JPH07258400A - 芳香族ポリカーボネート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 末端基の少なくとも１つが、一般式（１）で
表される基である芳香族ポリカーボネート。 （式中、Ｒ₁ およびＲ₂ はシクロアルキル基を表し、Ｒ
₃ は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を表す） 【効果】 溶融流動性に優れた芳香族ポリカーボネート
を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
トに関する。さらに詳しくは、末端基として特定構造の
基を有する芳香族ポリカーボネートに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、芳香族ポリカーボネートは、
透明性、耐熱性、機械的強度、寸法安定性等に優れたエ
ンジニアリングプラスチックとして知られており、自動
車、電気製品等の部品として幅広く用いられている。通
常、芳香族ポリカーボネートを製造する際には、製造さ
れる芳香族ポリカーボネートの分子量を調節する目的
で、末端封止剤（分子量調節剤、連鎖停止剤とも呼ばれ
ている）を添加し重合がなされている（例えば、米国特
許第３０２８３６５号）。その中でも、末端封止剤とし
て、フェノールまたはｐ−tert−ブチルフェノールが一
般的に広く使用されている。しかし、フェノールまたは
ｐ−tert−ブチルフェノールを末端封止剤として製造さ
れる芳香族ポリカーボネートは、溶融粘度が非常に高
く、溶融流動性が悪いため、成形品を製造する際には、
充分な流動性を確保するために、高温条件下で溶融成形
が行われてきた。しかしながら、薄肉の成形品あるいは
複雑な形状の成形品を製造する場合には、溶融時の流動
性はなお不充分であり、金型内で未充填を起こしやす
く、精密成形品が得られにくいという問題点がある。

【０００３】また、シクロアルキル基置換フェノール誘
導体を末端封止剤として使用し、芳香族ポリカーボネー
トが製造されている（米国特許第４６９９９７１号）。
しかし、例えば、末端封止剤として、４−シクロヘキシ
ルフェノールを用いて製造される芳香族ポリカーボネー
トの溶融流動性は充分ではない。最近、例えば、データ
保存用ディスクまたはオーディオ用コンパクトディスク
等の光学機器用の基板に必要とされる精密な加工性が要
求される分野においては、優れた溶融流動性を有する芳
香族ポリカーボネートが必要となっている。現在では、
溶融流動性に優れた芳香族ポリカーボネートが強く要望
されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術の問題点を改善し、溶融流動性に優れた芳香族ポリ
カーボネートを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、芳香族ポ
リカーボネートに関し鋭意検討した結果、本発明に到達
した。すなわち、本発明は、末端基の少なくとも１つ
が、一般式（１）（化２）で表される基である芳香族ポ
リカーボネートに関するものである。

【０００６】

【化２】 （式中、Ｒ₁ およびＲ₂ はシクロアルキル基を表し、Ｒ
₃ は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を表す）

【０００７】一般式（１）において、Ｒ₁ およびＲ₂ は
シクロアルキル基を表し、好ましくは、炭素数１〜８の
アルキル基で単置換あるいは多置換されていてもよい総
炭素数５〜１４のシクロアルキル基であり、より好まし
くは、総炭素数６〜１２のシクロアルキル基である。Ｒ
₁ およびＲ₂ の具体例としては、例えば、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオ
クチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウ
ンデシル基、シクロドデシル基、シクロテトラデシル
基、２−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘ
キシル基、３−エチルシクロヘキシル基、４−tert−ブ
チルシクロヘキシル基、４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシ
ル基、２，３−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジ
メチルシクロヘキシル基、３，３，５−トリメチルシク
ロヘキシル基等を挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。特に好ましくは、シクロヘキシル
基である。

【０００８】一般式（１）において、Ｒ₃ は水素原子、
アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはハ
ロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、炭素数１〜
８のアルキル基、炭素数１〜８のアルキル基で単置換あ
るいは多置換されていてもよい総炭素数５〜１４のシク
ロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、フッソ原
子、塩素原子、臭素原子であり、より好ましくは、水素
原子、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数６〜１２の
シクロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、塩素
原子、臭素原子である。

【０００９】Ｒ₃ の具体例としては、例えば、水素原
子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、sec −ブチル基、tert−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチ
ル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シ
クロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シ
クロウンデシル基、シクロドデシル基、シクロテトラデ
シル基、２−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシク
ロヘキシル基、３−エチルシクロヘキシル基、４−tert
−ブチルシクロヘキシル基、４−ｎ−ヘキシルシクロヘ
キシル基、２，３−ジメチルシクロヘキシル基、３，５
−ジメチルシクロヘキシル基、３，３，５−トリメチル
シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブ
トキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２
−エチルヘキシルオキシ基、フッソ原子、塩素原子、臭
素原子等を挙げることができるが、これらに限定される
ものではない。特に好ましくは、水素原子、メチル基、
シクロヘキシル基、メトキシ基、塩素原子である。ま
た、Ｒ₃ の置換位置は、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−基に対し
て、オルト位またはメタ位であり、特に好ましくは、オ
ルト位である。

【００１０】本発明の末端基の少なくとも１つが、一般
式（１）で表される基である芳香族ポリカーボネートを
製造する際に使用する好適な化合物としては、一般式
（１−Ａ）（化３）で表される化合物を挙げることがで
きる。

【００１１】

【化３】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ は前記に同じ意味を表
し、Ｙは−ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＺ基、Ｍは金属
イオン、Ｚはハロゲン原子を表す）

【００１２】本発明に係る一般式（１−Ａ）で表される
化合物において、Ｙは−ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＺ
基を表し、Ｍは金属イオンを、Ｚはハロゲン原子を表
す。Ｍとしては、好ましくは、１価または２価のアルカ
リ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンであり、リ
チウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カ
ルシウムイオン等を具体例として挙げることができる。
Ｚとしては、好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子を挙げることができ、より好ましくは、塩素原子で
ある。

【００１３】一般式（１−Ａ）で表される化合物は、公
知の方法により製造することができる。すなわち、例え
ば、一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＨ基で表され
る化合物は、Ｒ₃ で置換されたフェノール誘導体１モル
に対し、酸の存在下、約２モルの同種、または異種のシ
クロアルケン誘導体を作用させて製造することができ
る。また、一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＣＯＺ
基で表される化合物において、例えば、Ｚが塩素原子で
ある化合物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、例えば、
ホスゲンを作用させて製造することができる。また、一
般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＭ基で表される化合
物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、例えば、水溶液中
で、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシ
ウム等のアルカリ金属塩基またはアルカリ土類塩基を作
用させて製造することができる。

【００１４】本発明の末端基の少なくとも１つが、一般
式（１）で表される基である芳香族ポリカーボネートに
おいて、一般式（１）で表される基としては、代表的に
は、以下に示す基を挙げることができるが、勿論本発明
はこれらに限定されるものではない。 例示番号 基 １． ２，４−ジシクロペンチルフェニルオキシカルボニルオキシ基 ２． ２，４−ジシクロヘキシルフェニルオキシカルボニルオキシ基 ３． ２，４−ジシクロヘプチルフェニルオキシカルボニルオキシ基 ４． ２，４−ジシクロデシルフェニルオキシカルボニルオキシ基 ５． ２，４−ジシクロテトラデシルフェニルオキシカルボニルオキシ基 ６． ２−シクロヘキシル−４−（4'−メチルシクロヘキシル）フェニルオ キシカルボニルオキシ基 ７． ２−シクロヘキシル−４−シクロドデシルフェニルオキシカルボニルオ キシ基 ８． ２−シクロデシル−４−（3'−エチルシクロヘキシル）フェニルオキ シカルボニルオキシ基

【００１５】 ９． ２−シクロヘキシル−４−（4'−tert−ブチルシクロヘキシル）フェ ニルオキシカルボニルオキシ基 １０． ２−シクロペンチル−４−シクロヘキシル−６−ｎ−プロピルフェニル オキシカルボニルオキシ基 １１． ２，４−ジシクロヘキシル−５−メチルフェニルオキシカルボニルオキ シ基 １２． ２，４−ジシクロヘキシル−６−メチルフェニルオキシカルボニルオキ シ基 １３． ２，４−ジシクロヘキシル−６−エチルフェニルオキシカルボニルオキ シ基 １４． ２−シクロオクチル−４−シクロヘキシル−６−ｎ−ブチルフェニルオ キシカルボニルオキシ基 １５． ２，４−ジシクロヘキシル−６−メトキシフェニルオキシカルボニルオ キシ基 １６． ２−シクロヘキシル−４−シクロヘプチル−６−エトキシフェニルオキ シカルボニルオキシ基

【００１６】 １７． ２，４−ジシクロペンチル−６−フルオロフェニルオキシカルボニルオ キシ基 １８． ２，４−ジシクロヘキシル−６−クロロフェニルオキシカルボニルオキ シ基 １９． ２，４−ジシクロヘキシル−６−ブロモフェニルオキシカルボニルオキ シ基 ２０． ２，４，６−トリシクロヘキシルフェニルオキシカルボニルオキシ基 ２１． ２，６−ジシクロペンチル−４−シクロヘキシルフェニルオキシカルボ ニルオキシ基 ２２． ２，６−ジシクロヘキシル−４−（4'−メチルシクロヘキシル）フェ ニルオキシカルボニルオキシ基 ２３． ２，４−ジシクロヘキシル−６−シクロウンデシルフェニルオキシカル ボニルオキシ基 ２４． ２−シクロペンチル−４−シクロヘキシル−６−シクロオクチルフェニ ルオキシカルボニルオキシ基

【００１７】本発明の芳香族ポリカーボネートは、少な
くとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物、カーボネート
前駆体および少なくとも１種の一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物から製造することができる。その製造方法と
しては、例えば、"Encyclopedia of Polymer Science a
nd Technology" vol.10, Polycarbonate,Interscience
Publishing, p.710-764(1969)、H.Schnell, "Chemistr
y andPhysics of Polycarbonate", Interscience Publi
shing, p.31-76(1964) に記載されている方法、例え
ば、界面重合法、溶液重合法、またはエステル交換法を
利用することができ、特に、界面重合法は好ましい製造
方法である。

【００１８】本発明の新規な末端基を有する芳香族ポリ
カーボネートを製造する際に、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物は末端封止剤として作用し、本発明の芳香族
ポリカーボネートの製造工程において芳香族ポリカーボ
ネートの分子量を制御又は調整するのに役立つ。これら
の末端封止剤と、芳香族ジヒドロキシ化合物とは、カー
ボネート前駆体の作用により、カーボネート結合を形成
し、本発明の一般式（１）で表される末端基を有する芳
香族ポリカーボネートを生成する。一般式（１−Ａ）で
表される末端封止剤は、一般に、芳香族ジヒドロキシ化
合物とカーボネート前駆体との反応において、最初に、
すなわちカーボネート前駆体の添加に先立って、芳香族
ジヒドロキシ化合物と共に存在させてもよく、またはカ
ーボネート前駆体の添加に伴い、逐次連続的に供給する
こともできる。

【００１９】本発明の芳香族ポリカーボネートの製造に
際して、一般式（１−Ａ）で表される化合物は、単独で
使用しても、あるいは複数併用してもよい。更に、一般
式（１−Ａ）で表される化合物は、本発明の所望の効果
を損なわない範囲で、他の公知の末端封止剤と組み合わ
せて使用することも可能である。他の公知の末端封止剤
を併用する場合、全末端封止剤中、一般式（１−Ａ）で
表される化合物の割合は、３０モル％以上であることが
好ましく、６０モル％以上であることがより好ましい。

【００２０】一般式（１−Ａ）で表される化合物以外の
末端封止剤としては、例えば、１価のヒドロキシ芳香族
化合物、１価のヒドロキシ芳香族化合物のハロホーメー
ト誘導体、１価のカルボキシル基を有する化合物および
１価のカルボニルハライド誘導体等である。１価のヒド
ロキシ芳香族化合物としては、例えば、フェノール、ｐ
−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェ
ノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−tert−ブチ
ルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−シクロヘキ
シルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−ノニル
フェノール、２，４−キシレノール、ｐ−メトキシフェ
ノール、ｐ−ヘキシルオキシフェノール、ｐ−デシルオ
キシフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフ
ェノール、ｐ−クロロフェノール、ｐ−ブロモフェノー
ル、ペンタブロモフェノール、ペンタクロロフェノー
ル、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェ
ノール、２，４−ジ（１−メチル−１−フェニルエチ
ル）フェノール、β−ナフトール、α−ナフトール、ｐ
−（2'，4'，4'−トリメチルクロマニル）フェノール、
２−（4'−メトキシフェニル）−２−（４”−ヒドロキ
シフェニル）プロパン等のフェノール類である。１価の
ヒドロキシ芳香族化合物のハロホーメート誘導体として
は、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物のハロホーメ
ート誘導体等である。

【００２１】１価のカルボキシル基を有する化合物とし
ては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カ
プロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、２，２−ジメチル
プロピオン酸、３−メチル酪酸、３，３−ジメチル酪
酸、４−メチル吉草酸、３，３−ジメチル吉草酸、４−
メチルカプロン酸、２，４−ジメチル吉草酸、３，５−
ジメチルカプロン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸類、安
息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−tert−ブチル安息香
酸、ｐ−プロピルオキシ安息香酸、ｐ−ブトキシ安息香
酸、ｐ−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−オクチルオキシ
安息香酸、ｐ−フェニル安息香酸、ｐ−ベンジル安息香
酸、ｐ−クロロ安息香酸等の安息香酸類である。１価の
カルボニルハライド誘導体としては、上記の１価のカル
ボキシル基を有する化合物のハライド誘導体等である。
尚、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物または１価の
カルボキシル基を有する化合物のアルカリ金属（例え
ば、リチウム、ナトリウム、カリウム）塩、アルカリ土
類金属（例えば、カルシウム）塩も末端封止剤として使
用できる。

【００２２】末端封止剤の使用量は、目的とする芳香族
ポリカーボネートの平均分子量に応じて変化させること
ができる。本発明においては、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物を単独で、または複数、あるいは他の公知の
末端封止剤と併用して使用するが、一般式（１−Ａ）で
表される化合物と他の公知の末端封止剤と併用する場合
には、それらの化合物の合計のモル数を末端封止剤の使
用量とする。末端封止剤の使用量と芳香族ポリカーボネ
ートの平均分子量の関係は、一般に、末端封止剤の使用
量の増加に伴い芳香族ポリカーボネートの平均分子量が
低下し、末端封止剤の使用量の減少に伴い平均分子量が
増大する傾向がある。

【００２３】本発明の芳香族ポリカーボネートは、末端
封止剤の使用量により任意の分子量をとることができる
が、製造される芳香族ポリカーボネートの成形加工性、
耐熱性、機械的強度等の物性を考慮すると、約１５００
０〜約１５００００の重量平均分子量であることが好ま
しく、約２００００〜約１０００００の重量平均分子量
であることがより好ましく、約３００００〜約７０００
０の重量平均分子量であることが特に好ましい。上記の
範囲の重量平均分子量の芳香族ポリカーボネートを製造
するために必要な末端封止剤の使用量は、使用する芳香
族ジヒドロキシ化合物の量に対して、約１〜約１０モル
％であるのが好ましく、さらには、約１．５〜約７モル
％使用するのがより好ましい。

【００２４】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、一
般式（２）または一般式（３）で表される化合物を挙げ
ることができる。 ＨＯ−Ａr¹−Ｘ−Ａr²−ＯＨ （２） ＨＯ−Ａr³−ＯＨ （３） （式中、Ａr¹、Ａr²およびＡr³は２価の芳香族基を表
し、ＸはＡr¹とＡr²を結び付ける連結基を表す）一般式
（２）および一般式（３）において、Ａr¹、Ａr²および
Ａr³は、各々２価の芳香族基を表し、好ましくは、フェ
ニレン基、もしくは置換基を有する置換フェニレン基で
ある。置換フェニレン基の置換基としては、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられる。

【００２５】Ａr¹とＡr²は、両方ともが置換基を有して
いてもよいｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基または
ｏ−フェニレン基、あるいは一方がｐ−フェニレン基で
あり、一方がｍ−フェニレン基またはｏ−フェニレン基
であるのが好ましく、Ａr¹とＡr²の両方がｐ−フェニレ
ン基であるのが特に好ましい。Ａr³は、置換基を有して
いてもよいｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基または
ｏ−フェニレン基であり、好ましくは、ｐ−フェニレン
基またはｍ−フェニレン基である。

【００２６】Ｘは、Ａr¹とＡr²を結び付ける連結基であ
り、単結合、もしくは２価の炭化水素基、更には、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、−ＣＯ−等の炭素
と水素以外の原子を含む基であってもよい。２価の炭化
水素基とは、飽和の炭化水素基、例えば、メチレン、エ
チレン、２，２−プロピリデン、シクロヘキシリデン等
のアルキリデン基があげられるが、アリール基等で置換
された基も包含され、また、芳香族基やその他の不飽和
の炭化水素基を含有する炭化水素基であってもよい。

【００２７】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−
ビス（4'−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス
（4'−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−ナフチルメタン、１，１−ビス（4'−ヒ
ドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビ
ス（4'−ヒドロキシフェニル）プロパン〔”ビスフェノ
ールＡ”〕、１，３−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）
−１，１−ジメチルプロパン、２−（4'−ヒドロキシフ
ェニル）−２−（3'−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１，１−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，
２−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−
ビス（4'−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、

【００２８】２，２−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）
ペンタン、３，３−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ペ
ンタン、２，２−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）−４
−メチルペンタン、２，２−ビス（4'−ヒドロキシフェ
ニル）ヘキサン、４，４−ビス（4'−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、２，２−ビス（4'−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、２，２−ビス（4'−ヒドロキシフェニ
ル）ノナン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、２，２−ビス（3'−メチル−4'−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（3'−エチ
ル−4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（3'−ｎ−プロピル−4'−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（3'−イソプロピル−4'−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（3'−sec −ブチル
−4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（3'−tert−ブチル−4'−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（3'−シクロヘキシル−4'−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、

【００２９】２，２−ビス（3'−アリル−4'−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（3'−メトキシ−
4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（3'，5'−ジメチル−4'−ヒドロキシフェニル) プロパ
ン、２，２−ビス（2'，3'，5'，6'−テトラメチル−4'
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（3'−
クロロ−4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（3'，5'−ジクロロ−4'−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（3'−ブロモ−4'−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（3'，5'−ジブロモ−
4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（2'，6'−ジブロモ−3'，5'−ジメチル−4'−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シアノメタン、１−シアノ−３，３−ビス（4'−ヒ
ドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（4'−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン等のビス（ヒド
ロキシアリール）アルカン類、

【００３０】１，１−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）
シクロペンタン、１，１−ビス（4'−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス（3'−メチル−4'−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（3'，5'−ジメチル−4'−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（3'，5'−ジクロロ−4'−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（4'−
ヒドロキシフェニル）−４−メチルシクロヘキサン、
１，１−ビス (4'−ヒドロキシフェニル）−３，３，５
−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（4'−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（4'−
ヒドロキシフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス
（4'−ヒドロキシフェニル）シクロノナン、１，１−ビ
ス（4'−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン、２，２
−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、８，
８−ビス（4'−ヒドロキシ１５ニル）トリシクロ〔５．
２．１．０ ^2.6 〕デカン、２，２−ビス（4'−ヒドロキ
シフェニル）アダマンタン等のビス（ヒドロキシアリー
ル）シクロアルカン類、

【００３１】４，4'−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、３，3'−ジメチル−４，4'−ジヒドロキシジフェニ
ルエーテル、エチレングリコールビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エーテル等のビス（ヒドロキシアリール）エ
ーテル類、４，4'−ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、３，3'−ジメチル−４，4'−ジヒドロキシジフェニ
ルスルフィド、３，3'−ジシクロヘキシル−４，4'−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、３，3'−ジフェニル
−４，4'−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
3'，５，5'−テトラメチル−４，4'−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフィド等のビス（ヒドロキシアリール）スル
フィド類、４，4'−ジヒドロキシジフェニルスルホキシ
ド、３，3'−ジメチル−４，4'−ジヒドロキシジフェニ
ルスルホキシド等のビス（ヒドロキシアリール）スルホ
キシド類、４，4'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、
３，3'−ジメチル−４，4'−ジヒドロキシジフェニルス
ルホン、３，3'−ジフェニル−４，4'−ジヒドロキシジ
フェニルスルホン、３，3'−ジクロロ−４，4'−ジヒド
ロキシジフェニルスルホン等のビス（ヒドロキシアリー
ル）スルホン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケト
ン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケト
ン等のビス（ヒドロキシアリール）ケトン類、

【００３２】更には、６，6'−ジヒドロキシ−２，2'，
３，3'−テトラヒドロ−３，３，3'，3'−テトラメチル
−１，１’−スピロビ（１Ｈ−インデン）〔”スピロビ
インダンビスフェノール”〕、７，７−ジヒドロキシ−
３，3'，４，4'−テトラヒドロ−４，４，4'，4'−テト
ラメチル−２，2'−スピロビ（２Ｈ−１−ベンゾピラ
ン）〔”スピロビクロマン”〕、トランス−２，３−ビ
ス（4'−ヒドロキシフェニル）−２−ブテン、９，９−
ビス（4'−ヒドロキシフェニル）フルオレン、３，３−
ビス（4'−ヒドロキシフェニル）−２−ブタノン、１，
６−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）−１，６−ヘキサ
ンジオン、１，１−ジクロロ−２，２−ビス（4'−ヒド
ロキシフェニル）エチレン、１，１−ジブロモ−２，２
−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）エチレン、１，１−
ジクロロ−２，２−ビス（3'−フェノキシ−4'−ヒドロ
キシフェニル）エチレン、α，α，α’，α’−テトラ
メチル−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
ｐ−キシレン、α，α，α’，α’−テトラメチル−
α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシ
レン、

【００３３】３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フタリド、４，4'−ジヒドロキシビフェニル、１，４−
ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタ
レン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒ
ドロキシナフタレン、ハイドロキノン、レゾルシン等が
挙げられる。更には、例えば、ビスフェノールＡ２モル
とイソフタロイルクロライド又はテレフタロイルクロラ
イド１モルとを反応させることにより製造されるエステ
ル結合を含むビスフェノール類も有用である。これらは
単独で使用しても、あるいは複数併用してもよい。特に
好ましい芳香族ジヒドロキシ化合物は、ビス（ヒドロキ
シアリール）アルカン類、ビス（ヒドロキシアリール）
シクロアルカン類であり、中でも好ましくは、ビスフェ
ノールＡである。

【００３４】カーボネート前駆体としては、ハロゲン化
カルボニル化合物、ハロホーメート化合物、ジアルキル
カーボネート化合物、ジアリールカーボネート化合物、
アルキルアリールカーボネート化合物を挙げることがで
き、好ましくは、ハロゲン化カルボニル化合物およびハ
ロホーメート化合物である。ハロゲン化カルボニル化合
物としては、通常、ホスゲンと呼ばれる塩化カルボニ
ル、臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化カルボ
ニルおよびそれらの混合物が挙げられる。さらには、ホ
スゲンの二量体であるトリクロロメチルクロロホーメー
ト、ホスゲンの三量体であるビス（トリクロロメチル）
カーボネートも使用することができる。

【００３５】ハロホーメート化合物としては、モノまた
はビスハロホーメート化合物、オリゴマー状のモノまた
はビスハロホーメート化合物が用いられ、代表的には一
般式（４）で表される化合物を挙げることができる。 Ｗ−〔Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）〕_n −Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｗ （４） （式中、Ｗは水素原子またはハロカルボニル基を表し、
少なくとも１個のＷはハロカルボニル基であり、Ｒ’は
２価の脂肪族基または芳香族基を表し、ｎは０または正
の整数を表す） 一般式（４）で表される化合物は、脂肪族ジヒドロキシ
化合物から誘導されるモノまたはビスハロホーメート化
合物、芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導されるモノま
たはビスハロホーメート化合物、およびこれらの化合物
のオリゴマー状のモノまたはビスハロホーメート化合物
である。尚、オリゴマー状のモノまたはビスハロホーメ
ート化合物の場合には、同一分子中に構造の異なるＲ’
基を有していてもよい。これらのハロホーメート化合物
は、単独で使用しても、あるいは複数併用してもよく、
さらにはハロゲン化カルボニル化合物と併用することも
可能である。

【００３６】一般式（４）において、Ｒ’は脂肪族ジヒ
ドロキシ化合物または芳香族ジヒドロキシ化合物から誘
導される２価の基である。脂肪族ジヒドロキシ化合物と
しては、ジヒドロキシアルカン、ジヒドロキシシクロア
ルカン、一般式（５）で表される化合物が挙げられる。 ＨＯ−Ｒ”−Ａｒ⁴ −Ｒ”−ＯＨ （５） （式中、Ｒ”は炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ａ
ｒ⁴ は炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表す） 脂肪族ジヒドロキシ化合物としては、好ましくは、炭素
数２〜２０のジヒドロキシアルカン、炭素数４〜１２の
ジヒドロキシシクロアルカン、一般式（５）で表される
ジヒドロキシ化合物を挙げることができる。

【００３７】脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、
１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、
３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，７−ヘ
プタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−
ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１
−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、
ネオペンチルグリコール、２−エチル−１，６−ヘキサ
ンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール等
のジヒドロキシアルカン、１，３−ジヒドロキシシクロ
ヘキサン、１，４−ジヒドロキシシクロヘキサン、２，
２−ビス（4'−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン等
のジヒドロキシシクロアルカン、１，２−ビス（ヒドロ
キシメチル）ベンゼン、１，３−ビス（ヒドロキシメチ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（ヒドロキシメチル）ベン
ゼン、１，４−ビス（2'−ヒドロキシエチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（3'−ヒドロキシプロピル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（4'−ヒドロキシブチル）ベンゼン、
１，４−ビス（5'−ヒドロキシペンチル）ベンゼン、
１，４−ビス（6'−ヒドロキシヘキシル）ベンゼン等の
ジヒドロキシ化合物を挙げることができる。

【００３８】また、芳香族ジヒドロキシ化合物として
は、前述した一般式（２）または一般式（３）で表され
る芳香族ジヒドロキシ化合物、例えば、ビスフェノール
Ａ、ハイドロキノン等を挙げることができる。ジアルキ
ルカーボネート化合物、ジアリールカーボネート化合
物、アルキルアリールカーボネート化合物としては、ジ
メチルカーボネート、ジフェニルカーボネート、メチル
フェニルカーボネート化合物、ハロゲン原子、ニトロ基
等で置換されたジフェニルカーボネート等が挙げられ
る。これらは単独で使用しても、あるいは複数併用して
もよい。

【００３９】界面重合法により本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合、カーボネート前駆体として
は、ハロゲン化カルボニル化合物または／およびハロホ
ーメート化合物が好ましく使用される。カーボネート前
駆体は、気体、液体、固体のいずれの状態で使用しても
よい。ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場合に
は、気体状態あるいは有機溶媒に溶解させて有機溶媒溶
液として使用することが好ましく、ハロホーメート化合
物を使用する場合には、固体状態あるいは有機溶媒に溶
解させて有機溶媒溶液として使用することが好ましい。

【００４０】本発明の芳香族ポリカーボネートを、界面
重合法により製造するに際し、カーボネート前駆体とし
て、例えば、ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場
合、その使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物の量に対
し約１．０〜約１．３倍モル使用するのが好ましい。本
発明の芳香族ポリカーボネートを、界面重合法により製
造する場合には、公知の方法を用いることができる。例
えば、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物とア
ルカリ金属もしくはアルカリ土類金属塩基、水および水
に実質的に不溶性の有機溶媒の２相混合溶媒中で、ハロ
ゲン化カルボニル化合物または／およびハロホーメート
化合物を一般式（１−Ａ）で表される化合物の存在下で
作用させて、芳香族ポリカーボネートを製造する方法で
あり、より好ましくは、ポリカーボネート生成触媒の存
在下で製造する方法である。

【００４１】有機溶媒は、水に対して実質的に不溶性で
あり、かつ反応に対して不活性であり、芳香族ポリカー
ボネートを溶解するものであれば、任意に使用可能であ
る。好ましい有機溶媒としては、例えば、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，２−
ジクロロエチレン、トリクロロエタン、テトラクロロエ
タン、ジクロロプロパン等の脂肪族塩素化炭化水素系溶
媒、あるいは、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の
芳香族塩素化炭化水素系溶媒等の塩素化炭化水素系溶媒
またはこれらの混合溶媒が挙げられる。さらには、これ
らの塩素化炭化水素系溶媒と、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、あるいはヘキ
サン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系
溶媒との混合溶媒が挙げられる。特に好ましい有機溶媒
は、ジクロロメタンである。有機溶媒の使用量は、通
常、重合終了時の芳香族ポリカーボネートを含有する有
機溶媒溶液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が約５〜
約３５重量％になるように使用するのが好ましい。

【００４２】また、反応に使用する有機溶媒と水の使用
量は、反応混合物が実質的に均一な乳化状態を維持する
に必要な量であればよく、通常、水相対有機相の容量比
は約０．４〜約１．５：１とするのが好ましい。本発明
の芳香族ポリカーボネートを製造する際に使用するアル
カリ金属もしくはアルカリ土類金属塩基（以下、塩基と
略記する）としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化カルシウムを挙げることができる。
塩基の使用量は、好ましくは、芳香族ジヒドロキシ化合
物に対して、約１．０〜約１．６倍当量である。塩基は
通常、水溶液の状態で用いられ、更にこの水溶液に芳香
族ジヒドロキシ化合物を溶解させて反応に使用すること
が好ましい。この場合、酸化防止剤として、亜硫酸ナト
リウム、ソジウムハイドロサルファイトあるいはソジウ
ムボロハイドライド等を添加して、芳香族ジヒドロキシ
化合物の塩基性水溶液を調製してもよい。

【００４３】界面重合法において、所望により使用する
ポリカーボネート生成触媒（重合触媒とも呼ばれてい
る）としては、３級アミン、４級アンモニウム塩、３級
ホスフィン、４級ホスホニウム塩、あるいは含窒素複素
環化合物及びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミ
ド基を有する化合物等が挙げられる。好ましくは、３級
アミンであり、例えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−
プロピルアミン、ジエチル−ｎ−プロピルアミン、トリ
−ｎ−ブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシル
アミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−
エチルピペリジン等が挙げられる。これらのポリカーボ
ネート生成触媒は、単独で使用しても、あるいは複数併
用することができる。ポリカーボネート生成触媒の使用
量は、芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数に対して、約
０．０００５〜約１．５モル％が好ましい。ポリカーボ
ネート生成触媒の添加時期は、本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する際、反応前あるいは反応中に加える
ことができる。界面重合法においては、反応温度は、約
１０℃〜反応に使用する有機溶媒の沸点温度で、本発明
の芳香族ポリカーボネートを製造することが好ましい。
反応は、通常、大気圧下で実施するが、所望により、加
圧下または減圧下で実施してもよい。

【００４４】また、本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際には、公知の溶液重合法を利用することもで
きる。例えば、ピリジン溶液中で、芳香族ジヒドロキシ
化合物、ハロゲン化カルボニル化合物または／およびハ
ロホーメート化合物および一般式（１−Ａ）で表される
化合物を、約０〜約５０℃で作用させて製造することが
できる。カーボネート前駆体として、ジアルキルカーボ
ネート化合物、アルキルアリールカーボネート化合物ま
たは／およびジアリールカーボネート化合物を用いて、
本発明の芳香族ポリカーボネートを製造する場合には、
ジアルキルカーボネート化合物、アルキルアリールカー
ボネート化合物または／およびジアリールカーボネート
化合物、芳香族ジヒドロキシ化合物と一般式（１−Ａ）
で表される化合物との混合物を、約６０〜約３００℃の
温度で、常圧下、加圧下または減圧下で、必要に応じ
て、エステル交換触媒（例えば、金属酸化物、金属水酸
化物、金属炭酸塩等）の存在下で、公知のエステル交換
法により製造することができる。

【００４５】尚、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
所望により、製造時に分岐化剤を添加することにより、
分岐化された芳香族ポリカーボネートとすることができ
る。分岐化剤としては、３つ以上のフェノール性ヒドロ
キシル基、ハロホーメート基、カルボキシル基、カルボ
ニルハライド基、活性なハロゲン原子を有する化合物が
挙げられる。分岐化剤の具体例としては、フロログルシ
ノール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（4'−
ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、４，６−ジメチ
ル−２，４，６−トリス（4'−ヒドロキシフェニル）ヘ
プタン、１，３，５−トリス（4'−ヒドロキシフェニ
ル）ベンゼン、１，１，１−トリス（4'−ヒドロキシフ
ェニル）エタン、１，１，２−トリス（4'−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、α，α，α’−トリス（4'−ヒド
ロキシフェニル）−１−エチル−４−イソプロピルベン
ゼン、２，４−ビス〔α−メチル−α−（4'−ヒドロキ
シフェニル）エチル〕フェノール、２−（4'−ヒドロキ
シフェニル）−２−（2"，4"−ジヒドロキシフェニル）
プロパン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）ホスフィ
ン、１，１，４，４−テトラキス（4'−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、２，２−ビス〔4'，4'−ビス
（4"−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕プロパ
ン、

【００４６】α，α，α’，α’−テトラキス（4'−ヒ
ドロキシフェニル）−１，４−ジエチルベンゼン、２，
２，５，５−テトラキス（4'−ヒドロキシフェニル）ヘ
キサン、１，１，２，３−テトラキス（4'−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、１，４−ビス（4'，4"−ジヒドロ
キシトリフェニルメチル）ベンゼン、３，3'，５，5'−
テトラヒドロキシジフェニルエーテル、３，５−ジヒド
ロキシ安息香酸、３，５−ビス（クロロカルボニルオキ
シ）安息香酸、４−ヒドロキシイソフタル酸、４−クロ
ロカルボニルオキシイソフタル酸、５−ヒドロキシフタ
ル酸、５−クロロカルボニルオキシフタル酸、トリメシ
ン酸トリクロライド、シアヌル酸クロライド、３，３−
ビス（4'−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−２，３
−ジヒドロインドール、３，３−ビス（4'−ヒドロキシ
−3'−メチルフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒド
ロインドール等を挙げることができる。これらの分岐化
剤は単独で使用しても、あるいは複数併用してもよい。
分岐化剤の使用量は、目的とする分岐化した芳香族ポリ
カーボネートの分岐度にあわせて変化させることがで
き、通常、芳香族ジヒドロキシ化合物に対して０．０５
〜２．０モル％程度用いるのが好ましい。

【００４７】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
は、芳香族ポリエステルカーボネートをも包含するもの
であり、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物
〔例えば、一般式（２）または一般式（３）で表される
化合物〕、カーボネート前駆体（例えば、ホスゲン）、
芳香族または脂肪族の２価のカルボン酸または該化合物
のハライド誘導体（例えば、米国特許第３１６９１２１
号に記載のイソフタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸
ジクロライド、テレフタル酸ジクロライド、アジピン
酸、ピメリン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバシン
酸）および一般式（１−Ａ）で表される化合物を用い、
公知の方法（例えば、米国特許第３１６９１２１号、米
国特許第４１５６０６９号、英国特許第８９７６４０号
に記載の方法）により芳香族ポリエステルカーボネート
を製造することができる。この際、芳香族または脂肪族
の２価のカルボン酸またはカルボン酸ハライドの使用量
は、芳香族ジヒドロキシ化合物に対し、３０〜８０モル
％程度用いるのが好ましい。

【００４８】本発明の芳香族ポリカーボネートは、界面
重合法または溶液重合法により製造した場合、通常、該
芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液を水層
と分離した後、水洗浄により、実質的に電解質が無くな
るまで洗浄した後、該有機溶媒溶液から公知の方法によ
り有機溶媒を除去して、本発明の芳香族ポリカーボネー
トを得ることができる。また、エステル交換法により製
造する場合、製造条件下で溶融した芳香族ポリカーボネ
ートを、直接ペレット化あるいは成形物へと加工するこ
とも可能である。

【００４９】本発明の芳香族ポリカーボネートは、他の
芳香族ポリカーボネート、あるいは他のポリマーと混合
して成形材料として使用することが可能である。他のポ
リマーとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリ
トリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、
ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリブチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
アミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
イミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、パラオ
キシベンゾイル系ポリエステル、ポリアリレート、ポリ
スルフィド等が挙げられる。

【００５０】また、本発明の芳香族ポリカーボネートに
は、芳香族ポリカーボネートの製造時または製造後に、
公知の方法で、染料、顔料、熱安定剤、酸化防止剤、加
水分解安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、有機ハロゲン化
合物、アルカリ金属スルホン酸塩、ガラス繊維、炭素繊
維、ガラスビーズ、硫酸バリウム、ＴｉＯ₂ 等の各種添
加剤を１種以上添加してもよい。本発明の芳香族ポリカ
ーボネートは、単独で、あるいは他のポリマーと混合し
て、所望により、各種添加剤を添加して、電気機器等の
シャーシーやハウジング材、電子部品、自動車部品、コ
ンパクトディスク等の情報記録媒体の基板、カメラや眼
鏡のレンズ等の光学材料、ガラス代替の建材等に成形加
工することができる。本発明の芳香族ポリカーボネート
は、熱可塑性であり、射出成形、押し出し成形、ブロー
成形、フィラー等への含浸等が可能であり、公知の方法
により容易に成形加工することができる。また、本発明
の芳香族ポリカーボネートは、特定の有機溶媒（例え
ば、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒）に
可溶であり、該有機溶媒溶液よりキャストし、フィルム
等に成形加工できる。

【００５１】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。尚、各実施例および各比較例で製造した各芳香族ポ
リカーボネートの分子量は、ＧＰＣ〔ゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィー、昭和電工（株）社製、ＧＰＣ
システム−１１〕で測定したものである。ガラス転移点
（Ｔｇ、℃）は、ＤＳＣ〔マックサイエンス（株）社
製、ＤＳＣ−３１００〕を用い、昇温速度は１６℃／分
の条件で測定した。メルトフローインデックス（ＭＩ）
は、東洋精機製Ｓ−０１メルトインデックサーを用い、
温度２８０℃、荷重２．１６ｋｇの条件で測定し、１０
分間に溶出するポリマーの重量（単位：グラム）で示し
た。数値が大きいほど、溶融流動性に優れていることを
示している。

【００５２】実施例１ 例示番号２の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 １０リットルのバッフル付フラスコに、三段六枚羽根の
攪拌機および還流冷却管を設け、このフラスコに、ビス
フェノールＡ９１２ｇ（４．０モル）、２，４−ジシク
ロヘキシルフェノール３５．１ｇ（０．１３６モル、ビ
スフェノールＡに対して３．４モル％）、ジクロロメタ
ン４リットル及び脱イオン水４リットルを入れ、懸濁液
とし、フラスコ内の酸素を除去する為に窒素パージを行
った。次に、上記懸濁液にソジウムハイドロサルファイ
ト１．２ｇおよび水酸化ナトリウム４３２ｇ（１０．８
モル）を溶解した水溶液２．２リットルを供給し、１５
℃でビスフェノールＡを溶解した。この溶液にホスゲン
４９５ｇ（５．０モル）を６０分で供給した。反応温度
は上昇し、ジクロロメタンの還流が確認された。ホスゲ
ンの供給が完了した後、トリエチルアミン０．６４ｇを
添加して、反応液をさらに９０分間攪拌し、重合反応を
行った。その後、反応液を静置し、有機層を分液し、塩
酸により中和し、電解質が無くなるまで脱イオン水で洗
浄した。得られた芳香族ポリカーボネートのジクロロメ
タン溶液にトルエン２リットルと水５リットルを加え、
９８℃まで加熱することによりジクロロメタン及びトル
エンを留去して、芳香族ポリカーボネートの粉体を得
た。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は
２０８００、重量平均分子量は５１５００であった。Ｔ
ｇは１４４℃であり、ＭＩは１８．５であった。

【００５３】実施例２ 例示番号１２の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２，４−ジシクロヘキシルフェノー
ルを用いる代わりに、２，４−ジシクロヘキシル−６−
メチルフェノールのナトリウム塩４０．０ｇ（ビスフェ
ノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施
例１と同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得ら
れた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０７０
０、重量平均分子量は５１３００であった。Ｔｇは１４
３℃であり、ＭＩは１８．５であった。

【００５４】実施例３ 例示番号１５の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２，４−ジシクロヘキシルフェノー
ルを用いる代わりに、２，４−ジシクロヘキシル−６−
メトキシフェノール３９．２ｇ（ビスフェノールＡに対
して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様に
芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポ
リカーボネートの数平均分子量は２０７００、重量平均
分子量は５１３００であった。Ｔｇは１４４℃であり、
ＭＩは１８．５であった。

【００５５】実施例４ 例示番号１８の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２，４−ジシクロヘキシルフェノー
ルを用いる代わりに、２，４−ジシクロヘキシル−６−
クロロフェニルクロローメート４８．３ｇ（ビスフェノ
ールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例
１と同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得られ
た芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１００
０、重量平均分子量は５１６００であった。Ｔｇは１４
５℃であり、ＭＩは１８．２であった。

【００５６】実施例５ 例示番号２０の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２，４−ジシクロヘキシルフェノー
ルを用いる代わりに、２，４，６−トリシクロヘキシル
フェノール４６．２ｇ（ビスフェノールＡに対して３．
４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様に芳香族ポ
リカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボ
ネートの数平均分子量は２１０００、重量平均分子量は
５１５００であった。Ｔｇは１４５℃であり、ＭＩは１
９．２であった。

【００５７】比較例１ 比較のため、実施例１において、２，４−ジシクロヘキ
シルフェノールを用いる代わりに、ｐ−tert−ブチルフ
ェノール２０．４ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４
モル％）を用いた以外は、実施例１と同様に芳香族ポリ
カーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボネ
ートの数平均分子量は２１０００、重量平均分子量は５
１２００であった。Ｔｇは１４８℃であり、ＭＩは１
１．０であった。

【００５８】比較例２ 比較のため、実施例１において、２，４−ジシクロヘキ
シルフェノールを用いる代わりに、４−シクロヘキシル
フェノール２３．９ｇ（ビスフェノールＡに対して３．
４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様に芳香族ポ
リカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボ
ネートの数平均分子量は２０８００、重量平均分子量は
５１３００であった。Ｔｇは１４２℃であり、ＭＩは１
０．２であった。

【００５９】実施例および比較例の結果より、本発明の
芳香族ポリカーボネートは、公知の末端封止剤を用いて
製造される芳香族ポリカーボネートに比較して、溶融流
動性に優れていることが判った。

【００６０】

【発明の効果】本発明により、溶融流動性に優れた芳香
族ポリカーボネートを提供することが可能になった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 友倫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 末端基の少なくとも１つが、一般式
   （１）（化１）で表される基である芳香族ポリカーボネ
   ート。 【化１】 （式中、Ｒ₁ およびＲ₂ はシクロアルキル基を表し、Ｒ
   ₃ は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
   キシ基またはハロゲン原子を表す）
2. 【請求項２】 一般式（１）において、Ｒ₁ およびＲ₂
   が炭素数５〜１４のシクロアルキル基、Ｒ₃ が水素原
   子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜１４のシク
   ロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基またはハロ
   ゲン原子である請求項１記載の芳香族ポリカーボネー
   ト。
3. 【請求項３】 一般式（１）において、Ｒ₁ およびＲ₂
   が炭素数６〜１２のシクロアルキル基、Ｒ₃ が水素原
   子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のシク
   ロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはハロ
   ゲン原子である請求項１記載の芳香族ポリカーボネー
   ト。