JPH0624183B2 - 電子線描画装置および方法 - Google Patents
電子線描画装置および方法Info
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- JPH0624183B2 JPH0624183B2 JP58024722A JP2472283A JPH0624183B2 JP H0624183 B2 JPH0624183 B2 JP H0624183B2 JP 58024722 A JP58024722 A JP 58024722A JP 2472283 A JP2472283 A JP 2472283A JP H0624183 B2 JPH0624183 B2 JP H0624183B2
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- rectangular beam
- pattern
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は電子線描画装置、特に描画精度およびスループ
ツトを向上させた可変矩形ビーム形電子線描画装置およ
び方法に関する。
ツトを向上させた可変矩形ビーム形電子線描画装置およ
び方法に関する。
可変矩形ビーム型電子線描画装置は、点ビーム型電子線
描画装置の欠点であるスループツトの低さを改良すべく
開発されたものである。しかし、可変矩形ビーム型電子
線描画装置の電子光学系の調整は複雑であり、完全な調
整が困難であるという本質的問題を有している。
描画装置の欠点であるスループツトの低さを改良すべく
開発されたものである。しかし、可変矩形ビーム型電子
線描画装置の電子光学系の調整は複雑であり、完全な調
整が困難であるという本質的問題を有している。
従来の可変矩形ビーム型電子線描画装置では、矩形ビー
ムの長辺の寸法と短辺の寸法を独立に定めている。この
場合、わずかな調整ずれのため、矩形ビームが偏向方向
に対して傾いていると、第１図に示す如き状態になる。
第１図(A)は大面積パターンの例を示すもので、この場
合には前記傾きの影響は小さいが、第１図(B)に示した
如き細い線状のパターンの場合には、ビームシヨツトの
接続部が分離するという問題があつた。
ムの長辺の寸法と短辺の寸法を独立に定めている。この
場合、わずかな調整ずれのため、矩形ビームが偏向方向
に対して傾いていると、第１図に示す如き状態になる。
第１図(A)は大面積パターンの例を示すもので、この場
合には前記傾きの影響は小さいが、第１図(B)に示した
如き細い線状のパターンの場合には、ビームシヨツトの
接続部が分離するという問題があつた。
これを防止するために、第２図に示す如く、パターン周
辺(A)および細い線状パターン(B)の場合にのみ、電子ビ
ーム形状を小さくして、スループツトの低下を最小限に
迎えようとする装置も提案されているが、この装置にお
いては、大面積図形の中心部分の最大ビームサイズと周
辺部および細いパターンの最大ビームサイズを別個に指
定しなければならないため、図形データの増大を招くと
いう別の問題が生ずる。
辺(A)および細い線状パターン(B)の場合にのみ、電子ビ
ーム形状を小さくして、スループツトの低下を最小限に
迎えようとする装置も提案されているが、この装置にお
いては、大面積図形の中心部分の最大ビームサイズと周
辺部および細いパターンの最大ビームサイズを別個に指
定しなければならないため、図形データの増大を招くと
いう別の問題が生ずる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の電子線描画装置における上述の如
き問題を解消し、描画精度およびスループツトを向上可
能な電子線描画装置および方法を提供することにある。
するところは、従来の電子線描画装置における上述の如
き問題を解消し、描画精度およびスループツトを向上可
能な電子線描画装置および方法を提供することにある。
本発明の要点は、可変矩形ビーム型電子線描画装置にお
いて、矩形ビームの長辺と短辺との寸法を独立に定める
のではなく、長辺の寸法と短辺の寸法との比率を一定と
し、かつ短辺寸法の最大値を定め、これらの値を、描画
パターンの最小線幅およびビーム接続精度等に対応させ
て装置内の記憶手段に記憶させておき、ビーム寸法決定
の際に参照するようにした点にある。
いて、矩形ビームの長辺と短辺との寸法を独立に定める
のではなく、長辺の寸法と短辺の寸法との比率を一定と
し、かつ短辺寸法の最大値を定め、これらの値を、描画
パターンの最小線幅およびビーム接続精度等に対応させ
て装置内の記憶手段に記憶させておき、ビーム寸法決定
の際に参照するようにした点にある。
第３図は本発明の要点をより具体的に説明するためのも
のであり、(A)，(B)は電子ビームの偏向方向に対して平
行な辺および垂直な辺で構成された図形、(C)は電子ビ
ームの偏向方向に対して傾いた辺を含む図形の例を示す
ものである。
のであり、(A)，(B)は電子ビームの偏向方向に対して平
行な辺および垂直な辺で構成された図形、(C)は電子ビ
ームの偏向方向に対して傾いた辺を含む図形の例を示す
ものである。
前記長辺と短辺の寸法との比率をＢ、短辺寸法の最大値
をＡとした場合、図形の幅Ｗが上記Ａより大であれば、
ビーム寸法は短辺寸法をＡ、長辺寸法をＡ×Ｂ（図(A)
参照）とし、図形の幅Ｗが上記Ａより小であればビーム
寸法は短辺をＷ、長辺をＷ×Ｂ（図(B)参照）とする。
また、図(C)の如く傾いた辺を含む図形の場合には、偏
向方向に平行な辺および垂直な辺で構成される図形１と
三角形２とに分解して描画を行い、この場合、図形１に
関しては短辺寸法をＡ以下、長辺寸法をＡ×Ｂ以下とす
る。
をＡとした場合、図形の幅Ｗが上記Ａより大であれば、
ビーム寸法は短辺寸法をＡ、長辺寸法をＡ×Ｂ（図(A)
参照）とし、図形の幅Ｗが上記Ａより小であればビーム
寸法は短辺をＷ、長辺をＷ×Ｂ（図(B)参照）とする。
また、図(C)の如く傾いた辺を含む図形の場合には、偏
向方向に平行な辺および垂直な辺で構成される図形１と
三角形２とに分解して描画を行い、この場合、図形１に
関しては短辺寸法をＡ以下、長辺寸法をＡ×Ｂ以下とす
る。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第４図は本発明の一実施例である電子線描画装置の概略
構成を示す図である。図において、１０は電子線描画装
置本体であり、電子銃１１，第１整形アパーチヤ１２，
整形偏向器１３，第２整形アパーチヤ１４，縮小レンズ
１５および対物レンズ１６から構成されているものであ
る。１７は描画対象の例としてのウエハである。また、
２０はパターンデータを記憶する記憶部、３０はシヨツ
ト分解条件を記憶するレジスタ回路、４０はパターン分
解回路４１およびシヨツト分解回路４２を有する分解回
路、５０はバツフアメモリ、そして６０は上記各回路を
制御するＣＰＵである。
構成を示す図である。図において、１０は電子線描画装
置本体であり、電子銃１１，第１整形アパーチヤ１２，
整形偏向器１３，第２整形アパーチヤ１４，縮小レンズ
１５および対物レンズ１６から構成されているものであ
る。１７は描画対象の例としてのウエハである。また、
２０はパターンデータを記憶する記憶部、３０はシヨツ
ト分解条件を記憶するレジスタ回路、４０はパターン分
解回路４１およびシヨツト分解回路４２を有する分解回
路、５０はバツフアメモリ、そして６０は上記各回路を
制御するＣＰＵである。
本実施例の動作を以下、第５図により説明する。第５図
は本実施例装置の機能構成図であり、記号30Ａはシヨツ
ト分解条件を、41Ａはパターン分解処理を、42Ａはシヨ
ツト分解処理を、また、20Ａはパターンデータ記憶を示
している。
は本実施例装置の機能構成図であり、記号30Ａはシヨツ
ト分解条件を、41Ａはパターン分解処理を、42Ａはシヨ
ツト分解処理を、また、20Ａはパターンデータ記憶を示
している。
シヨツト分解条件30Ａとしては描画パターンを矩形ビー
ムに分解してシヨツトするための条件、ここでは矩形ビ
ームの短辺ｓの最大値Ａおよび矩形ビームの長辺ｌと短
辺ｓとの比l／sの最大値Ｂとが登録されている。
ムに分解してシヨツトするための条件、ここでは矩形ビ
ームの短辺ｓの最大値Ａおよび矩形ビームの長辺ｌと短
辺ｓとの比l／sの最大値Ｂとが登録されている。
幅Ｗ0，高さＨ0なるパターンデータが与えられると、バ
ツフアメモリ５０にＷ＝Ｗ0，Ｈ＝Ｈ0として記憶され
る。次に、パターン分解回路４１によりパターン分解処
理41Ａが実施される。この処理は、上記パターンを図中
に示される３つの条件によつて決定される高さｓ，幅Ｗ
のパターンに分解して記憶するものである。すなわち、
図から明らかなように、描画パターンの短辺Ｈが、Ｈ≦
Ａのとき矩形ビームの短辺ｓをＨに、２Ａ＞Ｈ＞Ａのと
き矩形ビームの短辺ｓをＨ／２に、Ｈ≧２Ａのとき矩形
ビームの短辺ｓをＡにしている。次に、シヨツト分解４
２によるシヨツト分解処理42Ａが実施される。この処理
は上記パターン分解処理41Ａにより得られた、高さｓ，
幅Ｗのパターンを、図中の３つの条件によつて決定され
る長辺ｌ，短辺ｓの矩形ビームによりシヨツトするもの
である。すなわち、図から明らかなように、描画パター
ンの長辺Ｗが、Ｗ≦Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺１を
Ｗに、２×Ａ×Ｂ＞Ｗ＞Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺
１をＷ／２に、Ｗ≧２×Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺
１をＡ×Ｂにしている。該シヨツト終了後、バツフアメ
モリ５０内のパターン50Ａの幅がＷからＷ−ｌに置換え
られ、上記パターン分離処理41Ａおよびシヨツト分解処
理42Ａが、Ｗ＝０となるまで繰返される。次いで、上記
バツフアメモリ５０内のパターン50Ａの高さがＨからＨ
−ｓに置換えられ、上記パターン分解処理41Ａおよびシ
ヨツト分解処理42Ａが、Ｈ＝０となるまで繰返される。
ツフアメモリ５０にＷ＝Ｗ0，Ｈ＝Ｈ0として記憶され
る。次に、パターン分解回路４１によりパターン分解処
理41Ａが実施される。この処理は、上記パターンを図中
に示される３つの条件によつて決定される高さｓ，幅Ｗ
のパターンに分解して記憶するものである。すなわち、
図から明らかなように、描画パターンの短辺Ｈが、Ｈ≦
Ａのとき矩形ビームの短辺ｓをＨに、２Ａ＞Ｈ＞Ａのと
き矩形ビームの短辺ｓをＨ／２に、Ｈ≧２Ａのとき矩形
ビームの短辺ｓをＡにしている。次に、シヨツト分解４
２によるシヨツト分解処理42Ａが実施される。この処理
は上記パターン分解処理41Ａにより得られた、高さｓ，
幅Ｗのパターンを、図中の３つの条件によつて決定され
る長辺ｌ，短辺ｓの矩形ビームによりシヨツトするもの
である。すなわち、図から明らかなように、描画パター
ンの長辺Ｗが、Ｗ≦Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺１を
Ｗに、２×Ａ×Ｂ＞Ｗ＞Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺
１をＷ／２に、Ｗ≧２×Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺
１をＡ×Ｂにしている。該シヨツト終了後、バツフアメ
モリ５０内のパターン50Ａの幅がＷからＷ−ｌに置換え
られ、上記パターン分離処理41Ａおよびシヨツト分解処
理42Ａが、Ｗ＝０となるまで繰返される。次いで、上記
バツフアメモリ５０内のパターン50Ａの高さがＨからＨ
−ｓに置換えられ、上記パターン分解処理41Ａおよびシ
ヨツト分解処理42Ａが、Ｈ＝０となるまで繰返される。
第６図は上述の第５図に示した手順によつて描画パター
ンを矩形ビームシヨツトに分解した例を示すものであ
る。第６図においては、矩形ビームの短辺の最大値Ａを
２μｍ，長辺と短辺との比の最大値Ｂを２．０とした場
合の、(A)５μｍ×１０μｍパターン，(B)１μｍ×１０
μｍパターンおよび(C)０．５μｍ×１０μｍパターン
についての矩形ビームの形状を示すものである。図から
も明らかな如く、大面積パターン(A)は前記条件での最
大の矩形ビーム形状２μｍ×４μｍでシヨツトされ、中
程度のパターン(B)は１μｍ×２μｍ，矩形ビームの接
続精度が問題となる微細パターン(C)は０．５μｍ×１
μｍのビーム形状でシヨツトされる。このようにシヨツ
トすることにより大面積パターンにおける描画時間の短
縮と微細パターンにおける接続精度の両方を満足する電
子線描画装置を実現することができる。
ンを矩形ビームシヨツトに分解した例を示すものであ
る。第６図においては、矩形ビームの短辺の最大値Ａを
２μｍ，長辺と短辺との比の最大値Ｂを２．０とした場
合の、(A)５μｍ×１０μｍパターン，(B)１μｍ×１０
μｍパターンおよび(C)０．５μｍ×１０μｍパターン
についての矩形ビームの形状を示すものである。図から
も明らかな如く、大面積パターン(A)は前記条件での最
大の矩形ビーム形状２μｍ×４μｍでシヨツトされ、中
程度のパターン(B)は１μｍ×２μｍ，矩形ビームの接
続精度が問題となる微細パターン(C)は０．５μｍ×１
μｍのビーム形状でシヨツトされる。このようにシヨツ
トすることにより大面積パターンにおける描画時間の短
縮と微細パターンにおける接続精度の両方を満足する電
子線描画装置を実現することができる。
第７図は本発明の他の実施例を示すもので、本発明をい
わゆる輪郭描画法と組合わせた場合の実施例である。第
７図(A)は７μｍ×１０μｍパターン、(B)は５μｍ×１
０μｍパターンそして(C)は０．５μｍ×１０μｍパタ
ーンを図形処理プログラムにより輪郭図形７１と中心図
形７２とに分解したものに、本発明を適用した例を示す
ものである。
わゆる輪郭描画法と組合わせた場合の実施例である。第
７図(A)は７μｍ×１０μｍパターン、(B)は５μｍ×１
０μｍパターンそして(C)は０．５μｍ×１０μｍパタ
ーンを図形処理プログラムにより輪郭図形７１と中心図
形７２とに分解したものに、本発明を適用した例を示す
ものである。
第７図は、輪郭図形の幅を１μｍとし、矩形ビームの短
辺の最大値Ａを２．５μｍ，長辺と短辺との比の最大値
Ｂを２．０とした場合の矩形ビームサイズを示してお
り、大面積パターン(A)においては、中心図形７２に対
しては最大ビームサイズ２．５μｍ×４μｍが用いられ
ても、輪郭図形７１に対しては１μｍ×２μｍのビーム
でシヨツトされる。
辺の最大値Ａを２．５μｍ，長辺と短辺との比の最大値
Ｂを２．０とした場合の矩形ビームサイズを示してお
り、大面積パターン(A)においては、中心図形７２に対
しては最大ビームサイズ２．５μｍ×４μｍが用いられ
ても、輪郭図形７１に対しては１μｍ×２μｍのビーム
でシヨツトされる。
第８図は本発明の更に他の実施例を示すもので、第７図
に示した第２の実施例において、矩形ビームの長辺寸法
の最大値Ｃを規定する機能を加えた実施例である。この
場合、矩形ビームの長辺寸法は短辺寸法の最大値ＡのＢ
倍（最大値）と、長辺寸法の最大値Ｃとの小さい方とす
る。
に示した第２の実施例において、矩形ビームの長辺寸法
の最大値Ｃを規定する機能を加えた実施例である。この
場合、矩形ビームの長辺寸法は短辺寸法の最大値ＡのＢ
倍（最大値）と、長辺寸法の最大値Ｃとの小さい方とす
る。
第８図は上記第２の実施例と同様の輪郭図形７１と中心
図形７２について、矩形ビームの短辺の最大値Ａを４μ
ｍ，長辺と短辺との比Ｂの最大値Ｂを２．０，また、長
辺の最大値Ｃを４μとした場合の、６μｍ×１０μｍパ
ターンのシヨツトビームの形状を示しており、この例で
は、中心図形７２が４μｍ×４μｍの２シヨツトで描画
され、中心図形の描画速度が前記第２の実施例の２倍と
なると同時に、矩形ビームが大きくなりすぎて、電流密
度が均一性を欠く状態となるのを防止するという利点を
有するものである。
図形７２について、矩形ビームの短辺の最大値Ａを４μ
ｍ，長辺と短辺との比Ｂの最大値Ｂを２．０，また、長
辺の最大値Ｃを４μとした場合の、６μｍ×１０μｍパ
ターンのシヨツトビームの形状を示しており、この例で
は、中心図形７２が４μｍ×４μｍの２シヨツトで描画
され、中心図形の描画速度が前記第２の実施例の２倍と
なると同時に、矩形ビームが大きくなりすぎて、電流密
度が均一性を欠く状態となるのを防止するという利点を
有するものである。
上記長辺の最大値Ｃは、矩形ビームの大きさがある程度
大きくなる場合に、その形状を略正方形とする如く定め
ることが有効である。
大きくなる場合に、その形状を略正方形とする如く定め
ることが有効である。
第９図は本発明の更に他の実施例を示すものであり、矩
形ビームの長辺寸法と短辺寸法との比の最大値Ｂを一定
の値でなく、短辺寸法の関数とするようにした実施例で
ある。
形ビームの長辺寸法と短辺寸法との比の最大値Ｂを一定
の値でなく、短辺寸法の関数とするようにした実施例で
ある。
第９図(A)は矩形ビームの短辺の最大値Ａと長辺と短辺
との比の最大値（図では「長辺／短辺」と示している）
Ｂとの関係の一例を示すものであり、この関係を用いて
６μｍ×１０μｍパターンおよび０．５μｍ×１０μｍ
パターンをシヨツト分解した状況を第９図(B)，(C)に示
した。第９図(B)に示した分解状況は第８図に示した分
解状況と差がないが、第９図(C)に示した分解状況は、
第７図(C)に示した分解状況と比較すると、シヨツト数
が３０％減じていることが理解されよう。
との比の最大値（図では「長辺／短辺」と示している）
Ｂとの関係の一例を示すものであり、この関係を用いて
６μｍ×１０μｍパターンおよび０．５μｍ×１０μｍ
パターンをシヨツト分解した状況を第９図(B)，(C)に示
した。第９図(B)に示した分解状況は第８図に示した分
解状況と差がないが、第９図(C)に示した分解状況は、
第７図(C)に示した分解状況と比較すると、シヨツト数
が３０％減じていることが理解されよう。
これは、前述の通り、矩形ビームの大きさがある範囲内
にある間は、できるだけ大きな面積の矩形ビームを使つ
てシヨツト数を少なくするということと、微細パターン
の接続精度を悪化させないということの両方を満足でき
る方向である。
にある間は、できるだけ大きな面積の矩形ビームを使つ
てシヨツト数を少なくするということと、微細パターン
の接続精度を悪化させないということの両方を満足でき
る方向である。
なお、第９図(A)には、短辺寸法の最大値Ａと長辺寸法
と短辺寸法との比の最大値Ｂとの関係を曲線で表した例
を示したが、この関係は直線あるいは折れ線グラフとし
て表現しても良いことは言うまでもない。
と短辺寸法との比の最大値Ｂとの関係を曲線で表した例
を示したが、この関係は直線あるいは折れ線グラフとし
て表現しても良いことは言うまでもない。
以上述べた如く、本発明によれば、可変矩形ビーム型電
子線描画装置および描画方法において、矩形ビームの長
辺と短辺との寸法を独立に決めるのでなく、長辺の寸法
と短辺の寸法との比率を一定とし、かつ短辺寸法の最大
値を定め、これらの値を描画パターンの最小線幅および
ビーム接続精度等に対応させて装置内の記憶手段に記憶
させておき、ビーム寸法決定の際に参照するようにした
ので、描画精度およびスループツトを向上させた電子線
描画装置を実現できるという顕著な効果を奏するもので
ある。
子線描画装置および描画方法において、矩形ビームの長
辺と短辺との寸法を独立に決めるのでなく、長辺の寸法
と短辺の寸法との比率を一定とし、かつ短辺寸法の最大
値を定め、これらの値を描画パターンの最小線幅および
ビーム接続精度等に対応させて装置内の記憶手段に記憶
させておき、ビーム寸法決定の際に参照するようにした
ので、描画精度およびスループツトを向上させた電子線
描画装置を実現できるという顕著な効果を奏するもので
ある。
第１図，第２図は従来の装置によるシヨツト分解図、第
３図は本発明の要点を説明するための図、第４図は本発
明の一実施例である電子線描画装置の概略構成を示す
図、第５図はその機能構成図、第６図〜第９図はシヨツ
ト分解の具体例を示す図である。 １０：電子線描画装置本体、２０：パターンデータ記憶
部、３０：レジスタ回路、４１：パターン分解回路、４
２：シヨツト分解回路、５０：バツフアメモリ、６０：
ＣＰＵ。
３図は本発明の要点を説明するための図、第４図は本発
明の一実施例である電子線描画装置の概略構成を示す
図、第５図はその機能構成図、第６図〜第９図はシヨツ
ト分解の具体例を示す図である。 １０：電子線描画装置本体、２０：パターンデータ記憶
部、３０：レジスタ回路、４１：パターン分解回路、４
２：シヨツト分解回路、５０：バツフアメモリ、６０：
ＣＰＵ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須賀 治 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭56−79429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−118633（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】可変矩形ビーム型電子線描画装置におい
て、描画パターンを描画するための矩形ビームの短辺の
寸法の最大値Ａおよび該矩形ビームの短辺の寸法と長辺
の寸法の比の最大値Ｂを保持するショット分解条件レジ
スタと、描画パターンの短辺の寸法Ｈと前記ショット分
解条件レジスタに保持されている矩形ビームの短辺の寸
法の最大値Ａを参照することによって前記描画パターン
の短辺の寸法ＨをＡ以下の値ｓに分解するパターン分解
回路と、描画パターンの長辺の寸法Ｗと前記ショット分
解回路に保持されている矩形ビームの短辺の寸法の最大
値Ａおよび矩形ビームの短辺の寸法と長辺の寸法の比の
最大値Ｂを参照することによって前記描画パターンの長
辺の寸法Ｗをｓ×Ｂ以下の値に分解するショット分解回
路とを有し、前記パターン分解回路および前記ショット
分解回路によって求められた短辺の寸法と長辺の寸法を
有する矩形ビームによって描画を行うことを特徴とする
電子線描画装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の電子線描画装
置において、前記パターン分解回路は、描画パターンの
短辺の寸法Ｈが、Ｈ≦Ａのとき矩形ビームの短辺の寸法
ｓをＨに、２Ａ＞Ｈ＞Ａのとき矩形ビームの短辺の寸法
ｓをＨ／２に、Ｈ≧２Ａのとき矩形ビームの短辺の寸法
ｓをＡにし、 前記ショット分解回路は、描画パターンの長辺の寸法Ｗ
が、Ｗ≦Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺の寸法１をＷ
に、２×Ａ×Ｂ＞Ｗ＞Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺の
寸法をＷ／２に、Ｗ≧２×Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長
辺の寸法１をＡ×Ｂにすることを特徴とする電子線描画
装置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項記載の
電子線描画装置において、前記描画パターンを輪郭図形
と中心図形とに分解する手段を備えたことを特徴とする
電子線描画装置。 - 【請求項４】描画パターンを描画するための矩形ビーム
の短辺の寸法の最大値Ａおよび該矩形ビームの短辺の寸
法と長辺の寸法の比の最大値Ｂを保持する第１のステッ
プと、前記描画パターンの短辺の寸法と前記保持されて
いる矩形ビームの短辺の寸法の最大値Ａを参照すること
によって該描画パターンの短辺の寸法をＡ以下の値ｓに
分解する第２のステップと、前記描画パターンの長辺の
寸法と前記ショット分解回路に保持されている矩形ビー
ムの短辺の寸法の最大値Ａおよび矩形ビームの短辺の寸
法と長辺の寸法の比の最大値Ｂを参照することによって
該描画パターンの長辺の寸法をｓ×Ｂ以下の値に分解す
る第３のステップと、前記第２のステップと第３のステ
ップによって求められた短辺の寸法と長辺の寸法を有す
る矩形ビームによって描画する第４のステップからなる
ことを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項記載の電子線描画方
法において、前記第２のステップは、前記描画パターン
の短辺の寸法Ｈが、Ｈ≦Ａのとき矩形ビームの短辺の寸
法ｓをＨに、２Ａ＞Ｈ＞Ａのとき矩形ビームの短辺の寸
法ｓをＨ／２に、Ｈ≧２Ａのとき矩形ビームの短辺の寸
法ｓをＡにし、前記第３のステップは、前記描画パター
ンの長辺の寸法Ｗが、Ｗ≦Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長
辺の寸法１をＷに、２×Ａ×Ｂ＞Ｗ＞Ａ×Ｂのとき矩形
ビームの長辺の寸法１をＷ／２に、Ｗ≧２×Ａ×Ｂのと
き矩形ビームの長辺の寸法１をＡ×Ｂにするステップで
あることを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項６】特許請求の範囲第４項または第５項記載の
電子線描画方法において、前記第１のステップの前に描
画パターンを輪郭図形と中心図形とに分解するステップ
を有し、分解された輪郭図形と中心図形の各々に対して
前記第１〜第４のステップを適用することを特徴とする
電子線描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024722A JPH0624183B2 (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 電子線描画装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024722A JPH0624183B2 (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 電子線描画装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151423A JPS59151423A (ja) | 1984-08-29 |
| JPH0624183B2 true JPH0624183B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=12146046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58024722A Expired - Lifetime JPH0624183B2 (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 電子線描画装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624183B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182425A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JP4521076B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | パターン描画方法 |
| JP4308467B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2009-08-05 | 新光電気工業株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
| JP2012253316A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-20 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118633A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-11 | Fujitsu Ltd | Exposing method for electron beam |
| JPS5679429A (en) * | 1979-12-03 | 1981-06-30 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam exposure process |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP58024722A patent/JPH0624183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59151423A (ja) | 1984-08-29 |
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