JPH06239988A - 芳香族ポリカーボネート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 末端基の少なくとも１つが、一般式（１）で
表される基である芳香族ポリカーボネート。 −Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａ−ＯＲ₁ （１） （式中、Ｒ₁ は鎖状アルキル基を表し、Ａは１，２−フ
ェニレン基または１，３−フェニレン基を表す） 【効果】 溶融流動性に優れ、かつ加水分解安定性に優
れた芳香族ポリカーボネートを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は芳香族ポリカーボネート
に関する。さらに詳しくは、末端基として特定構造の基
を有する芳香族ポリカーボネートに関する。

【０００２】

【従来技術】従来より、芳香族ポリカーボネートは、透
明性、耐熱性、機械的強度、寸法安定性等に優れたエン
ジニアリングプラスチックとして知られており、自動
車、電気、電子材料等の部品として幅広く用いられてい
る。通常、芳香族ポリカーボネートを製造するには、製
造される芳香族ポリカーボネートの分子量を調節する目
的で、末端封止剤（分子量調節剤、重合停止剤、連鎖停
止剤、末端停止剤などとも呼ばれる）を添加し重合がな
されている（例えば、米国特許第３０２８３６５号、米
国特許第３０８５９９２号、米国特許第３１７３８９１
号、米国特許第３２７５６０１号、米国特許第３３９９
１７２号）。その中でも、末端封止剤として、フェノー
ルまたはｐ−tert−ブチルフェノールが最も一般的に広
く使用されている。しかし、フェノールまたはｐ−tert
−ブチルフェノールを末端封止剤として製造される通常
の芳香族ポリカーボネートは、溶融粘度が非常に高く、
溶融流動性が悪いため、成形品を製造する際には、充分
な流動性を確保するために、高温条件下で溶融成形が行
われてきた。しかしながら、薄肉の成形品あるいは複雑
な形状の成形品を製造する場合には、溶融時の流動性は
なお不充分であり、金型内で未充填を起こしやすく、高
精度の寸法安定性が要求される精密成形品が得られにく
いという問題点がある。

【０００３】最近、特に、例えば、データ保存用ディス
クまたはオーディオ用コンパクトディスク等の光学機器
用に必要とされる高い寸法安定性が要求される分野にお
いては、優れた溶融流動性を有する芳香族ポリカーボネ
ートが必要となっている。溶融流動性を改良する方法と
して、例えば、Ｃ_m Ｈ_2m+1Ｏ−基（ｍは３〜１０の整
数）をパラ位に有するフェノール誘導体または安息香酸
誘導体を末端封止剤として使用し、芳香族ポリカーボネ
ートを製造する方法が提案されている（特開昭６３−２
５８９２２号公報）。しかし、末端封止剤として、例え
ば、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシフェノールまたはｐ−ｎ−
オクチルオキシ安息香酸を使用して製造される芳香族ポ
リカーボネートは、溶融流動性はある程度改善されるも
のの、耐候安定性（例えば、加水分解安定性）に難点が
ある。現在では、溶融流動性および耐候性に優れた芳香
族ポリカーボネートが強く要望されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の従来技術の欠点を克服し、溶融流動性および耐候性
（例えば、加水分解安定性）に優れた芳香族ポリカーボ
ネートを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、芳香族ポ
リカーボネートに関し鋭意検討した結果、本発明に到達
した。すなわち、本発明は、末端基の少なくとも１つ
が、一般式（１）で表される基である芳香族ポリカーボ
ネートである。 −Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａ−ＯＲ₁ （１） （式中、Ｒ₁ は鎖状アルキル基を表し、Ａは１，２−フ
ェニレン基または１，３−フェニレン基を表す）本発明
に係る一般式（１）で表される末端基において、Ｒ₁ は
鎖状アルキル基を表し、好ましくは、炭素数１〜１６の
鎖状アルキル基を表し、より好ましくは、炭素数１〜１
２の鎖状アルキル基を表す。

【０００６】Ｒ₁ の具体例としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、sec −ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−
メチルブチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１
−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチ
ルペンチル基、４−メチルペンチル基、４−メチル−２
−ペンチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、
１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、２，４
−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、１−メチルヘ
プチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル
基、１，３−ジメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、１，
１−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプ
チル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシ
ル基、３，７−ジメチルオクチル基、ｎ−ウンデシル
基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデ
シル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ
−ヘキサデシル基を挙げることができる。

【０００７】本発明に係る一般式（１）で表される末端
基において、Ａは１，２−フェニレン基または１，３−
フェニレン基を表し、これらの基は、さらに炭素数１〜
８の鎖状アルキル基、炭素数１〜８の鎖状アルコキシ
基、炭素数６〜１０のアリ−ル基、炭素数７〜１０アラ
ルキル基またはハロゲン原子で単置換あるいは多置換さ
れていてもよい。本発明の末端基の少なくとも１つが、
一般式（１）で表される基である芳香族ポリカーボネー
トを製造する際に使用する好適な末端封止剤としては、
一般式（１−Ａ）で表される化合物を挙げることができ
る。 Ｙ−Ａ−ＯＲ₁ （１−Ａ） （式中、Ｒ₁ およびＡは前記に同じであり、Ｙは−ＣＯ
ＯＨ基、−ＣＯＯＭ基または−ＣＯＺ基を表し、Ｍは金
属イオン、Ｚはハロゲン原子を表す）

【０００８】本発明に係る一般式（１−Ａ）で表される
化合物において、Ｙは、−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯＭ基ま
たは−ＣＯＺ基を表し、Ｍは金属イオンを表し、Ｚはハ
ロゲン原子を表す。Ｍとしては、好ましくは、１価また
は２価のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イ
オンであり、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシ
ウムイオン等を具体例として挙げることができ、Ｚとし
ては、好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子を
挙げることができ、より好ましくは、塩素原子である。

【０００９】一般式（１−Ａ）で表される化合物は、公
知の方法により製造することができる。すなわち、代表
的には、一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＣＯＯＨ基
で表される化合物は、例えば、一般式（ａ）で表される
化合物に、塩基（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水素化ナトリウム）存在下、一般式（ｂ）で表
される化合物を作用させることにより製造することがで
きる。 Ｙ−Ａ−ＯＨ （ａ） （式中、Ａは前記に同じであり、Ｙは−ＣＯＯＨ基を表
す） Ｚ−Ｒ₁ （ｂ） （式中、Ｒ₁ は前記に同じであり、Ｚはハロゲン原子を
表す）一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＣＯＺ基で表
される化合物において、例えば、Ｚが塩素原子である化
合物は、Ｙが−ＣＯＯＨ基である化合物に、例えば、塩
化チオニルまたはオギザリルクロライドを作用させ製造
することができる。一般式（１−Ａ）において、Ｙが−
ＣＯＯＭ基で表される化合物は、Ｙが−ＣＯＯＨ基であ
る化合物に、例えば、水溶液中で水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属塩基
またはアルカリ土類塩基を作用させ製造することができ
る。

【００１０】本発明の末端基の少なくとも１つが、一般
式（１）で表される基である芳香族ポリカーボネートに
おいて、一般式（１）で表される基としては、代表的に
は以下に示す基を挙げることができるが、勿論本発明は
これらに限定されるものではない。 例示番号 １．２−メトキシフェニルカルボニルオキシ基 ２．２−エトキシフェニルカルボニルオキシ基 ３．２−エトキシ−５−tert−ブチルフェニルカルボニ
ルオキシ基 ４．２−ｎ−プロポキシフェニルカルボニルオキシ基 ５．２−イソプロポキシフェニルカルボニルオキシ基 ６．２−イソプロポキシ−５−（α，α−ジメチルベン
ジル）フェニルカルボニルオキシ基 ７．２−ｎ−ブトキシ−４−エトキシフェニルカルボニ
ルオキシ基 ８．２−イソブトキシフェニルカルボニルオキシ基 ９．２−ｎ−ペンチルオキシフェニルカルボニルオキシ
基 １０．２−（２’−メチルブチルオキシ）−５−クロロ
フェニルカルボニルオキシ基 １１．２−（３’−メチルブチルオキシ）フェニルカル
ボニルオキシ基 １２．２−ネオペンチルオキシフェニルカルボニルオキ
シ基 １３．２−ｎ−ヘキシルオキシフェニルカルボニルオキ
シ基 １４．２−ｎ−ヘキシルオキシ−５−フェニルフェニル
カルボニルオキシ基 １５．２−（３’−メチルペンチルオキシ）フェニルカ
ルボニルオキシ基 １６．２−ｎ−ヘプチルオキシフェニルカルボニルオキ
シ基 １７．２−（１’−メチルヘキシルオキシ）フェニルカ
ルボニルオキシ基 １８．２−（２’−メチルヘキシルオキシ）−６−メチ
ルフェニルカルボニルオキシ基

【００１１】１９．２−ｎ−オクチルオキシフェニルカ
ルボニルオキシ基 ２０．２−（２’−エチルヘキシルオキシ）フェニルカ
ルボニルオキシ基 ２１．２−ｎ−デシルオキシフェニルカルボニルオキシ
基 ２２．２−ｎ−デシルオキシ−５−クロロフェニルカル
ボニルオキシ基 ２３．２−ｎ−ドデシルオキシ−５−ベンジルフェニル
カルボニルオキシ基 ２４．２−ｎ−テトラデシルオキシフェニルカルボニル
オキシ基 ２５．２−ｎ−ヘキサデシルオキシフェニルカルボニル
オキシ基 ２６．３−メトキシフェニルカルボニルオキシ基 ２７．３−エトキシフェニルカルボニルオキシ基 ２８．３−イソプロポキシフェニルカルボニルオキシ基 ２９．３−（２’−メチルブチルオキシ）フェニルカル
ボニルオキシ基 ３０．３−ｎ−ヘキシルオキシフェニルカルボニルオキ
シ基 ３１．３−（２’−メチルペンチルオキシ）フェニルカ
ルボニルオキシ基 ３２．３−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルオキ
シ基 ３３．３−（3'，7'−ジメチルオクチルオキシ）フェニ
ルカルボニルオキシ基 ３４．３−ｎ−デシルオキシフェニルカルボニルオキシ
基 ３５．３−ｎ−ペンタデシルオキシ−６−メチルフェニ
ルカルボニルオキシ基

【００１２】本発明の芳香族ポリカーボネートは、少な
くとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物、カーボネート
前駆体および少なくとも１種の一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物から製造することができ、その製造方法とし
ては、当業者においては公知の界面重合法、溶液重合法
またはエステル交換法を利用することができ、特に、界
面重合法は好ましい製造方法である。本発明の新規な末
端基を有する芳香族ポリカーボネートを製造する際に、
一般式（１−Ａ）で表される化合物は末端封止剤として
作用し、本発明の芳香族ポリカーボネートの製造工程に
おいて芳香族ポリカーボネートの分子量を制御又は調整
するのに役立つ。これらの末端封止剤と芳香族ジヒドロ
キシ化合物とは、カーボネート前駆体の作用により、エ
ステル結合を形成し、本発明の一般式（１）で表される
末端基を有する芳香族ポリカーボネートを生成する。

【００１３】本発明の芳香族ポリカーボネートの重量平
均分子量は、製造の際に使用する一般式（１−Ａ）で表
される化合物の使用量により、任意の重量平均分子量を
とることができるが、成形加工性、衝撃抵抗性などの諸
物性を考慮し、約１５０００〜約１５００００の重量平
均分子量であることが好ましく、より好ましくは、約２
００００〜約１０００００の重量平均分子量である。重
量平均分子量は、一般に、芳香族ポリカーボネート生成
時に使用される一般式（１−Ａ）で表される化合物の量
に依存する。概して、一般式（１−Ａ）で表される化合
物の使用量が多くなれば芳香族ポリカーボネートの重量
平均分子量は小さくなり、逆に、一般式（１−Ａ）で表
される化合物の使用量が少なくなれば芳香族ポリカーボ
ネートの重量平均分子量は大きくなる。一般に、一般式
（１−Ａ）で表される化合物の使用量は、使用する芳香
族ジヒドロキシ化合物の量に対して、約１．２〜約１
０．０モル％であるのが好ましく、さらには、約１．５
〜約７．０モル％がより好ましい。

【００１４】一般式（１−Ａ）で表される末端封止剤
は、一般に、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート
前駆体との反応において、最初に、すなわちカーボネー
ト前駆体の添加に先立って、芳香族ジヒドロキシ化合物
と共に存在させてもよく、またはカーボネート前駆体の
添加に伴い、逐次連続的に供給することもできる。本発
明のポリカーボネートの製造に際して、一般式（１−
Ａ）で表される化合物は、一種あるいは複数使用するこ
とができる。一種だけを使用した場合には、芳香族ポリ
カーボネートの末端基は、全部同じ構造を有する基にな
る。また、複数併用した場合には、使用した一般式（１
−Ａ）で表される化合物の数、量およびタイプにより種
々の末端基が混合した形になる。更に、一般式（１−
Ａ）で表される化合物は、本発明の所望の効果を損なわ
ない範囲で他の公知の末端封止剤と組み合わせて使用す
ることも可能である。本発明の芳香族ポリカーボネート
を製造する際に、一般式（１−Ａ）で表される化合物
と、他の公知の末端封止剤を併用する場合、全末端封止
剤中、一般式（１−Ａ）で表される化合物の割合は、３
０モル％以上であることが好ましく、５０モル％以上で
あることがより好ましく、６０モル％以上であることが
特に好ましい。

【００１５】一般式（１−Ａ）で表される化合物以外の
末端封止剤としては、例えば、１価のヒドロキシ芳香族
化合物、１価のヒドロキシ芳香族化合物のクロロホーメ
ート化合物、１価のカルボン酸基を有する化合物および
１価のカルボン酸のクロライド化合物等である。１価の
ヒドロキシ芳香族化合物としては、例えば、フェノー
ル、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチ
ルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−tert
−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−シク
ロヘキシルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−
ノニルフェノール、２，４−キシレノール、ｐ−メトキ
シフェノール、ｐ−ヘキシルオキシフェノール、ｐ−デ
シルオキシフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−ク
ロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｐ−ブロモフ
ェノール、ペンタブロモフェノール、ペンタクロロフェ
ノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−イソプロペニル
フェノール、２，４−ジ（１−メチル−１−フェニルエ
チル）フェノール、β−ナフトール、α−ナフトール、
ｐ−（２’，４’，４’−トリメチルクロマニル）フェ
ノール、２−（４’−メトキシフェニル）−２−（４”
−ヒドロキシフェニル）プロパン等のフェノール類であ
る。１価のヒドロキシ芳香族化合物のクロロホーメート
化合物としては、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物
のクロロホーメート誘導体等である。

【００１６】１価のカルボン酸基を有する化合物として
は、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプ
ロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、２，２−ジメチルプ
ロピオン酸、３−メチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、
４−メチル吉草酸、３，３−ジメチル吉草酸、４−メチ
ルカプロン酸、２，４−ジメチル吉草酸、３，５−ジメ
チルカプロン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸類、安息香
酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−tert−ブチル安息香酸、
ｐ−プロピルオキシ安息香酸、ｐ−ブトキシ安息香酸、
ｐ−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−オクチルオキシ安息
香酸、ｐ−フェニル安息香酸、ｐ−ベンジル安息香酸、
ｐ−クロロ安息香酸等の安息香酸類である。１価のカル
ボン酸のクロライド化合物としては、上記の１価のカル
ボン酸基を有する化合物のクロライド誘導体等である。
尚、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物または１価の
カルボン酸基を有する化合物のアルカリ金属（例えば、
リチウム、ナトリウム、カリウム）塩、アルカリ土類金
属（例えば、カルシウム）塩も末端封止剤として使用で
きる。

【００１７】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、一
般式（２）で表される化合物を挙げることができる。 ＨＯ−Ｒ−ＯＨ （２） （式中、Ｒは芳香族炭化水素基、またはアルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ハロゲン
原子、ニトロ基あるいはアルコキシ基等の置換基を有す
る置換芳香族炭化水素基である）上記の一般式（２）に
おいて、基Ｒは好ましくは、一般式（３） −Ａr¹−Ｂ−Ａr²− （３） （式中、Ａr¹とＡr²は各々単環の二価芳香族基であり、
ＢはＡr¹とＡr²を結び付ける基である）で表される基で
ある。

【００１８】上記一般式（３）において、Ａr¹およびＡ
r²は、各々単環の二価芳香族基であり、好ましくは、フ
ェニレン基もしくは置換基を有する置換フェニレン基で
あり、置換基としては、例えば、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルケニル基、アリール基等の炭化水素基
や、ハロゲン原子、ニトロ基、アルコキシ基等が挙げら
れる。Ａr¹とＡr²の両方がｐ−フェニレン基、ｍ−フェ
ニレン基またはｏ−フェニレン基、あるいは一方がｐ−
フェニレン基であり、一方がｍ−フェニレン基またはｏ
−フェニレン基であるのが好ましく、特にＡr¹とＡr²の
両方がｐ−フェニレン基であるのが好ましい。Ｂは、Ａ
r¹とＡr²を結び付ける基であり、単結合もしくは２価の
炭化水素基、更には−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂ −、−ＣＯ−等の炭素と水素以外の原子を含む基であ
っても良い。２価の炭化水素基とは、飽和の炭化水素
基、例えば、メチレン、エチレン、２，２−プロピリデ
ン、シクロヘキシリデン等のアルキリデン基があげられ
るが、アリール基等で置換された基も包含され、また、
芳香族基やその他の不飽和の炭化水素基を含有する炭化
水素基であってもよい。

【００１９】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−
ビス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−ナフチルメタン、１，１−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン〔”ビスフェノールＡ”〕、１，１−ビス（4'−ヒド
ロキシフェニル）−３−メチルプロパン、１，３−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジメチルプロ
パン、２−（４’−ヒドロキシフェニル）−２−（３’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４’−
ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタ
ン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ヘキサ
ン、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ヘプタ
ン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ノナ
ン、

【００２０】ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、２，２−ビス（3'−メチル−４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−
エチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３’−ｎ−プロピル−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３’−イソプロピル−4'
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’
−sec −ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’−tert−ブチル−４’−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−シクロ
ヘキシル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，
２−ビス（３’−アリル−４’−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３’−メトキシ−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’
−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル) プロパン、
２，２−ビス（２’，３’，５’，６’−テトラメチル
−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−クロロ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジクロロ−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−ブロ
モ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３’，５’−ジブロモ−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（２’，６’−ジブロモ−
３’，５’ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シアノメタン、
１−シアノ−３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ブタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン等のビス（ヒドロキシアリ
ール）アルカン類、

【００２１】１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’−メチ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’，５’−
ジクロロ−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−
メチルシクロヘキサン、１，１−ビス (４’−ヒドロキ
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘプタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）
シクロオクタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）シクロノナン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）シクロドデカン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ノルボルナン、８，８−ビス（４’−
ヒドロキシフェニル）トリシクロ〔５．２．１．
０^2.6 〕デカン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）アダマンタン等のビス（ヒドロキシアリール）シ
クロアルカン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニルエーテル、エチレングリコールビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エーテル等のビス（ヒドロキシアリ
ール）エーテル類、

【００２２】４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフ
ィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルフィド、３，３’−ジシクロヘキシル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
３’−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニル
スルフィド、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド等のビス（ヒ
ドロキシアリール）スルフィド類、４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−
４，4'−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド等のビス
（ヒドロキシアリール）スルホキシド類、４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’
−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホン、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルホン等のビス（ヒドロキシアリール）スル
ホン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン等のビ
ス（ヒドロキシアリール）ケトン類、

【００２３】更には、６，６’−ジヒドロキシ−２，
２’，３，３’−テトラヒドロ−３，３，３’，３’−
テトラメチル−１，１’−スピロビ（１Ｈ−インデン）
〔”スピロビインダンビスフェノール”〕、７，７−ジ
ヒドロキシ−３，３’，４，４’−テトラヒドロ−４，
４，４’，４’−テトラメチル−２，２’−スピロビ
（２Ｈ−１−ベンゾピラン）〔”スピロビクロマ
ン”〕、トランス−２，３−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）−２−ブテン、９，９−ビス（４’−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、３，３−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）−２−ブタノン、１，６−ビス（４’−
ヒドロキシフェニル）−１，６−ヘキサンジオン、１，
１−ジクロロ−２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）エチレン、１，１−ジブロモ−２，２−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）エチレン、１，１−ジクロロ−
２，２−ビス（３’−フェノキシ−４’−ヒドロキシフ
ェニル）エチレン、α，α，α’，α’−テトラメチル
−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キ
シレン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシレン、

【００２４】３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フタリド、２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキ
シン、２，６−ジヒドロキシチアントレン、２，７−ジ
ヒドロキシフェノキサチイン、２，７−ジヒドロキシ−
９，１０−ジメチルフェナジン、３，６−ジヒドロキシ
ジベンゾフラン、３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフ
ェン、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、１，４−ジ
ヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒド
ロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシピレン等が挙
げられる。上記の芳香族ジヒドロキシ化合物の他にもハ
イドロキノン、レゾルシン等も同様に使用される。更に
は、例えばビスフェノールＡ２モルとイソフタロイルク
ロライド又はテレフタロイルクロライド１モルとを反応
させることにより製造することができるエステル結合を
含むビスフェノール類（芳香族ジヒドロキシ化合物）も
有用である。これらは単独で、あるいは２種以上混合し
て使用してもよい。特に好ましく使用される芳香族ジヒ
ドロキシ化合物は、ビスフェノールＡである。

【００２５】カーボネート前駆体としては、ハロゲン化
カルボニル、ハロホーメート化合物、ジアルキルカーボ
ネート化合物、ジアリールカーボネート化合物、アルキ
ルアリールカーボネート化合物を挙げることができ、好
ましくは、ハロゲン化カルボニルおよびハロホーメート
化合物である。ハロゲン化カルボニルとしては、通常、
ホスゲンと呼ばれる塩化カルボニルが用いられるが、塩
素以外のハロゲンより誘導されるハロゲン化カルボニ
ル、例えば臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化
カルボニル等でもよく、これらの混合物であってもよ
い。また、ハロホーメート基を形成させる能力を有する
化合物、例えば、ホスゲンの２量体であるトリクロロメ
チルクロロホーメートやホスゲンの３量体であるビス
（トリクロロメチル）カーボネート等であっても良い
が、通常はホスゲンを使用するのが好ましい。ハロホー
メート化合物としては、ビスまたはモノハロホーメート
化合物、オリゴマー状のビスまたはモノハロホーメート
化合物が用いられ、代表的には一般式（４）で表される
化合物を挙げることができる。

【００２６】 Ｘ−（Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ））n −Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｘ （４） （式中、Ｘは水素原子またはハロカルボニル基を表し、
少なくとも１個のＸはハロカルボニル基であり、Ｒ’は
２価の脂肪族基または芳香族基を表し、ｎは０または正
の整数を表す）一般式（４）で表される化合物は、脂肪
族ジヒドロキシ化合物から誘導されるビスハロホーメー
ト化合物およびオリゴマー状のビスハロホーメート化合
物、および芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導されるビ
スハロホーメート化合物およびオリゴマー状のビスハロ
ホーメート化合物である。一般式（４）において、２価
の脂肪族基Ｒ’としては、炭素数２〜２０のアルキレン
基および炭素数４〜１２のシクロアルキレン基が挙げら
れ、例えば、直鎖状または分岐状のエチレン基、プロピ
レン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘ
プチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、
ウンデシレン基、ドデシレン基等の２価の炭化水素基、
また、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロ
ヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン
基、シクロノニレン基、シクロデシレン基、シクロウン
デシレン基、シクロドデシレン基またはそれらの任意に
置換された２価の環状炭化水素基である。

【００２７】これらの脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体
例としては、エチレングリコール、１，３−プロパンジ
オール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジ
オール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，
６−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、
１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオー
ル、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオー
ル、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカ
ンジオール、ネオペンチルグリコール、２−エチル−
１，６−ヘキサンジオール、２−メチル−１，３−プロ
パンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、１，
４−シクロヘキサンジオール、２，２−ビス（４’−ヒ
ドロキシシクロヘキシル）プロパン等を挙げることがで
きる。また、２価の脂肪族基Ｒ’は、一般式（５）で表
されるような基も含む。 −Ｒ”−Ａｒ³ −Ｒ”− （５） （式中、Ｒ”は炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ａ
ｒ³ は炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表す）一般式
（５）において、Ｒ”基は炭素数１〜６のアルキレン基
を表し、例えば、直鎖状または分岐状のメチレン基、エ
チレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、
ヘキシレン基の２価の炭化水素基が挙げられ、Ａｒ³ 基
は、炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表し、フェニレ
ン基、置換フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ
る。

【００２８】この種の脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体
例としては、キシリレンジオール、１，４−ビス（２’
−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，４−ビス（３’−
ヒドロキシプロピル）ベンゼン、１，４−ビス（４’−
ヒドロキシブチル）ベンゼン、１，４−ビス（５’−ヒ
ドロキシペンチル）ベンゼン、１，４−ビス（６’−ヒ
ドロキシヘキシル）ベンゼン等を挙げることができる。
一般式（４）において、Ｒ’基が芳香族基である芳香族
ジヒドロキシ化合物としては、前述した芳香族ジヒドロ
キシ化合物、例えば、ビスフェノールＡ、ハイドロキノ
ン等を挙げることができる。さらに、オリゴマー状のビ
スまたはモノハロホーメート化合物は、同一分子中に構
造の異なるＲ’基を有していてもよい。これらのハロホ
ーメート化合物は、単独で使用しても、混合して使用し
てもよく、さらにハロゲン化カルボニルと混合して使用
することも可能である。ジアルキルカーボネート化合
物、ジアリールカーボネート化合物、アルキルアリール
カーボネート化合物としては、ジメチルカーボネート、
ジフェニルカーボネート、メチルフェニルカーボネート
化合物、ハロゲン原子、ニトロ基等で置換されたジフェ
ニルカーボネートおよびこれらの混合物が挙げられる。

【００２９】界面重合法により本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合、カーボネート前駆体として
は、ハロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメー
ト化合物が好ましく使用される。カーボネート前駆体
は、気体、液体、固体のいずれの状態で使用してもよい
が、ハロゲン化カルボニルを使用する場合には、気体の
状態で使用するか、あるいは有機溶媒に溶解させた状態
で有機溶媒溶液として使用することが好ましく、ハロホ
ーメート化合物を使用する場合には、固体状態あるいは
有機溶媒に溶解させた状態で有機溶媒溶液として使用す
ることが好ましい。本発明の芳香族ポリカーボネート
を、界面重合法により製造する場合には、公知の芳香族
ポリカーボネートを製造する方法を用いることができ
る。例えば、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合
物とアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属塩基、水お
よび水と実質的に不溶性の有機溶媒の２相混合溶媒中
で、ハロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメー
ト化合物を一般式（１−Ａ）で表される化合物の存在下
で作用させて、芳香族ポリカーボネートを製造する方法
であり、より好ましくは、ポリカーボネート生成触媒の
存在下で製造する方法である。

【００３０】本発明の芳香族ポリカーボネートを界面重
合法により製造するに際し、カーボネート前駆体とし
て、例えば、ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場
合、その使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物の量に対
し、約１．０〜約１．３倍モルとなる量を使用するのが
好ましい。１．０倍モルよりも極端に少ない量のハロゲ
ン化カルボニル化合物を使用することは、未反応の芳香
族ジヒドロキシ化合物を生じる結果となり、色調の良く
ない芳香族ポリカーボネートを生成する要因となる。ま
た、１．３倍モルよりも過度に多いハロゲン化カルボニ
ル化合物の使用は、末端がハロホーメート末端基で停止
したオリゴマーを多量に生成することとなり、その結
果、反応系内のオリゴマーのハロホーメート末端基とＯ
Ｈ基（あるいはフェノラート基）の割合が、ハロホーメ
ート末端基が過剰になるため、通常の重合時間では、ハ
ロホーメート末端基で重合停止された分子量の小さい芳
香族ポリカーボネートを形成させることになるため好ま
しくない。

【００３１】有機溶媒は、水に対して実質的に不溶性で
あり、かつ反応に対して不活性であり、芳香族ポリカー
ボネートを溶解するものであれば任意に使用可能であ
る。例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−
ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロ
ロエタン、テトラクロロエタン、ジクロロプロパン等の
脂肪族塩素化物或いは、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等の芳香族塩素化物のような塩素化炭化水素または
それらの混合物を好適な有機溶媒として挙げることがで
きる。またそれらの塩素化炭化水素あるいはそれらの混
合物に、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香
族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の
脂肪族炭化水素等を混合した有機溶媒を使用してもよ
い。特に好ましい有機溶媒はジクロロメタンである。

【００３２】有機溶媒の使用量は、通常、重合終了時の
芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液中の芳
香族ポリカーボネートの濃度が約５〜約３５重量％程度
になるように使用するのが好ましい。芳香族ポリカーボ
ネートの濃度が極端に低い場合には、多量の有機溶媒を
必要とし、生産性の点から好ましくない。また芳香族ポ
リカーボネートの濃度が飽和濃度に近い濃度であると芳
香族ポリカーボネートの有機溶媒溶液の粘度が非常に高
くなるため、界面重合の反応効率の低下、重合後の有機
溶媒溶液の取り扱い性の悪化等の問題点があり好ましく
ない。重合終了時の芳香族ポリカーボネートの有機溶媒
溶液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が、約１０〜約
２０重量％になるように有機溶媒を使用するのが特に好
ましい。また、有機溶媒の使用量は水の使用量にも依存
する。反応混合物が実質的に均一な乳化状態を維持する
に必要な量であれば良く、通常、水相対有機相の容量比
は約０．４〜約１．５：１とするのが好ましい。上記範
囲より有機溶媒が少ない場合には、カーボネート前駆体
およびハロホーメート基の加水分解が多くなり、また均
一な乳化状態を形成する為に多大な攪拌動力を必要と
し、また、上記範囲より有機溶媒が多い場合にも、より
大きな攪拌動力を必要とするため、生産性の点からも好
ましくない。

【００３３】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用するアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
塩基（以下、塩基と略記する）は、通常、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属の水酸化物であって、比
較的入手が容易な点から水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムが好ましく、特に水酸化ナトリウムが好ましい。塩
基は通常水溶液の状態で用いられ、更にこの水溶液に芳
香族ジヒドロキシ化合物を溶解させて反応に使用するこ
とが好ましい。この場合、芳香族ジヒドロキシ化合物の
塩基性水溶液は一般に着色しやすいので、酸化防止剤と
して亜硫酸ナトリウム、ソジウムハイドロサルファイト
あるいはソジウムボロハイドライド等の還元剤を添加し
て芳香族ジヒドロキシ化合物の塩基性水溶液を調製して
もよい。

【００３４】界面重合法において使用する好適なポリカ
ーボネート生成触媒（重合触媒、重縮合触媒とも呼ばれ
る）は、三級アミン、四級アンモニウム塩、三級ホスフ
ィン、四級ホスホニウム塩あるいは含窒素複素環化合物
及びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミド基を有
する化合物等が挙げられる。好ましくは、三級アミンで
あるトリアルキルアミンであり、より好ましくは１位及
び２位にある炭素原子上に分岐を持たず、アルキル基が
Ｃ₁ 〜Ｃ₄ までのトリアルキルアミンであり、例えば、
トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジエチ
ル−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン等が
挙げられ、入手の容易さ、及び触媒効果が優れている点
でトリエチルアミンが特に好ましい。ポリカーボネート
生成触媒の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物のモル
数に対して約０．０００５〜約１．５モル％が好まし
い。０．０００５モル％より過度に少ない触媒量では、
芳香族ポリカーボネートを形成させるための触媒効果が
充分でなく、非常に長い重合時間が必要となるため、経
済的でなく好ましくない。また、触媒量が１．５モル％
より過度に多くても、重合反応を特に速める効果はな
く、過剰分のポリカーボネート生成触媒が無駄になるた
め好ましくない。ポリカーボネート生成触媒の添加時期
は、本発明の芳香族ポリカーボネートを製造する際、反
応前あるいは反応中に加えることができる。

【００３５】界面重合法においては、反応温度は、約１
０℃〜反応に使用する有機溶媒の沸点温度で本発明の芳
香族ポリカーボネートを製造することが好ましい。１０
℃より極端に低い反応温度では、反応速度が遅くなり、
反応効率が悪くなる。また冷却媒体あるいは冷却装置を
必要としたりする等実用的ではなくなる。使用される有
機溶媒が、ジクロロメタンである場合には、大気圧にお
いて、還流温度である約３９℃で行うことができる。実
際には、反応は通常、室温付近で開始され、それから反
応熱により還流温度付近にまで上昇される。反応は通常
大気圧で行うが、所望ならば、加圧下または減圧下で反
応を行ってもよい。

【００３６】尚、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
所望により、分岐化剤を添加することにより、分岐化さ
れた芳香族ポリカーボネートとすることができる。本発
明の芳香族ポリカーボネートに対して適する分岐化剤
は、例えば、３つ以上の芳香族性ヒドロキシ基、クロロ
ホーメート基、カルボン酸基、カルボン酸クロライド基
さらには活性なハロゲン原子を有する化合物を挙げるこ
とができ、具体例としては、フロログルシノール、１，
１，４，４−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン、１，３，５−トリス（４’−ヒドロキ
シフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、α，α，α’，α’
−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）−１，４−
ジエチルベンゼン、１−ヒドロキシ−２，４−ビス〔α
−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル〕
ベンゼン、２，２，５，５−テトラキス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサン、１，１，２，３−テトラキス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（4'−ヒ
ドロキシフェニル）−２−（２”，４”−ジヒドロキシ
フェニル）プロパン、４，６−ジメチル−２，４，６−
トリス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ヘプタン、１，４−ビス（４’，４”−
ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、３，
３’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルエーテ
ル、トリス（４−ヒドロキシフェニル）ホスフィン、ト
リメシン酸トリクロライド、シアヌル酸クロライド、
３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−オキ
ソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−ビス（４’
−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−オキソ−
２，３−ジヒドロインドール等を挙げることができる。
分岐化剤を使用する場合には、その使用量は、目的とす
る芳香族ポリカーボネートの分岐度にあわせて変化させ
ることができるが、通常、芳香族ジヒドロキシ化合物に
対して０．０５〜２．０モル％程度用いるのが好まし
い。

【００３７】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
は、芳香族ポリエステルカーボネートをも包含するもの
であり、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物
〔例えば、一般式（２）で表される化合物〕、カーボネ
ート前駆体（例えば、ホスゲン）、２価のカルボン酸ま
たは該化合物の誘導体（例えば、米国特許第３１６９１
２１号記載のイソフタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライド等）および
一般式（１−Ａ）で表される化合物を用い、好適に芳香
族ポリエステルカーボネートを製造することができる。
この際、２価のカルボン酸または該化合物の誘導体の使
用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物に対し、３０〜８０
モル％程度用いるのが好ましい。

【００３８】また、本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際には、当業者ではすでに公知の溶液重合法を
利用することもでき、例えば、ピリジン溶液中で、芳香
族ジヒドロキシ化合物、カーボネート前駆体として、ハ
ロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメート化合
物および一般式（１−Ａ）で表される化合物を約０〜５
０℃で作用させることにより製造することができる。ジ
アルキルカーボネート化合物、アルキルアリールカーボ
ネート化合物または／およびジアリールカーボネート化
合物を用いて、芳香族ジヒドロキシ化合物と一般式（１
−Ａ）で表される化合物とより本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合には、ジアルキルカーボネート
化合物、アルキルアリールカーボネート化合物または／
およびジアリールカーボネート化合物、芳香族ジヒドロ
キシ化合物と一般式（１−Ａ）で表される化合物との混
合物を、約６０〜約３００℃の温度で、常圧、加圧下ま
たは減圧下で、必要に応じてエステル交換触媒（例え
ば、金属酸化物、水酸化物、炭酸塩等）の存在下で、当
業者ではすでに公知のエステル交換法により製造するこ
とができる。

【００３９】本発明の芳香族ポリカーボネートは、界面
重合法または溶液重合法により製造した場合、通常該芳
香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液を水層と
分離した後、水洗浄により、実質的に電解質が無くなる
まで洗浄した後、該有機溶媒溶液から公知の方法により
有機溶媒を除去して、本発明の芳香族ポリカーボネート
を得ることができる。また、エステル交換法により製造
された芳香族ポリカーボネートは、エステル交換条件下
で溶融した芳香族ポリカーボネートを、直接ペレット化
あるいは成形物へと加工することも可能である。本発明
の芳香族ポリカーボネートは、特定の有機溶媒（たとえ
ばジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒）に可
溶であり、該有機溶媒よりフィルムのような成形加工品
に加工し得る。本発明の芳香族ポリカーボネートは、熱
可塑性であり、溶融物から射出成形、押し出し成形、吹
き込み成形、積層等の公知の成形法により容易に成形加
工される。

【００４０】本発明の芳香族ポリカーボネートは、他の
芳香族ポリカーボネートあるいはポリエチレンテレフタ
レートやポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）等の
ポリエステルと混合しえる。また、本発明の芳香族ポリ
カーボネートには、芳香族ポリカーボネートに加工時の
熱安定性、耐光性、耐候性、耐難燃性、離型性およびそ
の他の性質を付与する目的で、芳香族ポリカーボネート
の製造時または製造後に公知の方法で、極めて広範囲に
わたる添加剤、安定剤、難燃剤および充填剤、すなわち
加工および熱安定剤、酸化防止剤、加水分解安定剤、耐
衝撃安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、有機ハロゲン化合
物、アルカリ金属スルホン酸塩、ガラス繊維、ガラスビ
ーズ、硫酸バリウム、ＴｉＯ₂ 等を添加しても良い。

【００４１】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 例示番号３の末端基を有する芳香族ポリカ
ーボネートの製造 １０ｌのバッフル付フラスコに、三段六枚羽根の攪拌機
および還流冷却管を設け、このフラスコに、ビスフェノ
ールＡ９１２ｇ（４．０モル）、２−エトキシ−５−te
rt−ブチル安息香酸３０．２ｇ（０．１３６モル、ビス
フェノールＡに対して３．４モル％）、ジクロロメタン
４ｌ及び脱イオン水４ｌを入れ、懸濁液とし、フラスコ
内の酸素を除去する為に窒素パージを行った。次に、上
記懸濁液にソジウムハイドロサルファイト１．２ｇおよ
び苛性ソーダ４３２ｇ（１０．８モル）を溶解した水溶
液２．２ｌを供給し、１５℃でビスフェノールＡを溶解
した。この溶液に、ホスゲン４９５ｇ（５．０モル）を
８．２５ｇ／分の速度で供給した。反応温度は３９℃ま
で上昇し、ジクロロメタンの還流が確認された。ホスゲ
ンの供給が完了した後、トリエチルアミン０．６４ｇを
添加して、反応液をさらに９０分間攪拌し、重合反応を
行った。その後、反応液を静置し、有機層を分液し、塩
酸により中和し、電解質が無くなるまで脱イオン水で洗
浄した。このようにして得られた芳香族ポリカーボネー
トのジクロロメタン溶液にトルエン２ｌと水５ｌを加
え、９８℃まで加熱することによりジクロロメタン及び
トルエンを留去して、芳香族ポリカーボネートの粉体を
得た。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量
は２０９００、重量平均分子量は５１２００であった。

【００４２】実施例２ 例示番号１１の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−５−tert−ブチル安
息香酸を用いる代わりに、２−（３’−メチルブチルオ
キシ）安息香酸クロライド３０．８ｇ（ビスフェノール
Ａに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と
同様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得られ
た芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８０
０、重量平均分子量は５１０００であった。

【００４３】実施例３ 例示番号１３の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−５−tert−ブチル安
息香酸を用いる代わりに、２−ｎ−ヘキシルオキシ安息
香酸３０．２ｇ（ビスフェノールＡに対して、３．４モ
ル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香族ポ
リカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボ
ネートの数平均分子量は２１１００、重量平均分子量は
５１３００であった。

【００４４】実施例４ 例示番号１６の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−５−tert−ブチル安
息香酸を用いる代わりに、２−ｎ−ヘプチルオキシ安息
香酸３２．１ｇ（ビスフェノールＡに対して、３．４モ
ル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香族ポ
リカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボ
ネートの数平均分子量は２１０００、重量平均分子量は
５１３００であった。

【００４５】実施例５ 例示番号１９の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−５−tert−ブチル安
息香酸を用いる代わりに、２−ｎ−オクチルオキシ安息
香酸クロライド３６．５ｇ（ビスフェノールＡに対して
３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして
芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポ
リカーボネートの数平均分子量は２０９００、重量平均
分子量は５１１００であった。

【００４６】実施例６ 例示番号２２の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−５−tert−ブチル安
息香酸を用いる代わりに、２−デシルオキシ−５−クロ
ロ安息香酸クロライド４２．４ｇ（ビスフェノールＡに
対して３．２モル％）を用いた以外は、実施例１と同様
にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳
香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１８００、重
量平均分子量は５２６００であった。

【００４７】実施例７ 例示番号２９の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−５−tert−ブチル安
息香酸を用いる代わりに、３−（２’−メチルブチルオ
キシ）安息香酸２８．３ｇ（ビスフェノールＡに対して
３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして
芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポ
リカーボネートの数平均分子量は２１０００、重量平均
分子量は５１５００であった。

【００４８】実施例８ 例示番号３１の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−５−tert−ブチル安
息香酸を用いる代わりに、３−（２’−メチルペンチル
オキシ）安息香酸クロライド３２．７ｇ（ビスフェノー
ルＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１
と同様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得ら
れた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８０
０、重量平均分子量は５１２００であった。

【００４９】実施例９ 例示番号３３の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−５−tert−ブチル安
息香酸を用いる代わりに、３−（３’，７’−ジメチル
オクチルオキシ）安息香酸３５．６ｇ（ビスフェノール
Ａに対して３．２モル％）を用いた以外は、実施例１と
同様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得られ
た芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１５０
０、重量平均分子量は５２７００であった。

【００５０】比較例１ 比較のため、実施例１において、２−エトキシ−５−te
rt−ブチル安息香酸を用いる代わりに、ｐ−tert−ブチ
ルフェノール２０．４ｇ（ビスフェノールＡに対して
３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして
芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポ
リカーボネートの数平均分子量は２１０００、重量平均
分子量は５１０００であった。

【００５１】比較例２ 比較のため、実施例１において、２−エトキシ−５−te
rt−ブチル安息香酸を用いる代わりに、ｐ−ｎ−ヘキシ
ルオキシフェノール２６．４ｇ（ビスフェノールＡに対
して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様に
して芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香
族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８００、重量
平均分子量は５１３００であった。

【００５２】比較例３ 比較のため、実施例１において、２−エトキシ−５−te
rt−ブチル安息香酸を用いる代わりに、ｐ−ｎ−オクチ
ルオキシ安息香酸３４．０ｇ（ビスフェノールＡに対し
て３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族
ポリカーボネートの数平均分子量は２０７００、重量平
均分子量は５０８００であった。

【００５３】尚、各実施例および比較例で製造した各芳
香族ポリカーボネートの分子量は、ＧＰＣ〔ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー、昭和電工（株）社製、
ＧＰＣシステム−１１〕で測定したものである。各実施
例および各比較例で製造した各芳香族ポリカーボネート
のメルトフローインデックス（ＭＩ）および加水分解安
定性試験の結果を、第１表（表１）に示した。 ・メルトフローインデックス（ＭＩ）は、東洋精機製Ｓ
−０１メルトインデックサーを用い、温度２８０℃、荷
重２．１６ｋｇの条件で測定し、１０分間に溶出するポ
リマーの重量（単位：ｇ）で示す。数値が大きいほど、
溶融流動性に優れていることを示している。 ・加水分解安定性試験としては、各芳香族ポリカーボネ
ートのキャストフィルム（厚さ３０μｍ）を、８０℃の
熱水中に１２０時間浸漬した後の重量平均分子量（Ｍ
ｗ）を測定し、試験前（浸漬前）の重量平均分子量から
の減少率（％）を下記式により求めた。数値が小さい
程、加水分解安定性に優れていることを示している。

【００５４】

【表１】

【００５５】第１表から、本発明の芳香族ポリカーボネ
ートは、公知の末端封止剤を用いて製造される芳香族ポ
リカーボネートに比較して、溶融流動性に優れ、かつ加
水分解安定性に優れていることが判った。特に、オルト
位またはメタ位に鎖状アルキルオキシ基を有する安息香
酸誘導体より誘導される末端基を有する本発明の芳香族
ポリカーボネートが、公知のパラ位に鎖状のアルコキシ
基を有するフェノール誘導体または安息香酸誘導体を末
端封止剤として用いて製造される芳香族ポリカーボネー
トに比較して、加水分解安定性に優れていることは、非
常に驚くべきことである。

【００５６】

【発明の効果】本発明により、溶融流動性に優れ、かつ
加水分解安定性に優れた芳香族ポリカーボネートを提供
することが可能になった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 友倫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 末端基の少なくとも１つが、一般式
   （１）で表される基である芳香族ポリカーボネート。 −Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａ−ＯＲ₁ （１） （式中、Ｒ₁ は鎖状アルキル基を表し、Ａは１，２−フ
   ェニレン基または１，３−フェニレン基を表す）