JPH02257492A - 強誘導性高分子光記録媒体 - Google Patents
強誘導性高分子光記録媒体Info
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- JPH02257492A JPH02257492A JP1084878A JP8487889A JPH02257492A JP H02257492 A JPH02257492 A JP H02257492A JP 1084878 A JP1084878 A JP 1084878A JP 8487889 A JP8487889 A JP 8487889A JP H02257492 A JPH02257492 A JP H02257492A
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- JP
- Japan
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- recording medium
- light
- polymer
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ビニリデン系重合体（以下単にＰＶＤ系重合
体と称する）を記録層として用いた強誘電性高分子光可
逆記録媒体に関するものである。
体と称する）を記録層として用いた強誘電性高分子光可
逆記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
ＰＶＤ系重合体を記録媒体とした高分子光メモリーは、
すでに知られている。
すでに知られている。
これは、ＰＶＤ系重合体の強誘電性を利用した画期的な
光メモリーで、その記録原理は特開昭５９−２１５０９
８及び同５９−２１５０９７号公報、あるいは高分子加
工３５．４１８（１９８Ｂ）に開示されているように、
強誘電性高分子材料が電界によって分極する性質を利用
して、高い電界を印加して一方向に分極させた該強誘電
性高分子材料に対して、抗電界以下の弱い逆電界を印加
した状態で任意の部分に光ビームを照射加熱して該光照
射部のみを選択的に分極反転せしめることにより書き込
みを可能にし、さらに光または熱による焦電効果を利用
して読み出すことができるというものである。
光メモリーで、その記録原理は特開昭５９−２１５０９
８及び同５９−２１５０９７号公報、あるいは高分子加
工３５．４１８（１９８Ｂ）に開示されているように、
強誘電性高分子材料が電界によって分極する性質を利用
して、高い電界を印加して一方向に分極させた該強誘電
性高分子材料に対して、抗電界以下の弱い逆電界を印加
した状態で任意の部分に光ビームを照射加熱して該光照
射部のみを選択的に分極反転せしめることにより書き込
みを可能にし、さらに光または熱による焦電効果を利用
して読み出すことができるというものである。
このような強誘電性高分子を光メモリーとして使用する
場合には、該メモリーに照射される光に対する吸収効率
は重要な要素となるが、ＰＶＤ系重合体膜は一般に光透
過性が高く、高出力のレーザー光等を必要とし、実用化
に際して大きな問題となっていた。
場合には、該メモリーに照射される光に対する吸収効率
は重要な要素となるが、ＰＶＤ系重合体膜は一般に光透
過性が高く、高出力のレーザー光等を必要とし、実用化
に際して大きな問題となっていた。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は上記した高分子光メモリーにおける問題点を解
決すること、すなわち、ＰＶＤ系玉金玉合体記録層射さ
れる光エネルギーを熱エネルギーに変換する効率（以下
光熱変換効率と略す）を向上せしめ、より高感度の強誘
電性高分子記録媒体を提供することを目的とするもので
ある。
決すること、すなわち、ＰＶＤ系玉金玉合体記録層射さ
れる光エネルギーを熱エネルギーに変換する効率（以下
光熱変換効率と略す）を向上せしめ、より高感度の強誘
電性高分子記録媒体を提供することを目的とするもので
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明者は従来より上記ＰＶＤ系重合体の光熱変換効率
を改善するため研究を重ねてきたが、該光記録媒体の記
録層を形成するＰＶＤ系重合体層中に可飽和色素を分散
するか、あるいは該層の近傍に可飽和色素を含む光吸収
層を設けることが有効であることを見出し、本発明に至
った。
を改善するため研究を重ねてきたが、該光記録媒体の記
録層を形成するＰＶＤ系重合体層中に可飽和色素を分散
するか、あるいは該層の近傍に可飽和色素を含む光吸収
層を設けることが有効であることを見出し、本発明に至
った。
すなわち、本発明は、ビニリデン系重合体からなる記録
層を有する強誘電性高分子光記録媒体において、該記録
層がそこに分散された一揮以上の可飽和色素を含むか、
あるいは該記録層の近傍に設けた可飽和色素を含む光吸
収層を有することを特徴とする強誘電性高分子光記録媒
体である。
層を有する強誘電性高分子光記録媒体において、該記録
層がそこに分散された一揮以上の可飽和色素を含むか、
あるいは該記録層の近傍に設けた可飽和色素を含む光吸
収層を有することを特徴とする強誘電性高分子光記録媒
体である。
以下本発明の構成を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の強誘電性高分子記録媒体のうち記録層
中に可飽和色素を分散した場合の構成モデル図である。
中に可飽和色素を分散した場合の構成モデル図である。
この図中の １が該光記録媒体の記録層であるＰＶＤ系
重合体膜から成る部分である。２．３及び４は夫々、下
部電極、基板及び上部電極である。さらに第２図は本発
明の強誘電性高分子記録媒体において、光吸収層５を設
けた場合の構成モデル図である。第３図ａ、ｂ、ｃ、ｄ
及びｅは本発明に於ける、記録層と光吸収層とを積層構
造とした場合の構成モデルを表した例である。即ち、光
吸収層は、記録層の上部（基板側とは、反対方向）（ａ
）或いは、その下部（ｂ）に形成しても良い。ここで、
記録層と光吸収層とは、夫々、単層である必要はなく、
光吸収層が記録層に挾まれた構造（Ｃ）、或いは、逆に
、記録層が光吸収層に挾まれた構造（ｄ）でも良い。更
に、記録層と光吸収層とを交互に積層した構造（ｅ）で
も良い。また該光吸収層は必ずしも記録層に接している
必要もない。
重合体膜から成る部分である。２．３及び４は夫々、下
部電極、基板及び上部電極である。さらに第２図は本発
明の強誘電性高分子記録媒体において、光吸収層５を設
けた場合の構成モデル図である。第３図ａ、ｂ、ｃ、ｄ
及びｅは本発明に於ける、記録層と光吸収層とを積層構
造とした場合の構成モデルを表した例である。即ち、光
吸収層は、記録層の上部（基板側とは、反対方向）（ａ
）或いは、その下部（ｂ）に形成しても良い。ここで、
記録層と光吸収層とは、夫々、単層である必要はなく、
光吸収層が記録層に挾まれた構造（Ｃ）、或いは、逆に
、記録層が光吸収層に挾まれた構造（ｄ）でも良い。更
に、記録層と光吸収層とを交互に積層した構造（ｅ）で
も良い。また該光吸収層は必ずしも記録層に接している
必要もない。
本発明において記録層を構成するＰＶＤ系重合体には種
々の化合物が報告されているが、本記録媒体においては
強誘電性を有し、かつ誘電ヒステリシス測定で矩形ある
い１≠、それに出来る限り近い形状を示すようなものが
望ましく、たとえばふり化ビニリデンのホモ重合体、及
びふり化ビニリデンを５０重量％以上含むふり化ビニリ
デン共重合体を挙げることができる。該共重合体として
はふっ化ビニリデンと三ふっ化エチレン、六ふっ化プロ
ピレン、三ふっ化塩化エチレン等との共重合体等を挙げ
ることができる。
々の化合物が報告されているが、本記録媒体においては
強誘電性を有し、かつ誘電ヒステリシス測定で矩形ある
い１≠、それに出来る限り近い形状を示すようなものが
望ましく、たとえばふり化ビニリデンのホモ重合体、及
びふり化ビニリデンを５０重量％以上含むふり化ビニリ
デン共重合体を挙げることができる。該共重合体として
はふっ化ビニリデンと三ふっ化エチレン、六ふっ化プロ
ピレン、三ふっ化塩化エチレン等との共重合体等を挙げ
ることができる。
また、ポリシアン化ビニリデン、シアン化ビニリデン及
び酢酸ビニル共重合体等も挙げられるが、これらの中で
も弗化ビニリデン及び三弗化エチレン共重合体ｃ以下Ｐ
（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）と略す］が最も好ましい。
び酢酸ビニル共重合体等も挙げられるが、これらの中で
も弗化ビニリデン及び三弗化エチレン共重合体ｃ以下Ｐ
（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）と略す］が最も好ましい。
該記録層のＰＶＤ系重合体膜を製膜する方法としては浸
漬コーティング、スプレーコーティング、スピナーコー
ティング、ブレードコーティング、ローラコーティング
、カーテンコーティング等の溶液塗布法によって形成す
ることができる。この中でも浸漬コーティングやスピナ
ーコーティングによるものが該ＰＶＤ系重合体膜を均一
な膜厚に形成する上に、超薄膜が得られる点からも好ま
しい。
漬コーティング、スプレーコーティング、スピナーコー
ティング、ブレードコーティング、ローラコーティング
、カーテンコーティング等の溶液塗布法によって形成す
ることができる。この中でも浸漬コーティングやスピナ
ーコーティングによるものが該ＰＶＤ系重合体膜を均一
な膜厚に形成する上に、超薄膜が得られる点からも好ま
しい。
上記記録層に誘起される焦電効果を検知する電極は、少
なくとも光が最初に入射する側の電極の一つが入射光に
対して透明或いは半透明であれば良い。透明電極の例と
してはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）電
極が知られている。半透明電極としては蒸着、ＣＶＤ或
いはスパッタリング等の方法で金、白金、銀、スズ、銅
、鉛、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、タンタル、チタ
ン、コバルト、ニオブ、パラジウム或いはスズ等の金属
を薄膜化した電極を挙げることができる。
なくとも光が最初に入射する側の電極の一つが入射光に
対して透明或いは半透明であれば良い。透明電極の例と
してはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）電
極が知られている。半透明電極としては蒸着、ＣＶＤ或
いはスパッタリング等の方法で金、白金、銀、スズ、銅
、鉛、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、タンタル、チタ
ン、コバルト、ニオブ、パラジウム或いはスズ等の金属
を薄膜化した電極を挙げることができる。
光吸収層は入射された光エネルギーを熱エネルギーに変
換し、これを効率良（記録層に伝送できる構造を形成し
ていれば良い。即ち、光吸収層は記録層に対していずれ
の側に設けられていても良く、又記録層に挾まれた累積
構造、或いは逆に記録層を挾んだ累積構造を形成してい
ても良い。更に、この光吸収層は必ずしも記録層に接し
ている必要はないが、接していることが望ましい。
換し、これを効率良（記録層に伝送できる構造を形成し
ていれば良い。即ち、光吸収層は記録層に対していずれ
の側に設けられていても良く、又記録層に挾まれた累積
構造、或いは逆に記録層を挾んだ累積構造を形成してい
ても良い。更に、この光吸収層は必ずしも記録層に接し
ている必要はないが、接していることが望ましい。
本発明で用いられる光吸収層を成す光増感剤は、後述す
る光源の選択の余地が狭い故に第−義的に光源の照射波
長に依存する。入射光エネルギーを効率良く捕捉する為
に、その入射光子に対する吸収断面積が極力大きい光増
感剤が望ましい。本発明における吸収断面積の好ましい
値は、用いる光源のパワー密度の依存するものの、一般
的には電極部分からの熱エネルギーの逃散を考慮して、
１．５ Ｘ １０−” ｃｍ’程度以上である。更に光
増感剤は記録層に誘起される焦電効果を妨げぬ様導電性
の低い事が望ましい。この様な条件を満たすものとして
、レーザー分光学の分野で、レーザーパルスの形状を改
善する目的で使用されてきた可飽和色素がある。可飽和
色素の多くはポリメチン色素類に属しているものの必ず
しもこの限りではない。この色素の具体例としては、過
塩素酸５，５°−シクロ−１，１゛−ジフェニルアミノ
−３，３°−ジエチル−１０，１２−エチレンチアトリ
カルボシアニン（ＩＲ１４０）、過塩素酸１，１°、
３．３．３°、３°−へキサメチル−２゜２’−（６，
６°、７．７”−ジベンゾ）インドトリカルボシアニン
（ＥＤＩＴＣＰ）、ヨウ化３，３゜−ジエチル−９
，１１−ネオペンチレンチアトリカルボシアニン（ＤＮ
ＴＴＣＩ） 、ヨウ化１，１°、３．３，３°、３°−
ヘキサメチル−２，２°−インドトリカルボシアニン（
ＢＩＴＣＩ）、ネオシアニン（ＮＣＩ）、ヨウ化ｔ、ｔ
’−ジエチル−２，２°−ジカルボシアニン（ＤＤＣＩ
）、クリプトシアニン、ヨウ化１．１’、 ３．３．３
’、３°−へキサメチル−２，２°−インドジカルボシ
アニン（ＨＩＤＣＩ）、ヨウ化ジエチル−２，２°−チ
アジカルボシアニン（ＤＴＤＣＩ） 、ヨウ化１．３°
−ジエチル−４，２−キノリルチアカルボシアニン（Ｄ
ＱＴＣＩ）、及びヨウ化３．３°−ジエチルオキサジカ
ルボシア二ン（ＤＯＤＣＩ）等を挙げることができる。
る光源の選択の余地が狭い故に第−義的に光源の照射波
長に依存する。入射光エネルギーを効率良く捕捉する為
に、その入射光子に対する吸収断面積が極力大きい光増
感剤が望ましい。本発明における吸収断面積の好ましい
値は、用いる光源のパワー密度の依存するものの、一般
的には電極部分からの熱エネルギーの逃散を考慮して、
１．５ Ｘ １０−” ｃｍ’程度以上である。更に光
増感剤は記録層に誘起される焦電効果を妨げぬ様導電性
の低い事が望ましい。この様な条件を満たすものとして
、レーザー分光学の分野で、レーザーパルスの形状を改
善する目的で使用されてきた可飽和色素がある。可飽和
色素の多くはポリメチン色素類に属しているものの必ず
しもこの限りではない。この色素の具体例としては、過
塩素酸５，５°−シクロ−１，１゛−ジフェニルアミノ
−３，３°−ジエチル−１０，１２−エチレンチアトリ
カルボシアニン（ＩＲ１４０）、過塩素酸１，１°、
３．３．３°、３°−へキサメチル−２゜２’−（６，
６°、７．７”−ジベンゾ）インドトリカルボシアニン
（ＥＤＩＴＣＰ）、ヨウ化３，３゜−ジエチル−９
，１１−ネオペンチレンチアトリカルボシアニン（ＤＮ
ＴＴＣＩ） 、ヨウ化１，１°、３．３，３°、３°−
ヘキサメチル−２，２°−インドトリカルボシアニン（
ＢＩＴＣＩ）、ネオシアニン（ＮＣＩ）、ヨウ化ｔ、ｔ
’−ジエチル−２，２°−ジカルボシアニン（ＤＤＣＩ
）、クリプトシアニン、ヨウ化１．１’、 ３．３．３
’、３°−へキサメチル−２，２°−インドジカルボシ
アニン（ＨＩＤＣＩ）、ヨウ化ジエチル−２，２°−チ
アジカルボシアニン（ＤＴＤＣＩ） 、ヨウ化１．３°
−ジエチル−４，２−キノリルチアカルボシアニン（Ｄ
ＱＴＣＩ）、及びヨウ化３．３°−ジエチルオキサジカ
ルボシア二ン（ＤＯＤＣＩ）等を挙げることができる。
該光吸収層は、これらの色素を記録層に分散させるか、
上記可飽和色素そのものの膜として、或いは、これを他
の適当な高分子膜に分散させて形成して良い。後者の目
的に使用し得る高分子としては、一般に、ポリメチルメ
タクリレート（ＰＭＭＡ） 、ポリスチレン、ポリビニ
ルアルコール（ＰＶＡ） 、ポリビニルブチラール、ポ
リアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステ
ル等を挙げる事ができる。いずれの。
上記可飽和色素そのものの膜として、或いは、これを他
の適当な高分子膜に分散させて形成して良い。後者の目
的に使用し得る高分子としては、一般に、ポリメチルメ
タクリレート（ＰＭＭＡ） 、ポリスチレン、ポリビニ
ルアルコール（ＰＶＡ） 、ポリビニルブチラール、ポ
リアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステ
ル等を挙げる事ができる。いずれの。
光吸収層を作製するにせよ、その方法は、先に記録層の
形成に関して列記した方法が、全て利用できる。
形成に関して列記した方法が、全て利用できる。
該光吸収層の線吸収係数は、上記記録層で分極の反転を
誘起するに足る充分なエネルギーを吸収する為に、一般
にはｌ Ｘ １Ｇ ３０ｍ−’程度以上でなければなら
ない。他方、可飽和色素の量が多過ぎると、その色素の
劣化が起きる事もあり得、光熱変換効率の低下する可能
性がある。また記録層に分散させる場合に色素の量が多
すぎると記録層の絶縁性が減少し、メモリー信号の安定
性の低下及びノイズ成分の上昇を惹起する可能性もある
。
誘起するに足る充分なエネルギーを吸収する為に、一般
にはｌ Ｘ １Ｇ ３０ｍ−’程度以上でなければなら
ない。他方、可飽和色素の量が多過ぎると、その色素の
劣化が起きる事もあり得、光熱変換効率の低下する可能
性がある。また記録層に分散させる場合に色素の量が多
すぎると記録層の絶縁性が減少し、メモリー信号の安定
性の低下及びノイズ成分の上昇を惹起する可能性もある
。
本発明に用いられる基板は電極同様入射光に対して透明
であり、且つ隣接する電極に対して絶縁性を有していれ
ば良い。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレンなど
のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
スチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニアセート、ポリアミド、ポリ
イミド、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂
及び上記の誘導体等の各種プラスチックやガラス、石英
板、セラミックなどを挙げることができる。
であり、且つ隣接する電極に対して絶縁性を有していれ
ば良い。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレンなど
のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
スチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニアセート、ポリアミド、ポリ
イミド、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂
及び上記の誘導体等の各種プラスチックやガラス、石英
板、セラミックなどを挙げることができる。
照射光源はパワー密度が大きく、本発明のメモリーの高
い記録密度を可能にするものが好ましい。これらの条件
を満たすものの一例としてレーザーが有る。レーザーに
は固体レーザー（ｆＰＪ、ルビーレーザー Ｎｄ−ＹＡ
Ｇレーザー等）、液体レーザー（例、色素レーザー等）
、気体レーザー（例、Ｈｅ−、ＮｅレーザーＡｒ−レー
ザー Ａｒ”レーザー等）及び半導体レーザー等がある
。本発明を利用する上で用いるレーザーの発振波長には
特に制限はなく、一般には上述の如く、記録密度が向上
する様できる丈短波長のものが好ましい。この目的に沿
ってレーザーの発振波長の倍波を得る為に非線形光学特
性を有する波長変換素子をレーザー光の光路に設けても
よい。波長変換素子の具体例としてニオブ酸リチウム、
及びＫＤＰ（Ｘ１１２ ＰＯ４）等の結晶が知られてい
る。これら種々の要請の中で現状で本発明の光メモリー
を利用する装置の小型軽量化および経済性等を加えて、
総合的に判断すると、現状では上記各種レーザーの中で
半導体レーザーの使用が望ましい。現在実用化されてい
るものとしてはＡ Ｉ ＧａＡｓ系（発振波長： ７ｇ
０ｎｓ）及びＧａＡｓ系（発振波長： ８３０ ｎｓ）
等の半導体レーザーを挙げることができる。
い記録密度を可能にするものが好ましい。これらの条件
を満たすものの一例としてレーザーが有る。レーザーに
は固体レーザー（ｆＰＪ、ルビーレーザー Ｎｄ−ＹＡ
Ｇレーザー等）、液体レーザー（例、色素レーザー等）
、気体レーザー（例、Ｈｅ−、ＮｅレーザーＡｒ−レー
ザー Ａｒ”レーザー等）及び半導体レーザー等がある
。本発明を利用する上で用いるレーザーの発振波長には
特に制限はなく、一般には上述の如く、記録密度が向上
する様できる丈短波長のものが好ましい。この目的に沿
ってレーザーの発振波長の倍波を得る為に非線形光学特
性を有する波長変換素子をレーザー光の光路に設けても
よい。波長変換素子の具体例としてニオブ酸リチウム、
及びＫＤＰ（Ｘ１１２ ＰＯ４）等の結晶が知られてい
る。これら種々の要請の中で現状で本発明の光メモリー
を利用する装置の小型軽量化および経済性等を加えて、
総合的に判断すると、現状では上記各種レーザーの中で
半導体レーザーの使用が望ましい。現在実用化されてい
るものとしてはＡ Ｉ ＧａＡｓ系（発振波長： ７ｇ
０ｎｓ）及びＧａＡｓ系（発振波長： ８３０ ｎｓ）
等の半導体レーザーを挙げることができる。
以上説明した各要素から構成される本発明の強誘電性高
分子光記録媒体は、大略、光メモリーとして、以下の様
に機能する。即ち、先ず、強い電解を記録層に印加し、
強銹電性高分子の分極を一方向に配向させる（ポーリン
グ処理）。
分子光記録媒体は、大略、光メモリーとして、以下の様
に機能する。即ち、先ず、強い電解を記録層に印加し、
強銹電性高分子の分極を一方向に配向させる（ポーリン
グ処理）。
次いで、抗電界以下の弱い逆電界存在下に同媒体を置き
、記録層の任意の位置に光ビームを照射する。光の照射
された部分のみで発生した熱は、その部分の分極に限り
反転させる。かくして、選択的、且つ、局所的に記録の
書込みが行われる。この記録の読出しは、光或いは熱に
依る焦電効果を利用して行う。
、記録層の任意の位置に光ビームを照射する。光の照射
された部分のみで発生した熱は、その部分の分極に限り
反転させる。かくして、選択的、且つ、局所的に記録の
書込みが行われる。この記録の読出しは、光或いは熱に
依る焦電効果を利用して行う。
以下実施例をもって本発明を具体的に説明する。本発明
はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
実施例１
５ｖｔ％の可飽和色素ＤＮＴＴＣＩ （７７０ｎｍに
於ける吸収断面積σ−２，５Ｘ １０−” ｃｍ’ ）
を含む、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとのコポ
リ？ −Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）（ＴｒＦＥのＶＤＦ
に対するモル比は３１７）の溶液を、厚さ １ｍｍのＩ
ＴＯガラス上にスピンコード法により、厚さ １μ霞に
なる様塗布し、更にこの薄膜の乾燥を待って、アルミニ
ウムを蒸着させた。次いでＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の
薄膜に １００ｖの電圧を印加し、ポーリング処理を行
った。如くして得られたサンプルに２５Ｖの逆電界の存
在下、発振波長７ｇ０ｎｍで照射強度１．８ａ＋Ｗの半
導体レーザービーム（ビーム半径＝２．５μＩｌ）をＩ
ＴＯ電極を通して、Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）層に数箇
所照射し情報の書込みを行った。
於ける吸収断面積σ−２，５Ｘ １０−” ｃｍ’ ）
を含む、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとのコポ
リ？ −Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）（ＴｒＦＥのＶＤＦ
に対するモル比は３１７）の溶液を、厚さ １ｍｍのＩ
ＴＯガラス上にスピンコード法により、厚さ １μ霞に
なる様塗布し、更にこの薄膜の乾燥を待って、アルミニ
ウムを蒸着させた。次いでＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の
薄膜に １００ｖの電圧を印加し、ポーリング処理を行
った。如くして得られたサンプルに２５Ｖの逆電界の存
在下、発振波長７ｇ０ｎｍで照射強度１．８ａ＋Ｗの半
導体レーザービーム（ビーム半径＝２．５μＩｌ）をＩ
ＴＯ電極を通して、Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）層に数箇
所照射し情報の書込みを行った。
次に１ＯｋＨｚで変調され、且つ照射強度の０．１６Ｉ
ＩＷに減じた上記レーザービームを上記記録層に照射し
、二つの電極間に生じた焦電電流を計測し、情報の読出
しを行った処、そのＳ／Ｎ比は５１ｄＢであった。
ＩＷに減じた上記レーザービームを上記記録層に照射し
、二つの電極間に生じた焦電電流を計測し、情報の読出
しを行った処、そのＳ／Ｎ比は５１ｄＢであった。
実施例２
可飽和色素ＨＩ Ｔ ＣＩ （７４０ｎｍに於けるσ−
４，４Ｘ １０’″１６ ｃ１２ ）を用いる他は実施
例１と同じ操作を行い、焦電電流信号のＳ／Ｎ比を測定
した処、５３ｄＢであった。
４，４Ｘ １０’″１６ ｃ１２ ）を用いる他は実施
例１と同じ操作を行い、焦電電流信号のＳ／Ｎ比を測定
した処、５３ｄＢであった。
比較例１
可飽和色素を含まないＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）を用い
る他は実施例１と同じ操作を行い、焦電電流Ｓ／Ｎ比を
ＤＩ定した処３０ｄＢであった。
る他は実施例１と同じ操作を行い、焦電電流Ｓ／Ｎ比を
ＤＩ定した処３０ｄＢであった。
比較例２
下記構造式で表わされる金属錯体色素（３ｖｔ％）を用
いる他は、実施例１と同じ操作を行い、焦電電流信号の
Ｓ／Ｎ比を測定した処、４５ｄＢであった。
いる他は、実施例１と同じ操作を行い、焦電電流信号の
Ｓ／Ｎ比を測定した処、４５ｄＢであった。
実施例３
スピンコーティングにより、１ＩＩＩ１１の厚さの■Ｔ
Ｏガラス上に、ＴｒＦＥのＶＤＦに対するモル比の、３
／７であるＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）溶液を、厚さが１
μｌになる様に塗布した。この薄膜の乾燥を待って、可
飽和色素ＤＮＴＴＣ１（７７０ｎｍに於ける吸収断面積
ａ ＝ ２．５Ｘ １１０−１６ａ’）を、同じくス
ピンコーティングに依す、厚さが約０．１μｍになる様
に塗布した。脱気乾燥後、上部電極として、アルミニウ
ムを蒸着させた。次にＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の薄膜
に、１００■の電圧を印加し、ポーリング処理を行った
。かくして得られたサンプルを、２．５Ｖの逆電界の存
在下に置き、発振波長、照射強度、及び、ビーム径が、
夫々、７８０ｎｍ、１８ｍＶ、及び２．５μｍである半
導体レーザー光を、ＩＴＯ電極を通じて、Ｐ （ＶＤＦ
−ＴｒＦＥ）層の数箇所に照射し、情報の書込みを行っ
た。
Ｏガラス上に、ＴｒＦＥのＶＤＦに対するモル比の、３
／７であるＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）溶液を、厚さが１
μｌになる様に塗布した。この薄膜の乾燥を待って、可
飽和色素ＤＮＴＴＣ１（７７０ｎｍに於ける吸収断面積
ａ ＝ ２．５Ｘ １１０−１６ａ’）を、同じくス
ピンコーティングに依す、厚さが約０．１μｍになる様
に塗布した。脱気乾燥後、上部電極として、アルミニウ
ムを蒸着させた。次にＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の薄膜
に、１００■の電圧を印加し、ポーリング処理を行った
。かくして得られたサンプルを、２．５Ｖの逆電界の存
在下に置き、発振波長、照射強度、及び、ビーム径が、
夫々、７８０ｎｍ、１８ｍＶ、及び２．５μｍである半
導体レーザー光を、ＩＴＯ電極を通じて、Ｐ （ＶＤＦ
−ＴｒＦＥ）層の数箇所に照射し、情報の書込みを行っ
た。
次に、この情報の読出しを行う為に、１ｏｋＨｚで変調
され、且つ、照射強度を０．１８ｍＷに減じた同レーザ
ー光を上記記録層に照射し、上部、及び、下部の両電極
間に生じた焦電電流を計測した。そのＳ／Ｎ比は４９ｄ
Ｂであった。
され、且つ、照射強度を０．１８ｍＷに減じた同レーザ
ー光を上記記録層に照射し、上部、及び、下部の両電極
間に生じた焦電電流を計測した。そのＳ／Ｎ比は４９ｄ
Ｂであった。
実施例４
可飽和色素ＨＩ Ｔ ＣＩ （７４０ｎａ＋ｌこおける
σ−４，４Ｘ １０−１６ｃｍ２）を用いる他は、実施
例３と同じ操作を行い焦電電流を計測した処、そのＳ／
Ｎ比は５０ｄＢであった。
σ−４，４Ｘ １０−１６ｃｍ２）を用いる他は、実施
例３と同じ操作を行い焦電電流を計測した処、そのＳ／
Ｎ比は５０ｄＢであった。
［効 果］
以上の説明から明らかなように、本発明の構成にしたが
って、光熱変換効率の乏しいＰＶＤ系重合体記録層中に
可飽和色素を分散、混合することによって、あるいは該
記録層近傍に可飽和色素を含む光吸収層を設けることに
よって該効率を向上せしめ、ＰＶＤ系重合体を記録層と
する強誘電性高分子光記録媒体の感度を増大せしめるこ
とができ、半導体レーザーのような低いパワーの照射光
に対しても極めて鋭敏に反応して、書き込み、読み出し
及び消去という一連の動作を行うことができるという顕
著な効果を奏するものである。
って、光熱変換効率の乏しいＰＶＤ系重合体記録層中に
可飽和色素を分散、混合することによって、あるいは該
記録層近傍に可飽和色素を含む光吸収層を設けることに
よって該効率を向上せしめ、ＰＶＤ系重合体を記録層と
する強誘電性高分子光記録媒体の感度を増大せしめるこ
とができ、半導体レーザーのような低いパワーの照射光
に対しても極めて鋭敏に反応して、書き込み、読み出し
及び消去という一連の動作を行うことができるという顕
著な効果を奏するものである。
第１図は本発明の強誘電性高分子記録媒体のうち記録°
層中に可飽和色素を分散した場合の構成を説明する図、
第２図は同記録媒体において光吸収層を設けた場合の構
成を説明する図、第３図ａ〜第３図ｅは光吸収層と記録
層とを積層構造とした場合の各埋態様を説明する図。 ■・・・記録層、２・・・下部電極、３・・・基板、４
・・・上部電極、５・・・光吸収層。
層中に可飽和色素を分散した場合の構成を説明する図、
第２図は同記録媒体において光吸収層を設けた場合の構
成を説明する図、第３図ａ〜第３図ｅは光吸収層と記録
層とを積層構造とした場合の各埋態様を説明する図。 ■・・・記録層、２・・・下部電極、３・・・基板、４
・・・上部電極、５・・・光吸収層。
Claims (1)
- ビニリデン系重合体からなる記録層を有する強誘電性高
分子光記録媒体において、該記録層がそこに分散された
一種以上の可飽和色素を含むか、あるいは該記録層の近
傍に設けた可飽和色素を含む光吸収層を有することを特
徴とする強誘電性高分子光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084878A JPH02257492A (ja) | 1988-12-09 | 1989-04-05 | 強誘導性高分子光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30987788 | 1988-12-09 | ||
| JP63-309877 | 1988-12-09 | ||
| JP1084878A JPH02257492A (ja) | 1988-12-09 | 1989-04-05 | 強誘導性高分子光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02257492A true JPH02257492A (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=26425852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1084878A Pending JPH02257492A (ja) | 1988-12-09 | 1989-04-05 | 強誘導性高分子光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02257492A (ja) |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1084878A patent/JPH02257492A/ja active Pending
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