JPH0624201B2 - 半導体ウエハの当板固着方法 - Google Patents
半導体ウエハの当板固着方法Info
- Publication number
- JPH0624201B2 JPH0624201B2 JP1169213A JP16921389A JPH0624201B2 JP H0624201 B2 JPH0624201 B2 JP H0624201B2 JP 1169213 A JP1169213 A JP 1169213A JP 16921389 A JP16921389 A JP 16921389A JP H0624201 B2 JPH0624201 B2 JP H0624201B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- adhesive
- contact plate
- fixing
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ウエハの当板固着方法に関する。
さらに詳しくは、トランジスタ，ダイオード等のディス
クリート素子（個別素子）等として利用されるシリコン
（Si）単結晶の円板形等からなる半導体ウエハからディ
スクリート素子用基板を製造する際に、半導体ウエハを
２分割切断工作する工程において半導体ウエハの周縁へ
当板を固着する方法に関する。
クリート素子（個別素子）等として利用されるシリコン
（Si）単結晶の円板形等からなる半導体ウエハからディ
スクリート素子用基板を製造する際に、半導体ウエハを
２分割切断工作する工程において半導体ウエハの周縁へ
当板を固着する方法に関する。
［従来の技術］ 従来、本出願人は、シリコン単結晶の消耗低減等を目的
として、中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡
散層を有し両面に不純物が拡散された不純物拡散層を有
する半導体ウエハを、厚み巾の略中心部から切断し、各
半導体ウエハの夫々の切断面を新な不純物を拡散するた
めの不純物未拡散層とするディスクリート素子用基板の
製造方法等を先に提案している（特開平1-293613号）。
さらに、前記製造方法等における半導体ウエハの切断工
作について、工作効率の確保、切断端の損傷防止等を目
的として、半導体ウエハの周縁に当板を固着して行なう
技術についても先に提案している（特開平3-1536号）。
として、中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡
散層を有し両面に不純物が拡散された不純物拡散層を有
する半導体ウエハを、厚み巾の略中心部から切断し、各
半導体ウエハの夫々の切断面を新な不純物を拡散するた
めの不純物未拡散層とするディスクリート素子用基板の
製造方法等を先に提案している（特開平1-293613号）。
さらに、前記製造方法等における半導体ウエハの切断工
作について、工作効率の確保、切断端の損傷防止等を目
的として、半導体ウエハの周縁に当板を固着して行なう
技術についても先に提案している（特開平3-1536号）。
従来、前述の本出願人の先提案において、半導体ウエハ
の周縁に当板を固着する手段としては、例えばウエハキ
ャリアに並列した半導体ウエハの周縁上部に当板を一枚
づつ接着材で固着していくことが行なわれている。
の周縁に当板を固着する手段としては、例えばウエハキ
ャリアに並列した半導体ウエハの周縁上部に当板を一枚
づつ接着材で固着していくことが行なわれている。
［発明が解決しようとする課題］ 前述の従来の半導体ウエハの周縁に当板を固着する手段
では、第４図に示すように接着剤Ｃが硬化するまでに半
導体ウエハＷに対して当板Ｐが傾倒してしまい固着強度
不足や寸法精度の誤差が生じたり、第５図に示すように
接着剤Ｃが半導体ウエハＷ側に流下してしまい汚損が生
じたりして、固着工作の仕上がりが不良となるという問
題点を有している。
では、第４図に示すように接着剤Ｃが硬化するまでに半
導体ウエハＷに対して当板Ｐが傾倒してしまい固着強度
不足や寸法精度の誤差が生じたり、第５図に示すように
接着剤Ｃが半導体ウエハＷ側に流下してしまい汚損が生
じたりして、固着工作の仕上がりが不良となるという問
題点を有している。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
のであり、その目的は、固着工作の仕上りが良好な半導
体ウエハの当板固着方法を提供することにある。
のであり、その目的は、固着工作の仕上りが良好な半導
体ウエハの当板固着方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 斯る本発明の半導体ウエハの当板固着方法は、厚み巾の
中心部から切断して２分割される半導体ウエハの周縁に
当板を固着する方法であって； 中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡散層を有
し両面に不純物が拡散された不純物拡散層を有する半導
体ウエハと、この半導体ウエハよりも径の大きな中間板
とを交互に接合並列して並列方向から加圧した後、接着
剤を塗布した当板を中間板の間から挾入して半導体ウエ
ハの周縁に固着し、または半導体ウエハの周縁に接着剤
を塗布して当板を中間板の間から挾入して固着すること
を特徴とする。
中心部から切断して２分割される半導体ウエハの周縁に
当板を固着する方法であって； 中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡散層を有
し両面に不純物が拡散された不純物拡散層を有する半導
体ウエハと、この半導体ウエハよりも径の大きな中間板
とを交互に接合並列して並列方向から加圧した後、接着
剤を塗布した当板を中間板の間から挾入して半導体ウエ
ハの周縁に固着し、または半導体ウエハの周縁に接着剤
を塗布して当板を中間板の間から挾入して固着すること
を特徴とする。
［作用］ 前述の手段によると、半導体ウエハよりも径の大きな中
間板が半導体ウエハ，当板の双方を並列規制することか
ら、半導体ウエハ，当板が傾倒等することなく正確な姿
勢で当触し固着されるため、傾倒等による固着強度不足
や寸法精度の誤差が生じることはなくなる。さらに、半
導体ウエハの両面に中間板が圧接していることから、接
着剤が流出しても半導体ウエハ側（両面）に流下るのを
中間板によって阻止され、半導体ウエハを汚損すること
が防止される。このため、固着工作の仕上りが良好な半
導体ウエハの当板固着方法を提供するという目的が達成
される。
間板が半導体ウエハ，当板の双方を並列規制することか
ら、半導体ウエハ，当板が傾倒等することなく正確な姿
勢で当触し固着されるため、傾倒等による固着強度不足
や寸法精度の誤差が生じることはなくなる。さらに、半
導体ウエハの両面に中間板が圧接していることから、接
着剤が流出しても半導体ウエハ側（両面）に流下るのを
中間板によって阻止され、半導体ウエハを汚損すること
が防止される。このため、固着工作の仕上りが良好な半
導体ウエハの当板固着方法を提供するという目的が達成
される。
［実施例］ 以下、本発明に係る半導体ウエハの当板固着方法の実施
例を第１図〜第３図に基いて説明する。
例を第１図〜第３図に基いて説明する。
この実施例では、第１図，第２図に示すように、まず半
導体ウエハＷとこの半導体ウエハＷよりも径の大きな中
間板１とを交互に当接し、これ等を逆台形の溝２′を有
する基台２に並列する。この並列の両側端には、中間板
１が位置するようにしておく。なお、この半導体ウエハ
Ｗは、シリコン単結晶の円板形等からなり、中央部に不
純物が拡散されていない不純物未拡散層を有し両面に不
純物が拡散された不純物拡散層を有するものである。ま
た、この中間板１は、接着剤Ｃの影響を受けないような
材質（例えば、四ふっ化エチレン樹脂）で形成されてお
り、半導体ウエハＷの全面に当接する形状に形成されて
いる。また、この基台２は、適当な材質で形成すること
ができるが、好ましくは中間板１と同様接着剤Ｃの影響
を受けないような材質で形成する。
導体ウエハＷとこの半導体ウエハＷよりも径の大きな中
間板１とを交互に当接し、これ等を逆台形の溝２′を有
する基台２に並列する。この並列の両側端には、中間板
１が位置するようにしておく。なお、この半導体ウエハ
Ｗは、シリコン単結晶の円板形等からなり、中央部に不
純物が拡散されていない不純物未拡散層を有し両面に不
純物が拡散された不純物拡散層を有するものである。ま
た、この中間板１は、接着剤Ｃの影響を受けないような
材質（例えば、四ふっ化エチレン樹脂）で形成されてお
り、半導体ウエハＷの全面に当接する形状に形成されて
いる。また、この基台２は、適当な材質で形成すること
ができるが、好ましくは中間板１と同様接着剤Ｃの影響
を受けないような材質で形成する。
次に、並列されている半導体ウエハＷ，中間板１の両側
端にさらに加圧板３を並列する。この加圧板３は、適当
な材質で形成することができるが、好ましくは中間板１
と同様接着剤Ｃの影響を受けないような材質で形成す
る。
端にさらに加圧板３を並列する。この加圧板３は、適当
な材質で形成することができるが、好ましくは中間板１
と同様接着剤Ｃの影響を受けないような材質で形成す
る。
さらに、並列した加圧板３の両側からクランプ等で並列
方向へ加圧力を加える。この加圧は、半導体ウエハＷ，
中間板１の並列を規制保持し、半導体ウエハＷの移動，
傾倒，ズレ等を防止すると共に、半導体ウエハＷ，中間
板１間の間隙を減少させ両者を近接圧接させるものであ
る。
方向へ加圧力を加える。この加圧は、半導体ウエハＷ，
中間板１の並列を規制保持し、半導体ウエハＷの移動，
傾倒，ズレ等を防止すると共に、半導体ウエハＷ，中間
板１間の間隙を減少させ両者を近接圧接させるものであ
る。
而後、半導体ウエハＷの周縁に接着剤Ｃを厚く塗布し、
中間板１の間に当板Ｐを挾入して固着する。この接着剤
Ｃが塗布される半導体ウエハＷの周縁は、並列の上部側
が好ましくオリフィラを利用することも可能である。ま
た、予め当板Ｐに接着剤Ｃを塗布しておいて、固着する
ことも可能である。なお、この当板Ｐは、カーボン，シ
リコン等で形成されたものである。この接着剤Ｃは、前
述した等板Ｐ，半導体ウエハＷの材質から、エポキシ系
樹脂，ポリエステル系樹脂，ポリウレタン系樹脂，ポリ
イミド系樹脂，ポリアミド系樹脂等の熱効果性樹脂接着
剤の外、ゴム系接着剤も使用することができる。
中間板１の間に当板Ｐを挾入して固着する。この接着剤
Ｃが塗布される半導体ウエハＷの周縁は、並列の上部側
が好ましくオリフィラを利用することも可能である。ま
た、予め当板Ｐに接着剤Ｃを塗布しておいて、固着する
ことも可能である。なお、この当板Ｐは、カーボン，シ
リコン等で形成されたものである。この接着剤Ｃは、前
述した等板Ｐ，半導体ウエハＷの材質から、エポキシ系
樹脂，ポリエステル系樹脂，ポリウレタン系樹脂，ポリ
イミド系樹脂，ポリアミド系樹脂等の熱効果性樹脂接着
剤の外、ゴム系接着剤も使用することができる。
しかし、この接着剤Ｃが、半導体ウエハの切断中には強
力な接着力で当板Ｐを固着している必要がある反面、半
導体ウエハの切断２分割後には特定の酸液によって当板
Ｐを容易に剥離させ得る必要があることを考慮すると、
とくにエポキシ系樹脂の接着剤を使用することが好まし
い。
力な接着力で当板Ｐを固着している必要がある反面、半
導体ウエハの切断２分割後には特定の酸液によって当板
Ｐを容易に剥離させ得る必要があることを考慮すると、
とくにエポキシ系樹脂の接着剤を使用することが好まし
い。
このような実施例によると、半導体ウエハＷよりも径の
大きな中間板１が加圧によって半導体ウエハＷを並列規
制すると共に、中間板１の間に挾入される当板Ｐをも並
列規制することから、半導体ウエハＷ，当板Ｐが移動，
傾倒，ズレ等することなく正確な姿勢で当触し固着され
ることになる。このため、固着工作の仕上りにおいて
は、移動，傾倒，ズレ等による固着強度不足や寸法精度
の誤差が生じることはなくなる。また、中間板１が半導
体ウエハＷの全面を加圧しているため、半導体ウエハＷ
は折損するおそれはない。さらに、半導体ウエハＷの両
面に中間板１が圧接していることから、接着剤Ｃが過剰
等の原因等で流出しても、半導体ウエハＷの両面側に流
下るのを中間板１によって阻止され（第３図参照）、半
導体ウエハＷを汚損することが防止される。
大きな中間板１が加圧によって半導体ウエハＷを並列規
制すると共に、中間板１の間に挾入される当板Ｐをも並
列規制することから、半導体ウエハＷ，当板Ｐが移動，
傾倒，ズレ等することなく正確な姿勢で当触し固着され
ることになる。このため、固着工作の仕上りにおいて
は、移動，傾倒，ズレ等による固着強度不足や寸法精度
の誤差が生じることはなくなる。また、中間板１が半導
体ウエハＷの全面を加圧しているため、半導体ウエハＷ
は折損するおそれはない。さらに、半導体ウエハＷの両
面に中間板１が圧接していることから、接着剤Ｃが過剰
等の原因等で流出しても、半導体ウエハＷの両面側に流
下るのを中間板１によって阻止され（第３図参照）、半
導体ウエハＷを汚損することが防止される。
［発明の効果］ 本発明によれば、半導体ウエハ，当板が傾倒等すること
なく正確な姿勢で当触し固着されるため、傾倒等による
固着強度不足や寸法精度の誤差が生じることはなくな
り、また半導体ウエハの両面に中間板が圧接しているた
め、接着剤の硬化時間が長い場合で接着剤が流出しても
半導体ウエハに流れ下り半導体ウエハを汚損することが
防止される。このため、固着工作の仕上りが良好で所定
の姿勢が高精度に確保できるとともに、量産が可能で生
産性を高めることができる。従って、本発明により得ら
れた半導体ウエハを使用すれば、本出願人の先提案に係
る半導体ウエハの切断工作において、ウエハ切り終わり
部を中心に発生しやすい割れや欠けなど破損のない精密
がかつ効率的な加工を行うことができる。
なく正確な姿勢で当触し固着されるため、傾倒等による
固着強度不足や寸法精度の誤差が生じることはなくな
り、また半導体ウエハの両面に中間板が圧接しているた
め、接着剤の硬化時間が長い場合で接着剤が流出しても
半導体ウエハに流れ下り半導体ウエハを汚損することが
防止される。このため、固着工作の仕上りが良好で所定
の姿勢が高精度に確保できるとともに、量産が可能で生
産性を高めることができる。従って、本発明により得ら
れた半導体ウエハを使用すれば、本出願人の先提案に係
る半導体ウエハの切断工作において、ウエハ切り終わり
部を中心に発生しやすい割れや欠けなど破損のない精密
がかつ効率的な加工を行うことができる。
さらに、半導体ウエハの中間板を介しての並列，加圧を
利用するため、既存工具，部材を利用して安価，容易に
実施することができる効果がある。
利用するため、既存工具，部材を利用して安価，容易に
実施することができる効果がある。
第１図は本発明に係る半導体ウエハの当板固着方法の実
施例を示す正面図、第２図は第１図の側面図、第３図は
第１図の要部拡大図、第４図，第５図は従来例の問題点
を示す正面図である。 １……中間板 Ｃ……接着剤 Ｐ……当板 Ｗ……半導体ウエハ
施例を示す正面図、第２図は第１図の側面図、第３図は
第１図の要部拡大図、第４図，第５図は従来例の問題点
を示す正面図である。 １……中間板 Ｃ……接着剤 Ｐ……当板 Ｗ……半導体ウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】厚み巾の中心部から切断して２分割される
半導体ウエハの周縁に当板を固着する方法であって； 中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡散層を有
し両面に不純物が拡散された不純物拡散層を有する半導
体ウエハと、この半導体ウエハよりも径の大きな中間板
とを交互に接合並列して並列方向から加圧した後、接着
剤を塗布した当板を中間板の間から挾入して半導体ウエ
ハの周縁に固着し、または半導体ウエハの周縁に接着剤
を塗布して当板を中間板の間から挾入して固着する半導
体ウエハの当板固着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169213A JPH0624201B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体ウエハの当板固着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169213A JPH0624201B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体ウエハの当板固着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334543A JPH0334543A (ja) | 1991-02-14 |
| JPH0624201B2 true JPH0624201B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=15882304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169213A Expired - Fee Related JPH0624201B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体ウエハの当板固着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624201B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053146A (ko) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 구자홍 | 천정형 카세트 에어컨의 루버 링크 장치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06105702B2 (ja) * | 1987-10-28 | 1994-12-21 | 株式会社東芝 | 半導体基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1169213A patent/JPH0624201B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334543A (ja) | 1991-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |