JPH06243519A - 強誘電性高分子膜による３次元光メモリー - Google Patents
強誘電性高分子膜による３次元光メモリーInfo
- Publication number
- JPH06243519A JPH06243519A JP7069793A JP7069793A JPH06243519A JP H06243519 A JPH06243519 A JP H06243519A JP 7069793 A JP7069793 A JP 7069793A JP 7069793 A JP7069793 A JP 7069793A JP H06243519 A JPH06243519 A JP H06243519A
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- Japan
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- polymer film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 強誘電性高分子の分極反転現象と焦電効果を
使った光メモリーで，同時に複数の情報を読み書きでき
る強誘電性高分子膜による３次元光メモリーを提供す
る。 【構成】 図１に示すごとく，強誘電性高分子膜
（１）の両面に透明電極（２）を蒸着し，その片面にレ
ーザー・パルス光（１３）を熱に変換するための半透明
の色素混合の高分子膜（３）を張り付ける。以上の処理
をおこなった数枚の強誘電性高分子膜を隙間を開けて積
層にし、３次元光メモリー素子を構成する。さらにこの
３次元光メモリー素子の各透明電極（２）の間に直流高
電圧電源部（６）と焦電流検出部（７）を接続し，レー
ザー・パルス光（１３）を一方から照射する。このとき
のレーザーは、レーザー制御部（８）で制御される，色
素での熱変換が多い波長の書き込み用レーザー（４）
と，熱変換の少ない波長の読み出し用レーザー（５）の
２種類を設ける。以上のように強誘電性高分子膜による
３次元光メモリーを構成する。
使った光メモリーで，同時に複数の情報を読み書きでき
る強誘電性高分子膜による３次元光メモリーを提供す
る。 【構成】 図１に示すごとく，強誘電性高分子膜
（１）の両面に透明電極（２）を蒸着し，その片面にレ
ーザー・パルス光（１３）を熱に変換するための半透明
の色素混合の高分子膜（３）を張り付ける。以上の処理
をおこなった数枚の強誘電性高分子膜を隙間を開けて積
層にし、３次元光メモリー素子を構成する。さらにこの
３次元光メモリー素子の各透明電極（２）の間に直流高
電圧電源部（６）と焦電流検出部（７）を接続し，レー
ザー・パルス光（１３）を一方から照射する。このとき
のレーザーは、レーザー制御部（８）で制御される，色
素での熱変換が多い波長の書き込み用レーザー（４）
と，熱変換の少ない波長の読み出し用レーザー（５）の
２種類を設ける。以上のように強誘電性高分子膜による
３次元光メモリーを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は，強誘電性高分子の分
極反転現象と焦電効果を使った光メモリーで，同時に複
数の情報を読み書きできる強誘電性高分子膜による３次
元メモリーに関するものである。
極反転現象と焦電効果を使った光メモリーで，同時に複
数の情報を読み書きできる強誘電性高分子膜による３次
元メモリーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来，強誘電性高分子光メモリーは強誘
電性高分子膜の両面に電極を蒸着した二次元記録装置で
ある。データの書き込みは，分極の向きが変わらない抗
電界以下の電圧を電極間に加え，そこにレーザー・パル
ス光により電極表面を加熱し，強誘電性高分子膜の温度
を上げ分極反転をおこないデータを記憶する。また，デ
ータの読み出しは弱いレーザー・パルス光による熱によ
って電極間に発生する焦電流を検出しておこなってい
る。
電性高分子膜の両面に電極を蒸着した二次元記録装置で
ある。データの書き込みは，分極の向きが変わらない抗
電界以下の電圧を電極間に加え，そこにレーザー・パル
ス光により電極表面を加熱し，強誘電性高分子膜の温度
を上げ分極反転をおこないデータを記憶する。また，デ
ータの読み出しは弱いレーザー・パルス光による熱によ
って電極間に発生する焦電流を検出しておこなってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これは次のような欠点
がある。 （イ）強誘電性高分子の分極反転の速度が遅いため，強
誘電性高分子光メモリーへの書き込み速度が半導体メモ
リーに比べて遅い。 （ロ）レーザー・パルス光による熱変換や，強誘電性高
分子膜内への熱拡散に時間がかかるため，強誘電性高分
子光メモリーからの情報の読みだし速度が半導体メモリ
ーに比べて遅い。 （ハ）レーザー光を走査して２次元的なメモリーとする
ことができるが、データの書き込み，読み出しは，レー
ザー光の照射ポイントの１箇所で，１つのデータのみで
ある。 本発明は，これらの欠点を解決するため発明されたもの
である。
がある。 （イ）強誘電性高分子の分極反転の速度が遅いため，強
誘電性高分子光メモリーへの書き込み速度が半導体メモ
リーに比べて遅い。 （ロ）レーザー・パルス光による熱変換や，強誘電性高
分子膜内への熱拡散に時間がかかるため，強誘電性高分
子光メモリーからの情報の読みだし速度が半導体メモリ
ーに比べて遅い。 （ハ）レーザー光を走査して２次元的なメモリーとする
ことができるが、データの書き込み，読み出しは，レー
ザー光の照射ポイントの１箇所で，１つのデータのみで
ある。 本発明は，これらの欠点を解決するため発明されたもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】図１に示すごとく，強誘
電性高分子膜（１）の両面に透明電極（２）を蒸着し，
その片面にレーザー・パルス光を熱に変換するための半
透明の色素混合の高分子膜（３）を張り付ける。以上の
処理をおこなった数枚の強誘電性高分子膜を隙間を開け
て積層にし，３次元光メモリー素子を構成する。さらに
この３次元光メモリー素子の各透明電極（２）の間に直
流高電圧電源部（６）と焦電流検出部（７）を接続し，
レーザー・パルス光（１３）を一方から照射する。この
ときのレーザーは，レーザー制御部（８）で制御され
る，色素での熱変換が多い波長の書き込み用レーザー
（４）と，熱変換の少ない波長の読み出し用レーザー
（５）の２種類を設ける。以上のように強誘電性高分子
膜による３次元光メモリーを構成する。
電性高分子膜（１）の両面に透明電極（２）を蒸着し，
その片面にレーザー・パルス光を熱に変換するための半
透明の色素混合の高分子膜（３）を張り付ける。以上の
処理をおこなった数枚の強誘電性高分子膜を隙間を開け
て積層にし，３次元光メモリー素子を構成する。さらに
この３次元光メモリー素子の各透明電極（２）の間に直
流高電圧電源部（６）と焦電流検出部（７）を接続し，
レーザー・パルス光（１３）を一方から照射する。この
ときのレーザーは，レーザー制御部（８）で制御され
る，色素での熱変換が多い波長の書き込み用レーザー
（４）と，熱変換の少ない波長の読み出し用レーザー
（５）の２種類を設ける。以上のように強誘電性高分子
膜による３次元光メモリーを構成する。
【０００５】
【作用】強誘電性高分子膜による３次元光メモリーに複
数のデータを同時に書き込む場合は、図２に示すごと
く，それぞれの直流高電圧電源部（６）によって，各強
誘電性高分子膜（１）の透明電極（２）の書き込みデー
タ（１１）にあわせた電圧方向で，強誘電性高分子膜内
の分極の向きが変わらない抗電界以下の電圧を加える。
この状態で，半透明の色素混合の高分子膜（３）の色
素での熱変換の多い波長の書き込み用レーザー（４）に
よってレーザー・パルス光（１３）を３次元光メモリー
素子のデータ書き込み位置に照射する。この時レーザー
・パルス光（１３）は，各色素混合の高分子膜（３）で
光エネルギーの一部を熱に変換し，各強誘電性高分子膜
（１）の温度を上昇させて，各強誘導電性高分子膜内の
分極をデータに一致した分極方向（１４）に向けて各デ
ータを同時に記録する。さらに，３次元光メモリー素子
から複数のデータを同時に読み出す場合は，図３に示す
ごとく，半透明の色素混合の高分子膜（３）の色素での
熱変換の少ない波長の読み出し用のレーザー（５）によ
ってレーザー・パルス光（１３）を３次元光メモリー素
子のデータ読み出し位置に照射する。この時，レーザー
・パルス光（１３）は，各色素混合の高分子膜３で光エ
ネルギーの一部を熱に変換し，各強誘電性高分子膜
（１）の温度を少し上昇させる。この時，各透明電極
（２）間に発生する分極方向（１４）に従った焦電流を
各焦電流検出部（７）で検出して複数の読み出しデータ
（１２）を読み出す。
数のデータを同時に書き込む場合は、図２に示すごと
く，それぞれの直流高電圧電源部（６）によって，各強
誘電性高分子膜（１）の透明電極（２）の書き込みデー
タ（１１）にあわせた電圧方向で，強誘電性高分子膜内
の分極の向きが変わらない抗電界以下の電圧を加える。
この状態で，半透明の色素混合の高分子膜（３）の色
素での熱変換の多い波長の書き込み用レーザー（４）に
よってレーザー・パルス光（１３）を３次元光メモリー
素子のデータ書き込み位置に照射する。この時レーザー
・パルス光（１３）は，各色素混合の高分子膜（３）で
光エネルギーの一部を熱に変換し，各強誘電性高分子膜
（１）の温度を上昇させて，各強誘導電性高分子膜内の
分極をデータに一致した分極方向（１４）に向けて各デ
ータを同時に記録する。さらに，３次元光メモリー素子
から複数のデータを同時に読み出す場合は，図３に示す
ごとく，半透明の色素混合の高分子膜（３）の色素での
熱変換の少ない波長の読み出し用のレーザー（５）によ
ってレーザー・パルス光（１３）を３次元光メモリー素
子のデータ読み出し位置に照射する。この時，レーザー
・パルス光（１３）は，各色素混合の高分子膜３で光エ
ネルギーの一部を熱に変換し，各強誘電性高分子膜
（１）の温度を少し上昇させる。この時，各透明電極
（２）間に発生する分極方向（１４）に従った焦電流を
各焦電流検出部（７）で検出して複数の読み出しデータ
（１２）を読み出す。
【０００６】
【実施例】以下，本発明の実施例について説明する。図
１に示すごとく，強誘電性高分子膜（１）の両面に透明
電極（２）を蒸着し，その片面にレーザー光を熱に変換
するための半透明の色素混合の高分子膜（３）を張り付
ける。以上の処理をおこなった数枚の強誘電性高分子膜
を隙間を開けて積層にし，３次元光メモリー素子を構成
する。さらにこの３次元光メモリー素子の各透明電極
（２）の間に直流高電圧電源部（６）と焦電流検出部
（７）を接続し，レーザー・パルス光（１３）を一方か
ら照射する。このときのレーザーは，レーザー制御部
（８）で制御される，色素での熱変換が多い波長の書き
込み用レーザー（４）と，熱変換の少ない波長の読み出
し用レーザー（５）の２種類を設ける。本案は，以上の
ような構造で，これを使用する場合は次のような手順で
おこなう。強誘電性高分子膜による３次元光メモリーに
複数のデータを同時に書き込む場合は，図２に示すごと
く，それぞれの直流高電圧電源部（６）によって，各強
誘電性高分子膜（１）の透明電極（２）の間に書き込み
データ（１１）にあわせた電圧方向で，強誘電性高分子
膜内の分極の向きが変わらない抗電界以下の電圧を加え
る。 この状態で，半透明の色素混合の高分子膜（３）
の色素での熱変換の多い波長の書き込み用レーザー
（４）によってレーザー・パルス光（１３）を３次元光
メモリー素子のデータ書き込み位置に照射する。この時
レーザー・パルス光（１３）は，各色素混合の高分子膜
（３）で光エネルギーの一部を熱に変換し，各強誘電性
高分子膜（１）の温度を上昇させて，各強誘導性高分子
膜内の分極をデータに一致した分極方向（１４）に向け
て各データを同時に記録する。さらに，３次元光メモリ
ー素子から複数のデータを同時に読み出す場合は，図３
に示すごとく，半透明の色素混合の高分子膜（３）の色
素での熱変換の少ない波長の読み出し用のレーザー
（５）によってレーザー・パルス光（１３）を３次元光
メモリー素子のデータ読み出し位置に照射する。この
時，レーザー・パルス光（１３）は，各色素混合の高分
子膜３で光エネルギーの一部を熱に変換し，各強誘電性
高分子膜（１）の温度を少し上昇させる。この時，各透
明電極（２）間に発生する分極方向（１４）に従った焦
電流を各焦電流検出部（７）で検出して複数の読み出し
データ（１２）を読み出す。また，図４に示すごとく，
レーザー光を熱に変換するための色素を混合した色素混
合の強誘電性高分子膜（１５）の両面に透明電極（２）
を蒸着し，絶縁層を設けて数枚を積層にして３次元光メ
モリー素子を構成する。さらにこの３次元光メモリー素
子の各透明電極（２）の間に直流高電圧電源部（６）と
焦電流検出部（７）を接続し，レーザー・パルス光（１
３）を一方から照射する。このときのレーザーは，色素
での熱変換が多い波長の書き込み用レーザー（４）と，
熱変換の少ない波長の読み出し用レーザー（５）の２種
類を設ける。以上のように強誘電性高分子膜による３次
元光メモリーを構成する。
１に示すごとく，強誘電性高分子膜（１）の両面に透明
電極（２）を蒸着し，その片面にレーザー光を熱に変換
するための半透明の色素混合の高分子膜（３）を張り付
ける。以上の処理をおこなった数枚の強誘電性高分子膜
を隙間を開けて積層にし，３次元光メモリー素子を構成
する。さらにこの３次元光メモリー素子の各透明電極
（２）の間に直流高電圧電源部（６）と焦電流検出部
（７）を接続し，レーザー・パルス光（１３）を一方か
ら照射する。このときのレーザーは，レーザー制御部
（８）で制御される，色素での熱変換が多い波長の書き
込み用レーザー（４）と，熱変換の少ない波長の読み出
し用レーザー（５）の２種類を設ける。本案は，以上の
ような構造で，これを使用する場合は次のような手順で
おこなう。強誘電性高分子膜による３次元光メモリーに
複数のデータを同時に書き込む場合は，図２に示すごと
く，それぞれの直流高電圧電源部（６）によって，各強
誘電性高分子膜（１）の透明電極（２）の間に書き込み
データ（１１）にあわせた電圧方向で，強誘電性高分子
膜内の分極の向きが変わらない抗電界以下の電圧を加え
る。 この状態で，半透明の色素混合の高分子膜（３）
の色素での熱変換の多い波長の書き込み用レーザー
（４）によってレーザー・パルス光（１３）を３次元光
メモリー素子のデータ書き込み位置に照射する。この時
レーザー・パルス光（１３）は，各色素混合の高分子膜
（３）で光エネルギーの一部を熱に変換し，各強誘電性
高分子膜（１）の温度を上昇させて，各強誘導性高分子
膜内の分極をデータに一致した分極方向（１４）に向け
て各データを同時に記録する。さらに，３次元光メモリ
ー素子から複数のデータを同時に読み出す場合は，図３
に示すごとく，半透明の色素混合の高分子膜（３）の色
素での熱変換の少ない波長の読み出し用のレーザー
（５）によってレーザー・パルス光（１３）を３次元光
メモリー素子のデータ読み出し位置に照射する。この
時，レーザー・パルス光（１３）は，各色素混合の高分
子膜３で光エネルギーの一部を熱に変換し，各強誘電性
高分子膜（１）の温度を少し上昇させる。この時，各透
明電極（２）間に発生する分極方向（１４）に従った焦
電流を各焦電流検出部（７）で検出して複数の読み出し
データ（１２）を読み出す。また，図４に示すごとく，
レーザー光を熱に変換するための色素を混合した色素混
合の強誘電性高分子膜（１５）の両面に透明電極（２）
を蒸着し，絶縁層を設けて数枚を積層にして３次元光メ
モリー素子を構成する。さらにこの３次元光メモリー素
子の各透明電極（２）の間に直流高電圧電源部（６）と
焦電流検出部（７）を接続し，レーザー・パルス光（１
３）を一方から照射する。このときのレーザーは，色素
での熱変換が多い波長の書き込み用レーザー（４）と，
熱変換の少ない波長の読み出し用レーザー（５）の２種
類を設ける。以上のように強誘電性高分子膜による３次
元光メモリーを構成する。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば，従来の強誘電性高分
子光メモリーの書き込みや，読みだし速度が遅い分を複
数のデータを同時に読み書きすることで，見かけ上の速
度を上げることができる。さらに，構造的に３次元配置
であるため，レーザー・パルス光が届くまで強誘電性高
分子膜を増設することが可能である。
子光メモリーの書き込みや，読みだし速度が遅い分を複
数のデータを同時に読み書きすることで，見かけ上の速
度を上げることができる。さらに，構造的に３次元配置
であるため，レーザー・パルス光が届くまで強誘電性高
分子膜を増設することが可能である。
【図１】本発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施例を示す斜視図である。
１ 強誘電性高分子膜 ２ 透明電極 ３ 色素混合の高分子膜 ４ 書き込み用レーザ
ー ５ 読み出し用レーザー ６ 直流高電圧電源部 ７ 焦電流検出部 ８ レーザー制御部 ９ ミラー １０ ハーフ・ミラー １１ 書き込みデータ １２ 読み出しデータ １３ レーザー・パルス光 １４ 分極方向 １５ 色素混合の強誘電性高分子膜
ー ５ 読み出し用レーザー ６ 直流高電圧電源部 ７ 焦電流検出部 ８ レーザー制御部 ９ ミラー １０ ハーフ・ミラー １１ 書き込みデータ １２ 読み出しデータ １３ レーザー・パルス光 １４ 分極方向 １５ 色素混合の強誘電性高分子膜
Claims (2)
- 【請求項１】（イ）強誘電性高分子膜（１）の両面に透
明電極（２）を蒸着し，その片面に半透明の色素混合の
高分子膜（３）を張り付ける。 （ロ）（イ）の処理をおこなった数枚の強誘電性高分子
膜を積層にする。 （ハ）各強誘電性高分子膜の透明電極（２）の間に直流
高電圧電源部（６）と，焦電流検出部（７）を接続し，
一方から光パルスを照射するためのレーザー（４），
（５）を設ける。 以上の構成によりなる強誘電性高分子膜による３次元光
メモリー。 - 【請求項２】（イ）色素混合の強誘電性高分子膜（１
５）の両面に透明電極（２）を蒸着する。（図４） （ロ）（イ）の処理をおこなった数枚の強誘電性高分子
膜を積層にする。 （ハ）各強誘電性高分子膜の透明電極（２）の間に直流
高電圧電源部（６）と，焦電流検出部（７）を接続し，
一方から光パルスを照射するためのレーザー（４），
（５）を設ける。 以上の構成によりなる強誘電性高分子膜による３次元光
メモリー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7069793A JPH06243519A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 強誘電性高分子膜による３次元光メモリー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7069793A JPH06243519A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 強誘電性高分子膜による３次元光メモリー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243519A true JPH06243519A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=13439081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7069793A Pending JPH06243519A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 強誘電性高分子膜による３次元光メモリー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06243519A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1090389A1 (en) * | 1998-06-02 | 2001-04-11 | Thin Film Electronics ASA | Data storage and processing apparatus, and method for fabricating the same |
| WO2003107351A1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-24 | Thin Film Electronics Asa | A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device |
| US6922350B2 (en) * | 2002-09-27 | 2005-07-26 | Intel Corporation | Reducing the effect of write disturbs in polymer memories |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP7069793A patent/JPH06243519A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1090389A1 (en) * | 1998-06-02 | 2001-04-11 | Thin Film Electronics ASA | Data storage and processing apparatus, and method for fabricating the same |
| WO2003107351A1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-24 | Thin Film Electronics Asa | A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device |
| US6922350B2 (en) * | 2002-09-27 | 2005-07-26 | Intel Corporation | Reducing the effect of write disturbs in polymer memories |
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