JPH06243434A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH06243434A JPH06243434A JP5025893A JP2589393A JPH06243434A JP H06243434 A JPH06243434 A JP H06243434A JP 5025893 A JP5025893 A JP 5025893A JP 2589393 A JP2589393 A JP 2589393A JP H06243434 A JPH06243434 A JP H06243434A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録装置に用いる磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドにおいて、磁気ディスク媒体の対向面の表面に
帯電する静電荷による放電現象を抑制し、磁気抵抗効果
素子の損傷，破壊を防止して、安定した再生特性と高い
信頼性を得ることを目的とする。 【構成】 磁気ディスク媒体の対向面に１００μΩｃｍ
〜１０6 Ωｃｍの電気抵抗率を有する膜９を配設した構
成により、磁気抵抗効果素子５の近傍の表面に帯電する
電荷が基板１へと移動し、基板１の接地抵抗を介して磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド外へ放出されるので磁気抵
抗効果素子５の損傷，破壊を防ぐことができる。
気ヘッドにおいて、磁気ディスク媒体の対向面の表面に
帯電する静電荷による放電現象を抑制し、磁気抵抗効果
素子の損傷，破壊を防止して、安定した再生特性と高い
信頼性を得ることを目的とする。 【構成】 磁気ディスク媒体の対向面に１００μΩｃｍ
〜１０6 Ωｃｍの電気抵抗率を有する膜９を配設した構
成により、磁気抵抗効果素子５の近傍の表面に帯電する
電荷が基板１へと移動し、基板１の接地抵抗を介して磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド外へ放出されるので磁気抵
抗効果素子５の損傷，破壊を防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置など
の磁気記録装置に用いる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
（以下ＭＲヘッドという）に関する。
の磁気記録装置に用いる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
（以下ＭＲヘッドという）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録分野における小形化・大
容量化にともない、外径の小さい磁気ディスクからの磁
束を感磁して十分な再生出力が得られるＭＲヘッドが多
く利用されるようになり、このＭＲヘッドの再生効率を
低下させない発明がなされている（例えば特開平３−６
６０１２号公報参照）。
容量化にともない、外径の小さい磁気ディスクからの磁
束を感磁して十分な再生出力が得られるＭＲヘッドが多
く利用されるようになり、このＭＲヘッドの再生効率を
低下させない発明がなされている（例えば特開平３−６
６０１２号公報参照）。
【０００３】以下に従来のＭＲヘッドについて説明す
る。図１０に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣなどの非
磁性セラミック製の基板１上に配設された二つのシール
ド磁性体２，３間に電極用金属の引き出し端子４を有す
る二端子型構造の磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とい
う）５が配設され、かつ磁気ディスク媒体の対向面に露
出したピギーバック構造で再生ヘッドが構成されてい
る。さらに再生ヘッド上に配設する記録ヘッドは、図示
しないコイルを挟みリング状の磁性体からなるコア６が
所定のギャップ幅で磁気ディスク媒体面に露出した構成
とされている。このように構成されたＭＲヘッドの基板
１、再生ヘッドのシールド磁性体２，３、ＭＲ素子５及
び記録ヘッドのコア６が、それぞれ互いに電気的に絶
縁、磁気的に遮蔽され、かつそれらを保持、固定するこ
とを目的に酸化物製の絶縁体７が再生ヘッド及び記録ヘ
ッドを十分に含むような厚み（数十μｍ程度）で基板１
上に接して配設された構成である。
る。図１０に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣなどの非
磁性セラミック製の基板１上に配設された二つのシール
ド磁性体２，３間に電極用金属の引き出し端子４を有す
る二端子型構造の磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とい
う）５が配設され、かつ磁気ディスク媒体の対向面に露
出したピギーバック構造で再生ヘッドが構成されてい
る。さらに再生ヘッド上に配設する記録ヘッドは、図示
しないコイルを挟みリング状の磁性体からなるコア６が
所定のギャップ幅で磁気ディスク媒体面に露出した構成
とされている。このように構成されたＭＲヘッドの基板
１、再生ヘッドのシールド磁性体２，３、ＭＲ素子５及
び記録ヘッドのコア６が、それぞれ互いに電気的に絶
縁、磁気的に遮蔽され、かつそれらを保持、固定するこ
とを目的に酸化物製の絶縁体７が再生ヘッド及び記録ヘ
ッドを十分に含むような厚み（数十μｍ程度）で基板１
上に接して配設された構成である。
【０００４】ＭＲ素子５は、高さ方向にバイアス磁界を
印加する機能を有する。一般には、バイアス方式とし
て、ＳＡＬ（Ｓｏｆｔ，Ａｄｊａｃｅｎｔ，Ｌａｙｅ
ｒ）が用いられ、ＭＲ素子５は、磁気抵抗薄膜と軟磁性
膜及びその間の非磁性の層から構成されている。
印加する機能を有する。一般には、バイアス方式とし
て、ＳＡＬ（Ｓｏｆｔ，Ａｄｊａｃｅｎｔ，Ｌａｙｅ
ｒ）が用いられ、ＭＲ素子５は、磁気抵抗薄膜と軟磁性
膜及びその間の非磁性の層から構成されている。
【０００５】以上のように構成されたＭＲヘッドについ
て、以下その動作を説明する。引き出し端子４よりＭＲ
素子５に一定のセンス電流を供給して相対する磁気ディ
スク媒体に記録された情報の磁束変化をＭＲ素子５が電
気抵抗の変化として正確に感知して、これを引き出し端
子４間の電圧変化として再生出力を検出することにより
再生動作を行っている。
て、以下その動作を説明する。引き出し端子４よりＭＲ
素子５に一定のセンス電流を供給して相対する磁気ディ
スク媒体に記録された情報の磁束変化をＭＲ素子５が電
気抵抗の変化として正確に感知して、これを引き出し端
子４間の電圧変化として再生出力を検出することにより
再生動作を行っている。
【０００６】つぎに、ＭＲヘッドが磁気ディスク媒体と
の衝突や摩擦により接触した場合の現象について図１１
を参照しながら説明する。
の衝突や摩擦により接触した場合の現象について図１１
を参照しながら説明する。
【０００７】ＭＲヘッドの磁気ディスク媒体の対向表面
と磁気ディスク媒体の表面が接触した接触界面において
電荷の移動現象が生じて両界面において帯電現象が生じ
る。両界面には極性の異なる電荷が発生しているので、
接触中の電荷は互いに引き合うクーロン力の作用によっ
て他の領域へは移動しない。しかし両界面が離れること
によって、クーロン力の作用がなくなると、ＭＲヘッド
の磁気ディスク媒体の対向表面の電荷は移動することが
可能となる。
と磁気ディスク媒体の表面が接触した接触界面において
電荷の移動現象が生じて両界面において帯電現象が生じ
る。両界面には極性の異なる電荷が発生しているので、
接触中の電荷は互いに引き合うクーロン力の作用によっ
て他の領域へは移動しない。しかし両界面が離れること
によって、クーロン力の作用がなくなると、ＭＲヘッド
の磁気ディスク媒体の対向表面の電荷は移動することが
可能となる。
【０００８】基板１は、その背面を図示しないサスペン
ションに接着しているので、接地抵抗Ｒ１を介し接地さ
れている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を介し再生
回路に接続しており非動作時はもちろん動作時において
も接地電位に近い電位となっている。したがって、基板
１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を保ってい
るので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面の電荷は
それぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地側に移動
し電荷は残らない。しかし、シールド磁性体２，３、コ
ア６及び絶縁体７の表面に帯電した電荷は、絶縁体７を
介して基板１及びＭＲ素子５に移動する以外に接地側へ
の電荷の逃げる経路はない。しかしながら前述したよう
に絶縁体７を介する必要があるために、基板１への移動
経路及びＭＲ素子５への移動経路の電気抵抗Ｒ２及びＲ
４が非常に高く電荷の移動が阻止されてしまう。このた
め、電荷はシールド磁性体２，３、コア６の表面及び内
部に蓄積するか、絶縁体７の表面に留まることになり、
ＭＲ素子５の近傍の領域８に帯電領域を形成することに
なる。その結果、領域８がＭＲ素子５に対して静電容量
Ｃ１をもつことになる。このような接触、非接触を繰り
返すことによって静電容量Ｃ１は増加し、この静電容量
Ｃ１の増加に伴い領域８のＭＲ素子５に対する電位差が
大きくなる。最終的には放電限界まで電位差が大きくな
り領域８とＭＲ素子５間で放電現象が生じる。この放電
によってＭＲ素子５が損傷をうけたり、最悪の場合は破
壊されてしまう。
ションに接着しているので、接地抵抗Ｒ１を介し接地さ
れている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を介し再生
回路に接続しており非動作時はもちろん動作時において
も接地電位に近い電位となっている。したがって、基板
１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を保ってい
るので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面の電荷は
それぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地側に移動
し電荷は残らない。しかし、シールド磁性体２，３、コ
ア６及び絶縁体７の表面に帯電した電荷は、絶縁体７を
介して基板１及びＭＲ素子５に移動する以外に接地側へ
の電荷の逃げる経路はない。しかしながら前述したよう
に絶縁体７を介する必要があるために、基板１への移動
経路及びＭＲ素子５への移動経路の電気抵抗Ｒ２及びＲ
４が非常に高く電荷の移動が阻止されてしまう。このた
め、電荷はシールド磁性体２，３、コア６の表面及び内
部に蓄積するか、絶縁体７の表面に留まることになり、
ＭＲ素子５の近傍の領域８に帯電領域を形成することに
なる。その結果、領域８がＭＲ素子５に対して静電容量
Ｃ１をもつことになる。このような接触、非接触を繰り
返すことによって静電容量Ｃ１は増加し、この静電容量
Ｃ１の増加に伴い領域８のＭＲ素子５に対する電位差が
大きくなる。最終的には放電限界まで電位差が大きくな
り領域８とＭＲ素子５間で放電現象が生じる。この放電
によってＭＲ素子５が損傷をうけたり、最悪の場合は破
壊されてしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
構成では、再生ヘッドのシールド磁性体２，３、さらに
記録ヘッドのコア６が電気的に浮いていることに加え、
その回りを保持する絶縁体７の電気抵抗率がきわめて高
いために、基板１にごく近い領域以外は電気的に浮いて
いるに等しい状態にあり、またＣＳＳ動作および記録再
生動作時に、ＭＲヘッドの磁気ディスク媒体に対向する
面が、磁気ディスク媒体との摩擦や衝突による動的接触
及び静的に接触する状態になるとＭＲ素子５の近傍の磁
気ディスク媒体の対向面の表面の領域８に帯電現象が生
じて、この表面に帯電した電荷によってＭＲ素子５が静
電破壊されたり、放電による損傷をうけるなどして、再
生特性が著しく劣化し信頼性が低下するという問題点を
有していた。
構成では、再生ヘッドのシールド磁性体２，３、さらに
記録ヘッドのコア６が電気的に浮いていることに加え、
その回りを保持する絶縁体７の電気抵抗率がきわめて高
いために、基板１にごく近い領域以外は電気的に浮いて
いるに等しい状態にあり、またＣＳＳ動作および記録再
生動作時に、ＭＲヘッドの磁気ディスク媒体に対向する
面が、磁気ディスク媒体との摩擦や衝突による動的接触
及び静的に接触する状態になるとＭＲ素子５の近傍の磁
気ディスク媒体の対向面の表面の領域８に帯電現象が生
じて、この表面に帯電した電荷によってＭＲ素子５が静
電破壊されたり、放電による損傷をうけるなどして、再
生特性が著しく劣化し信頼性が低下するという問題点を
有していた。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、ＭＲ素子の損傷や破壊を防止して安定した再生特
性と高い信頼性を有するＭＲヘッドを提供することを目
的とする。
ので、ＭＲ素子の損傷や破壊を防止して安定した再生特
性と高い信頼性を有するＭＲヘッドを提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のＭＲヘッドは、磁気ディスク媒体の対向面上
に１００μΩｃｍ〜１０6 Ωｃｍの電気抵抗率を有する
膜を配設した構成、または基板と絶縁体が接する面と基
板の裏面の両側面とに連結した１００μΩｃｍ以下の電
気抵抗率を有する金属系の膜を配設した構成、または基
板と絶縁体が接する背面と絶縁体の基板と接しない側面
に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜
を配設した構成、または１００μΩｃｍ以下の電気抵抗
率を有する金属系の膜を磁気ディスク媒体の対向面及び
絶縁体の背面に露出するように成膜し、かつ基板と絶縁
体が接する背面に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有
する金属系の膜を成膜して配設した構成、またはＭＲ素
子の両側に磁気ディスク媒体の対向面に露出するように
配設した二つのシールド磁性体を絶縁体の背面に露出す
るように成膜させ、かつ基板と絶縁体が接する背面に１
００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜を配
設させてシールド磁性体が電気的に基板に接地した構成
としたものである。
に本発明のＭＲヘッドは、磁気ディスク媒体の対向面上
に１００μΩｃｍ〜１０6 Ωｃｍの電気抵抗率を有する
膜を配設した構成、または基板と絶縁体が接する面と基
板の裏面の両側面とに連結した１００μΩｃｍ以下の電
気抵抗率を有する金属系の膜を配設した構成、または基
板と絶縁体が接する背面と絶縁体の基板と接しない側面
に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜
を配設した構成、または１００μΩｃｍ以下の電気抵抗
率を有する金属系の膜を磁気ディスク媒体の対向面及び
絶縁体の背面に露出するように成膜し、かつ基板と絶縁
体が接する背面に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有
する金属系の膜を成膜して配設した構成、またはＭＲ素
子の両側に磁気ディスク媒体の対向面に露出するように
配設した二つのシールド磁性体を絶縁体の背面に露出す
るように成膜させ、かつ基板と絶縁体が接する背面に１
００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜を配
設させてシールド磁性体が電気的に基板に接地した構成
としたものである。
【００１２】
【作用】この構成において、ＭＲヘッドの磁気ディスク
媒体に対向する面が、磁気ディスク媒体との摩擦や衝突
による動的接触及び静的に接触することで発生するＭＲ
素子の近傍の表面に帯電する電荷が基板側へと移動し、
移動した電荷はさらに接地抵抗を介しＭＲヘッド外に放
出されることとなる。
媒体に対向する面が、磁気ディスク媒体との摩擦や衝突
による動的接触及び静的に接触することで発生するＭＲ
素子の近傍の表面に帯電する電荷が基板側へと移動し、
移動した電荷はさらに接地抵抗を介しＭＲヘッド外に放
出されることとなる。
【００１３】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１４】本発明の一実施例において、前述の従来例
について説明した構成部分と同じ部分については、同一
符号を付しその説明を省略する。
について説明した構成部分と同じ部分については、同一
符号を付しその説明を省略する。
【００１５】（実施例１）以下、請求項１記載の本発明
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
【００１６】図１に示すように本実施例の特徴とすると
ころは、前述従来例の構成にＭＲヘッドの磁気ディスク
媒体の対向面に厚さ５００Å以下の１００μΩｃｍ〜１
０6Ωｃｍの電気抵抗率（ＭＲ素子５の再生動作に影響
を与えず、かつ電荷移動の妨げとならないレベル）を有
する膜９を配設したことにある。
ころは、前述従来例の構成にＭＲヘッドの磁気ディスク
媒体の対向面に厚さ５００Å以下の１００μΩｃｍ〜１
０6Ωｃｍの電気抵抗率（ＭＲ素子５の再生動作に影響
を与えず、かつ電荷移動の妨げとならないレベル）を有
する膜９を配設したことにある。
【００１７】以上のように構成されたＭＲヘッドの動作
は、従来例で説明した動作と同じであるので説明は省略
する。
は、従来例で説明した動作と同じであるので説明は省略
する。
【００１８】以下に従来例の問題点であるＭＲヘッドが
磁気ディスク媒体との衝突や摩擦により接触した場合の
現象について、図２を参照しながら説明する。
磁気ディスク媒体との衝突や摩擦により接触した場合の
現象について、図２を参照しながら説明する。
【００１９】ＭＲヘッドの磁気ディスク媒体の対向面と
磁気ディスク媒体が接触した接触界面では電荷の移動現
象が生じ、両界面において帯電現象が生じる。両界面に
は極性の異なる電荷が発生しているので、接触中の電荷
は互いに引き合うクーロン力の作用によって他の領域へ
は移動しない。しかし両界面が離れることによって、ク
ーロン力の作用がなくなると、特にＭＲヘッドの磁気デ
ィスク媒体の対向表面の電荷は移動することが可能とな
る。
磁気ディスク媒体が接触した接触界面では電荷の移動現
象が生じ、両界面において帯電現象が生じる。両界面に
は極性の異なる電荷が発生しているので、接触中の電荷
は互いに引き合うクーロン力の作用によって他の領域へ
は移動しない。しかし両界面が離れることによって、ク
ーロン力の作用がなくなると、特にＭＲヘッドの磁気デ
ィスク媒体の対向表面の電荷は移動することが可能とな
る。
【００２０】本実施例においても、基板１は図示しない
サスペンションに接着しているので接地抵抗Ｒ１を介し
接地されている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を介
し再生回路に接続しており、非動作時はもちろん動作時
においても接地電位に近い電位となっている。したがっ
て、基板１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を
保っているので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面
の電荷はそれぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地
側に移動し電荷は残らない。また、シールド磁性体２，
３、コア６、絶縁体７の表面及び膜９中に帯電した電荷
は、膜９を配設したことによって、絶縁体７を介するの
ではなく膜９を介して基板１、ＭＲ素子５に移動するこ
とが可能となる。基板１への移動経路及びＭＲ素子５へ
の移動経路の電気抵抗Ｒ２及びＲ４は膜９を配設したこ
とにより、電荷の移動を妨げないレベルにコントロール
されているので、電荷の移動はスムーズに行われる。し
たがってシールド磁性体２，３、コア６、絶縁体７の表
面及びそれらの上部に位置する膜９中に帯電した電荷
は、絶縁体７上の膜９を介して、基板１、ＭＲ素子５に
移動する。移動した電荷は、その後それぞれの接地抵抗
Ｒ１，Ｒ５を介して接地側ににげることが可能になる。
したがってＭＲ素子５の近傍のシールド磁性体２，３、
コア６及び絶縁体７の表面の領域１０の電荷は常に基板
１、ＭＲ素子５に移動するので、領域１０はＭＲ素子５
にたいして静電容量をもつことはない。このようにして
接触、非接触を繰り返すことによって発生する領域１０
の電荷は常に接地側に放出され、領域１０とＭＲ素子５
間での放電現象が防止されることになる。
サスペンションに接着しているので接地抵抗Ｒ１を介し
接地されている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を介
し再生回路に接続しており、非動作時はもちろん動作時
においても接地電位に近い電位となっている。したがっ
て、基板１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を
保っているので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面
の電荷はそれぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地
側に移動し電荷は残らない。また、シールド磁性体２，
３、コア６、絶縁体７の表面及び膜９中に帯電した電荷
は、膜９を配設したことによって、絶縁体７を介するの
ではなく膜９を介して基板１、ＭＲ素子５に移動するこ
とが可能となる。基板１への移動経路及びＭＲ素子５へ
の移動経路の電気抵抗Ｒ２及びＲ４は膜９を配設したこ
とにより、電荷の移動を妨げないレベルにコントロール
されているので、電荷の移動はスムーズに行われる。し
たがってシールド磁性体２，３、コア６、絶縁体７の表
面及びそれらの上部に位置する膜９中に帯電した電荷
は、絶縁体７上の膜９を介して、基板１、ＭＲ素子５に
移動する。移動した電荷は、その後それぞれの接地抵抗
Ｒ１，Ｒ５を介して接地側ににげることが可能になる。
したがってＭＲ素子５の近傍のシールド磁性体２，３、
コア６及び絶縁体７の表面の領域１０の電荷は常に基板
１、ＭＲ素子５に移動するので、領域１０はＭＲ素子５
にたいして静電容量をもつことはない。このようにして
接触、非接触を繰り返すことによって発生する領域１０
の電荷は常に接地側に放出され、領域１０とＭＲ素子５
間での放電現象が防止されることになる。
【００２１】本実施例によるＭＲヘッドの静電破壊試験
の結果と従来のＭＲヘッドの静電破壊試験の結果を（表
１）に比較して示している。
の結果と従来のＭＲヘッドの静電破壊試験の結果を（表
１）に比較して示している。
【００２２】
【表１】
【００２３】静電破壊試験に用いた本実施例のＭＲヘッ
ドは、磁気ディスク媒体の対向面上に１ｋΩｃｍ以下の
電気抵抗率に制御されたＳｉの膜を３００Åの厚みで成
膜させたものであり、試験に際しては外来電荷の影響を
極力小さくするために人体はアースに接地し、また基板
１及びＭＲ素子５もアースに接地して磁気ディスク媒体
との接触、非接触の動作を１時間継続する試験を行っ
た。この（表１）から明らかなように本実施例によるＭ
Ｒヘッドは、静電荷によるＭＲ素子５の損傷及び破壊が
十分に抑制される点で優れた効果が得られる。
ドは、磁気ディスク媒体の対向面上に１ｋΩｃｍ以下の
電気抵抗率に制御されたＳｉの膜を３００Åの厚みで成
膜させたものであり、試験に際しては外来電荷の影響を
極力小さくするために人体はアースに接地し、また基板
１及びＭＲ素子５もアースに接地して磁気ディスク媒体
との接触、非接触の動作を１時間継続する試験を行っ
た。この（表１）から明らかなように本実施例によるＭ
Ｒヘッドは、静電荷によるＭＲ素子５の損傷及び破壊が
十分に抑制される点で優れた効果が得られる。
【００２４】以上のように本実施例によれば、磁気ディ
スク媒体の対向面に厚さ５００Å以下の１００μΩｃｍ
〜１０6 Ωｃｍの電気抵抗率の膜９を設けることによ
り、磁気ディスク媒体と接触、非接触した場合に磁気デ
ィスク媒体の対向面に生じる帯電電荷による放電を抑制
してＭＲ素子５の損傷，破壊を防止でき、安定した再生
特性と高い信頼性を実現することができる。
スク媒体の対向面に厚さ５００Å以下の１００μΩｃｍ
〜１０6 Ωｃｍの電気抵抗率の膜９を設けることによ
り、磁気ディスク媒体と接触、非接触した場合に磁気デ
ィスク媒体の対向面に生じる帯電電荷による放電を抑制
してＭＲ素子５の損傷，破壊を防止でき、安定した再生
特性と高い信頼性を実現することができる。
【００２５】（実施例２）以下請求項３記載の発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００２６】図３および図４に示すように本実施例の特
徴とするところは、前述従来例の構成に基板１と絶縁体
７が接する面と基板１の裏面の両側面とに連結した１０
０μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜１１を
配設したことにある。
徴とするところは、前述従来例の構成に基板１と絶縁体
７が接する面と基板１の裏面の両側面とに連結した１０
０μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜１１を
配設したことにある。
【００２７】以上のように構成されたＭＲヘッドの動作
は従来例で説明した動作と同様であるので説明は省略す
る。本実施例のＭＲヘッドが磁気ディスク媒体と衝突や
摩擦により接触した場合の現象について図５を参照しな
がら説明する。本実施例においても、基板１は図示しな
いサスペンションに接着しているので接地抵抗Ｒ１を介
し接地されている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を
介し再生回路に接続しており非動作時はもちろん動作時
においても接地電位に近い電位となっている。したがっ
て、基板１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を
保っているので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面
の電荷はそれぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地
側に移動し電荷は残らない。また、シールド磁性体２，
３、コア６、絶縁体７の表面に帯電した電荷は、膜１１
を成膜させ配設したことによって、絶縁体７の側面部及
び膜１１の近傍の表面部の電荷が膜１１に移動する。移
動した電荷は膜１１を介して基板１に移動することが可
能となる。このように膜１１を配設したことにより、基
板１への移動経路が新たに追加されたことになるので、
絶縁体７の表面部に帯電した電荷の移動量が従来例より
もはるかに多くなる。移動した電荷は、接地抵抗Ｒ１を
介して接地側ににげる。したがってＭＲ素子５の近傍の
シールド磁性体２，３、コア６及び絶縁体７の表面の領
域１２の電荷の蓄積は従来に比べると大きく抑制され、
領域１２がＭＲ素子５にたいして持つ静電容量Ｃ２は小
さくなる。このようにして接触、非接触を繰り返すこと
によって発生する領域１２の電荷の蓄積が抑制されるの
で、領域１２とＭＲ素子５間での放電現象が防止され
る。
は従来例で説明した動作と同様であるので説明は省略す
る。本実施例のＭＲヘッドが磁気ディスク媒体と衝突や
摩擦により接触した場合の現象について図５を参照しな
がら説明する。本実施例においても、基板１は図示しな
いサスペンションに接着しているので接地抵抗Ｒ１を介
し接地されている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を
介し再生回路に接続しており非動作時はもちろん動作時
においても接地電位に近い電位となっている。したがっ
て、基板１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を
保っているので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面
の電荷はそれぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地
側に移動し電荷は残らない。また、シールド磁性体２，
３、コア６、絶縁体７の表面に帯電した電荷は、膜１１
を成膜させ配設したことによって、絶縁体７の側面部及
び膜１１の近傍の表面部の電荷が膜１１に移動する。移
動した電荷は膜１１を介して基板１に移動することが可
能となる。このように膜１１を配設したことにより、基
板１への移動経路が新たに追加されたことになるので、
絶縁体７の表面部に帯電した電荷の移動量が従来例より
もはるかに多くなる。移動した電荷は、接地抵抗Ｒ１を
介して接地側ににげる。したがってＭＲ素子５の近傍の
シールド磁性体２，３、コア６及び絶縁体７の表面の領
域１２の電荷の蓄積は従来に比べると大きく抑制され、
領域１２がＭＲ素子５にたいして持つ静電容量Ｃ２は小
さくなる。このようにして接触、非接触を繰り返すこと
によって発生する領域１２の電荷の蓄積が抑制されるの
で、領域１２とＭＲ素子５間での放電現象が防止され
る。
【００２８】本実施例によるＭＲヘッドの静電破壊試験
の結果も前述の実施例１の（表１）と同様の結果が得ら
れ、静電気によるＭＲ素子５の損傷及び破壊が十分に抑
制されることが確認できた。
の結果も前述の実施例１の（表１）と同様の結果が得ら
れ、静電気によるＭＲ素子５の損傷及び破壊が十分に抑
制されることが確認できた。
【００２９】（実施例３）以下、請求項４記載の発明の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
【００３０】図６に示すように、本実施例の特徴とする
ところは、従来例の構成に基板１と絶縁膜７が接する背
面と絶縁体７の基板１と接しない側面に１００μΩｃｍ
以下の電気抵抗率を有する金属系の膜１３を配設したこ
とにある。
ところは、従来例の構成に基板１と絶縁膜７が接する背
面と絶縁体７の基板１と接しない側面に１００μΩｃｍ
以下の電気抵抗率を有する金属系の膜１３を配設したこ
とにある。
【００３１】この構成により、前述の実施例２と同様の
効果が得られ、かつ静電破壊試験の結果も前述の実施例
１の（表１）と同様の結果が得られた。
効果が得られ、かつ静電破壊試験の結果も前述の実施例
１の（表１）と同様の結果が得られた。
【００３２】（実施例４）以下、請求項６記載の発明の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
【００３３】図７に示すように、本実施例の特徴とする
ところは、従来例の構成にコア６上の絶縁体７中に、１
００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜１４
を磁気ディスク媒体の対向面及び絶縁体７の背面に露出
するように配設し、かつ基板１と絶縁体７が接する背面
に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜
１５を配設し、さらに絶縁体７中に配設した金属系の膜
１４が基板１と電気的に接地する構成としたことにあ
る。
ところは、従来例の構成にコア６上の絶縁体７中に、１
００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜１４
を磁気ディスク媒体の対向面及び絶縁体７の背面に露出
するように配設し、かつ基板１と絶縁体７が接する背面
に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜
１５を配設し、さらに絶縁体７中に配設した金属系の膜
１４が基板１と電気的に接地する構成としたことにあ
る。
【００３４】以上のように構成されたＭＲヘッドが磁気
ディスク媒体と衝突や摩擦により接触した場合の現象に
ついて図５を参照しながら説明する。
ディスク媒体と衝突や摩擦により接触した場合の現象に
ついて図５を参照しながら説明する。
【００３５】本実施例においても、基板１は図示しない
サスペンションに接着しているので接地抵抗Ｒ１を介し
接地されている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を介
し再生回路に接続しており非動作時はもちろん動作時に
おいても接地電位に近い電位となっている。したがっ
て、基板１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を
保っているので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面
の電荷はそれぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地
側に移動し電荷は残らない。また、シールド磁性体２，
３、コア６、絶縁体７の表面に帯電した電荷は、膜１４
を配設したことによって、絶縁体７の側面部及び膜１４
の近傍の表面部の電荷が膜１４に移動する。移動した電
荷は膜１４を介して基板１に移動することが可能とな
る。このように膜１４を配設したことにより、基板１へ
の移動経路が新たに追加されたことになるので、絶縁体
７の表面部に帯電した電荷の移動量が従来例よりもはる
かに多くなる。移動した電荷は、接地抵抗Ｒ１を介して
接地側ににげる。したがってＭＲ素子５の近傍のシール
ド磁性体２，３、コア６及び絶縁体７の表面の領域１２
の電荷の蓄積は従来に比べると大きく抑制され、領域１
２がＭＲ素子５にたいして持つ静電容量Ｃ２は非常に小
さくなる。このようにして接触、非接触を繰り返すこと
によって発生する領域１２の電荷の蓄積が抑制されるの
で、領域１２とＭＲ素子５間での放電現象が防止され
る。
サスペンションに接着しているので接地抵抗Ｒ１を介し
接地されている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を介
し再生回路に接続しており非動作時はもちろん動作時に
おいても接地電位に近い電位となっている。したがっ
て、基板１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を
保っているので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面
の電荷はそれぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地
側に移動し電荷は残らない。また、シールド磁性体２，
３、コア６、絶縁体７の表面に帯電した電荷は、膜１４
を配設したことによって、絶縁体７の側面部及び膜１４
の近傍の表面部の電荷が膜１４に移動する。移動した電
荷は膜１４を介して基板１に移動することが可能とな
る。このように膜１４を配設したことにより、基板１へ
の移動経路が新たに追加されたことになるので、絶縁体
７の表面部に帯電した電荷の移動量が従来例よりもはる
かに多くなる。移動した電荷は、接地抵抗Ｒ１を介して
接地側ににげる。したがってＭＲ素子５の近傍のシール
ド磁性体２，３、コア６及び絶縁体７の表面の領域１２
の電荷の蓄積は従来に比べると大きく抑制され、領域１
２がＭＲ素子５にたいして持つ静電容量Ｃ２は非常に小
さくなる。このようにして接触、非接触を繰り返すこと
によって発生する領域１２の電荷の蓄積が抑制されるの
で、領域１２とＭＲ素子５間での放電現象が防止され
る。
【００３６】本実施例によるＭＲヘッドの静電破壊試験
の結果も前述の実施例１の（表１）と同様の結果が得ら
れ、静電気によるＭＲ素子５の損傷及び破壊が十分に抑
制されることが確認できた。
の結果も前述の実施例１の（表１）と同様の結果が得ら
れ、静電気によるＭＲ素子５の損傷及び破壊が十分に抑
制されることが確認できた。
【００３７】なお、絶縁体７中に配設した金属系の膜１
４をあらかじめ基板１と接地するように成膜して配設し
た構成としても本実施例と同様の効果が得られる。
４をあらかじめ基板１と接地するように成膜して配設し
た構成としても本実施例と同様の効果が得られる。
【００３８】（実施例５）以下、請求項９記載の発明の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
【００３９】図８に示すように、本実施例の特徴とする
ところは、従来例の構成にＭＲ素子５の両側に磁気ディ
スクの媒体の対向面に露出するように配設している二つ
のシールド磁性体１６，１７を絶縁体７の背面に露出す
るように成膜させ、かつ、基板１と絶縁体７が接する背
面に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の
膜１８を配設することにより、シールド磁性体１６，１
７が電気的に基板１に接地するような構成としたことに
ある。
ところは、従来例の構成にＭＲ素子５の両側に磁気ディ
スクの媒体の対向面に露出するように配設している二つ
のシールド磁性体１６，１７を絶縁体７の背面に露出す
るように成膜させ、かつ、基板１と絶縁体７が接する背
面に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の
膜１８を配設することにより、シールド磁性体１６，１
７が電気的に基板１に接地するような構成としたことに
ある。
【００４０】以上のように構成されたＭＲヘッドが磁気
ディスク媒体と衝突や摩擦により接触した場合の現象に
ついて、図９を参照しながら説明する。
ディスク媒体と衝突や摩擦により接触した場合の現象に
ついて、図９を参照しながら説明する。
【００４１】本実施例においても、基板１は、図示しな
いサスペンションに接着しているので接地抵抗Ｒ１を介
し接地されている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を
介し再生回路に接続しており非動作時はもちろん動作時
においても接地電位に近い電位となっている。したがっ
て、基板１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を
保っているので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面
の電荷はそれぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地
側に移動し電荷は残らない。また、シールド磁性体１
６，１７も膜１８を介して基板１に接地されているの
で、シールド磁性体１６，１７の表面の電荷も、それぞ
れの接地抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を介して接地側に移動し電
荷は残らない。コア６、絶縁体７の表面に帯電した電荷
は、シールド磁性体１６，１７が基板１に接地するよう
に配設したことにより、コア６、絶縁体７のシールド磁
性体１６，１７の近傍の表面の電荷はシールド磁性体１
６，１７に移動する。移動した電荷はシールド磁性体１
６，１７を介して基板１に移動することが可能となる。
このようにシールド磁性体１６，１７が基板１に接地さ
れたことにより、基板１への移動経路が新たに追加され
たことになるので、絶縁体７の表面部に帯電した電荷の
移動量が従来例よりもはるかに多くなる。移動した電荷
は、接地抵抗Ｒ１を介して接地側ににげる。したがって
ＭＲ素子５の近傍のコア６及び絶縁体７の表面の領域１
９の電荷の蓄積は従来に比べると大きく抑制される。同
時に、領域１９がＭＲ素子５にたいしてではなく、シー
ルド磁性体１６，１７にたいして静電容量Ｃ３を持つこ
とになり、かつＣ３も非常に小さくなる。このようにし
て接触、非接触を繰り返すことによって発生する領域１
９の電荷の蓄積が抑制されるので、領域１９とＭＲ素子
５間での放電現象が防止される。
いサスペンションに接着しているので接地抵抗Ｒ１を介
し接地されている。またＭＲ素子５も引き出し端子４を
介し再生回路に接続しており非動作時はもちろん動作時
においても接地電位に近い電位となっている。したがっ
て、基板１及びＭＲ素子５は常に接地電位に近い状態を
保っているので、帯電した基板１及びＭＲ素子５の表面
の電荷はそれぞれの接地抵抗Ｒ１及びＲ５を介して接地
側に移動し電荷は残らない。また、シールド磁性体１
６，１７も膜１８を介して基板１に接地されているの
で、シールド磁性体１６，１７の表面の電荷も、それぞ
れの接地抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を介して接地側に移動し電
荷は残らない。コア６、絶縁体７の表面に帯電した電荷
は、シールド磁性体１６，１７が基板１に接地するよう
に配設したことにより、コア６、絶縁体７のシールド磁
性体１６，１７の近傍の表面の電荷はシールド磁性体１
６，１７に移動する。移動した電荷はシールド磁性体１
６，１７を介して基板１に移動することが可能となる。
このようにシールド磁性体１６，１７が基板１に接地さ
れたことにより、基板１への移動経路が新たに追加され
たことになるので、絶縁体７の表面部に帯電した電荷の
移動量が従来例よりもはるかに多くなる。移動した電荷
は、接地抵抗Ｒ１を介して接地側ににげる。したがって
ＭＲ素子５の近傍のコア６及び絶縁体７の表面の領域１
９の電荷の蓄積は従来に比べると大きく抑制される。同
時に、領域１９がＭＲ素子５にたいしてではなく、シー
ルド磁性体１６，１７にたいして静電容量Ｃ３を持つこ
とになり、かつＣ３も非常に小さくなる。このようにし
て接触、非接触を繰り返すことによって発生する領域１
９の電荷の蓄積が抑制されるので、領域１９とＭＲ素子
５間での放電現象が防止される。
【００４２】本実施例によるＭＲヘッドの静電破壊試験
の結果も前述の実施例１の（表１）と同様の結果が得ら
れ、静電気によるＭＲ素子５の損傷及び破壊が十分に抑
制されることが確認できた。
の結果も前述の実施例１の（表１）と同様の結果が得ら
れ、静電気によるＭＲ素子５の損傷及び破壊が十分に抑
制されることが確認できた。
【００４３】なお、シールド磁性体１６，１７をあらか
じめ基板と接地するように成膜して配設した構成として
も本実施例と同様の効果が得られる。
じめ基板と接地するように成膜して配設した構成として
も本実施例と同様の効果が得られる。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、磁気ディスク媒体の対向面上に１００μΩｃｍ〜１
０6 Ωｃｍの電気抵抗率を有する膜を配設した構成、ま
たは基板と絶縁体が接する面と基板の裏面の両側面とに
連結した１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属
系の膜を配設した構成、または基板と絶縁体が接する背
面と絶縁体の基板と接しない側面に１００μΩｃｍ以下
の電気抵抗率を有する金属系の膜を配設した構成、また
は１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜
を磁気ディスク媒体の対向面及び絶縁体の背面に露出す
るように成膜し、かつ基板と絶縁体が接する背面に１０
０μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜を成膜
して配設した構成、またはＭＲ素子の両側に磁気ディス
ク媒体の対向面に露出するように配設した二つのシール
ド磁性体を絶縁体の背面に露出するように成膜させ、か
つ基板と絶縁体が接する背面に１００μΩｃｍ以下の電
気抵抗率を有する金属系の膜を配設させてシールド磁性
体が電気的に基板に接地した構成により、ＭＲ素子の損
傷や破壊を防止して安定した再生特性と、高い信頼性を
有する優れたＭＲヘッドを実現できるものである。
は、磁気ディスク媒体の対向面上に１００μΩｃｍ〜１
０6 Ωｃｍの電気抵抗率を有する膜を配設した構成、ま
たは基板と絶縁体が接する面と基板の裏面の両側面とに
連結した１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属
系の膜を配設した構成、または基板と絶縁体が接する背
面と絶縁体の基板と接しない側面に１００μΩｃｍ以下
の電気抵抗率を有する金属系の膜を配設した構成、また
は１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜
を磁気ディスク媒体の対向面及び絶縁体の背面に露出す
るように成膜し、かつ基板と絶縁体が接する背面に１０
０μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の膜を成膜
して配設した構成、またはＭＲ素子の両側に磁気ディス
ク媒体の対向面に露出するように配設した二つのシール
ド磁性体を絶縁体の背面に露出するように成膜させ、か
つ基板と絶縁体が接する背面に１００μΩｃｍ以下の電
気抵抗率を有する金属系の膜を配設させてシールド磁性
体が電気的に基板に接地した構成により、ＭＲ素子の損
傷や破壊を防止して安定した再生特性と、高い信頼性を
有する優れたＭＲヘッドを実現できるものである。
【図１】本発明の実施例１の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの要部概略正面図
ッドの要部概略正面図
【図２】同磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの等価回路図
【図３】本発明の実施例２の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの要部概略正面図
ッドの要部概略正面図
【図４】同磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの要部概略背
面図
面図
【図５】同磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの等価回路図
【図６】本発明の実施例３の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの要部概略正面図
ッドの要部概略正面図
【図７】本発明の実施例４の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの要部概略正面図
ッドの要部概略正面図
【図８】本発明の実施例５の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの要部概略正面図
ッドの要部概略正面図
【図９】同磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの等価回路図
【図１０】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの要部
概略正面図
概略正面図
【図１１】同磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの等価回路
図
図
【符号の説明】 １ 基板 ５ 磁気抵抗効果素子 ７ 絶縁体 ９ 膜
Claims (11)
- 【請求項１】非磁性セラミック製の基板上に成膜して配
設した酸化物製の絶縁体中に、二端子型構造の磁気抵抗
効果素子が磁気ディスク媒体の対向面に露出した構成の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気ディ
スク媒体の対向面上に１００μΩｃｍ〜１０6 Ωｃｍの
電気抵抗率を有する膜を配設したことを特徴とした磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】１００μΩｃｍ〜１０6 Ωｃｍの電気抵抗
率を有する膜は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ，ＭｎまたはＴｅ製で
ある請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】非磁性セラミック製の基板上に成膜して配
設した酸化物製の絶縁体中に、二端子型構造の磁気抵抗
効果素子が磁気ディスク媒体の対向面に露出した構成の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記基板と前
記絶縁体が接する面と前記基板の裏面の両側面とに連結
した１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の
膜を配設したことを特徴とした磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項４】非磁性セラミック製の基板上に成膜して配
設した酸化物製の絶縁体中に、二端子型構造の磁気抵抗
効果素子が磁気ディスク媒体の対向面に露出した構成の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記基板と前
記絶縁体が接する背面と、前記絶縁体の前記基板と接し
ない側面に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金
属系の膜を配設したことを特徴とした磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する
金属系の膜は、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｏ，
Ｓｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｐｔまたは
Ｖ製である請求項３または４に記載の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】非磁性セラミック製の基板上に成膜して配
設した酸化物製の絶縁体中に、二端子型構造の磁気抵抗
効果素子が磁気ディスク媒体の対向面に露出した構成の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記絶縁体中
に、１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する金属系の
膜を、磁気ディスク媒体の対向面及び前記絶縁体の背面
に露出するように成膜し、かつ前記基板と前記絶縁体が
接する背面に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する
金属系の膜を成膜して配設して、前記絶縁体中に配設し
た前記金属系の膜が電気的に前記基板と接地したことを
特徴とした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】絶縁体中に配設した金属系の膜をあらかじ
め基板と接地するように成膜させた請求項６記載の磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有する
金属系の膜は、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｏ，
Ｓｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｐｔまたは
Ｖ製である請求項６または７に記載の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】非磁性セラミック製の基板上に成膜して配
設した酸化物製の絶縁体中に、二端子型構造の磁気抵抗
効果素子が磁気ディスク媒体の対向面に露出した構成の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗
効果素子の両側に磁気ディスク媒体の対向面に露出する
ように配設した二つのシールド磁性体を、前記絶縁体の
背面に露出するように成膜させ、かつ前記基板と前記絶
縁体が接する背面に１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を
有する金属系の膜を配設して、前記シールド磁性体が電
気的に前記基板に接地したことを特徴とした磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】シールド磁性体をあらかじめ基板と接地
するように成膜させた請求項９記載の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】１００μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有す
る金属系の膜は、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍ
ｏ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｐｔま
たはＶ製である請求項９または１０に記載の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025893A JPH06243434A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025893A JPH06243434A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243434A true JPH06243434A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12178476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025893A Pending JPH06243434A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06243434A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539598A (en) * | 1994-12-08 | 1996-07-23 | International Business Machines Corporation | Electrostatic protection for a shielded MR sensor |
| US5978181A (en) * | 1997-03-04 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus |
| US6359750B1 (en) | 1995-06-07 | 2002-03-19 | International Business Machines Corporation | Data storage system with TiC MR-head magnetic shield dummy shield spark gap |
| US7864489B2 (en) | 2007-02-26 | 2011-01-04 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having an antistatic layer preventing a protective coat from being electrostatically charged |
| US8144412B2 (en) | 2009-11-24 | 2012-03-27 | Tdk Corporation | Magnetic disk device having mechanism for detecting projections on recording medium |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP5025893A patent/JPH06243434A/ja active Pending
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| US6359750B1 (en) | 1995-06-07 | 2002-03-19 | International Business Machines Corporation | Data storage system with TiC MR-head magnetic shield dummy shield spark gap |
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