JPH06237153A - パルス電源 - Google Patents
パルス電源Info
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- JPH06237153A JPH06237153A JP2230793A JP2230793A JPH06237153A JP H06237153 A JPH06237153 A JP H06237153A JP 2230793 A JP2230793 A JP 2230793A JP 2230793 A JP2230793 A JP 2230793A JP H06237153 A JPH06237153 A JP H06237153A
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Landscapes
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置構成の簡単化を図る。
【構成】 半導体スイッチ（ＳＷ）に直列に可飽和リア
クトル（ＳＩ1）を設けて磁気アシストを行い、エネル
ギー蓄積用コンデンサ（Ｃ0）の放電パルス電流を可飽
和トランス（ＳＴ）の一次電流として該トランスによる
昇圧動作でコンデンサ（Ｃ1、Ｃ2）を充電し、可飽和ト
ランスの磁気スイッチ動作によりコンデンサ（Ｃ1）を
反転充電し、コンデンサ（Ｃ1、Ｃ2）に倍電圧を得てパ
ルス圧縮した電流をレーザーヘッド（ＬＨ）に供給す
る。
クトル（ＳＩ1）を設けて磁気アシストを行い、エネル
ギー蓄積用コンデンサ（Ｃ0）の放電パルス電流を可飽
和トランス（ＳＴ）の一次電流として該トランスによる
昇圧動作でコンデンサ（Ｃ1、Ｃ2）を充電し、可飽和ト
ランスの磁気スイッチ動作によりコンデンサ（Ｃ1）を
反転充電し、コンデンサ（Ｃ1、Ｃ2）に倍電圧を得てパ
ルス圧縮した電流をレーザーヘッド（ＬＨ）に供給す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パルスレーザやパルス
プラズマ発生器、パルス脱硝装置等の電源として高電圧
・大電流パルスを発生するためのパルス電源に関する。
プラズマ発生器、パルス脱硝装置等の電源として高電圧
・大電流パルスを発生するためのパルス電源に関する。
【０００２】
【従来の技術】パルスレーザ励起やパルスプラズマ発生
用のパルス電源には、半導体スイッチと磁気スイッチに
なる可飽和リアクトルを用いた図４に示す構成のものが
ある。同図中、複数個直列接続されるサイリスタＴＨは
高電圧の半導体スイッチとされ、電源ＰＳによって高電
圧充電されたコンデンサＣ0と昇圧トランスＴＲの一時
巻線の直列回路を短絡することによりトランスＴＲの二
次回路に高圧パルスを発生する。
用のパルス電源には、半導体スイッチと磁気スイッチに
なる可飽和リアクトルを用いた図４に示す構成のものが
ある。同図中、複数個直列接続されるサイリスタＴＨは
高電圧の半導体スイッチとされ、電源ＰＳによって高電
圧充電されたコンデンサＣ0と昇圧トランスＴＲの一時
巻線の直列回路を短絡することによりトランスＴＲの二
次回路に高圧パルスを発生する。
【０００３】この発生電圧から３段の可飽和リアクトル
ＳＲ1、ＳＲ2、ＳＲ3とコンデンサＣ1，Ｃ2，Ｃ3の直列
回路で夫々にパルス圧縮した電流を得、最終段の可飽和
リアクトルＳＲ3と放電管になるレーザーヘッドＬＨに
パルス圧縮した高電圧・大電流パルスを得る。
ＳＲ1、ＳＲ2、ＳＲ3とコンデンサＣ1，Ｃ2，Ｃ3の直列
回路で夫々にパルス圧縮した電流を得、最終段の可飽和
リアクトルＳＲ3と放電管になるレーザーヘッドＬＨに
パルス圧縮した高電圧・大電流パルスを得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成において、
初段の半導体スイッチ（サイリスタＴＨ）は、レーザ発
振に必要な出力電圧の制御を負担し、可飽和リアクトル
の磁気スイッチ作用でパルス圧縮を行い、必要とするパ
ルス幅を得るのに可飽和リアクトルとコンデンサをはし
ご状に複数段設けている。
初段の半導体スイッチ（サイリスタＴＨ）は、レーザ発
振に必要な出力電圧の制御を負担し、可飽和リアクトル
の磁気スイッチ作用でパルス圧縮を行い、必要とするパ
ルス幅を得るのに可飽和リアクトルとコンデンサをはし
ご状に複数段設けている。
【０００５】ここで、一般的なパルスレーザ（例えばエ
キシマレーザ、横型励起ＣＯ2レーザ等）の放電励起に
は電源の出力電圧として数＋ＫＶを必要とするのに対
し、現在の半導体素子では数ＫＶの耐圧しか得られない
ため、半導体素子を多数個直列に接続し、またそのドラ
イブ回路やスナバ回路を設けて所期の耐電圧を得るよう
にしており、半導体素子の電力損失も考慮すると大型、
大容量の初段スイッチ構成になってしまう。
キシマレーザ、横型励起ＣＯ2レーザ等）の放電励起に
は電源の出力電圧として数＋ＫＶを必要とするのに対
し、現在の半導体素子では数ＫＶの耐圧しか得られない
ため、半導体素子を多数個直列に接続し、またそのドラ
イブ回路やスナバ回路を設けて所期の耐電圧を得るよう
にしており、半導体素子の電力損失も考慮すると大型、
大容量の初段スイッチ構成になってしまう。
【０００６】なお、昇圧トランスＴＲは、半導体素子の
数を減らすが、これは磁気パルス圧縮段数が増加し、パ
ルス圧縮のための可飽和リアクトルの負担が大きくな
る。
数を減らすが、これは磁気パルス圧縮段数が増加し、パ
ルス圧縮のための可飽和リアクトルの負担が大きくな
る。
【０００７】また、可飽和リアクトルの体積（個数）
は、電圧と通電時間の積（電圧時間積Ｖ×ｔ）に比例す
ることから、特に１段目の磁気圧縮には多数個の可飽和
リアクトルコアが必要となり、可飽和リアクトルとコン
デンサの回路をはしご状に複数段設ける構成では装置構
成が大型，高価になる。
は、電圧と通電時間の積（電圧時間積Ｖ×ｔ）に比例す
ることから、特に１段目の磁気圧縮には多数個の可飽和
リアクトルコアが必要となり、可飽和リアクトルとコン
デンサの回路をはしご状に複数段設ける構成では装置構
成が大型，高価になる。
【０００８】従来の他のパルス電源として、図５に示す
ように、電流上昇率（ｄｉ／ｄｔ）の大きなガス入放電
スイッチ素子Ｓ（サイラトロン等）を用い、そのスイッ
チングによるパルスをそのままレーザーヘッドＬＨに供
給するものがあるが、ガス入放電スイッチ素子Ｓの寿命
が約１０8パルスと短く、高い繰り返しの出力を得る電
源としては短寿命になり採用できない。
ように、電流上昇率（ｄｉ／ｄｔ）の大きなガス入放電
スイッチ素子Ｓ（サイラトロン等）を用い、そのスイッ
チングによるパルスをそのままレーザーヘッドＬＨに供
給するものがあるが、ガス入放電スイッチ素子Ｓの寿命
が約１０8パルスと短く、高い繰り返しの出力を得る電
源としては短寿命になり採用できない。
【０００９】本発明の目的は、装置構成の簡単化を図っ
たパルス電源を提供することにある。
たパルス電源を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、半導体スイッチと、この半導体スイッチに
直列接続されて磁気アシストを行う可飽和リアクトル
と、直流電圧で充電される第１のコンデンサと、前記コ
ンデンサと前記半導体スイッチ及び可飽和リアクトルに
一次巻線が直列接続され該半導体スイッチのオンによっ
て一次電流が供給されて昇圧出力を得ると共に磁気スイ
ッチ動作を得る可飽和トランスと、この可飽和トランス
の二次巻線に並列接続され該可飽和トランスのトランス
動作中の二次出力電流で充電され該可飽和トランスのト
ランス動作後の磁気スイッチ動作により反転充電される
第２のコンデンサと、この第２のコンデンサに直列接続
され前記可飽和トランスのトランス動作中の二次出力電
流で充電され該第２のコンデンサとの直列回路で放電管
にパルス放電電流を供給する第３のコンデンサとを備え
たことを特徴とする。
決するため、半導体スイッチと、この半導体スイッチに
直列接続されて磁気アシストを行う可飽和リアクトル
と、直流電圧で充電される第１のコンデンサと、前記コ
ンデンサと前記半導体スイッチ及び可飽和リアクトルに
一次巻線が直列接続され該半導体スイッチのオンによっ
て一次電流が供給されて昇圧出力を得ると共に磁気スイ
ッチ動作を得る可飽和トランスと、この可飽和トランス
の二次巻線に並列接続され該可飽和トランスのトランス
動作中の二次出力電流で充電され該可飽和トランスのト
ランス動作後の磁気スイッチ動作により反転充電される
第２のコンデンサと、この第２のコンデンサに直列接続
され前記可飽和トランスのトランス動作中の二次出力電
流で充電され該第２のコンデンサとの直列回路で放電管
にパルス放電電流を供給する第３のコンデンサとを備え
たことを特徴とする。
【００１１】
【作用】半導体スイッチを可飽和リアクトルで磁気アシ
ストすることによりスイッチング損失を低減すると共に
電流上昇率を高めるスイッチング動作を行い、このパル
ス電流に対して可飽和トランスのトランス動作により昇
圧したパルス電流で第２及び第３のコンデンサを高圧充
電し、この後の可飽和トランスの磁気スイッチ動作によ
り第２のコンデンサをＬＣ反転充電し、第２及び第３の
コンデンサの直列回路には倍電圧の高圧を得て放電管に
パルス圧縮した電流を供給する。
ストすることによりスイッチング損失を低減すると共に
電流上昇率を高めるスイッチング動作を行い、このパル
ス電流に対して可飽和トランスのトランス動作により昇
圧したパルス電流で第２及び第３のコンデンサを高圧充
電し、この後の可飽和トランスの磁気スイッチ動作によ
り第２のコンデンサをＬＣ反転充電し、第２及び第３の
コンデンサの直列回路には倍電圧の高圧を得て放電管に
パルス圧縮した電流を供給する。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す回路図であ
る。半導体スイッチＳＷは、ＧＴＯサイリスタ，ＳＩサ
イリスタ，ＩＧＢＴ等の半導体素子の複数個直列接続で
構成された初段スイッチにされる。
る。半導体スイッチＳＷは、ＧＴＯサイリスタ，ＳＩサ
イリスタ，ＩＧＢＴ等の半導体素子の複数個直列接続で
構成された初段スイッチにされる。
【００１３】可飽和リアクトルＳＩ1と初段エネルギー
蓄積用コンデンサＣ0及び可飽和トランスＳＴの一次巻
線は、半導体スイッチＳＷに直列接続される。
蓄積用コンデンサＣ0及び可飽和トランスＳＴの一次巻
線は、半導体スイッチＳＷに直列接続される。
【００１４】可飽和トランスＳＴは、高い角形比を持つ
磁心材、例えば鉄基非晶質合金磁心材や鉄基超微晶質合
金磁心材、コバルト基非晶質合金等の磁心材を持ち、１
対ｎ（例えばｎ＝３）の巻線比を持つ。
磁心材、例えば鉄基非晶質合金磁心材や鉄基超微晶質合
金磁心材、コバルト基非晶質合金等の磁心材を持ち、１
対ｎ（例えばｎ＝３）の巻線比を持つ。
【００１５】可飽和トランスＳＴの二次巻線にはコンデ
ンサＣ1が並列接続され、このコンデンサＣ1にはコンデ
ンサＣ2が直列接続され、コンデンサＣ1Ｃ2の直列接続
回路の両端にレーザーヘッドＬＨ及び可飽和リアクトル
ＳＩ2の並列回路が接続される。
ンサＣ1が並列接続され、このコンデンサＣ1にはコンデ
ンサＣ2が直列接続され、コンデンサＣ1Ｃ2の直列接続
回路の両端にレーザーヘッドＬＨ及び可飽和リアクトル
ＳＩ2の並列回路が接続される。
【００１６】また、レーザーヘッドＬＨとコンデンサＣ
1、Ｃ2の接続は、電極Ａ、Ｂに加えて、メッシュ状のＢ
電極の背面に誘電体Ｄを介してＣ電極を配置し、Ａ電極
と同じ電位にされる。
1、Ｃ2の接続は、電極Ａ、Ｂに加えて、メッシュ状のＢ
電極の背面に誘電体Ｄを介してＣ電極を配置し、Ａ電極
と同じ電位にされる。
【００１７】本実施例の動作を説明する。まず、コンデ
ンサＣ0は高圧直流電源ＨＶによって充電抵抗器Ｒ0を介
して高圧充電しておく。この後、半導体スイッチＳＷを
オンさせることにより、コンデンサＣ0→可飽和リアク
トルＳＩ1→半導体スイッチＳＷ→可飽和トランスＳＴ
の一次巻線の経路で一次電流Ｉ0を流す。
ンサＣ0は高圧直流電源ＨＶによって充電抵抗器Ｒ0を介
して高圧充電しておく。この後、半導体スイッチＳＷを
オンさせることにより、コンデンサＣ0→可飽和リアク
トルＳＩ1→半導体スイッチＳＷ→可飽和トランスＳＴ
の一次巻線の経路で一次電流Ｉ0を流す。
【００１８】ここで、可飽和リアクトルＳＩ1は、半導
体スイッチＳＷのスイッチング損失を低減させスイッチ
寿命を長くするための磁気アシスト動作を得るよう、初
段パルス電流と逆にバイアス電流を流し、リセットをか
ける。
体スイッチＳＷのスイッチング損失を低減させスイッチ
寿命を長くするための磁気アシスト動作を得るよう、初
段パルス電流と逆にバイアス電流を流し、リセットをか
ける。
【００１９】次に、電流Ｉ0に対して、可飽和トランス
ＳＴは非飽和領域で動作させ、その巻数比（１対ｎ）に
よる昇圧した電圧を二次巻線に得るトランスとして動作
させる。
ＳＴは非飽和領域で動作させ、その巻数比（１対ｎ）に
よる昇圧した電圧を二次巻線に得るトランスとして動作
させる。
【００２０】このときの可飽和トランスＳＴの二次側で
は、コンデンサＣ1及びＣ2に二次電流Ｉ1が流れ、コン
デンサＣ1及びＣ2を昇圧した電圧（一次側のｎ倍の電
圧）で並列充電する。
は、コンデンサＣ1及びＣ2に二次電流Ｉ1が流れ、コン
デンサＣ1及びＣ2を昇圧した電圧（一次側のｎ倍の電
圧）で並列充電する。
【００２１】この後、可飽和トランスＳＴが飽和領域に
入ると、一次側と二次側が非結合状態となり、トランス
としての作用でなく可飽和リアクトルとして作用する磁
気スイッチとなり、二次巻線が低インダクタンスになっ
てパルス圧縮した電流Ｉ2によってコンデンサＣ2をＬＣ
共振動作により逆極性に高速充電し、コンデンサＣ1と
Ｃ2の直列回路には可飽和トランスＳＴで昇圧した電圧
の２倍（２×ｎ）以上の電圧でレーザーヘッドＬＨに印
加され、短パルスの電流Ｉ3をレーザーヘッドＬＨに供
給する。
入ると、一次側と二次側が非結合状態となり、トランス
としての作用でなく可飽和リアクトルとして作用する磁
気スイッチとなり、二次巻線が低インダクタンスになっ
てパルス圧縮した電流Ｉ2によってコンデンサＣ2をＬＣ
共振動作により逆極性に高速充電し、コンデンサＣ1と
Ｃ2の直列回路には可飽和トランスＳＴで昇圧した電圧
の２倍（２×ｎ）以上の電圧でレーザーヘッドＬＨに印
加され、短パルスの電流Ｉ3をレーザーヘッドＬＨに供
給する。
【００２２】可飽和リアクトルＳＩ2は、コンデンサＣ2
を充電する方向にリセット電流を流す。これにより、コ
ンデンサＣ2の充電電流には飽和領域での動作になって
小さいインダクタになり、レーザーヘッドＬＨへの放電
になる逆方向電流に対しては非飽和領域となってインダ
クタを大きくしてレーザーヘッドＬＨへのエネルギー移
行を効率良くする。
を充電する方向にリセット電流を流す。これにより、コ
ンデンサＣ2の充電電流には飽和領域での動作になって
小さいインダクタになり、レーザーヘッドＬＨへの放電
になる逆方向電流に対しては非飽和領域となってインダ
クタを大きくしてレーザーヘッドＬＨへのエネルギー移
行を効率良くする。
【００２３】図２は、各部の電流波形を示し、可飽和ト
ランスＳＴはトランス動作による高電圧発生と磁気スイ
ッチ動作によるパルス圧縮を行い、高電圧・大電流のパ
ルスを電流Ｉ2として発生し、また、この電流でコンデ
ンサＣ1、Ｃ2の直列回路による倍電圧を得てレーザーヘ
ッドＬＨにパルス電流Ｉ3を供給する。
ランスＳＴはトランス動作による高電圧発生と磁気スイ
ッチ動作によるパルス圧縮を行い、高電圧・大電流のパ
ルスを電流Ｉ2として発生し、また、この電流でコンデ
ンサＣ1、Ｃ2の直列回路による倍電圧を得てレーザーヘ
ッドＬＨにパルス電流Ｉ3を供給する。
【００２４】従って、本実施例では、可飽和トランスの
昇圧とパルス圧縮動作の後、コンデンサの倍電圧効果に
より所期の高電圧と高電流を得る。このため、初段スイ
ッチング素子の電圧、電流を低くしかつパルス幅はパル
ス圧縮動作のない回路に比べて長くすることができる。
昇圧とパルス圧縮動作の後、コンデンサの倍電圧効果に
より所期の高電圧と高電流を得る。このため、初段スイ
ッチング素子の電圧、電流を低くしかつパルス幅はパル
ス圧縮動作のない回路に比べて長くすることができる。
【００２５】さらに、初段スイッチになる半導体スイッ
チＳＷには磁気アシストとしての可飽和リアクトルＳＩ
1が設けられることから、スイッチＳＷのスイッチング
損失を低減すると共に電流上昇率が高められた電流Ｉ0
を可飽和トランスＳＴに供給することができる。
チＳＷには磁気アシストとしての可飽和リアクトルＳＩ
1が設けられることから、スイッチＳＷのスイッチング
損失を低減すると共に電流上昇率が高められた電流Ｉ0
を可飽和トランスＳＴに供給することができる。
【００２６】図３は磁気アシストを設けない場合のスイ
ッチＳＷの電圧・電流波形（ａ）と、磁気アシストを設
けた場合の電圧・電流波形（ｂ）を示す。同図（ａ）の
斜線部分はスイッチＳＷのスイッチング損失に相当し、
磁気アシストを設けることで同図（ｂ）に示すようにス
イッチング損失は低減され、スイッチＳＷの素子容量の
低減及び放熱回路の小型化を可能にする。
ッチＳＷの電圧・電流波形（ａ）と、磁気アシストを設
けた場合の電圧・電流波形（ｂ）を示す。同図（ａ）の
斜線部分はスイッチＳＷのスイッチング損失に相当し、
磁気アシストを設けることで同図（ｂ）に示すようにス
イッチング損失は低減され、スイッチＳＷの素子容量の
低減及び放熱回路の小型化を可能にする。
【００２７】以上のことから、本実施例では、従来のサ
イラトロン等の放電型スイッチよりも耐電圧、耐電流が
低くスイッチング速度の遅い半導体素子を使用して高電
圧、高電流の短パルスを得ることができる。
イラトロン等の放電型スイッチよりも耐電圧、耐電流が
低くスイッチング速度の遅い半導体素子を使用して高電
圧、高電流の短パルスを得ることができる。
【００２８】また、可飽和トランスの動作電圧を低くで
きるため、磁芯材の電圧時間積を小さくしてその必要容
積又は個数を低減できる。
きるため、磁芯材の電圧時間積を小さくしてその必要容
積又は個数を低減できる。
【００２９】更に、本実施例では、レーザーヘッドＬＨ
のＢ電極の背面に誘電体Ｄを介してＣ電極を設けるた
め、Ｂ、Ｃ電極間のコロナ放電で予備電離がなされ、こ
れが均一グロー放電を得やすくする。
のＢ電極の背面に誘電体Ｄを介してＣ電極を設けるた
め、Ｂ、Ｃ電極間のコロナ放電で予備電離がなされ、こ
れが均一グロー放電を得やすくする。
【００３０】即ち、エキシマレーザーやＴＥＡ−ＣＯ2
レーザー等の放電励起において、均一グロー放電を得る
ためには予備電離を必要とし、この予備電離を得ること
により、従来のピーキングコンデンサにピン電極を取り
付ける構造に比べてピン電極を不要にし、さらにピーキ
ングコンデンサを不要にする。また、ピン電極を用いた
アーク放電による予備電離でなく、コロナ放電による予
備電離のため電極の損傷が小さくなる。
レーザー等の放電励起において、均一グロー放電を得る
ためには予備電離を必要とし、この予備電離を得ること
により、従来のピーキングコンデンサにピン電極を取り
付ける構造に比べてピン電極を不要にし、さらにピーキ
ングコンデンサを不要にする。また、ピン電極を用いた
アーク放電による予備電離でなく、コロナ放電による予
備電離のため電極の損傷が小さくなる。
【００３１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、初段ス
イッチになる半導体スイッチに可飽和リアクトルを直列
接続した磁気アシストを行い、エネルギー蓄積用コンデ
ンサの放電パルス電流を可飽和トランスによって昇圧及
び磁気スイッチ動作でパルス圧縮を行い、この可飽和ト
ランスのトランス動作で直列接続のコンデンサを充電
し、この後の可飽和トランスの磁気スイッチ動作で一方
のコンデンサを反転充電することで倍電圧を得て放電管
に高圧大電流を供給するようにしたため、以下の効果が
ある。
イッチになる半導体スイッチに可飽和リアクトルを直列
接続した磁気アシストを行い、エネルギー蓄積用コンデ
ンサの放電パルス電流を可飽和トランスによって昇圧及
び磁気スイッチ動作でパルス圧縮を行い、この可飽和ト
ランスのトランス動作で直列接続のコンデンサを充電
し、この後の可飽和トランスの磁気スイッチ動作で一方
のコンデンサを反転充電することで倍電圧を得て放電管
に高圧大電流を供給するようにしたため、以下の効果が
ある。
【００３２】（１）可飽和リアクトルによる磁気アシス
トによって半導体スイッチのスイッチング損失を低減す
ると共に電流上昇率を高めることができる。
トによって半導体スイッチのスイッチング損失を低減す
ると共に電流上昇率を高めることができる。
【００３３】（２）可飽和トランスの昇圧動作及びコン
デンサの反転充電による倍電圧発生によって半導体スイ
ッチのスイッチング電圧負担を軽減できる。
デンサの反転充電による倍電圧発生によって半導体スイ
ッチのスイッチング電圧負担を軽減できる。
【００３４】（３）電圧負担を軽減した一次電流が供給
される可飽和トランスはそのコア個数を減らすことがで
きると共に飽和後のインダクタンスを小さくしてパルス
圧縮効果を高めることができる。
される可飽和トランスはそのコア個数を減らすことがで
きると共に飽和後のインダクタンスを小さくしてパルス
圧縮効果を高めることができる。
【００３５】（４）可飽和トランスによる昇圧、磁気パ
ルス圧縮の構成要素段数を低減できる。
ルス圧縮の構成要素段数を低減できる。
【図１】実施例の回路図。
【図２】実施例における圧縮動作時の電流波形図。
【図３】スイッチ波形図。
【図４】従来例の回路図。
【図５】従来例の回路図。
ＳＷ…半導体スイッチ、ＳＩ1…可飽和リアクトル、Ｓ
Ｔ…可飽和トランス、ＬＨ…レーザーヘッド。
Ｔ…可飽和トランス、ＬＨ…レーザーヘッド。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体スイッチと、この半導体スイッチ
に直列接続されて磁気アシストを行う可飽和リアクトル
と、直流電圧で充電される第１のコンデンサと、前記コ
ンデンサと前記半導体スイッチ及び可飽和リアクトルに
一次巻線が直列接続され該半導体スイッチのオンによっ
て一次電流が供給されて昇圧出力を得ると共に磁気スイ
ッチ動作を得る可飽和トランスと、この可飽和トランス
の二次巻線に並列接続され該可飽和トランスのトランス
動作中の二次出力電流で充電され該可飽和トランスのト
ランス動作後の磁気スイッチ動作により反転充電される
第２のコンデンサと、この第２のコンデンサに直列接続
され前記可飽和トランスのトランス動作中の二次出力電
流で充電され該第２のコンデンサとの直列回路で放電管
にパルス放電電流を供給する第３のコンデンサとを備え
たことを特徴とするパルス電源。 - 【請求項２】 前記放電管は、放電電極Ａ、Ｂの内、電
極Ｂの背面に誘電体を介して第３の電極Ｃを設け、該電
極Ｂ，Ｃ間でコロナ放電を得て予備電離を行う構成にし
たことをことを特徴とする請求項１記載のパルス電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230793A JPH06237153A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | パルス電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230793A JPH06237153A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | パルス電源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06237153A true JPH06237153A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12079091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2230793A Pending JPH06237153A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | パルス電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06237153A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729562A (en) * | 1995-02-17 | 1998-03-17 | Cymer, Inc. | Pulse power generating circuit with energy recovery |
| US5940421A (en) * | 1997-12-15 | 1999-08-17 | Cymer, Inc. | Current reversal prevention circuit for a pulsed gas discharge laser |
| JP2019532462A (ja) * | 2016-08-25 | 2019-11-07 | クラルテイ | 電気パルス発生器 |
| WO2025041631A1 (ja) * | 2023-08-22 | 2025-02-27 | 国立大学法人熊本大学 | パルス発生回路、基板処理装置、およびエネルギー回生方法 |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP2230793A patent/JPH06237153A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729562A (en) * | 1995-02-17 | 1998-03-17 | Cymer, Inc. | Pulse power generating circuit with energy recovery |
| US5940421A (en) * | 1997-12-15 | 1999-08-17 | Cymer, Inc. | Current reversal prevention circuit for a pulsed gas discharge laser |
| JP2019532462A (ja) * | 2016-08-25 | 2019-11-07 | クラルテイ | 電気パルス発生器 |
| WO2025041631A1 (ja) * | 2023-08-22 | 2025-02-27 | 国立大学法人熊本大学 | パルス発生回路、基板処理装置、およびエネルギー回生方法 |
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