JPH0624061B2 - マイクロフロツピ−デイスク - Google Patents
マイクロフロツピ−デイスクInfo
- Publication number
- JPH0624061B2 JPH0624061B2 JP21029985A JP21029985A JPH0624061B2 JP H0624061 B2 JPH0624061 B2 JP H0624061B2 JP 21029985 A JP21029985 A JP 21029985A JP 21029985 A JP21029985 A JP 21029985A JP H0624061 B2 JPH0624061 B2 JP H0624061B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- less
- magnetic
- recording medium
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロフロツピーデイスクに関するものであ
り、高温の雰囲気での使用に耐えるべく改良されたマイ
クロフロツピーデイスクに係る。
り、高温の雰囲気での使用に耐えるべく改良されたマイ
クロフロツピーデイスクに係る。
近年、パーソナルコンピユーターやワードプロセツサー
の外部記憶装置としてフロツピーデイスクドライブ装置
及びその磁気記録媒体としてフロツピーデイスクを用い
ることが一般化した。更に、これら装置をシステム化し
たり、携帯化するためにフロツピーデイスクの小型化が
試行されると共に使用できる環境条件の範囲を拡げる努
力が為されてきた。
の外部記憶装置としてフロツピーデイスクドライブ装置
及びその磁気記録媒体としてフロツピーデイスクを用い
ることが一般化した。更に、これら装置をシステム化し
たり、携帯化するためにフロツピーデイスクの小型化が
試行されると共に使用できる環境条件の範囲を拡げる努
力が為されてきた。
これら磁気記録媒体の非磁性基板としては、２軸配向ポ
リエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略称する。）
フイルムが用いられている。小型化されるべきフロツピ
ーデイスクとしては外径3.5インチの磁気記録媒体をカ
ートリツヂケースに収納したマイクロフロツピーデイス
クが、ゴミの付着がおこりにくく、携行に便利であり、
耐熱性・耐湿性等からみた使用環境を拡大できる効果が
あり、しかも従来から汎用されている５1/4インチフロ
ツピーデイスクと較べて記憶容量をほゞ同等に設計出
来、ソフトの互換性が保てる見込みがあることから有望
視されている。
リエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略称する。）
フイルムが用いられている。小型化されるべきフロツピ
ーデイスクとしては外径3.5インチの磁気記録媒体をカ
ートリツヂケースに収納したマイクロフロツピーデイス
クが、ゴミの付着がおこりにくく、携行に便利であり、
耐熱性・耐湿性等からみた使用環境を拡大できる効果が
あり、しかも従来から汎用されている５1/4インチフロ
ツピーデイスクと較べて記憶容量をほゞ同等に設計出
来、ソフトの互換性が保てる見込みがあることから有望
視されている。
しかしながら、フロツピーデイスクを3.5インチ径に小
型化すると共に記憶容量を５1/4インチフロツピーデイ
スクと同等又はそれ以上に高めるためには、線密度及び
トラツク密度を高める必要がある。そして、この線密度
を高めるためには磁性層の保磁力を大きくするだけでな
く、磁気記録媒体の回転数をも高める必要がある。とこ
ろが、ＰＥＴフイルムを非磁性基板とした場合、ヤング
率が低く回転数の増大と共にフロツピーデイスク（磁気
記録媒体）がフラツターリングを起し、磁気ヘツドとの
一定条件における接触が保てず、記録ミスや再生ミスを
生じる問題があつた。またトラツク密度を高めるために
は、磁気記録媒体の温度膨張係数（以下αｔと略称す
る。）をフロツピーデイスクドライブ装置（以下ＦＤＤ
と略称する）のαｔに合せ、更に面内のαｔの方向差を
小さくする改良がなされている。もつとも、高温使用に
於いて、これらαｔが改良されても熱収縮率が大のため
永久歪を生じ、記録ミスや再生ミスを生じる問題があつ
た。
型化すると共に記憶容量を５1/4インチフロツピーデイ
スクと同等又はそれ以上に高めるためには、線密度及び
トラツク密度を高める必要がある。そして、この線密度
を高めるためには磁性層の保磁力を大きくするだけでな
く、磁気記録媒体の回転数をも高める必要がある。とこ
ろが、ＰＥＴフイルムを非磁性基板とした場合、ヤング
率が低く回転数の増大と共にフロツピーデイスク（磁気
記録媒体）がフラツターリングを起し、磁気ヘツドとの
一定条件における接触が保てず、記録ミスや再生ミスを
生じる問題があつた。またトラツク密度を高めるために
は、磁気記録媒体の温度膨張係数（以下αｔと略称す
る。）をフロツピーデイスクドライブ装置（以下ＦＤＤ
と略称する）のαｔに合せ、更に面内のαｔの方向差を
小さくする改良がなされている。もつとも、高温使用に
於いて、これらαｔが改良されても熱収縮率が大のため
永久歪を生じ、記録ミスや再生ミスを生じる問題があつ
た。
更に特開昭59-127730号に於て「異方性が少ない」２軸
配向ポリエチレンナフタレートフイルムを磁気記録媒体
の基板に用いることが提案されているが、磁気テープと
して適応性があるものの、フロツピーデイスクとして用
いた場合には小型化への配慮がなく、ヤング率が高すぎ
る結果、磁気ヘツドとの接触による摩耗を磁性層に生じ
たり、基板の熱収縮率が2.5〜3.5％と非常に大きいた
め、熱変形が永久歪となりやすく、マイクロフロツピー
デイスクとしての適応性が認められない問題があつた。
配向ポリエチレンナフタレートフイルムを磁気記録媒体
の基板に用いることが提案されているが、磁気テープと
して適応性があるものの、フロツピーデイスクとして用
いた場合には小型化への配慮がなく、ヤング率が高すぎ
る結果、磁気ヘツドとの接触による摩耗を磁性層に生じ
たり、基板の熱収縮率が2.5〜3.5％と非常に大きいた
め、熱変形が永久歪となりやすく、マイクロフロツピー
デイスクとしての適応性が認められない問題があつた。
本発明の目的は上記問題点を解消せしめ、マイクロフロ
ツピーデイスクとしたとき、６０〜７０℃の高温雰囲気
下でも使用に耐え、かつ記憶容量の大きな小型磁気記録
媒体を提供しようとするものである。
ツピーデイスクとしたとき、６０〜７０℃の高温雰囲気
下でも使用に耐え、かつ記憶容量の大きな小型磁気記録
媒体を提供しようとするものである。
本発明は面内のあらゆる方向に於て、７０℃で１時間加
熱したときの熱収縮率が0.05％以下であり、１５０℃で
１時間加熱したときの熱収縮率が0.1〜1.5％の範囲にあ
り、かつ、ヤング率が６００〜７５０kg／mm2の範囲に
ある２軸配向ポリエチレンナフタレートフイルムを非磁
性基板とし、該基板の一表面又は両表面に磁性層を設け
てなる磁気記録媒体であつて、その外径が９０mm以下の
マイクロフロツピーデイスクである。
熱したときの熱収縮率が0.05％以下であり、１５０℃で
１時間加熱したときの熱収縮率が0.1〜1.5％の範囲にあ
り、かつ、ヤング率が６００〜７５０kg／mm2の範囲に
ある２軸配向ポリエチレンナフタレートフイルムを非磁
性基板とし、該基板の一表面又は両表面に磁性層を設け
てなる磁気記録媒体であつて、その外径が９０mm以下の
マイクロフロツピーデイスクである。
本発明におけるポリエチレンナフタレートとは、ポリエ
チレン−2,6−ナフタレンジカルボキシレートそのもの
またはポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルボキシレ
ートを７０重量％以上含む重合体，共重合体及び混合体
であつて、本質的にポリエチレン−2,6−ナフタレンジ
カルボキシレートの性質を損わないポリエステル組成物
等を含むものである。
チレン−2,6−ナフタレンジカルボキシレートそのもの
またはポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルボキシレ
ートを７０重量％以上含む重合体，共重合体及び混合体
であつて、本質的にポリエチレン−2,6−ナフタレンジ
カルボキシレートの性質を損わないポリエステル組成物
等を含むものである。
また、ポリエチレンナフタレート（以下PENと略称す
る）フイルムの表面粗さとしては、センターラインアベ
レツジ法で測定される表面粗さ(Ra)が0.012μｍ以下の
ものが好ましく、不活性固体粒子をＰＥＮポリマー中に
含有せしめて形成せしめてもよく、又、他の表面加工処
理により形成せしめてもよい。
る）フイルムの表面粗さとしては、センターラインアベ
レツジ法で測定される表面粗さ(Ra)が0.012μｍ以下の
ものが好ましく、不活性固体粒子をＰＥＮポリマー中に
含有せしめて形成せしめてもよく、又、他の表面加工処
理により形成せしめてもよい。
不活性固体微粒子としては、本発明においては、好まし
くは二酸化ケイ素（水和物，ケイ藻土，ケイ砂，石英
等を含む）；アルミナ；SiO2分を３０重量％以上含
有するケイ酸塩（例えば非晶質或は結晶質の粘土鉱物，
アルミノシリケート（焼成物や水和物を含む），温石
綿，ジルコン，フライアツシユ等）；Ng,Zn,Zr及びTi
の酸化物；Ca及びBaの硫酸塩；Li,Na，及びCaのリ
ン酸塩（１水素塩や２水素塩を含む）；Li,Na及びＫ
の安息香酸塩；Ca,Ba,Zn,及びMnのテレフタル酸塩；
Mg,Ca,Ba,Zn,Cd,Pb,Sr,Mn,Fe,Co及びNiのチタン酸
塩；Ba及びPbのクロム酸塩；炭素（例えばカーボン
ブラツク，グラフアイト等）；ガラス（例えばガラス
粉，ガラスビーズ等）；Ca及びMgの炭酸塩；ホタル
石及びZnSが例示される。更に好ましくは、無水ケイ
酸，含水ケイ酸，酸化アルミニウム，ケイ酸アルミニウ
ム（焼成物，水和物等を含む），燐酸１リチウム，燐酸
３リチウム，燐酸ナトリウム，燐酸カルシウム，硫酸バ
リウム，酸化チタン，安息香酸リチウム，これらの化合
物の複塩（水和物を含む），ガラス粉，粘土（カオリ
ン，ベントナイト，白土等を含む），タルク，ケイ藻
土，炭酸カルシウム等が例示される。特に好ましくは、
二酸化ケイ素，酸化チタン，炭酸カルシウムが挙げられ
る。これら不活性固体微粒子はその平均粒径が0.05〜0.
6μｍ、更には0.08〜0.4μｍが好ましく、またその添加
量は0.01〜1.5重量％（対ポリエステル）、更には0.03
〜1.0重量％（同）、特に0.05〜0.6重量％（同）である
ことが好ましい。
くは二酸化ケイ素（水和物，ケイ藻土，ケイ砂，石英
等を含む）；アルミナ；SiO2分を３０重量％以上含
有するケイ酸塩（例えば非晶質或は結晶質の粘土鉱物，
アルミノシリケート（焼成物や水和物を含む），温石
綿，ジルコン，フライアツシユ等）；Ng,Zn,Zr及びTi
の酸化物；Ca及びBaの硫酸塩；Li,Na，及びCaのリ
ン酸塩（１水素塩や２水素塩を含む）；Li,Na及びＫ
の安息香酸塩；Ca,Ba,Zn,及びMnのテレフタル酸塩；
Mg,Ca,Ba,Zn,Cd,Pb,Sr,Mn,Fe,Co及びNiのチタン酸
塩；Ba及びPbのクロム酸塩；炭素（例えばカーボン
ブラツク，グラフアイト等）；ガラス（例えばガラス
粉，ガラスビーズ等）；Ca及びMgの炭酸塩；ホタル
石及びZnSが例示される。更に好ましくは、無水ケイ
酸，含水ケイ酸，酸化アルミニウム，ケイ酸アルミニウ
ム（焼成物，水和物等を含む），燐酸１リチウム，燐酸
３リチウム，燐酸ナトリウム，燐酸カルシウム，硫酸バ
リウム，酸化チタン，安息香酸リチウム，これらの化合
物の複塩（水和物を含む），ガラス粉，粘土（カオリ
ン，ベントナイト，白土等を含む），タルク，ケイ藻
土，炭酸カルシウム等が例示される。特に好ましくは、
二酸化ケイ素，酸化チタン，炭酸カルシウムが挙げられ
る。これら不活性固体微粒子はその平均粒径が0.05〜0.
6μｍ、更には0.08〜0.4μｍが好ましく、またその添加
量は0.01〜1.5重量％（対ポリエステル）、更には0.03
〜1.0重量％（同）、特に0.05〜0.6重量％（同）である
ことが好ましい。
フイルムの表面粗さ(Ra)が0.012μｍより大きくなる
と、磁性面の表面は高級品質のフロツピーデイスクとし
て必要な電磁変換特性を維持することができない為好ま
しくない。好ましい表面粗さ(Ra)は0.010μｍ以下であ
る。
と、磁性面の表面は高級品質のフロツピーデイスクとし
て必要な電磁変換特性を維持することができない為好ま
しくない。好ましい表面粗さ(Ra)は0.010μｍ以下であ
る。
本発明の非磁性基板となるＰＥＮフイルムの７０℃にお
いて１時間加熱したときの熱収縮率としては、0.05％以
下が必要であり、特に0.03％以下が好ましい。
いて１時間加熱したときの熱収縮率としては、0.05％以
下が必要であり、特に0.03％以下が好ましい。
上記熱収縮率が0.05％を超えると６０℃以上の高温雰囲
気で使用に耐えるマイクロデイスク磁気記録媒体を構成
することが出来ない。
気で使用に耐えるマイクロデイスク磁気記録媒体を構成
することが出来ない。
更に、ＰＥＮフイルムの１５０℃において１時間加熱し
たときの熱収縮率としては、0.1〜1.5％の範囲にあるこ
とが必要である。好ましくは0.5〜1.2％である。
たときの熱収縮率としては、0.1〜1.5％の範囲にあるこ
とが必要である。好ましくは0.5〜1.2％である。
上記熱収縮率が1.5％を超えるとＰＥＮフイルムに磁性
層を塗布したり蒸着したりする過程でフイルムが加工
（走行）方向に収縮してしまいフイルムに異方性を生
じ、マイクロフロツピーデイスク磁気記録媒体として真
円の外径や内径を形成することが出来ないばかりでな
く、磁気記録媒体の面がカールしてしまい、ＦＤＤの回
転数を上げ線密度を上げることが困難になる。また、上
記熱収縮率が0.1％未満であるとPENフイルムに磁性層を
蒸着したり、スパツタリングする過程で該フイルムは熱
膨張を起こし均一な磁性層を形成することが困難にな
る。
層を塗布したり蒸着したりする過程でフイルムが加工
（走行）方向に収縮してしまいフイルムに異方性を生
じ、マイクロフロツピーデイスク磁気記録媒体として真
円の外径や内径を形成することが出来ないばかりでな
く、磁気記録媒体の面がカールしてしまい、ＦＤＤの回
転数を上げ線密度を上げることが困難になる。また、上
記熱収縮率が0.1％未満であるとPENフイルムに磁性層を
蒸着したり、スパツタリングする過程で該フイルムは熱
膨張を起こし均一な磁性層を形成することが困難にな
る。
また、ＰＥＮフイルムのヤング率としては、６００〜７
５０kg／mm2の範囲にあることが必要である。ヤング率
が６００kg／mm2未満ではFDDの回転数を高くすると磁気
記録媒体がフラツタリングをおこし磁気ヘツドとの均一
な接触が保てず記録ミスや再生ミスを起こし線密度を上
げることが困難になる。一方、ヤング率が７５０kg／mm
2を超えると磁気記録媒体と磁気ヘツドとの接触が強く
なりすぎ磁気記録媒体の磁性層を摩耗してしまう。
５０kg／mm2の範囲にあることが必要である。ヤング率
が６００kg／mm2未満ではFDDの回転数を高くすると磁気
記録媒体がフラツタリングをおこし磁気ヘツドとの均一
な接触が保てず記録ミスや再生ミスを起こし線密度を上
げることが困難になる。一方、ヤング率が７５０kg／mm
2を超えると磁気記録媒体と磁気ヘツドとの接触が強く
なりすぎ磁気記録媒体の磁性層を摩耗してしまう。
本発明に於ける磁性層としては、γ−Fe2O3,Co含有γ−
Fe2O3，微細針状鉄粉やバリウムフエライト粉末を塗設
せしめたものであつてもよく、また、Co,Ni,Cr,Fe又は
これらの合金をメツキ，蒸着又はスペツタリングなどの
処理により形成せしめたものであつてもよい。Co含有γ
−Fe2O3の塗布による面内記録のもの又はCo-Ni合金のス
パツタリングによる垂直記録の磁性層が好ましい。
Fe2O3，微細針状鉄粉やバリウムフエライト粉末を塗設
せしめたものであつてもよく、また、Co,Ni,Cr,Fe又は
これらの合金をメツキ，蒸着又はスペツタリングなどの
処理により形成せしめたものであつてもよい。Co含有γ
−Fe2O3の塗布による面内記録のもの又はCo-Ni合金のス
パツタリングによる垂直記録の磁性層が好ましい。
フロツピーデイスクとしては、９０mm以下のマイクロフ
ロツピーデイスクが対象となる。90mmを超える５1/4イ
ンチや８インチデイスクは耐熱性が充分でない塩化ビニ
ルジヤケツトに挿入されており、かつ開放型の為、使用
環境を拡げる効果が期待出来ない。
ロツピーデイスクが対象となる。90mmを超える５1/4イ
ンチや８インチデイスクは耐熱性が充分でない塩化ビニ
ルジヤケツトに挿入されており、かつ開放型の為、使用
環境を拡げる効果が期待出来ない。
本発明に於て用いるＰＥＮフイルムとしてはαｔが３０
×１０-6／℃以下であることが好ましい。ＦＤＤを構成
する鉄やアルミニウムはαｔがほゞ２５〜３０×１０-6
／℃であり、構成村の組合せや構造によりαｔを３０×
１０-6／℃以下に容易に設計出来るがαｔが３０×１０
-6／℃を超えると精密で堅牢な構造を設計することが困
難になる。
×１０-6／℃以下であることが好ましい。ＦＤＤを構成
する鉄やアルミニウムはαｔがほゞ２５〜３０×１０-6
／℃であり、構成村の組合せや構造によりαｔを３０×
１０-6／℃以下に容易に設計出来るがαｔが３０×１０
-6／℃を超えると精密で堅牢な構造を設計することが困
難になる。
更に、ＰＥＮフイルムのあらゆる方向に対してαｔの差
が５×１０-6／℃以下であることが好ましい。即ち、α
ｔの最大値と最小値との差が５×１０-6／℃以上ある
と、記録時と再生時との温度差が大の場合トラツクずれ
を起こし、トラツク密度を高めることが難しくなり、Ｆ
ＤＤに高価なサーボ機構を組みこむことが必要になり、
マイクロフロツピーデイスクに対応した小型のＦＤＤを
設計することが困難となる。
が５×１０-6／℃以下であることが好ましい。即ち、α
ｔの最大値と最小値との差が５×１０-6／℃以上ある
と、記録時と再生時との温度差が大の場合トラツクずれ
を起こし、トラツク密度を高めることが難しくなり、Ｆ
ＤＤに高価なサーボ機構を組みこむことが必要になり、
マイクロフロツピーデイスクに対応した小型のＦＤＤを
設計することが困難となる。
ＰＥＮフイルムを二軸配向する方法としては、公知の逐
次２軸延伸又は同時２軸延伸のいずれも適用できる。そ
の際、縦方向に115〜150℃の温度で3.5〜4.5倍延伸し、
また横方向に120〜180℃の温度で3.5〜5.0倍延伸し、そ
の後200〜250℃で熱固定し、さらに160〜230℃の温度で
横方向に３〜10％収縮し、続けて20℃以上70℃以下に冷
却するのが好ましい。更に、二軸配向フイルムを120〜1
70℃の温度に加熱しながら縦方向に0.1〜３％弛緩させ
てから70℃以下に冷却したり、或は二軸配向フイルムを
巻取ったロールを50〜90℃の環境下で１〜10日間経時処
理しても良い。またαｔの差が５×１０-6／℃以下のＰ
ＥＮフイルムを得るためには、逐次２軸延伸したフイル
ムの中央部分を採用してもよく、同時２軸延伸して広範
囲の素材を採取してもよいが、逐次２軸延伸したフイル
ムをステンターにより再熱処理することにより得られる
ものを使用することもできる。
次２軸延伸又は同時２軸延伸のいずれも適用できる。そ
の際、縦方向に115〜150℃の温度で3.5〜4.5倍延伸し、
また横方向に120〜180℃の温度で3.5〜5.0倍延伸し、そ
の後200〜250℃で熱固定し、さらに160〜230℃の温度で
横方向に３〜10％収縮し、続けて20℃以上70℃以下に冷
却するのが好ましい。更に、二軸配向フイルムを120〜1
70℃の温度に加熱しながら縦方向に0.1〜３％弛緩させ
てから70℃以下に冷却したり、或は二軸配向フイルムを
巻取ったロールを50〜90℃の環境下で１〜10日間経時処
理しても良い。またαｔの差が５×１０-6／℃以下のＰ
ＥＮフイルムを得るためには、逐次２軸延伸したフイル
ムの中央部分を採用してもよく、同時２軸延伸して広範
囲の素材を採取してもよいが、逐次２軸延伸したフイル
ムをステンターにより再熱処理することにより得られる
ものを使用することもできる。
本発明は、面内のあらゆる方向に於て、７０℃で１時間
加熱した時の熱収縮率が0.05％以下と低い２軸配向ＰＥ
Ｎフイルムを用いているので、室温から高温環境での使
用に於ても可逆的な熱変形が少ないことに加えて熱変形
の永久的歪みが実質上なく、又高速回転してもヤング率
が６００〜７５０kg／mm2のＰＥＮフイルムを用いてい
るので磁気ヘツドと均一な接触を保てるので、６０〜７
０℃の高温雰囲気下でも線密度とトラツク密度を共に上
げた記憶容量の大きいマイクロフロツピー磁気記録媒体
を提供することが出来る。
加熱した時の熱収縮率が0.05％以下と低い２軸配向ＰＥ
Ｎフイルムを用いているので、室温から高温環境での使
用に於ても可逆的な熱変形が少ないことに加えて熱変形
の永久的歪みが実質上なく、又高速回転してもヤング率
が６００〜７５０kg／mm2のＰＥＮフイルムを用いてい
るので磁気ヘツドと均一な接触を保てるので、６０〜７
０℃の高温雰囲気下でも線密度とトラツク密度を共に上
げた記憶容量の大きいマイクロフロツピー磁気記録媒体
を提供することが出来る。
また、１５０℃で１時間加熱した時の熱収縮率が0.1〜
1.5％の範囲にあり、磁性層を形成しても平坦で真円の
マイクロフロツピー磁気記録媒体が得られる。
1.5％の範囲にあり、磁性層を形成しても平坦で真円の
マイクロフロツピー磁気記録媒体が得られる。
更に非磁性基板としてαｔを３０×１０-6／℃以下でα
ｔの差を５×１０-6／℃以下にすることにより、可逆的
な熱変形の差をも実質上０に近づけられるので、マイク
ロフロツピー磁気記録媒体でありながら、記憶容量を従
来の市販品である８インチや５1/4インチフロツピーデ
イスクと同等又はそれ以上に大きくすることが出来る。
ｔの差を５×１０-6／℃以下にすることにより、可逆的
な熱変形の差をも実質上０に近づけられるので、マイク
ロフロツピー磁気記録媒体でありながら、記憶容量を従
来の市販品である８インチや５1/4インチフロツピーデ
イスクと同等又はそれ以上に大きくすることが出来る。
以下実施例に基づいて本発明の実施態様の一部を説明す
る。
る。
なお、本発明における種々の物性値および特性は以下の
如くして測定されたものであり、かつ定義される。
如くして測定されたものであり、かつ定義される。
(1)収縮率（７０℃×１hr） 恒温恒湿槽で無緊張状態、７０℃，６５％ＲＨに１時間
放置して測定した。原長をlo，測定した長さをｌとする
と 〔(lo-l)/lo〕×100(%)で表わす。
放置して測定した。原長をlo，測定した長さをｌとする
と 〔(lo-l)/lo〕×100(%)で表わす。
(2)収縮率（１５０℃×１hr） ギア老化試験器で無緊張状態，１５０℃に１時間放置し
て測定した。原長をlo，測定した長さをｌとすると 〔(lo-l)/lo〕×100(%)で表わす。
て測定した。原長をlo，測定した長さをｌとすると 〔(lo-l)/lo〕×100(%)で表わす。
(1),(2)項について非磁性基板フイルムの面内について
製膜走行方向を０°とし必要に応じ45゜,90゜,135゜の方向
について測定した。
製膜走行方向を０°とし必要に応じ45゜,90゜,135゜の方向
について測定した。
(3)温度膨張係数 真空理工社製熱機械分析装置TM-3000を恒温恒湿槽内に
置き測定を行う。測定サンプルは予め所定の条件（例え
ば８０℃，１２０分）で熱処理を施し、このサンプルを
試験機に取付け温度２０℃，湿度６０％ＲＨ（相対湿
度）と温度４０℃，湿度６０％ＲＨとの間での寸法変化
を読取ることによつて温度膨張係数を測定する。
置き測定を行う。測定サンプルは予め所定の条件（例え
ば８０℃，１２０分）で熱処理を施し、このサンプルを
試験機に取付け温度２０℃，湿度６０％ＲＨ（相対湿
度）と温度４０℃，湿度６０％ＲＨとの間での寸法変化
を読取ることによつて温度膨張係数を測定する。
サンプルの寸法は長さ１５mm，幅５mmであつて２軸配向
フイルムの製膜走行方向、次いで反時計方向に45゜ずつ1
35゜までのサンプルを切り出し各角度θについ温度膨張
係数αｔを求める。
フイルムの製膜走行方向、次いで反時計方向に45゜ずつ1
35゜までのサンプルを切り出し各角度θについ温度膨張
係数αｔを求める。
(4)ヤング率 フイルムを試料巾１０mm、長さ１５cmに切り、チヤツク
間１００mmにして引張速度１０mm／分、チヤート速度５
００mm／分にインストロンタイプの万能引張試験装置に
て引張つた。得られた荷重−伸び曲線の立上り部の接線
よりヤング率を計算した。
間１００mmにして引張速度１０mm／分、チヤート速度５
００mm／分にインストロンタイプの万能引張試験装置に
て引張つた。得られた荷重−伸び曲線の立上り部の接線
よりヤング率を計算した。
(5)ドロツプアウト 松下通信工業（株）製の3.5インチ用ＦＤＤＪＵ−３６
２を６００rpmに改造し恒温恒湿槽に入れ、インタフエ
ースを介して東京エンジニアリング（株）製のドロツプ
インドロツプアウトカウンターＳＫ−４４４Ｂに接続し
てミツシングパルスを測定した。
２を６００rpmに改造し恒温恒湿槽に入れ、インタフエ
ースを介して東京エンジニアリング（株）製のドロツプ
インドロツプアウトカウンターＳＫ−４４４Ｂに接続し
てミツシングパルスを測定した。
まず２５℃，５０％ＲＨで書込周波数250KHz，６００rp
mの信号をＤＯトラツクに記録し恒温恒湿槽の雰囲気を
７０℃，５０％ＲＨにかえ、再生出力５０％以下又は３
０％以下のミツシングパルス有無を測定した。５０％以
下のミツシングパルスがない場合を良、３０％以下のミ
ツシングパルスはないが５０％以下のミツシングパルス
がある場合を可、３０％以下のミツシングパルスがある
場合を不可とした。
mの信号をＤＯトラツクに記録し恒温恒湿槽の雰囲気を
７０℃，５０％ＲＨにかえ、再生出力５０％以下又は３
０％以下のミツシングパルス有無を測定した。５０％以
下のミツシングパルスがない場合を良、３０％以下のミ
ツシングパルスはないが５０％以下のミツシングパルス
がある場合を可、３０％以下のミツシングパルスがある
場合を不可とした。
また、温度膨張係数の効果を更にみるため、上記記録を
５℃／１０％ＲＨで行ない再生を６０℃／１０％ＲＨで
行なつて同様にミツシングパルスを測定した。
５℃／１０％ＲＨで行ない再生を６０℃／１０％ＲＨで
行なつて同様にミツシングパルスを測定した。
実施例１ 平均粒子径0.25μｍの酸化チタンを0.2重量％含有して
なる極限粘度0.68のポリエチレン2.6ナフタレンジカル
ボキシレートのペレツトを１７０℃で５時間乾燥した。
このペレツトを常法に従つてＴ型タイにより溶融押出を
行い、厚さ１０８０μｍの未延伸フイルムを作成して、
縦方向に１３５℃で3.7倍、横方向に１４０℃で3.9倍逐
次２軸延伸を行ない、更に２３０℃で３０秒間熱固定を
行い、表面粗さ0.006μｍで厚み７５μｍのＰＥＮフイ
ルムを作成した。このフイルムの面内の各方向の諸特性
を表１に示す。
なる極限粘度0.68のポリエチレン2.6ナフタレンジカル
ボキシレートのペレツトを１７０℃で５時間乾燥した。
このペレツトを常法に従つてＴ型タイにより溶融押出を
行い、厚さ１０８０μｍの未延伸フイルムを作成して、
縦方向に１３５℃で3.7倍、横方向に１４０℃で3.9倍逐
次２軸延伸を行ない、更に２３０℃で３０秒間熱固定を
行い、表面粗さ0.006μｍで厚み７５μｍのＰＥＮフイ
ルムを作成した。このフイルムの面内の各方向の諸特性
を表１に示す。
この様にして得られた２軸配向フイルムに、下記組成の
磁性塗布液を2.0μの厚さに塗布した。
磁性塗布液を2.0μの厚さに塗布した。
（磁性塗布液） γ−Fe2O3（Co２０％含有） ２００重量部 塩化ビニール−酢酸ビニル共重合樹脂 （ＵＣＣ製ＶＡＧＨ） ３０重量部 ポリウレタン（日本ポリウレタン 工業製ＰＰ−８８） ２０重量部 イソシアネート化合物（日本ポリウレ タン工業製コロネートＨＬ） ４０重量部 カーボン（平均サイズ0.5μφ） ２０重量部 ジメチルシロキサン ２重量部 トルエン ７０重量部 メチルエチルケトン ７０重量部 シクロヘキサノン ７０重量部 上記塗料を充分に混合攪拌して塗布処理に供した。
次いで塗布面にカレンダーロール処理を施した。この後
外径88.9mmのフレキシブルデイスクに打抜き、テストＦ
ＤＤに挿入し雰囲気２５℃，５０％ＲＨから７０℃，５
０％ＲＨへ変化させた時のミツシングパルスを測定し
た。その時のミツシングパルス有無を表１に示すが、50
％以下のミツシングパルスも発生せず良好であつた。ま
た、評価後のフレキシブルデイスク表面を観察したが、
摩耗痕もなく良好であつた。
外径88.9mmのフレキシブルデイスクに打抜き、テストＦ
ＤＤに挿入し雰囲気２５℃，５０％ＲＨから７０℃，５
０％ＲＨへ変化させた時のミツシングパルスを測定し
た。その時のミツシングパルス有無を表１に示すが、50
％以下のミツシングパルスも発生せず良好であつた。ま
た、評価後のフレキシブルデイスク表面を観察したが、
摩耗痕もなく良好であつた。
実施例２，比較例１〜４ 実施例１において、熱固定温度を２１０℃とした時を実
施例２として１９０℃とした時を比較例１として結果を
表−１に示す。
施例２として１９０℃とした時を比較例１として結果を
表−１に示す。
次に実施例１において未延伸厚みを１３２０μｍとし
て、縦×横を4.1×4.3倍に延伸した場合を比較例２とし
て、次に比較例１のＰＥＮフイルム２３０℃，３０秒間
でタテ方向にロールを用い弛緩熱処理を追加した場合を
比較例３として表−１に示す。
て、縦×横を4.1×4.3倍に延伸した場合を比較例２とし
て、次に比較例１のＰＥＮフイルム２３０℃，３０秒間
でタテ方向にロールを用い弛緩熱処理を追加した場合を
比較例３として表−１に示す。
更に実施例１において極限粘度0.65のポリエチレンテレ
フタレートのペレツトを用いた場合を比較例４として表
−１に示す。
フタレートのペレツトを用いた場合を比較例４として表
−１に示す。
その結果は、実施例２を除きいずれも満足すべきもので
はなかつた。
はなかつた。
実施例３ 実施例１に於て横延伸及び熱固定として公知のステンタ
ーを用いた場合を実施例３として表−２に示すが、雰囲
気を５℃，１０％ＲＨから６０℃，１０％ＲＨへ変化さ
せた時のドロツプアウトカウンターの測定結果を再生出
力３０％以下のミツシングパルスがなく使用可であつ
た。
ーを用いた場合を実施例３として表−２に示すが、雰囲
気を５℃，１０％ＲＨから６０℃，１０％ＲＨへ変化さ
せた時のドロツプアウトカウンターの測定結果を再生出
力３０％以下のミツシングパルスがなく使用可であつ
た。
実施例４ 実施例３における熱固定温度を１９０℃とし、一旦巻と
つたＰＥＮフイルムをステンターにより熱固定温度２３
０℃で３０秒間再熱処理した結果を実施例４として表−
２に示すが、再生出力５０％以下のミツシングパルスも
なく非常に良好であつた。
つたＰＥＮフイルムをステンターにより熱固定温度２３
０℃で３０秒間再熱処理した結果を実施例４として表−
２に示すが、再生出力５０％以下のミツシングパルスも
なく非常に良好であつた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 淳二 神奈川県相模原市小山３丁目37番19号 帝 人株式会社プラスチツク研究所内 (72)発明者 中村 智行 神奈川県相模原市小山３丁目37番19号 帝 人株式会社プラスチツク研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】二軸配向ポリエチレンナフタレートフイル
ムを非磁性基板とし、該基板の少なくとも一表面に磁性
層を設けてなる磁気記録媒体であつて、該基板となるフ
イルムはその面内のあらゆる方向において７０℃で１時
間加熱したときの熱収縮率が0.05％以下であり、150℃
で１時間加熱したときの熱収縮率が0.1〜1.5％の範囲に
あり、かつヤング率が６００〜７５０kg／mm2の範囲に
あることを特徴とする直径が９０mm以下の磁気記録媒体
からなるマイクロフロツピーデイスク。 - 【請求項２】面内のあらゆる方向における温度膨張係数
が３０×１０-6／℃以下であり、最大値を示す温度膨張
係数と最小値を示す温度膨張係数との差が５×１０-6／
℃以下である二軸配向フイルムを非磁性基板とした特許
請求の範囲第１項記載のマイクロフロツピーデイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21029985A JPH0624061B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | マイクロフロツピ−デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21029985A JPH0624061B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | マイクロフロツピ−デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273420A JPS6273420A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0624061B2 true JPH0624061B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=16587098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21029985A Expired - Lifetime JPH0624061B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | マイクロフロツピ−デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624061B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08132523A (ja) * | 1994-11-09 | 1996-05-28 | Toray Ind Inc | 低熱収縮性ポリエステルフィルム |
| JPH08164558A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Toray Ind Inc | ポリエステルフィルム |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP21029985A patent/JPH0624061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6273420A (ja) | 1987-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |