JPH0773419A

JPH0773419A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0773419A
Application number: JP5218310A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Fujishima; 猛藤島; Hiroshi Tomiyasu; 弘冨安
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-09-02
Filing date: 1993-09-02
Publication date: 1995-03-17

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＲヘッド製造時・使用時のＭＲ素子等と下
部磁気シールド層等間の静電気放電を防止して、歩留り
を向上させることができ生産性に優れるとともに、安定
使用することができ信頼性に優れたＭＲヘッドの提供。【構成】基板１と、基板１上に積層される絶縁層３
と、絶縁層３中に形成されるＭＲ素子４と、ＭＲ素子４
の両端部に電気的に接続されてＭＲ素子４へセンス電流
を流すための２つのリード部と、ＭＲ素子４の上下に絶
縁層３を介して形成される２つの磁気シールド層と、磁
性体からなり磁気ギャップ１０が磁気記録媒体と対向す
る面に露出するように形成される磁気コア９，１５と、
を備えたＭＲヘッドであって、２つの磁気シールド層，
磁気コア９，１５の内少なくともいずれか１を２つのリ
ード部の内いずれか１と接触させて形成される接触部
Ｂ，Ｃ，Ｄを備えた構成を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置等に用いら
れる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと
略す）に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク等の磁気記録装置
の小型化・大容量化を目的として、磁気記録媒体の速度
によらずデータの再生を行うことができるＭＲヘッドが
種々開発されている。

【０００３】以下に従来のＭＲヘッドについて説明す
る。図８（ａ）は従来のＭＲヘッドの構成を示す要部平
面透視図、図８（ｂ）は従来のＭＲヘッドの構成を示す
要部側面透視図である。１はＭｎ−Ｚｎ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ／
ＴｉＣ等のセラミックスよりなる基板、２はＳｉＯ₂ ，
Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の酸化物等からなり基板１上に積層される
下地絶縁層、３は下地絶縁層２上に積層される絶縁層、
４は絶縁層３中に形成されて磁気記録媒体（図示せず）
からの入力磁界を検出する磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ
素子と略す）、４ａはＭＲ素子４が磁気記録媒体（図示
せず）との対向面に露出した部分を示すＭＲ素子露出
部、５は絶縁層３中に形成されてＭＲ素子４へセンス電
流を流すためのリード層、５ａはリード層５を構成しＭ
Ｒ素子４の片端部と電気的に接続される第１のリード
部、５ａ′は第１のリード部５ａが磁気記録媒体（図示
せず）との対向面に露出した部分を示す第１のリード部
露出部、５ｂはリード層５を構成しＭＲ素子４の他端部
と電気的に接続される第２のリード部、５ｂ′は第１の
リード部露出部５ａ′と同様な第２のリード部露出部、
６はＭＲ素子４の下方に絶縁層３を介して形成される下
部磁気シールド層、６ａは下部磁気シールド層６が磁気
記録媒体（図示せず）との対向面に露出した部分を示す
下部磁気シールド層露出部、７はＭＲ素子４の上方に絶
縁層３を介して形成される上部磁気シールド層、７ａは
下部磁気シールド層露出部６ａと同様な上部磁気シール
ド層露出部、８，９は一端部が磁気ギャップ１０を介し
て対向し他端部が一体に結合された磁気コア、８ａ，９
ａは磁気コア８，９が磁気記録媒体（図示せず）との対
向面に露出する部分を示す磁気コア露出部、１１は磁気
コア８，９からなり磁気記録媒体（図示せず）にデータ
を記録するための記録コア、１２は記録コア１１を囲繞
して入力される電気信号を磁気に変換する導体コイル、
Ａは従来のＭＲヘッドの磁気記録媒体（図示せず）との
対向面を示す磁気記録媒体対向面、ＨはＭＲヘッドの高
さ方向である。ここで、ＭＲ素子４は、ＭＲ薄膜と、こ
のＭＲ薄膜と非磁性層を介して対向する軟磁性膜等から
なっている。

【０００４】以上のように構成された従来のＭＲヘッド
について、以下その製造方法を説明する。初めに、Ａｌ
₂ Ｏ₃ ／ＴｉＣ等から基板１を作製する。次に、この基
板１を、予め接地された治具（図示せず）に固定する。
次に、基板１上に、下地絶縁層２，絶縁層３，下部磁気
シールド層６等を順次積層する。次に、第１のリード部
５ａ，第２のリード部５ｂに形成された電極部（図示せ
ず）に、これらに電流を流すためのリードワイヤ（図示
せず）を接続し、このリードワイヤ（図示せず）を接地
して、図８（ａ）に示すような従来のＭＲヘッドを作製
する。

【０００５】以上のように製造される従来のＭＲヘッド
について、以下その動作を説明する。初めに、ＭＲ素子
４に、第１のリード部５ａ，第２のリード部５ｂから一
定のセンス電流を流すとともに、高さ方向Ｈにバイアス
磁界を印加する。一般には、バイアス方式として、軟磁
性薄膜を用いるＳＡＬ方式が用いられる。次に、ＭＲ素
子露出部４ａと対向する磁気記録媒体（図示せず）に磁
束として記録されている情報を、ＭＲ素子４が自己の抵
抗値を変化させて正確に感知する。従来のＭＲヘッド
は、この抵抗値の変化を、第１のリード部５ａ，第２の
リード部５ｂ間の電圧変化として再生信号を出力するこ
とで、磁気記録媒体（図示せず）上の情報を再生してい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、絶縁層３の電気抵抗が極めて高く、ＭＲ素
子・リード部と、下部磁気シールド層６と、上部磁気シ
ールド層７と、磁気コア８，９とが各々絶縁されてお
り、ＭＲヘッド製造時に、これらが他の物体との摩擦、
工程中の浮遊電荷等によって帯電してゆく。ところが、
ＭＲヘッド製造時にＭＲ素子・リード部がリードワイヤ
（図示せず）を介して接地されるために、ＭＲ素子・リ
ード部と、下部磁気シールド層６，上部磁気シールド層
７，磁気コア８，９との間に電位差が生じ、一種のコン
デンサが形成される。そして、下部磁気シールド層６等
が更に帯電し、電位差が上昇して、これがあるしきい値
を越えると、下部磁気シールド層６等に帯電していた静
電荷が、空気中を介しＭＲ素子４等に瞬時に移動して、
いわゆる静電気放電が生じてしまい、ＭＲ素子４，下部
磁気シールド層６等が重大なダメージを受けＭＲヘッド
の諸特性を著しく悪化させ、歩留りが低下して生産性に
欠けるという問題点を有していた。またＭＲヘッド使用
時にも、ＣＳＳ動作・記録再生動作の際に、ＭＲヘッド
と磁気記録媒体とが接触・摩擦・衝突等することによっ
て、下部磁気シールド層６等が帯電し、同様に静電気放
電が生じてしまい、ＭＲヘッドの諸特性を著しく悪化さ
せてＭＲヘッドを安定使用することができず信頼性に欠
けるという問題点を有していた。また、下地絶縁層２の
電気抵抗が極めて高く、基板１と、下部磁気シールド層
６，ＭＲ素子・リード部，上部磁気シールド層７，磁気
コア８，９とが絶縁されており、これらが同様に帯電し
てゆくとともに、基板１が治具等を介して接地されてい
るために、基板１と下部磁気シールド層６等との間に電
位差が生じ、一種のコンデンサが形成される。そのた
め、ＭＲヘッド製造時・使用時に下部磁気シールド層６
等が更に帯電して、この電位差があるしきい値を越える
と、下部磁気シールド層６等に帯電していた静電荷が静
電気放電によって基板１へと移動し、基板１，下部磁気
シールド層６等が重大なダメージを受け、ＭＲヘッドの
諸特性を著しく悪化させて、歩留りが低下して生産性に
欠けるとともに、ＭＲヘッド使用時にこれを安定使用す
ることができず信頼性に欠けるという問題点を有してい
た。また、ＭＲヘッド使用時に、電気抵抗体であるＭＲ
素子４にセンス電流を流すため、ＭＲ素子４にジュール
熱が発生するが、このＭＲ素子４の上下が熱伝導性の低
い絶縁層３で保護されており、ＭＲ素子４の両端部に薄
く熱容量の小さいリード部が接続されただけであるため
に、この熱をＭＲ素子４から効率よく放熱させることが
できず、ＭＲ素子４の温度が上昇して、ＭＲ素子４のバ
イアス効果の低下や、ＭＲ素子４のインピーダンスの上
昇が生じ、ＭＲヘッドの電気特性が劣化して信頼性に欠
けるという問題点を有していた。更に、万一ＭＲ素子４
に規定のセンス電流を大きく上回る過電流が流れた場合
に、ＭＲ素子４からの放熱効率が低いために、ＭＲ素子
４の温度及び電気抵抗値が急上昇して、いわゆる熱暴走
を起こし、ＭＲ素子４が溶断する等してＭＲヘッドが破
壊されて信頼性に欠けるという問題点を有していた。

【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ＭＲヘッド製造時・使用時のＭＲ素子等と下部磁気
シールド層等及び基板と下部磁気シールド層等間の静電
気放電を防止して、ＭＲヘッドの歩留りを向上させるこ
とができ生産性に優れるとともに、ＭＲヘッドを安定使
用することができ信頼性に優れ、ＭＲ素子からの放熱較
率を改善してＭＲヘッドの電気特性を向上させることが
できるとともに、万一ＭＲ素子に過電流が流れた場合で
あってもＭＲヘッドの破壊を防止できる信頼性に優れた
ＭＲヘッドを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載されたＭＲヘッドは、基板
と、基板上に積層される絶縁層と、絶縁層中に形成され
るＭＲ素子と、ＭＲ素子の両端部に電気的に接続されて
ＭＲ素子へセンス電流を流すための２つのリード部と、
ＭＲ素子の上下に絶縁層を介して形成される磁気シール
ド層と、を有し磁気記録媒体と対向する面に露出するよ
うに形成されて磁気記録媒体のデータを再生するための
再生ヘッドと、磁性体からなり磁気ギャップ部が磁気記
録媒体と対向する面に露出するように形成される磁気コ
アを有し磁気記録媒体へデータを記録するための記録ヘ
ッドと、を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであっ
て、２つの磁気シールド層，磁気コアの内少なくともい
ずれか１を２つのリード部の内いずれか１と接触させて
形成される接触部を備えた構成を有しており、請求項２
に記載されたＭＲヘッドは、請求項１において、磁気シ
ールド層，磁気コアの内少なくともいずれか１と接触さ
せた一方のリード部と、一方のリード部と接触されてい
ない磁気シールド層，磁気コアの内少なくともいずれか
１と接触させた他方のリード部と、磁気シールド層又は
磁気コアと電気的に接続されて２つのリード部へセンス
電流を流すための２つの電極部と、を備えた構成を有し
ており、請求項３に記載されたＭＲヘッドは、請求項１
または２の内いずれか１において、磁気コア，２つの磁
気シールド層の内少なくともいずれか１を磁気記録媒体
と対向しない面に露出させて形成される露出部と、所定
の電気抵抗を有する材料からなり磁気記録媒体と対向し
ない面に形成されて露出部と基板とを接触させるコーテ
ィング膜と、を備えた構成を有しており、請求項４に記
載されたＭＲヘッドは、請求項１または２の内いずれか
１において、所定の抵抗を有する材料よりなり基板上に
形成される電気接続層と、磁気コア，２つの磁気シール
ドの内少なくともいずれか１と電気接続層とを電気的に
導通させて形成される導通部と、を備えた構成を有して
いる。

【０００９】ここで、接触部の位置をＭＲ素子に近く
し、接触部の広さを広くすると、ＭＲヘッドの放熱効率
を向上させることができ信頼性の面から好ましい。ま
た、コーティング膜の材質及び、導通部の材質として
は、非磁性材料であり、かつ、非絶縁体である半導体系
材料，炭素系化合物等が好適に用いられる。

【００１０】

【作用】この構成によって、下部磁気シールド層，上部
磁気シールド層，磁気コアを２つのリード部の内いずれ
か１と接触させたことにより、下部磁気シールド等と２
つのリード部・ＭＲ素子が電気的に導通し、ＭＲヘッド
製造時・使用時に下部磁気シールド等に帯電した静電荷
が、接地された２つのリード部へと漏洩するために、下
部シールド層等とリード部等との間の静電気放電を防止
でき、ＭＲヘッドの歩留りを向上させることができると
ともに、ＭＲヘッドを安定使用することができる。更
に、下部磁気シールド層等が極めて大きな熱容量を有し
ているために、ＭＲ素子で発生したジュール熱を接触部
を介して下部磁気シールド層等へ速やかに伝導させて、
放熱するために、放熱効率を著しく向上させて、ＭＲ素
子の温度上昇を防止してＭＲヘッドの電気特性を向上さ
せることができる。更に、万一ＭＲヘッドに過電流が流
れた場合であっても、放熱効率が著しく高いために、Ｍ
Ｒ素子の溶断等のＭＲヘッドの破壊を防止することがで
きる。また、下部磁気シールド層等を、コーティング
膜，導通部を介して基板と接続したことによって、同様
に下部磁気シールド層等と基板との間の静電気放電を防
止でき、ＭＲヘッドの歩留りを向上させることができる
とともに、ＭＲヘッドを安定使用することができる。加
えて、コーティング膜，導通部が所定の抵抗値を有する
ことにより、放電の発生を防止することができる。ま
た、２つのリード部を下部磁気シールド層，上部シール
ド層，磁気コアの内別異のものに各々接触させ、下部磁
気シールド等の内リード部が接触しているものに、この
リード部にセンス電流を流すための２つの電極部を備え
たことにより、この下部磁気シールド等の断面積が薄い
リード部よりも極めて大きく、ＭＲヘッドのセンス電流
に対する抵抗値を減少させるために、ＭＲヘッドのイン
ピーダンスによるノイズを減少させて、データを正確に
再生することができる。

【００１１】

【実施例】

（実施例１）以下本発明の第１の実施例におけるＭＲヘ
ッドについて、図面を参照しながら説明する。図１
（ａ）は本発明の第１の実施例におけるＭＲヘッドの要
部平面透視図であり、図１（ｂ）は本発明の第１の実施
例におけるＭＲヘッドの要部側面透視図である。１は基
板、２は下地絶縁層、３は絶縁層、４はＭＲ素子、４ａ
はＭＲ素子露出部、６は下部磁気シールド層、６ａは下
部磁気シールド層露出部、９は磁気コア、９ａは磁気コ
ア露出部、１０は磁気ギャップ、１２は導体コイル、Ａ
は磁気記録媒体対向面であり、これらは従来例と同様な
もので同一の符号を付し説明を省略する。１３はＭＲ素
子４にセンス電流を流すためのリード層、１３ａはリー
ド層１３を構成しＭＲ素子４の片端部と電気的に接続さ
れる第１のリード部、１３ａ′は第１のリード部１３ａ
が磁気記録媒体対向面Ａに露出した部分を示す第１のリ
ード部露出部、１３ｂはリード層１３を構成しＭＲ素子
４の他端部と電気的に接続されるとともに接触部Ｂによ
って下部磁気シールド層６と接触するように形成された
第２のリード部、１３ｂ′は第１のリード部露出部１３
ａ′と同様な第２のリード部露出部、１４はＭＲ素子
４，リード層１３の上部に絶縁層３を介して積層される
とともに接触部Ｃによって第１のリード部１３ａと接触
するように形成された上部磁気シールド層、１４ａは上
部磁気シールド層１４が磁気記録媒体対向面Ａに露出す
る部分を示す上部磁気シールド層露出部、１５は上部磁
気シールド層１４上に絶縁層３を介して積層されるとと
もに接触部Ｄによって第１のリード部１３ａと接触する
ように形成された磁気コア、１５ａは磁気コア１５が磁
気記録媒体対向面Ａに露出した部分を示す磁気コア露出
部、１６は磁気コア９，１５からなり磁気記録媒体（図
示せず）へデータを記録するための記録コア、ＥはＭＲ
ヘッドの側面、ＨはＭＲヘッドの高さ方向である。

【００１２】以上のように構成された本発明の第１の実
施例におけるＭＲヘッドについて、以下その製造方法を
説明する。初めに、Ａｌ₂Ｏ₃／ＴｉＣ等から基板１を作
製し、これを予め接地された治具（図示せず）に直接あ
るいはサスペンション（図示せず）を介して固定する。
次に、この基板１上に、下地絶縁層２，絶縁層３，下部
磁気シールド層６を順次積層する。次に、下部磁気シー
ルド層６上にＭＲ素子４，リード層１３，磁気コア９，
１５，導体コイル１２等を順次積層する。ここで、下部
磁気シールド層６，リード層１３，磁気コア９，１５を
接触部Ｂ，Ｃ，Ｄを介して接触させる。また、この際
に、下部磁気シールド層６等が工程中の浮遊電荷等によ
り帯電していく。次に、リード層１３と電気的に接続さ
れてＭＲヘッドの側面Ｅに露出するように形成された電
極部（図示せず）にリードワイヤ（図示せず）を接続す
る。次に、リードワイヤ（図示せず）を接地する。ここ
で、下部磁気シールド層６等が接触部Ｂ，Ｃ，Ｄを介し
てリード層１３と電気的に接触しているために、下部磁
気シールド層６等に帯電している静電荷は、接触部Ｂ，
Ｃ，Ｄ，リード層１３，リードワイヤ（図示せず）を介
して速やかに接地側に漏洩して、リード層１３，ＭＲ素
子４と、下部磁気シールド層６，上部磁気シールド層１
４，磁気コア９，１５との間の静電気放電を防止するこ
とができ、歩留りを向上させることができる。

【００１３】以上のように製造されるＭＲヘッドについ
て、以下その動作を説明する。ＭＲヘッドを用いて記録
・再生動作，ＣＳＳ動作を行うと、ＭＲヘッドと磁気記
録媒体（図示せず）とが接触・摩擦・衝突等することに
よって、下部磁気シールド層６等が帯電する。しかし、
下部磁気シールド層６等が接触部Ｂ等を介して電気的に
接触しているために、下部磁気シールド層６等に帯電し
た電荷が接触部Ｂ等，リード層１３，リードワイヤ（図
示せず）を介して速やかに接地側に漏洩して、リード層
１３，ＭＲ素子４と、下部磁気シールド層６，上部磁気
シールド層１４，磁気コア９，１５との間の静電気放電
を防止することができる。また、ＭＲヘッドによる記録
・再生動作時には、センス電流がリード層１３から電気
抵抗体であるＭＲ素子４へ流されて、ジュール熱が発生
する。しかし、リード層１３に、熱伝導率がリード層１
３と同等で、熱容量がリード層１３よりも極めて大きな
下部磁気シールド層６等が接触部Ｂ等を介して接触して
いるために、この熱が下部磁気シールド層６等へと速や
かに伝導し、下部磁気シールド層６等から高い効率で放
熱されるために、ＭＲヘッドの放熱効率を著しく向上さ
せることができ、ＭＲ素子４の温度上昇を防止して、Ｍ
Ｒヘッドの電気特性を向上させることができる。また、
万一ＭＲヘッドに過電流が流れた場合であっても、ＭＲ
ヘッドの放熱効率が著しく高いために、ＭＲ素子４の溶
断等の、ＭＲヘッドの破壊を防止することができる。

【００１４】以上のように本実施例によれば、下部磁気
シールド層６，上部磁気シールド層１４，磁気コア９，
１５を、リード層１３と接触部Ｂ，Ｃ，Ｄを介して接触
させることによって、ＭＲヘッド製造時に下部磁気シー
ルド層６等に帯電した電荷を速やかに接地側へ漏洩さ
せ、静電気放電を防止して歩留りを向上させることがで
きるとともに、ＭＲヘッド使用時にも、同様に静電気放
電を防止してＭＲヘッドを安定使用することができる。
加えて、下部磁気シールド層６等が極めて大きな熱容量
を有しているために、ＭＲ素子４で発生したジュール熱
を接触部Ｂ等を介して下部磁気シールド層６等へ速やか
に伝導させて、放熱するために、放熱効率を著しく向上
させて、ＭＲ素子４の温度上昇を防止してＭＲヘッドの
電気特性を向上させることができる。更に、万一ＭＲヘ
ッドに過電流が流れた場合であっても、放熱効率が著し
く高いために、ＭＲ素子４の溶断等のＭＲヘッドの破壊
を防止することができる。

【００１５】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
おけるＭＲヘッドについて、図面を参照しながら説明す
る。図２（ａ）は本発明の第２の実施例におけるＭＲヘ
ッドの要部平面透視図であり、図２（ｂ）は本発明の第
２の実施例におけるＭＲヘッドの要部側面透視図であ
る。１は基板、２は下地絶縁層、３は絶縁層、４はＭＲ
素子、４ａはＭＲ素子露出部、９，１５は磁気コア、９
ａ，１５ａは磁気コア露出部、１０は磁気ギャップ、１
２は導体コイル、１６は記録コア、Ａは磁気記録媒体対
向面、Ｂ，Ｃ，Ｄは接触部、Ｅは側面、Ｈは高さ方向で
あり、これらは実施例１と同様なものなので同一の符号
を付し説明を省略する。１７は下地絶縁層２上に積層さ
れるとともに電極部（図示せず）が形成されてＭＲ素子
４へセンス電流を流す回路の一部としても用いられる下
部磁気シールド層、１７ａは下部磁気シールド層１７が
磁気記録媒体対向面Ａに露出する部分を表す下部磁気シ
ールド層露出部、１８は下部磁気シールド層１７上に絶
縁層３を介して積層されてＭＲ素子４にセンス電流を流
すためのリード層、１８ａはリード層１８を構成しＭＲ
素子４の端部と電気的に接続される第１のリード部、１
８ａ′は第１のリード部１８ａが磁気記録媒体対向面Ａ
に露出する部分を示す第１のリード部露出部、１８ｂは
片端部がＭＲ素子４の端部と電気的に接続されるととも
に他端部が接触部Ｂを介して下部磁気シールド層１７と
電気的に接続された第２のリード部、１８ｂ′は第１の
リード部露出部１８ａ′と同様な第２のリード部露出
部、１９はリード層１８，ＭＲ素子４上に絶縁層３を介
して積層されるとともに電極部（図示せず）が形成され
て接触部Ｃを介して第１のリード部１８ａと電気的に接
続されてＭＲ素子４へセンス電流を流す回路の一部とし
ても用いられる上部磁気シールド層、１９ａは下部磁気
シールド層露出部１７ａと同様な上部磁気シールド層露
出部である。

【００１６】以上のように構成された本発明の第２の実
施例におけるＭＲヘッドについて、以下その動作を説明
する。ＭＲヘッドの記録・再生動作時には、電極部（図
示せず）からセンス電流が下部磁気シールド層１７，上
部磁気シールド層１９を通り接触部Ｂ，Ｃを介して第１
のリード部１８ａ，第２のリード部１８ｂからＭＲ素子
４へ流されて、記録・再生動作を行う。この下部磁気シ
ールド層１７等の断面積が第１のリード部１８ａ等の断
面積よりも極めて大きいために、ＭＲヘッドのセンス電
流に対する抵抗値を低下させることができ、ＭＲヘッド
のインピーダンスによるノイズを低減させて、磁気記録
媒体（図示せず）の情報を正確に再生することができ
る。

【００１７】以上のように本実施例によれば、下部磁気
シールド層１７と第２のリード部１８ｂ，上部磁気シー
ルド層１９と第１のリード部１８ａとをそれぞれ接触部
Ｂ，Ｃを介して電気的に接続し、下部磁気シールド層１
７等を通してＭＲ素子４にセンス電流を流すことによっ
て、ＭＲヘッドのセンス電流に対する抵抗値を減少さ
せ、ノイズの発生を防止することができる。

【００１８】尚、本実施例においては、センス電流を下
部磁気シールド層１７，上部磁気シールド層１９を通し
て流すようにしたが、このいずれか一方を磁気コア１５
を通るように変更してもよい。

【００１９】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
おけるＭＲヘッドについて、図面を参照しながら説明す
る。図３（ａ）は本発明の第３の実施例におけるＭＲヘ
ッドの要部平面透視図であり、図３（ｂ）は本発明の第
３の実施例におけるＭＲヘッドの要部側面透視図であ
る。１は基板、２は下地絶縁層、３は絶縁層、９は磁気
コア、９ａは磁気コア露出部、１０は磁気ギャップ、１
２は導体コイル、１８ａは第１のリード部、１８ａ′は
第１のリード部露出部、１８ｂは第２のリード部、１８
ｂ′は第２のリード部露出部、１９は上部磁気シールド
層、１９ａは上部磁気シールド層露出部、Ａは磁気記録
媒体対向面、Ｂ，Ｃは接触部、Ｅは側面、Ｈは高さ方向
であり、これらは実施例２と同様なものなので同一の符
号を付し説明を省略する。２０は下地絶縁層２上に積層
されるとともに一端部をＭＲヘッドの磁気記録媒体対向
面Ａ以外の面（ここでは、例としてＭＲヘッドの背面Ｆ
とする）から露出させて露出部Ｇを形成させた下部磁気
シールド層、２０ａは下部磁気シールド層２０が磁気記
録媒体対向面Ａに露出した部分を示す下部磁気シールド
層露出部、２１は上部磁気シールド層１９上に絶縁層３
を介して積層されるとともに一端部をＭＲヘッドの背面
Ｆから露出させて露出部Ｉを形成させた磁気コア、２２
は磁気コア９，２１からなり磁気記録媒体（図示せず）
に情報を記録するための記録コア、２３は所定の抵抗値
を有する材料からなりＭＲヘッドの背面Ｆを被覆して露
出部Ｇ，Ｉと基板１のＭＲヘッドの背面Ｆへの露出部Ｊ
とを電気的に導通させるコーティング膜である。

【００２０】以上のように構成された本発明の第３の実
施例におけるＭＲヘッドについて、以下その製造方法を
説明する。初めに、予め接地された治具（図示せず）に
直接あるいはサスペンション（図示せず）を介して基板
１を固定する。次に、基板１上に下地絶縁層２，絶縁層
３，下部磁気シールド層２０等を順次積層する。次に、
ＭＲヘッドの背面Ｆにコーティング膜２３を被覆して、
露出部Ｇ，Ｉ，Ｊを電気的に導通させる。この時、下部
磁気シールド層２０，リード層１８，ＭＲ素子４，上部
磁気シールド層１９，磁気コア９，２１の形成時等に、
下部磁気シールド層２０等に侵入した電荷は、接触部
Ｂ，Ｃ，露出部Ｇ，Ｉを介してコーティング膜２３へ移
動し、更に露出部Ｊを介して、接地された治具に固定さ
れている基板１へと移動する。そしてこの電荷が接地部
（図示せず）から漏洩されるために、基板１と下部磁気
シールド層２０等との間の静電気放電を防止することが
できる。次に、下部磁気シールド層２０と上部磁気シー
ルド層１９の電極部（図示せず）にリードワイヤを接続
し、これらを接地する。ここで、基板１，下部磁気シー
ルド層２０等が接触部Ｂ，Ｃ，露出部Ｉ，Ｇ及びコーテ
ィング膜２３を介して電気的に導通しているために、リ
ード層１８，ＭＲ素子４等と基板１，下部磁気シールド
層２０等との間の静電気放電を防止することができる。

【００２１】以上のように本実施例によれば、下部磁気
シールド層２０，磁気コア２１等をＭＲヘッドの背面Ｆ
等に露出させて露出部Ｇ，Ｉを形成し、これらと基板１
の露出部Ｊとをコーティング膜２３で被覆して電気的に
導通させることで、ＭＲヘッド製造時の基板１と下部磁
気シールド層２０等との間の静電気放電を防止して、Ｍ
Ｒヘッドの歩留りを向上させることができ生産性に優れ
るとともに、ＭＲヘッド使用時に同様に基板１と下部磁
気シールド層２０等との間の静電気放電を防止して、Ｍ
Ｒヘッドを安定使用することができ信頼性を向上させる
ことができる。

【００２２】尚、本実施例においては、磁気コア２１の
一部をＭＲヘッドの背面に露出させて、露出部Ｉ，Ｊ，
コーティング膜２３を介して基板１と磁気コア２１とを
電気的に導通させているが、磁気コア２１を実施例２に
示すように第１のリード部１８ａと接触部Ｄを介して接
触させ、接触部Ｂ，Ｄ，リード層１８，ＭＲ素子４，下
部磁気シールド層２０，露出部Ｇ，Ｊ，コーティング膜
２３を介して基板１と磁気コア２１とを電気的に導通さ
せてもよい。また、ＭＲ素子４に上部磁気シールド層１
９，下部磁気シールド層２０を介してセンス電流を流し
ているが、これは実施例１に示すように、リード層１３
から直接センス電流を流してもよい。またコーティング
膜２３，露出部Ｇ等をＭＲヘッドの背面Ｆに形成してい
るが、これは磁気記録媒体対向面Ａ以外であれば、ＭＲ
ヘッドのどの面に形成してもよい。

【００２３】（実施例４）以下本発明の第４の実施例に
おけるＭＲヘッドについて、図面を参照しながら説明す
る。図４（ａ）は本発明の第４の実施例におけるＭＲヘ
ッドの要部平面透視図であり、図４（ｂ）は本発明の第
４の実施例におけるＭＲヘッドの要部側面透視図であ
る。１は基板、２は下地絶縁層、４はＭＲ素子、４ａは
ＭＲ素子露出部、９，１５は磁気コア、１０は磁気ギャ
ップ、１２は導体コイル、１６は記録コア、１７は下部
磁気シールド層、１７ａは下部磁気シールド層露出部、
１８はリード層、１８ａは第１のリード部、１８ａ′は
第１のリード部露出部、１８ｂは第２のリード部、１８
ｂ′は第２のリード部露出部、１９は上部磁気シールド
層、Ａは磁気記録媒体対向面、Ｂ，Ｃ，Ｄは接触部、Ｅ
は側面、Ｈは高さ方向であり、これらは実施例２と同様
なものなので同一の符号を付し説明を省略する。２４は
所定の電気抵抗値を有する材料よりなり基板１上に積層
されて基板１と下部磁気シールド層１７とを導通部Ｋ，
Ｌを介して電気的に導通させる電気接続部である。

【００２４】以上のように構成された本発明の第４の実
施例におけるＭＲヘッドについて、以下その製造方法を
説明する。初めに、基板１を、予め接地された治具（図
示せず）に直接またはサスペンション（図示せず）を介
して固定する。次に、基板１上に下地絶縁層２を積層す
る。次に、基板１の導通部Ｋ上に所定の電気抵抗値を有
する材料よりなる電気接続部２４を形成する。次に、下
地絶縁層２上に、下部磁気シールド層１７を導通部Ｌを
介して電気接続部２４と電気的に導通するように積層す
る。次に、下部磁気シールド層１７上に、絶縁層３を介
してリード層１８等を順次積層する。ここで、下部磁気
シールド層１７，リード層１８等の積層時に、これらに
電荷が侵入した場合であっても、これらが接触部Ｂ，
Ｃ，Ｄ，導通部Ｋ，Ｌ，電気接続部２４等を介して基板
１と電気的に導通しているために、この電荷が接触部Ｂ
等を介して基板１へと流れ、基板１の接地部（図示せ
ず）から漏洩するために、基板１と下部磁気シールド層
１７等との間の静電気放電を防止することができる。次
に、下部磁気シールド層１７，上部磁気シールド層１９
の電極部（図示せず）にリードワイヤ（図示せず）を接
続する。次に、リードワイヤ（図示せず）を接地する。
ここで、磁気コア１５等が接触部Ｄ等を介して接地され
た基板１と導通しているために、上部磁気シールド層１
９等と磁気コア１５等との間の静電気放電を防止するこ
とができる。

【００２５】以上のように製造される本発明の第４の実
施例におけるＭＲヘッドについて、以下その動作を説明
する。ＭＲヘッド使用時に、ＭＲヘッドと磁気記録媒体
（図示せず）との接触等によって、下部磁気シールド層
１７，上部磁気シールド層１９，磁気コア９，１５等に
電荷が侵入した場合であっても、これらが接触部Ｂ，
Ｃ，Ｄを介して電気的に導通されているとともに、導通
部Ｋ，Ｌ，電気接続部２４を介して基板１と電気的に導
通されているために、侵入した電荷はこれらを介して基
板１あるいは下部磁気シールド層１７，上部磁気シール
ド層１９の電極部（図示せず）から漏洩して、リード層
１８等と、下部磁気シールド層１７等と、磁気コア１５
等と、基板１との間の静電気放電を防止することができ
る。

【００２６】以上のように本実施例によれば、基板１と
下部磁気シールド層１７とを導通部Ｋ，Ｌ、電気接続部
２４を介して電気的に導通させて、更にこの下部磁気シ
ールド層１７とリード層１８等を接触部Ｂ，Ｃ，Ｄを介
して電気的に導通させることによって、ＭＲヘッド製造
時の基板１と、下部磁気シールド層１７等と、磁気コア
１５等との間の静電気放電を防止してＭＲヘッドの歩留
りを向上させることができるとともに、ＭＲヘッド使用
時にも同様に基板１と下部磁気シールド層１７等との間
の静電気放電を防止してＭＲヘッドを安定使用すること
ができる。

【００２７】尚、本実施例においては、ＭＲ素子４にセ
ンス電流を下部磁気シールド層１７，上部磁気シールド
層１９を介して流しているが、これは、実施例１に示す
ように、リード層１３から直接センス電流を流してもよ
い。

【００２８】以上のように構成された本発明のＭＲヘッ
ドと、従来のＭＲヘッドについて性能比較試験を行っ
た。以下その結果について説明する。

【００２９】（実験例１）本発明の第２の実施例におけ
るＭＲヘッドを用いて、その製造時・動作時の静電気放
電による不良発生率を測定して、静電破壊試験を行っ
た。その結果を図５に示す。図５は静電破壊試験の結果
を示す表である。工程Ａはワイヤーのボンディング及び
ワイヤーの樹脂固定を行う工程であり、工程Ｂはスライ
ダーの組み立てを行う工程であり、工程ＣはＭＲヘッド
の静特性評価を行う工程であり、動作ＡはＭＲヘッドと
磁気記録媒体（図示せず）との接触・浮上動作を１時間
行うものであり、動作ＢはＭＲヘッドの浮上量の測定を
行うものである。

【００３０】（実験例２）本発明の第３の実施例におけ
るＭＲヘッドを用いた他は、実験例１と同様にして静電
破壊試験を行った。その結果を図５に示す。

【００３１】（実験例３）本発明の第４の実施例におけ
るＭＲヘッドを用いた他は、実験例１と同様にして静電
破壊試験を行った。その結果を図５に示す。

【００３２】（比較例１）従来のＭＲヘッドを用いた他
は、実験例１と同様にして静電破壊試験を行った。その
結果を図５に示す。

【００３３】ここで、試験時の環境を同一にするため
に、実験例１乃至３及び比較例１は同時に試験を行っ
た。また、浮遊電荷による影響を小さくするために、試
験者は人体をアースに接地して試験を行った。

【００３４】（実験例４）本発明の第２の実施例におけ
るＭＲヘッドを用い、ＭＲヘッドに外部から侵入した電
荷の漏洩状態を調べるために、ＭＲヘッドを絶縁体より
なる治具（図示せず）にサスペンション（図示せず）を
介して固定し、所定の電圧を印加して充電したコンデン
サ（図示せず）の一端をこのサスペンションに、他端を
所定の抵抗（図示せず）を介して放電用プローブ（図示
せず）にそれぞれ接続して、コンデンサ（図示せず）に
充電された電荷をこの放電用プローブ（図示せず）から
ＭＲヘッドに給電し、その直後のＭＲヘッドの相対的な
表面電位を測定した。その結果を図６に示す。図６はコ
ンデンサの印加電圧とＭＲヘッドの相対的な表面電位と
の関係を示す図である。

【００３５】（実験例５）本発明の第３の実施例におけ
るＭＲヘッドを用いた他は、実験例４と同様にして、Ｍ
Ｒヘッドの相対的な表面電位を測定した。その結果を図
６に示す。

【００３６】（実験例６）本発明の第４の実施例におけ
るＭＲヘッドを用いた他は、実験例４と同様にして、Ｍ
Ｒヘッドの相対的な表面電位を測定した。その結果を図
６に示す。

【００３７】（比較例２）従来のＭＲヘッドを用いた他
は、実験例４と同様にして、ＭＲヘッドの相対的な表面
電位を測定した。その結果を図６に示す。

【００３８】（実験例７）本発明の第２の実施例におけ
るＭＲヘッドを用いて、入力磁界がない場合のセンス電
流と、ジュール熱による温度上昇に基づくＭＲヘッドの
電気抵抗値及び電気抵抗値から算出されるＭＲヘッドの
温度との関係を測定した。その結果を図７（ａ），図７
（ｂ）に示す。図７（ａ）はセンス電流とＭＲヘッドの
電気抵抗値の関係を示すグラフであり、図７（ｂ）はセ
ンス電流とＭＲヘッドの温度との関係を示すグラフであ
る。

【００３９】（比較例３）従来のＭＲヘッドを用いた他
は、実験例７と同様にして、センス電流と、ＭＲヘッド
の電気抵抗値及びＭＲヘッドの温度との関係を測定し
た。その結果を図７（ａ），図７（ｂ）に示す。

【００４０】図５から明らかなように、比較例１は全試
験合わせて４０％のＭＲヘッドが静電気放電によって破
壊されているのに対し、実験例１乃至３では全く破壊が
生じていないことがわかる。よって、実験例１乃至３は
比較例に対して歩留りが高く生産性が著しく優れている
とともに、安定使用ができ信頼性が著しく優れていると
いえる。また、図６から明らかなように、比較例２はコ
ンデンサの印加電圧、即ち、ＭＲヘッドに供給された電
荷の量に応じてＭＲヘッドの相対的な表面電位が上昇し
ているのに対し、実験例４乃至６ではＭＲヘッドに電荷
が供給されているにもかかわらず表面電位は一定のまま
である。よって、実験例４乃至６では、外部から侵入し
た電荷が速やかにＭＲヘッドから漏洩しているといえ
る。更に図７（ａ），図７（ｂ）から明らかなように、
比較例３はセンス電流の増加にともなって電気抵抗及び
温度が急激に上昇しているのに対して、実験例７では電
気抵抗，温度が緩やかに上昇しているのがわかる。よっ
て、実験例７は比較例３よりも放熱効率が高いといえ
る。

【００４１】

【発明の効果】以上のように本発明は、下部磁気シール
ド層，上部磁気シールド層，磁気コアを２つのリード部
の内いずれか１と接触させたことにより、下部磁気シー
ルド層等と２つのリード部・ＭＲ素子が電気的に導通
し、ＭＲヘッド製造時・使用時に下部磁気シールド等に
帯電した静電荷が、接地された２つのリード部へと漏洩
するために、下部シールド層等とリード部等との間の静
電気放電を防止でき、ＭＲヘッドの歩留りを向上させる
ことができ生産性に優れるとともに、ＭＲヘッドを安定
使用することができ信頼性に優れ、下部磁気シールド層
等が極めて大きな熱容量を有しているために、ＭＲ素子
で発生したジュール熱を接触部等を介して下部磁気シー
ルド層等へ速やかに伝導させて、放熱するために、放熱
効率を著しく向上させて、ＭＲ素子の温度上昇を防止し
てＭＲヘッドの電気特性を向上させることができるとと
もに、万一ＭＲヘッドに過電流が流れた場合であって
も、放熱効率が著しく高いために、ＭＲ素子の溶断等の
ＭＲヘッドの破壊を防止することができ信頼性に優れ、
下部磁気シールド層等を、コーティング膜，導通部を介
して基板と接続したことによって、同様に下部磁気シー
ルド層等と基板との間の静電気放電を防止でき、ＭＲヘ
ッドの歩留りを向上させることができ生産性に優れると
ともに、ＭＲヘッドを安定使用することができ信頼性に
優れ、コーティング膜，導通部が所定の抵抗値を有する
ことにより、放電の発生を防止することができ、２つの
リード部を下部磁気シールド層，上部シールド層，磁気
コアの内別個のものに各々接触させ、下部磁気シールド
等の内リード部が接触しているものに、このリード部に
センス電流を流すための２つの電極部を備えたことによ
り、この下部磁気シールド等の断面積が薄いリード部よ
りも極めて大きく、ＭＲヘッドのセンス電流に対する抵
抗値を減少させるために、ＭＲヘッドのインピーダンス
によるノイズを減少させて、データを正確に再生するこ
とができ、信頼性に優れたＭＲヘッドを実現できるもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例におけるＭＲヘ
ッドの要部平面透視図（ｂ）は本発明の第１の実施例におけるＭＲヘッドの要
部側面透視図

【図２】（ａ）は本発明の第２の実施例におけるＭＲヘ
ッドの要部平面透視図（ｂ）は本発明の第２の実施例におけるＭＲヘッドの要
部側面透視図

【図３】（ａ）は本発明の第３の実施例におけるＭＲヘ
ッドの要部平面透視図（ｂ）は本発明の第３の実施例におけるＭＲヘッドの要
部側面透視図

【図４】（ａ）は本発明の第４の実施例におけるＭＲヘ
ッドの要部平面透視図（ｂ）は本発明の第４の実施例におけるＭＲヘッドの要
部側面透視図

【図５】本発明の第２〜第４の実施例におけるＭＲヘッ
ドと従来のＭＲヘッドの静電破壊試験結果を示す図

【図６】本発明の第２〜第４の実施例におけるＭＲヘッ
ドと従来のＭＲヘッドのコンデンサの印加電圧とＭＲヘ
ッドの相対的な表面電位との関係を示す図

【図７】（ａ）は本発明の第２の実施例におけるＭＲヘ
ッドと従来のＭＲヘッドのセンス電流とＭＲヘッドの電
気抵抗値の関係を示すグラフ（ｂ）は本発明の第２の実施例におけるＭＲヘッドと従
来のＭＲヘッドのセンス電流とＭＲヘッドの温度との関
係を示すグラフ

【図８】（ａ）は従来のＭＲヘッドの構成を示す要部平
面透視図（ｂ）は従来のＭＲヘッドの構成を示す要部側面透視図

【符号の説明】

１基板２下地絶縁層３絶縁層４ＭＲ素子４ａＭＲ素子露出部５リード層５ａ第１のリード部５ａ′ 第１のリード部露出部５ｂ第２のリード部５ｂ′ 第２のリード部露出部６下部磁気シールド層６ａ下部磁気シールド層露出部７上部磁気シールド層７ａ上部磁気シールド層露出部８，９磁気コア８ａ，９ａ磁気コア露出部１０磁気ギャップ１１記録コア１２導体コイル１３リード層１３ａ第１のリード部１３ａ′ 第１のリード部露出部１３ｂ第２のリード部１３ｂ′ 第２のリード部露出部１４上部磁気シールド層１４ａ上部磁気シールド層露出部１５磁気コア１５ａ磁気コア露出部１６記録コア１７下部磁気シールド層１７ａ下部磁気シールド層露出部１８リード層１８ａ第１のリード部１８ａ′ 第１のリード部露出部１８ｂ第２のリード部１８ｂ′ 第２のリード部露出部１９上部磁気シールド層１９ａ上部磁気シールド層露出部２０下部磁気シールド層２０ａ下部磁気シールド層露出部２１磁気コア２２記録コア２３コーティング膜２４電気接続部Ａ磁気記録媒体対向面Ｂ，Ｃ，Ｄ接触部Ｅ側面Ｆ背面Ｇ，Ｉ，Ｊ露出部Ｈ高さ方向Ｋ，Ｌ導通部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に積層される絶縁層
と、前記絶縁層中に形成される磁気抵抗効果素子と、前
記磁気抵抗効果素子の両端部に電気的に接続されて前記
磁気抵抗効果素子へセンス電流を流すための２つのリー
ド部と、前記磁気抵抗効果素子の上下に前記絶縁層を介
して形成される磁気シールド層と、を有し磁気記録媒体
と対向する面に露出するように形成されて磁気記録媒体
のデータを再生するための再生ヘッドと、磁性体からな
り磁気ギャップ部が磁気記録媒体と対向する面に露出す
るように形成される磁気コアを有し磁気記録媒体へデー
タを記録するための記録ヘッドと、を備えた磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドであって、２つの前記磁気シールド
層，前記磁気コアの少なくともいずれか１を２つの前記
リード部のいずれか１と接触させて形成される接触部を
備えたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項２】前記磁気シールド層，前記磁気コアの少な
くともいずれか１と接触させた一方の前記リード部と、
一方の前記リード部と接触されていない前記磁気シール
ド層，前記磁気コアの少なくともいずれか１と接触させ
た他方の前記リード部と、前記磁気シールド層又は前記
磁気コアと電気的に接続されて２つの前記リード部へセ
ンス電流を流すための２つの電極部と、を備えたことを
特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項３】前記磁気コア，２つの前記磁気シールド層
の少なくともいずれか１を前記磁気記録媒体と対向しな
い面に露出させて形成される露出部と、所定の電気抵抗
を有する材料からなり前記磁気記録媒体と対向しない面
に形成されて前記露出部と前記基板とを接触させるコー
ティング膜と、を備えたことを特徴とする請求項１又は
２のいずれか１に記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項４】所定の抵抗を有する材料よりなり前記基板
上に形成される電気接続層と、前記磁気コア，２つの前
記磁気シールドの少なくともいずれか１と前記電気接続
層とを電気的に導通させて形成される導通部と、を備え
たことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１に記載
の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。