JPH0623735B2 - 電子捕獲検出器用サンプル差し込み装置 - Google Patents
電子捕獲検出器用サンプル差し込み装置Info
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- JPH0623735B2 JPH0623735B2 JP59180830A JP18083084A JPH0623735B2 JP H0623735 B2 JPH0623735 B2 JP H0623735B2 JP 59180830 A JP59180830 A JP 59180830A JP 18083084 A JP18083084 A JP 18083084A JP H0623735 B2 JPH0623735 B2 JP H0623735B2
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/62—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode
- G01N27/64—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode using wave or particle radiation to ionise a gas, e.g. in an ionisation chamber
- G01N27/66—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode using wave or particle radiation to ionise a gas, e.g. in an ionisation chamber and measuring current or voltage
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- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/62—Detectors specially adapted therefor
- G01N30/64—Electrical detectors
- G01N30/70—Electron capture detectors
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般にガスクロマトグラフイにおいて高分解
能毛管カラムと共に使うための電子捕獲検出器用のサン
プルはめ込み装置に関し、特に、検出器セルの金属壁に
接触するサンプル及び投入ガスによるサンプルの希釈度
を最小にする方法に関する。
能毛管カラムと共に使うための電子捕獲検出器用のサン
プルはめ込み装置に関し、特に、検出器セルの金属壁に
接触するサンプル及び投入ガスによるサンプルの希釈度
を最小にする方法に関する。
〔発明の背景〕 ガスクロマトグラフイにおける電子捕獲検出技術によつ
て、キヤリヤガス又は投入ガスの分子が検出器を通して
流れるときトリチウム又はＮｉ63源がそれらの分子をイ
オン化し、こうして生じた低速電子は陽極へ移動させら
れ、定常電流又はパルス電流を形成する。この電流は、
電子吸収分子を含むサンプルが導入されるならば減少さ
れ、この電子の損失は分析用電位計によつて増幅され得
る。
て、キヤリヤガス又は投入ガスの分子が検出器を通して
流れるときトリチウム又はＮｉ63源がそれらの分子をイ
オン化し、こうして生じた低速電子は陽極へ移動させら
れ、定常電流又はパルス電流を形成する。この電流は、
電子吸収分子を含むサンプルが導入されるならば減少さ
れ、この電子の損失は分析用電位計によつて増幅され得
る。
電子捕獲検出器は、アルキルハロゲン化物のような一定
の分子に対して非常に感度がよいが、炭化水素、アルコ
ール、ケトン等に対しては比較的感度が悪い。このハロ
ゲン化物に対する選択的感度は、殺虫剤のような多くの
環境的に重要な有機化合物の微量成分分析のために特に
価値のある検出法を発達させる。従来技術の電子捕獲検
出装置（J.Chromatogr.，１３４（１９７７年発行）の
２５ページにP.L.Pattersonによつて開示されているよ
うな商業的に有効なもの）の一般的な設計が第１図に描
かれている。ガスクロマトグラフイカラム１１はそこを
サンプルが通つて分析されるが、その上部部分は検出器
中に導入され、注入管１２の内側で同中心に収容され、
注入管１２の内壁とカラム１１の外壁との間に環状断面
を有する通路１３を形成する。通路１３は投入ガスのた
めにあり、その使用は、例えば、カラム１１が毛管カラ
ムであるとき、カラムガス（キヤリアガスを伴つたサン
プル）を検出器中へ押し込むために必要となる。そのと
き投入ガスはカラム１１からのガスと混合する。一般に
円筒状金属メタルアノード１５はセラミツク絶縁体１６
を間にはさんで注入管１２の上端部と接続されている。
アノード１５のもう一方の端部は、もう１つのセラミツ
ク絶縁体２１を間にはさんで円筒セル２０（長さＬ、直
径Ｄ）中へ開いている。円筒状アノード１５の上端部に
は、サイドポート２２が設けられている。従つて、カラ
ム１１からのサンプル及び通路１３からの投入ガスはそ
れらが円筒アノード１５を通つて上方へ進むときに混合
され、下からセル２０の内部に入り、この混合ガスのう
ちいくらかはサイドポート(side ports)２２を通過す
る。セル２０の内壁上には放射性箔２５があり、それは
例えば、Ｎｉ63又はＨ３源である。セル２０の上部は出
口管２６に接続されている。
の分子に対して非常に感度がよいが、炭化水素、アルコ
ール、ケトン等に対しては比較的感度が悪い。このハロ
ゲン化物に対する選択的感度は、殺虫剤のような多くの
環境的に重要な有機化合物の微量成分分析のために特に
価値のある検出法を発達させる。従来技術の電子捕獲検
出装置（J.Chromatogr.，１３４（１９７７年発行）の
２５ページにP.L.Pattersonによつて開示されているよ
うな商業的に有効なもの）の一般的な設計が第１図に描
かれている。ガスクロマトグラフイカラム１１はそこを
サンプルが通つて分析されるが、その上部部分は検出器
中に導入され、注入管１２の内側で同中心に収容され、
注入管１２の内壁とカラム１１の外壁との間に環状断面
を有する通路１３を形成する。通路１３は投入ガスのた
めにあり、その使用は、例えば、カラム１１が毛管カラ
ムであるとき、カラムガス（キヤリアガスを伴つたサン
プル）を検出器中へ押し込むために必要となる。そのと
き投入ガスはカラム１１からのガスと混合する。一般に
円筒状金属メタルアノード１５はセラミツク絶縁体１６
を間にはさんで注入管１２の上端部と接続されている。
アノード１５のもう一方の端部は、もう１つのセラミツ
ク絶縁体２１を間にはさんで円筒セル２０（長さＬ、直
径Ｄ）中へ開いている。円筒状アノード１５の上端部に
は、サイドポート２２が設けられている。従つて、カラ
ム１１からのサンプル及び通路１３からの投入ガスはそ
れらが円筒アノード１５を通つて上方へ進むときに混合
され、下からセル２０の内部に入り、この混合ガスのう
ちいくらかはサイドポート(side ports)２２を通過す
る。セル２０の内壁上には放射性箔２５があり、それは
例えば、Ｎｉ63又はＨ３源である。セル２０の上部は出
口管２６に接続されている。
第１図の従来技術の電子捕獲検出器は、いくつかの不都
合がある。第１に、なぜならば、カラム１１からのサン
プルは検出器セル２０に入る前に金属アノード１５を通
過させられ、そこで吸着によつてサンプルの損失が生
じ、またこれはクロマトグラフイのピーク幅の広がりの
原因となり得るからである。第２に、吸着によるサンプ
ルの損失はまた、セル２０内の表面上でも起り、特にそ
れらが水素によつて活性化されるときに起る。水素がキ
ヤリアガスとして用いられないときであつても、サンプ
ルが接触する加熱金属又はセラミツクの表面の存在は、
好ましくない影響が予期される。第３に、投入ガスの使
用が必要なとき、その投入ガスはサンプルを希釈しがち
で、検出器の感度を減させる。第４に、図示された従来
技術の設計に従つた検出器セル２０は、上部の角にキヤ
リアガスによる掃除が活動的に為されない領域を有す
る。電子捕獲検出器は一般に酸素に対して敏感であり、
それ故に、出口管２６の長さ直径比の増加による酸素の
逆拡散を防ぐ必要がある。これは特にセル２０の長さ直
径比（Ｌ／Ｄ）が減少するとき、必然的にこのような掃
除されない領域を増大する傾向がある。
合がある。第１に、なぜならば、カラム１１からのサン
プルは検出器セル２０に入る前に金属アノード１５を通
過させられ、そこで吸着によつてサンプルの損失が生
じ、またこれはクロマトグラフイのピーク幅の広がりの
原因となり得るからである。第２に、吸着によるサンプ
ルの損失はまた、セル２０内の表面上でも起り、特にそ
れらが水素によつて活性化されるときに起る。水素がキ
ヤリアガスとして用いられないときであつても、サンプ
ルが接触する加熱金属又はセラミツクの表面の存在は、
好ましくない影響が予期される。第３に、投入ガスの使
用が必要なとき、その投入ガスはサンプルを希釈しがち
で、検出器の感度を減させる。第４に、図示された従来
技術の設計に従つた検出器セル２０は、上部の角にキヤ
リアガスによる掃除が活動的に為されない領域を有す
る。電子捕獲検出器は一般に酸素に対して敏感であり、
それ故に、出口管２６の長さ直径比の増加による酸素の
逆拡散を防ぐ必要がある。これは特にセル２０の長さ直
径比（Ｌ／Ｄ）が減少するとき、必然的にこのような掃
除されない領域を増大する傾向がある。
上述及び他の理由のために、電子捕獲検出器は広く高分
解能毛管カラムと共に用いられることはなかつた。
解能毛管カラムと共に用いられることはなかつた。
従つて、本発明全体の目的は使用しなければならない投
入ガスによるサンプルの希釈を減じることができるとこ
ろのサンプルはめ込み装置付電子捕獲検出器を提供する
ことである。
入ガスによるサンプルの希釈を減じることができるとこ
ろのサンプルはめ込み装置付電子捕獲検出器を提供する
ことである。
本発明のもう１つの目的は、混合体積の影響が最小化さ
れ又は除去されるところの小体積電子捕獲検出器セルを
提供することである。
れ又は除去されるところの小体積電子捕獲検出器セルを
提供することである。
本発明の更にもう１つの目的は、サンプルがセルの活動
体積中に入る前に金属性アノードを通過することを必要
としないサンプルはめ込み装置付電子捕獲検出器を提供
することである。
体積中に入る前に金属性アノードを通過することを必要
としないサンプルはめ込み装置付電子捕獲検出器を提供
することである。
アノードとカラムの外側コーテイングとの間の電気的接
触の確率が増加することなしに、毛管カラムがサイドポ
ートを越えた所でアノードの下まで上方に伸びるよう
に、管状アノード内部に絶縁管を提供することによつて
上述の目的が達成される。サンプル分子は検出器セルの
中央部分のみを通つて流れ、放射性箔の表面は投入ガス
によつてほとんど完全に掃除される。
触の確率が増加することなしに、毛管カラムがサイドポ
ートを越えた所でアノードの下まで上方に伸びるよう
に、管状アノード内部に絶縁管を提供することによつて
上述の目的が達成される。サンプル分子は検出器セルの
中央部分のみを通つて流れ、放射性箔の表面は投入ガス
によつてほとんど完全に掃除される。
本発明に従つた電子捕獲検出装置が第２図に図示されて
おり、その第２図において構成要素（それらは第１図に
おける構成要素と全く同じか又は類似するものである）
は３ケタの数字が与えられており、その下２ケタは第１
図において対応する構成要素の数字と全く同じである。
この実施例において、高純度のアルミナの絶縁層114
は、セラミツク絶縁体116 によつて隔てられた注入管11
2 及びアノード115 の内側に置かれる。この絶縁管114
は、アノード115 の上部付近に設けられたサイドポート
122 の真下の点まで伸びている。ガスクロマトグラフイ
カラム111 は、サンプルがそこを通り検出器中に導かれ
るが、第１図におけるものよりも高く伸びており、カラ
ム111 の外壁と絶縁管114 の内壁との間の環状通路113
を通つて導入された投入ガスのみがサイドポート122 を
通つて検出器セルに入るように、サイドポート122 を越
えて伸びている。導入装置におけるこれらの第１図から
の変化は、セルの中央領域に入るサンプルのみを導入ガ
スに取除かせ、導入ガスによる完全な混合を防止するこ
とでサンプルの希釈を最小化し、概して円筒形のセル12
0 の内壁上に配置される放射性箔125 のサンプルによる
汚染を減少させるためである。セル120 の上部は出口管
126 に連結されている。
おり、その第２図において構成要素（それらは第１図に
おける構成要素と全く同じか又は類似するものである）
は３ケタの数字が与えられており、その下２ケタは第１
図において対応する構成要素の数字と全く同じである。
この実施例において、高純度のアルミナの絶縁層114
は、セラミツク絶縁体116 によつて隔てられた注入管11
2 及びアノード115 の内側に置かれる。この絶縁管114
は、アノード115 の上部付近に設けられたサイドポート
122 の真下の点まで伸びている。ガスクロマトグラフイ
カラム111 は、サンプルがそこを通り検出器中に導かれ
るが、第１図におけるものよりも高く伸びており、カラ
ム111 の外壁と絶縁管114 の内壁との間の環状通路113
を通つて導入された投入ガスのみがサイドポート122 を
通つて検出器セルに入るように、サイドポート122 を越
えて伸びている。導入装置におけるこれらの第１図から
の変化は、セルの中央領域に入るサンプルのみを導入ガ
スに取除かせ、導入ガスによる完全な混合を防止するこ
とでサンプルの希釈を最小化し、概して円筒形のセル12
0 の内壁上に配置される放射性箔125 のサンプルによる
汚染を減少させるためである。セル120 の上部は出口管
126 に連結されている。
セル120 の内側に置かれているものは、金属性構造物13
0 であつて、その目的は、電子が計測のために集められ
るところからこの構造物130 の下までの領域にそつて形
成される検出器120 のアクテイブボリユーム（active v
olume）を限定し、それにより、アクテイブボリユーム
と掃除されない領域と分離することである。この目的の
ために、この構造物130 は伝導性金属で作られ、セル12
0 の側壁又は放射性箔125 と、結線140 によって電気的
に接続され、同じ電位に維持される。構造物130 は概し
て漏斗のような形状であり、円筒状部分とカツプ状部分
を有するカツプ状部分はカラム111 の上端部と面し、一
方、円筒状部分はガス導管として役に立ち、出口管126
の方に向いている。カツプ状部分は、そのふちが放射性
箔125 に近接するが完全には接触しないように設計され
置かれ、検出器セル120 に導入されたガスの大部分は構
造物130 の円筒状部分を通過させられるが、ガスがそれ
らの間の間隙を通過できるようになつている。このよう
に、キヤリアガスによつて活動的には掃除されないセル
120 の上部隅、故に、掃除されない領域として先に記述
した部分は、構造物130 によつて、構造物130 のカツプ
状部分の内部表面によつて大体分けられた下方の領域、
放射性箔125 の下方部分及び注入装置の上部から効果的
に分離されている。カツプ状部分の内部表面は、流線型
であつて、ガスがその中央を流通するのに適当なテーパ
ー状でもよい。この構造物130 の挿入によつて、出口管
126 の近くのセル120 の上部隅における混合効果はもは
や何の意味もない。なぜならばそれらは活動領域内では
現れないからである。
0 であつて、その目的は、電子が計測のために集められ
るところからこの構造物130 の下までの領域にそつて形
成される検出器120 のアクテイブボリユーム（active v
olume）を限定し、それにより、アクテイブボリユーム
と掃除されない領域と分離することである。この目的の
ために、この構造物130 は伝導性金属で作られ、セル12
0 の側壁又は放射性箔125 と、結線140 によって電気的
に接続され、同じ電位に維持される。構造物130 は概し
て漏斗のような形状であり、円筒状部分とカツプ状部分
を有するカツプ状部分はカラム111 の上端部と面し、一
方、円筒状部分はガス導管として役に立ち、出口管126
の方に向いている。カツプ状部分は、そのふちが放射性
箔125 に近接するが完全には接触しないように設計され
置かれ、検出器セル120 に導入されたガスの大部分は構
造物130 の円筒状部分を通過させられるが、ガスがそれ
らの間の間隙を通過できるようになつている。このよう
に、キヤリアガスによつて活動的には掃除されないセル
120 の上部隅、故に、掃除されない領域として先に記述
した部分は、構造物130 によつて、構造物130 のカツプ
状部分の内部表面によつて大体分けられた下方の領域、
放射性箔125 の下方部分及び注入装置の上部から効果的
に分離されている。カツプ状部分の内部表面は、流線型
であつて、ガスがその中央を流通するのに適当なテーパ
ー状でもよい。この構造物130 の挿入によつて、出口管
126 の近くのセル120 の上部隅における混合効果はもは
や何の意味もない。なぜならばそれらは活動領域内では
現れないからである。
第３図は、カラム111 からのサンプル（Ｓ）及び通路11
3 からの投入ガス（Ｇ）が検出器セル120 をいかに流通
することが期待されるかということと同時に、アノード
115 の上端部の略示拡大図を示すものである。絶縁管11
4 は、カラム111 をセル120 の軸線に沿つて一直線に合
わせるのに役立つばかりでなく、カラム111 の外壁上の
概して伝導性のコーテイング部分がアノード115 と接触
することをも防ぐので、カラム111 はアノード115 の上
部とほとんど同じ高さに置くことができる。サイドポー
ト122 （第１図の２２と同様）はセル120 の内側にほと
んどプラグ（plug）流に近いガスの流れを得るためにあ
るが、第２図の設計に従つたカラム111 の上部はその上
に置かれているので、カラム111 の外側で同中心である
環状通路113 からのガス（すなわち、絶縁管114 の底部
に導入された投入ガス）のみがサイドポート122 を通
り、このプラグ流に近いガス流の周辺部分を形成する。
投入ガスの一部分は、カラム111 からのサンプルととも
にアノード115 の中央孔を通つてセル120 内に流れ込
む。アノード115 の上端部は、投入ガスのより大きな部
分をサイドポート122 に流すためにいくぶん細く設計し
てもよい。
3 からの投入ガス（Ｇ）が検出器セル120 をいかに流通
することが期待されるかということと同時に、アノード
115 の上端部の略示拡大図を示すものである。絶縁管11
4 は、カラム111 をセル120 の軸線に沿つて一直線に合
わせるのに役立つばかりでなく、カラム111 の外壁上の
概して伝導性のコーテイング部分がアノード115 と接触
することをも防ぐので、カラム111 はアノード115 の上
部とほとんど同じ高さに置くことができる。サイドポー
ト122 （第１図の２２と同様）はセル120 の内側にほと
んどプラグ（plug）流に近いガスの流れを得るためにあ
るが、第２図の設計に従つたカラム111 の上部はその上
に置かれているので、カラム111 の外側で同中心である
環状通路113 からのガス（すなわち、絶縁管114 の底部
に導入された投入ガス）のみがサイドポート122 を通
り、このプラグ流に近いガス流の周辺部分を形成する。
投入ガスの一部分は、カラム111 からのサンプルととも
にアノード115 の中央孔を通つてセル120 内に流れ込
む。アノード115 の上端部は、投入ガスのより大きな部
分をサイドポート122 に流すためにいくぶん細く設計し
てもよい。
その結果、第１図と第２図とのセルの間では、プラグ流
に近いガスの構成が全く異つている。一方、サンプルと
投入ガスの比較的一様な混合物が第１図のセル２０内へ
入り、どちらもサイドポート２２及びアノード１５の上
部の開口を通る。なぜならば、混合は、カラム１１とサ
イドポート２２との間の比較的長い距離に亘つてなさ
れ、第２図及び第３図の場合におけるサンプルは、セル
120 の中央部分にだけ入るからである。第３図に示され
るように、放射性箔125 の近接した周辺領域は、投入ガ
スによつてほとんど全体が掃除される。このことは、放
射性箔の表面における吸着作用によるサンプルの損失が
最小にされること及び投入ガスによるサンプルの希釈が
減少されることを意味する。
に近いガスの構成が全く異つている。一方、サンプルと
投入ガスの比較的一様な混合物が第１図のセル２０内へ
入り、どちらもサイドポート２２及びアノード１５の上
部の開口を通る。なぜならば、混合は、カラム１１とサ
イドポート２２との間の比較的長い距離に亘つてなさ
れ、第２図及び第３図の場合におけるサンプルは、セル
120 の中央部分にだけ入るからである。第３図に示され
るように、放射性箔125 の近接した周辺領域は、投入ガ
スによつてほとんど全体が掃除される。このことは、放
射性箔の表面における吸着作用によるサンプルの損失が
最小にされること及び投入ガスによるサンプルの希釈が
減少されることを意味する。
セル120 の内側のガスの大部分は、上述し、第３図で図
示した漏斗型構造物130 を通過させられる。アノード11
5 によつて電子が引き出され得る領域として形成される
セル120 のアクテイブボリユームは、構造物130 の下方
のセル120 の部分であるので、概して、投入ガスによつ
ては活動的に掃除されないセル120 の上部隅は、アクテ
イブボリユームから分離される。
示した漏斗型構造物130 を通過させられる。アノード11
5 によつて電子が引き出され得る領域として形成される
セル120 のアクテイブボリユームは、構造物130 の下方
のセル120 の部分であるので、概して、投入ガスによつ
ては活動的に掃除されないセル120 の上部隅は、アクテ
イブボリユームから分離される。
本発明は一つの実施例によつて上述したが、他のものも
また本発明の範囲内のものとして意図される。例えば、
図面は真の又は好適な大きさであるというよりも、単に
略示的図として理解されるべきである。アノード115 の
幾何学的設計は、サイポート122 の大きさ及び形状も含
めて、適切に変化させてもよい。絶縁管114 はどうかと
いうと、それもまた、ルビー、サフアイア又はボロン窒
化物のような他の高純度、高耐熱性絶縁物で作つてもよ
い。第２図に描かれている設計に従うと絶縁管はサイド
ポート122 に届いていないが、第４図で示すようにアノ
ード115 の内部表面上でサイドポート122 を越えた点を
おおうように設計してもよい。このよいな場合、サイド
ポートはもちろん絶縁管114 ′にも設けられねばならな
い。漏斗に似た形の構造物130 は、セル120 の内部のア
クテイブボリユームから掃除されない領域を分離すると
いう所望の機能を果す限り異つた形状でもよい。この理
由及び目的のために、構造物130 はそのふちを横切つて
張られた金属性スクリーンを与えられてもよい。本発明
の範囲は添付した特許請求範囲によつてのみ限定され
る。
また本発明の範囲内のものとして意図される。例えば、
図面は真の又は好適な大きさであるというよりも、単に
略示的図として理解されるべきである。アノード115 の
幾何学的設計は、サイポート122 の大きさ及び形状も含
めて、適切に変化させてもよい。絶縁管114 はどうかと
いうと、それもまた、ルビー、サフアイア又はボロン窒
化物のような他の高純度、高耐熱性絶縁物で作つてもよ
い。第２図に描かれている設計に従うと絶縁管はサイド
ポート122 に届いていないが、第４図で示すようにアノ
ード115 の内部表面上でサイドポート122 を越えた点を
おおうように設計してもよい。このよいな場合、サイド
ポートはもちろん絶縁管114 ′にも設けられねばならな
い。漏斗に似た形の構造物130 は、セル120 の内部のア
クテイブボリユームから掃除されない領域を分離すると
いう所望の機能を果す限り異つた形状でもよい。この理
由及び目的のために、構造物130 はそのふちを横切つて
張られた金属性スクリーンを与えられてもよい。本発明
の範囲は添付した特許請求範囲によつてのみ限定され
る。
第１図は、従来技術の電子捕獲検出器の略示断面図であ
る。 第２図は、本発明の電子捕獲検出器の略示断面図であ
る。 第３図は、カラムからのサンプル及び投入ガスがはめ込
み装置及び第２図の検出器セルをどのように通つて流れ
るかが期待されるかを示す。 第４図は、第２図に示された検出器のアノードの上部部
分のもう１つの設計の略示断面図である。 〔主要符号の説明〕 11，111……ガスクロマトグラフイカラム 13，113……通路 15，115，115′……アノード 20，120……筒状セル 22，122……サイドポート 25，125……放射性箔
る。 第２図は、本発明の電子捕獲検出器の略示断面図であ
る。 第３図は、カラムからのサンプル及び投入ガスがはめ込
み装置及び第２図の検出器セルをどのように通つて流れ
るかが期待されるかを示す。 第４図は、第２図に示された検出器のアノードの上部部
分のもう１つの設計の略示断面図である。 〔主要符号の説明〕 11，111……ガスクロマトグラフイカラム 13，113……通路 15，115，115′……アノード 20，120……筒状セル 22，122……サイドポート 25，125……放射性箔
Claims (15)
- 【請求項１】電子捕獲検出器と連通する毛管カラムを含
むサンプル差し込み装置であって、 前記毛管カラムの外側に位置し、入口開口、出口開口及
び該出口開口近くのサイドポートを有する管状アノード
と、 該管状アノードの内側の絶縁管と、 から成る装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載された装置で
あって、前記絶縁管が前記管状アノードの内部表面をほ
とんど全体にわたって覆うところの装置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項に記載された装置で
あって、前記絶縁管が前記管状アノードの前記入口開口
と前記サイドポートとの間の内部表面をほとんど全体に
わたって覆うところの装置。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項に記載された装置で
あって、前記絶縁管がアルミナ、ルビー、サファイア及
びボロン窒化物から成る高純度で高耐熱性物質のグルー
プから選ばれた物質で作られているところの装置。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項に記載された装置で
あって、前記毛管カラムが前記絶縁管の内側に配置さ
れ、前記入口開口から前記サイドポートを越えた点まで
伸びているところの装置。 - 【請求項６】特許請求の範囲第５項に記載された装置で
あって、前記絶縁管の内部表面と前記毛管カラムの外部
表面との間にガスのための通路が形成されているところ
の装置。 - 【請求項７】特許請求の範囲第６項に記載された装置で
あって、前記電子捕獲器の作動中、前記通路を通して導
入されたガスの大部分が、前記サイドポートを通るよう
に形成されているところの装置。 - 【請求項８】ガスクロマトグラフィーカラムとともに使
用する電子捕獲検出器であって、 一般に円筒形の内壁並びに入口開口及び出口開口を有す
る管状セルと、 前記内壁上に配置された放射線源と、 実質的に前記すべてのサンプルガスが前記放射線源に触
れることなくセル内を通過するように、投入ガスの同軸
流によって囲まれたサンプルガス流をもたらすガス導入
手段と、 前記サンプルガスの成分の違いによって変化する電流を
検出するための電極手段と、 から成る電子捕獲検出器。 - 【請求項９】特許請求の範囲第８項に記載の検出器であ
って、前記ガス導入手段が、入口、中央アパーチャ及び
サイドポートを有する管状アノード構造から成るところ
の検出器。 - 【請求項１０】特許請求の範囲第９項に記載された検出
器であって、前記ガス導入手段がさらに前記管状アノー
ド構造の内部表面上に絶縁管を有するところの検出器。 - 【請求項１１】特許請求の範囲第１０項に記載された検
出器であって、前記カラムが前記絶縁管の内側に配置さ
れ、前記絶縁管の内部表面と前記カラムの外部表面との
間にガスのための通路を形成しているところの検出器。 - 【請求項１２】特許請求の範囲第９項に記載された検出
器であって、前記カラムの出口開口が前記サイドポート
よりも前記セルの内部に接近して置かれ、サンプルガス
が前記セルに流入する際、前記サイドポートを通らない
ところの検出器。 - 【請求項１３】特許請求の範囲第１１項に記載された検
出器であって、前記ガス通路を通ってセル内に流れ込む
ガスの大部分が前記サイドポートを通過するところの検
出器。 - 【請求項１４】特許請求の範囲第８項に記載された検出
器であって、さらに、前記セル内のガス流によって吹き
流されない領域から分離して、電子集中の有効体積を画
成するための漏斗状構造物から成る検出器。 - 【請求項１５】特許請求の範囲第１０項に記載された検
出器であって、前記絶縁管がアルミナ、ルビー、サファ
イア及びボロン窒化物から成る高純度で高耐熱性物質の
グループから選ばれた物質で作られているところの検出
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US529,291 | 1983-09-06 | ||
| US06/529,291 US4651008A (en) | 1983-08-11 | 1983-09-06 | Sample inlet system for an electron capture detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091258A JPS6091258A (ja) | 1985-05-22 |
| JPH0623735B2 true JPH0623735B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=24109286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180830A Expired - Lifetime JPH0623735B2 (ja) | 1983-09-06 | 1984-08-31 | 電子捕獲検出器用サンプル差し込み装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4651008A (ja) |
| JP (1) | JPH0623735B2 (ja) |
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| CA (1) | CA1241459A (ja) |
| DE (1) | DE3431964C2 (ja) |
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-
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-
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