ素子部６の端部側において最大となり、該端
部位置から離れるに従ってその距離の２乗に比例して減
少する。その結果、反射光の光路が長い分だけ、光電変
換層５における受光効率が低下し、フォトセンサ１の感
度が悪いという問題があった。
【０００７】また、上述のように、導光窓４を通して原
稿８に入射された光は、当該導光窓４に相隣接するセン
サ素子部６の光電変換層５にそれぞれ反射されるが、図
５に示すように、光電変換層５により近い位置に入射さ
れた入射光ほど、光電変換層５に反射される反射光の光
路長が短く、入射光の入射位置が導光窓４の中心部に近
いほど、相隣接する光電変換層５に反射される反射光の
光路長が接近する。したがって、導光窓４の中心部に近
い位置に入射された光の反射光の光強度は、相隣接する
光電変換層５において、同等の大きさとなる。そして、
フォトセンサ１では、センサ素子部６と導光窓４が交互
に配設されているため、各センサ素子部６の光電変換層
５には、隣接して形成された導光窓４からのこのような
反射光が入射される。その結果、各光電変換層５に当該
光電変換層５に隣接する２つの導光窓４から入射された
光の反射光が上述のような光強度で入射されることとな
り、各光電変換層５で入射光が相隣り合う導光窓４のい
ずれの導光窓４から入射された光の反射光であるかを、
入射光の光強度だけでは判別し難く、各光電変換層５の
分解能が悪いという問題があった。
稿８に入射された光は、当該導光窓４に相隣接するセン
サ素子部６の光電変換層５にそれぞれ反射されるが、図
５に示すように、光電変換層５により近い位置に入射さ
れた入射光ほど、光電変換層５に反射される反射光の光
路長が短く、入射光の入射位置が導光窓４の中心部に近
いほど、相隣接する光電変換層５に反射される反射光の
光路長が接近する。したがって、導光窓４の中心部に近
い位置に入射された光の反射光の光強度は、相隣接する
光電変換層５において、同等の大きさとなる。そして、
フォトセンサ１では、センサ素子部６と導光窓４が交互
に配設されているため、各センサ素子部６の光電変換層
５には、隣接して形成された導光窓４からのこのような
反射光が入射される。その結果、各光電変換層５に当該
光電変換層５に隣接する２つの導光窓４から入射された
光の反射光が上述のような光強度で入射されることとな
り、各光電変換層５で入射光が相隣り合う導光窓４のい
ずれの導光窓４から入射された光の反射光であるかを、
入射光の光強度だけでは判別し難く、各光電変換層５の
分解能が悪いという問題があった。
【０００８】そこで、本発明は、いわゆるＭＯＳ型薄膜
を利用し、各センサ素子部の中心に光源からの光を原稿
等の被検知対象に照射するための導光窓を形成すること
により、高感度で、高分解能のフォトセンサを提供する
ことを目的としている。
を利用し、各センサ素子部の中心に光源からの光を原稿
等の被検知対象に照射するための導光窓を形成すること
により、高感度で、高分解能のフォトセンサを提供する
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトセンサ
は、光透過性を有する基板と、前記基板上に形成され照
射光を遮光する遮光層と、前記遮光層に形成され前記基
板側からの照射光を透過する第１導光窓と、前記遮光層
上に形成され、チャネル領域と該チャネル領域を挟んで
相対向するソース領域及びドレイン領域とを有するシリ
コン薄膜層と、前記シリコン薄膜層のチャネル領域の前
記第１導光窓と相対向する位置に形成され前記第１導光
窓を透過した照射光を透過する第２導光窓と、前記シリ
コン薄膜層上に形成された透明ゲート電極と、が積層さ
れることにより形成され、前記基板側から照射された光
が前記第１導光窓及び第２導光窓を通過して前記透明ゲ
ート電極側に位置する被検知対象に照射され、該被検知
対象からの反射光を前記シリコン薄膜のチャネル領域で
受光するフォトセンサであって、前記第１導光窓及び前
記第２導光窓が、前記チャネル領域の長さ方向に長く、
前記チャネル領域の幅方向に短い形状に形成されること
により、上記目的を達成している。
は、光透過性を有する基板と、前記基板上に形成され照
射光を遮光する遮光層と、前記遮光層に形成され前記基
板側からの照射光を透過する第１導光窓と、前記遮光層
上に形成され、チャネル領域と該チャネル領域を挟んで
相対向するソース領域及びドレイン領域とを有するシリ
コン薄膜層と、前記シリコン薄膜層のチャネル領域の前
記第１導光窓と相対向する位置に形成され前記第１導光
窓を透過した照射光を透過する第２導光窓と、前記シリ
コン薄膜層上に形成された透明ゲート電極と、が積層さ
れることにより形成され、前記基板側から照射された光
が前記第１導光窓及び第２導光窓を通過して前記透明ゲ
ート電極側に位置する被検知対象に照射され、該被検知
対象からの反射光を前記シリコン薄膜のチャネル領域で
受光するフォトセンサであって、前記第１導光窓及び前
記第２導光窓が、前記チャネル領域の長さ方向に長く、
前記チャネル領域の幅方向に短い形状に形成されること
により、上記目的を達成している。
【００１０】
【作用】本発明によれば、遮光層に形成された第１導光
窓と、シリコン薄膜層のチャネル領域に形成された第２
導光窓を介して照射光が通過され、基板側で反射された
反射光が前記シリコン薄膜のチャネル領域に照射され
る。
窓と、シリコン薄膜層のチャネル領域に形成された第２
導光窓を介して照射光が通過され、基板側で反射された
反射光が前記シリコン薄膜のチャネル領域に照射され
る。
【００１１】つまり、反射光の中心は、フォトセンサの
光電変換部であるチャネル領域の中心と一致しているも
のであるから、シリコン薄膜のチャネル領域に照射され
る反射光の光路長を大幅に短くすることができ、チャネ
ル領域に反射される反射光の光強度を大きくすることが
できる。その結果、フォトセンサの感度を向上させるこ
とができる。この場合、チャネル領域に形成される第２
導光窓は、チャネル長さ方向に長く、その幅方向に短く
形成されているので、第２導光窓形成による光電流の減
少を小さく抑えることができる。
光電変換部であるチャネル領域の中心と一致しているも
のであるから、シリコン薄膜のチャネル領域に照射され
る反射光の光路長を大幅に短くすることができ、チャネ
ル領域に反射される反射光の光強度を大きくすることが
できる。その結果、フォトセンサの感度を向上させるこ
とができる。この場合、チャネル領域に形成される第２
導光窓は、チャネル長さ方向に長く、その幅方向に短く
形成されているので、第２導光窓形成による光電流の減
少を小さく抑えることができる。
【００１２】また、各第１導光窓及び第２導光窓の周囲
が前記遮光層により遮光されているので、隣接する第２
導光窓から入射された光の反射光が、チャネル領域に入
射されても、その反射光の光路長は、そのチャネル領域
に形成された第２導光窓を通して入射された光の反射光
の光路長より遥かに長く、隣接する第２導光窓から入射
された光の反射光は、そのチャネル領域に形成された第
２導光窓を通して入射された光の反射光よりも大きく減
衰する。その結果、各チャネル領域に形成された第２導
光窓を通して入射された光の反射光と、隣接する第２導
光窓を通して入射された光の反射光とを確実に分離する
ことができ、フォトセンサの各画素毎の分解能を向上さ
せることができる。
が前記遮光層により遮光されているので、隣接する第２
導光窓から入射された光の反射光が、チャネル領域に入
射されても、その反射光の光路長は、そのチャネル領域
に形成された第２導光窓を通して入射された光の反射光
の光路長より遥かに長く、隣接する第２導光窓から入射
された光の反射光は、そのチャネル領域に形成された第
２導光窓を通して入射された光の反射光よりも大きく減
衰する。その結果、各チャネル領域に形成された第２導
光窓を通して入射された光の反射光と、隣接する第２導
光窓を通して入射された光の反射光とを確実に分離する
ことができ、フォトセンサの各画素毎の分解能を向上さ
せることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００１４】図１〜図５は、本発明のフォトセンサの一
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【００１５】図１はそのフォトセンサの部分上面図、図
２は図１のII−II矢視断面図、図３はその動作説明図、
図４はそのフォトセンサの画素中心からの距離と反射光
強度との関係を示す図である。
２は図１のII−II矢視断面図、図３はその動作説明図、
図４はそのフォトセンサの画素中心からの距離と反射光
強度との関係を示す図である。
【００１６】フォトセンサ１０は、図１及び図２に示す
ようなセンサ部１１が図１及び図２中左右方向にライン
状に複数形成されたフォトセンサアレイとして形成され
ており、各センサ部１１は、図１及び図２に示すよう
に、ガラス等からなる透明な絶縁性基板１２上に、四角
形の遮光層１３が形成されており、遮光層１３は、例え
ば、Ｃｒ等の遮光性を有する金属膜やシリコン蒸着膜等
で形成されている。遮光層１３の略中心には、長方形の
第１導光窓１４が形成されている。
ようなセンサ部１１が図１及び図２中左右方向にライン
状に複数形成されたフォトセンサアレイとして形成され
ており、各センサ部１１は、図１及び図２に示すよう
に、ガラス等からなる透明な絶縁性基板１２上に、四角
形の遮光層１３が形成されており、遮光層１３は、例え
ば、Ｃｒ等の遮光性を有する金属膜やシリコン蒸着膜等
で形成されている。遮光層１３の略中心には、長方形の
第１導光窓１４が形成されている。
【００１７】この遮光層１３及び絶縁性基板１２を覆う
ように、透明絶縁膜１５が形成されており、この透明絶
縁膜１５を挟んで遮光層１３上にシリコン薄膜層１６が
形成されている。シリコン薄膜層１６は、好ましくはｉ
型アモルファス・シリコン（ｉ−ａ−Ｓｉ）により形成
されており、中央部のチャネル領域１６ａ及びこのチャ
ネル領域１６ａを挟んで両側に形成されたソース・ドレ
イン領域１６ｂを有する。チャネル領域１６ａには、上
記第１導光窓１４と相似形で、第１導光窓１４よりは少
し大きめの長方形の第２導光窓１７が形成されている。
ように、透明絶縁膜１５が形成されており、この透明絶
縁膜１５を挟んで遮光層１３上にシリコン薄膜層１６が
形成されている。シリコン薄膜層１６は、好ましくはｉ
型アモルファス・シリコン（ｉ−ａ−Ｓｉ）により形成
されており、中央部のチャネル領域１６ａ及びこのチャ
ネル領域１６ａを挟んで両側に形成されたソース・ドレ
イン領域１６ｂを有する。チャネル領域１６ａには、上
記第１導光窓１４と相似形で、第１導光窓１４よりは少
し大きめの長方形の第２導光窓１７が形成されている。
【００１８】シリコン薄膜層１６のソース・ドレイン領
域１６ｂ上には、ソース電極１８及びドレイン電極１９
が相対向する状態で形成されており、シリコン薄膜層１
６とソース電極１８及びドレイン電極１９とは、直接、
あるいは図示しないリン等のドーパントが拡散されたア
モルファスシリコンよりなるｎ+ シリコン層を介して接
続されている。
域１６ｂ上には、ソース電極１８及びドレイン電極１９
が相対向する状態で形成されており、シリコン薄膜層１
６とソース電極１８及びドレイン電極１９とは、直接、
あるいは図示しないリン等のドーパントが拡散されたア
モルファスシリコンよりなるｎ+ シリコン層を介して接
続されている。
【００１９】これらシリコン薄膜層１６、ソース電極１
８、ドレイン電極１９及び透明絶縁膜１５を覆うように
保護膜２０形成されており、保護膜２０は、光透過性及
び絶縁性を有する材料、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）により形成されている。
８、ドレイン電極１９及び透明絶縁膜１５を覆うように
保護膜２０形成されており、保護膜２０は、光透過性及
び絶縁性を有する材料、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）により形成されている。
【００２０】この保護膜２０内であって上記シリコン薄
膜層１６の上部には、ゲート電極２１が形成されてお
り、ゲート電極２１は、上記ソース電極１８及びドレイ
ン電極１９の相対向する側の端部をも覆う大きさに形成
されている。ゲート電極２１は、透明導電膜（ＩＴＯ）
で形成されており、光を透過する。
膜層１６の上部には、ゲート電極２１が形成されてお
り、ゲート電極２１は、上記ソース電極１８及びドレイ
ン電極１９の相対向する側の端部をも覆う大きさに形成
されている。ゲート電極２１は、透明導電膜（ＩＴＯ）
で形成されており、光を透過する。
【００２１】このフォトセンサ１０の各センサ部１１
は、上述のように、シリコン薄膜層１６のソース・ドレ
イン領域１６ｂにソース電極１８及びドレイン電極１９
が接続され、絶縁体である保護膜２０を介してシリコン
薄膜層１６のチャネル領域１６ａに対向する位置にゲー
ト電極２１が形成されており、ＭＯＳ型トランジスタと
して機能する。
は、上述のように、シリコン薄膜層１６のソース・ドレ
イン領域１６ｂにソース電極１８及びドレイン電極１９
が接続され、絶縁体である保護膜２０を介してシリコン
薄膜層１６のチャネル領域１６ａに対向する位置にゲー
ト電極２１が形成されており、ＭＯＳ型トランジスタと
して機能する。
【００２２】そして、上記第１導光窓１４及び第２導光
窓１７は、図１に示すように、ＭＯＳ型トランジスタを
形成するチャネル領域１６ａのチャネル長さ方向、すな
わちソース電極１８−ドレイン電極１９方向に長く、そ
の幅方向に短い長方形に形成されている。
窓１７は、図１に示すように、ＭＯＳ型トランジスタを
形成するチャネル領域１６ａのチャネル長さ方向、すな
わちソース電極１８−ドレイン電極１９方向に長く、そ
の幅方向に短い長方形に形成されている。
【００２３】このフォトセンサ１０の製造方法は、特に
限定されるものではなく、通常の成膜技術、例えば、真
空蒸着法、スパッタ法あるいはプラズマＣＶＤ法等によ
り形成することができる。
限定されるものではなく、通常の成膜技術、例えば、真
空蒸着法、スパッタ法あるいはプラズマＣＶＤ法等によ
り形成することができる。
【００２４】このフォトセンサ１０は、上述のように、
その各センサ部１１に遮光層１３が形成されているた
め、光源から各センサ部１１に照射された光は、この遮
光層１３で遮光されるが、遮光層１３に第１導光窓１４
が形成されており、また遮光層１３上に形成されたシリ
コン薄膜層１６のチャネル領域１６ａにも第１導光窓１
４と対向する位置に第２導光窓１７が形成されているの
で、これら第１導光窓１４及び第２導光窓１７を透過し
て、原稿３０に照射される。また、各センサ部１１とセ
ンサ部１１との間には、本実施例では、遮光層１３が形
成されていないため、光源からの光は、この部分をも通
過して原稿３０に照射される。
その各センサ部１１に遮光層１３が形成されているた
め、光源から各センサ部１１に照射された光は、この遮
光層１３で遮光されるが、遮光層１３に第１導光窓１４
が形成されており、また遮光層１３上に形成されたシリ
コン薄膜層１６のチャネル領域１６ａにも第１導光窓１
４と対向する位置に第２導光窓１７が形成されているの
で、これら第１導光窓１４及び第２導光窓１７を透過し
て、原稿３０に照射される。また、各センサ部１１とセ
ンサ部１１との間には、本実施例では、遮光層１３が形
成されていないため、光源からの光は、この部分をも通
過して原稿３０に照射される。
【００２５】このようにして原稿３０に照射された光
は、原稿３０で乱反射されるが、図３中矢印で示す方向
に反射された反射光が、各センサ部１１のシリコン薄膜
層１６のチャネル領域１６ａに入射される。そして、こ
のチャネル領域１６ａに入射される反射光のうち、第１
導光窓１４及び第２導光窓１７を透過した光の反射光
は、第２導光窓１７がチャネル領域１６ａの略中央部に
形成されているため、図３に示すように、原稿３０面で
の反射角度が小さく、その光路長を、従来の画素に隣接
して導光窓を設けたフォトセンサよりも短くすることが
できる。その結果、シリコン薄膜層１６のチャネル領域
１６ａに入力される反射光の光強度は、第１導光窓１４
及び第２導光窓１７を透過した部分で大きくなり、受光
効率を向上させることができる。
は、原稿３０で乱反射されるが、図３中矢印で示す方向
に反射された反射光が、各センサ部１１のシリコン薄膜
層１６のチャネル領域１６ａに入射される。そして、こ
のチャネル領域１６ａに入射される反射光のうち、第１
導光窓１４及び第２導光窓１７を透過した光の反射光
は、第２導光窓１７がチャネル領域１６ａの略中央部に
形成されているため、図３に示すように、原稿３０面で
の反射角度が小さく、その光路長を、従来の画素に隣接
して導光窓を設けたフォトセンサよりも短くすることが
できる。その結果、シリコン薄膜層１６のチャネル領域
１６ａに入力される反射光の光強度は、第１導光窓１４
及び第２導光窓１７を透過した部分で大きくなり、受光
効率を向上させることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明のフォトセンサによれば、遮光層
に形成された第１導光窓と、シリコン薄膜層のチャネル
領域に形成された第２導光窓を介して照射光が通過さ
れ、基板側で反射された反射光が前記シリコン薄膜のチ
ャネル領域に照射される。
に形成された第１導光窓と、シリコン薄膜層のチャネル
領域に形成された第２導光窓を介して照射光が通過さ
れ、基板側で反射された反射光が前記シリコン薄膜のチ
ャネル領域に照射される。
【００２７】つまり、反射光の中心は、フォトセンサの
光電変換部であるチャネル領域の中心と一致しているも
のであるから、シリコン薄膜のチャネル領域に照射され
る反射光の光路長を大幅に短くすることができ、チャネ
ル領域に反射される反射光の光強度を大きくすることが
できる。その結果、フォトセンサの感度を向上させるこ
とができる。この場合、チャネル領域に形成される第２
導光窓は、チャネル長さ方向に長く、その幅方向に短く
形成されているので、第２導光窓形成による光電流の減
少を小さく抑えることができる。
光電変換部であるチャネル領域の中心と一致しているも
のであるから、シリコン薄膜のチャネル領域に照射され
る反射光の光路長を大幅に短くすることができ、チャネ
ル領域に反射される反射光の光強度を大きくすることが
できる。その結果、フォトセンサの感度を向上させるこ
とができる。この場合、チャネル領域に形成される第２
導光窓は、チャネル長さ方向に長く、その幅方向に短く
形成されているので、第２導光窓形成による光電流の減
少を小さく抑えることができる。
【００２８】また、各第１導光窓及び第２導光窓の周囲
が前記遮光層により遮光されているので、隣接する第２
導光窓から入射された光の反射光が、チャネル領域に入
射されても、その反射光の光路長は、そのチャネル領域
に形成された第２導光窓を通して入射された光の反射光
の光路長より遥かに長く、隣接する第２導光窓から入射
された光の反射光は、そのチャネル領域に形成された第
２導光窓を通して入射された光の反射光よりも大きく減
衰する。その結果、各チャネル領域に形成された第２導
光窓を通して入射された光の反射光と、隣接する第２導
光窓を通して入射された光の反射光とを確実に分離する
ことができ、フォトセンサの各画素毎の分解能を向上さ
せることができる。
が前記遮光層により遮光されているので、隣接する第２
導光窓から入射された光の反射光が、チャネル領域に入
射されても、その反射光の光路長は、そのチャネル領域
に形成された第２導光窓を通して入射された光の反射光
の光路長より遥かに長く、隣接する第２導光窓から入射
された光の反射光は、そのチャネル領域に形成された第
２導光窓を通して入射された光の反射光よりも大きく減
衰する。その結果、各チャネル領域に形成された第２導
光窓を通して入射された光の反射光と、隣接する第２導
光窓を通して入射された光の反射光とを確実に分離する
ことができ、フォトセンサの各画素毎の分解能を向上さ
せることができる。
【図１】本発明に係るフォトセンサの一実施例の上面
図。
図。
【図２】図１のII−II矢視断面図。
【図３】本発明のフォトセンサの動作説明図。
【図４】従来のフォトセンサの側面断面図。
１０ フォトセンサ １１ センサ部 １２ 絶縁性基板 １３ 遮光層 １４ 第１導光窓 １５ 透明絶縁膜 １６ シリコン薄膜層 １６ａ チャネル領域 １６ｂ ソース・ドレイン領域 １７ 第２導光窓 １８ ソース電極 １９ ドレイン電極 ２０ 保護膜 ２１ ゲート電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 29/40 Ａ 7376−4Ｍ 29/784 31/10 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 8721−5Ｃ 9056−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ３１１ Ｊ 8422−4Ｍ 31/10 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】 光透過性を有する基板と、 前記基板上に形成され照射光を遮光する遮光層と、 前記遮光層に形成され前記基板側からの照射光を透過す
る第１導光窓と、 前記遮光層上に形成され、チャネル領域と該チャネル領
域を挟んで相対向するソース領域及びドレイン領域とを
有するシリコン薄膜層と、 前記シリコン薄膜層のチャネル領域の前記第１導光窓と
相対向する位置に形成され前記第１導光窓を透過した照
射光を透過する第２導光窓と、 前記シリコン薄膜層上に形成された透明ゲート電極と、 が積層されることにより形成され、前記基板側から照射
された光が前記第１導光窓及び第２導光窓を通過して前
記透明ゲート電極側に位置する被検知対象に照射され、
該被検知対象からの反射光を前記シリコン薄膜のチャネ
ル領域で受光するフォトセンサであって、 前記第１導光窓及び前記第２導光窓が、前記チャネル領
域の長さ方向に長く、前記チャネル領域の幅方向に短い
形状に形成されたことを特徴とするフォトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047360A JPH06236980A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | フォトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047360A JPH06236980A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | フォトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236980A true JPH06236980A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12772961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5047360A Pending JPH06236980A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | フォトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236980A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531788B2 (en) | 2006-10-16 | 2009-05-12 | Casio Computer Co., Ltd. | Photosensor comprising light receiving elements and filters, and a corresponding target detection method and display panel |
| TWI402724B (zh) * | 2007-02-08 | 2013-07-21 | Casio Computer Co Ltd | 光電轉換裝置及備有此種光電轉換裝置之顯示板 |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP5047360A patent/JPH06236980A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531788B2 (en) | 2006-10-16 | 2009-05-12 | Casio Computer Co., Ltd. | Photosensor comprising light receiving elements and filters, and a corresponding target detection method and display panel |
| TWI402724B (zh) * | 2007-02-08 | 2013-07-21 | Casio Computer Co Ltd | 光電轉換裝置及備有此種光電轉換裝置之顯示板 |
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