JPH06244165A - 回転処理装置 - Google Patents
回転処理装置Info
- Publication number
- JPH06244165A JPH06244165A JP2670993A JP2670993A JPH06244165A JP H06244165 A JPH06244165 A JP H06244165A JP 2670993 A JP2670993 A JP 2670993A JP 2670993 A JP2670993 A JP 2670993A JP H06244165 A JPH06244165 A JP H06244165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gravity
- center
- balancer
- block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン、ガラス、アルミ等の基板の洗浄、
フォトレジスト塗布、現像、剥離、エッチング、乾燥等
の処理を行う回転処理装置の耐薬品性を向上し、同時に
回転速度を高速化する。 【構成】 回転テーブルとその上に設けたブロックとピ
ン等をにより基板を保持して回転する回転処理装置にお
いて、テーブル下面にバランサを設け、少なくともテー
ブル、ブロック、ピン、バランサ等をポリエチレン、ポ
リテトラフロロエチレン等で構成して耐薬品性を向上す
ると同時に軽量化する。また、テーブル、ブロック、ピ
ン、および基板等による重心とバランサの重心を合成し
た重心が回転するテーブルの遠心力作用面に来るように
する。 【効果】 テーブルには遠心力による曲げ力が作用しな
いので、回転を高速化し、同時に処理時間を短縮するこ
とができる。また、軽量化によりモータや装置を小型化
することができる。
フォトレジスト塗布、現像、剥離、エッチング、乾燥等
の処理を行う回転処理装置の耐薬品性を向上し、同時に
回転速度を高速化する。 【構成】 回転テーブルとその上に設けたブロックとピ
ン等をにより基板を保持して回転する回転処理装置にお
いて、テーブル下面にバランサを設け、少なくともテー
ブル、ブロック、ピン、バランサ等をポリエチレン、ポ
リテトラフロロエチレン等で構成して耐薬品性を向上す
ると同時に軽量化する。また、テーブル、ブロック、ピ
ン、および基板等による重心とバランサの重心を合成し
た重心が回転するテーブルの遠心力作用面に来るように
する。 【効果】 テーブルには遠心力による曲げ力が作用しな
いので、回転を高速化し、同時に処理時間を短縮するこ
とができる。また、軽量化によりモータや装置を小型化
することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン、ガラス、アル
ミ等の基板の洗浄、フォトレジスト塗布、現像、剥離、
エッチング処理、処理後の乾燥処理等に用いる基板の回
転処理装置に係り、とくにその回転バランスの改善と高
速回転化に係る。
ミ等の基板の洗浄、フォトレジスト塗布、現像、剥離、
エッチング処理、処理後の乾燥処理等に用いる基板の回
転処理装置に係り、とくにその回転バランスの改善と高
速回転化に係る。
【0002】
【従来の技術】特開平3−179736号公報には図2
に示すように、回転テーブル3上の周辺部に設けた複数
のブロック(支持片)4を設けて液体洗浄等の処理を行
うことが開示されている。ブロック4の上にはピン5が
取付けられ、ウエハ(被洗浄物)の周辺部を保持するた
めの段差が形成され、また、テーブル3との間に基板1
の裏面の液体を除去するための隙間が設けられている。
テーブル3の回転によりウエハ1上の洗浄液に遠心力が
作用して洗浄液が除去される。また、特開昭61−58
238号公報には、回転テーブル上に立てられた支柱に
設けた第1の孔、および/または回転テーブル上の径方
向に設けた第2の孔にバランス調整体を係止して、回転
テーブル上に異なるウエハ数を収容するウエハケ−スを
複数配置した際に生じる回転アンバランスを調整するこ
とが開示されている。
に示すように、回転テーブル3上の周辺部に設けた複数
のブロック(支持片)4を設けて液体洗浄等の処理を行
うことが開示されている。ブロック4の上にはピン5が
取付けられ、ウエハ(被洗浄物)の周辺部を保持するた
めの段差が形成され、また、テーブル3との間に基板1
の裏面の液体を除去するための隙間が設けられている。
テーブル3の回転によりウエハ1上の洗浄液に遠心力が
作用して洗浄液が除去される。また、特開昭61−58
238号公報には、回転テーブル上に立てられた支柱に
設けた第1の孔、および/または回転テーブル上の径方
向に設けた第2の孔にバランス調整体を係止して、回転
テーブル上に異なるウエハ数を収容するウエハケ−スを
複数配置した際に生じる回転アンバランスを調整するこ
とが開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】洗浄等の液体を用いる
処理の後には、その液体を処理基板から除去する乾燥工
程が必須である。回転機構を持つ装置では、基板を高速
で回転させてそれにより発生する遠心力で基板に付着し
ている液体の除去を行う。図3は上記図2の従来装置の
ブロック4に基板1を載置した状態を示す斜視図であ
る。基板1はピン5により位置決めされて洗浄等の処理
を受け、基板表面の洗浄液は洗浄後にテーブル3を高速
回転して除去される。また、遠心力により除去された洗
浄液はテ−ブル3を取り囲むように形成されたカップ2
によって受け取られカップ外に流出される。
処理の後には、その液体を処理基板から除去する乾燥工
程が必須である。回転機構を持つ装置では、基板を高速
で回転させてそれにより発生する遠心力で基板に付着し
ている液体の除去を行う。図3は上記図2の従来装置の
ブロック4に基板1を載置した状態を示す斜視図であ
る。基板1はピン5により位置決めされて洗浄等の処理
を受け、基板表面の洗浄液は洗浄後にテーブル3を高速
回転して除去される。また、遠心力により除去された洗
浄液はテ−ブル3を取り囲むように形成されたカップ2
によって受け取られカップ外に流出される。
【0004】しかし、上記ブロック4、ピン5等の重心
が重心位置11にあるため、テーブル3の回転に伴う遠
心力によりテーブル3とブロック4、ピン5等が図5
(a)(静止時の状態)から同図(b)に示すように曲
げられ、基板1の保持がゆるみんで回転を高速化すると
基板が外れ飛散するという問題があった。このため回転
を十分に高速化してスル−プットを向上することができ
なかった。なお、図4の9は上記回転速度と基板1−ピ
ン5間の隙間dの関係図である。
が重心位置11にあるため、テーブル3の回転に伴う遠
心力によりテーブル3とブロック4、ピン5等が図5
(a)(静止時の状態)から同図(b)に示すように曲
げられ、基板1の保持がゆるみんで回転を高速化すると
基板が外れ飛散するという問題があった。このため回転
を十分に高速化してスル−プットを向上することができ
なかった。なお、図4の9は上記回転速度と基板1−ピ
ン5間の隙間dの関係図である。
【0005】従来装置ではテーブル3にアルミやステン
レスのような金属を用いてその曲げ剛性を高め、上記隙
間dを短縮するようにしていた。しかし、これらの金属
はウエハ処理用の液体の種類により腐食するので使用で
きない場合があった。例えば、アルミはアルカリ系の液
体により腐食、溶解し、また、処理液が塩素イオンを含
むとステンレスは錆が発生する。このため、すると、剛
性を高めるためにテ−ブル3を厚くする必要があり、こ
の結果、回転機構やそのモ−タ等が大形化して装置を小
型軽量化できないという問題があった。
レスのような金属を用いてその曲げ剛性を高め、上記隙
間dを短縮するようにしていた。しかし、これらの金属
はウエハ処理用の液体の種類により腐食するので使用で
きない場合があった。例えば、アルミはアルカリ系の液
体により腐食、溶解し、また、処理液が塩素イオンを含
むとステンレスは錆が発生する。このため、すると、剛
性を高めるためにテ−ブル3を厚くする必要があり、こ
の結果、回転機構やそのモ−タ等が大形化して装置を小
型軽量化できないという問題があった。
【0006】また、特開昭61−58238号公報の方
法ではウエハが収容ケ−ス内の収容されるため、図2の
装置のようにウエハが外れるという問題が発生しない。
これに対して図2の装置はウエハを1枚ごとに洗浄する
ものであり、ウエハの下面からも洗浄液を吹き付けるの
で回転テーブルを腕が回転軸から放射状に伸びた形状と
している。
法ではウエハが収容ケ−ス内の収容されるため、図2の
装置のようにウエハが外れるという問題が発生しない。
これに対して図2の装置はウエハを1枚ごとに洗浄する
ものであり、ウエハの下面からも洗浄液を吹き付けるの
で回転テーブルを腕が回転軸から放射状に伸びた形状と
している。
【0007】特開昭61−58238号公報の方法では
バランス調整体を回転テーブルの上面に設けるので、こ
の方法を図2の装置に適用するとバランス調整体に作用
する遠心力によりピン5とウエハ1間の隙間dがされに
拡大されることになる。本発明の目的は上記図2の構成
において、ポリ塩化ビニ−ル、ポリアセタ−ル、ポリプ
ロピレン、ポリエチレン、ポリテトラフロロエチレンな
どの耐薬品性に優れる材料を用いて耐薬品性を高め、同
時に回転速度をさらに高速化することのできる回転処理
装置を提供することにある。
バランス調整体を回転テーブルの上面に設けるので、こ
の方法を図2の装置に適用するとバランス調整体に作用
する遠心力によりピン5とウエハ1間の隙間dがされに
拡大されることになる。本発明の目的は上記図2の構成
において、ポリ塩化ビニ−ル、ポリアセタ−ル、ポリプ
ロピレン、ポリエチレン、ポリテトラフロロエチレンな
どの耐薬品性に優れる材料を用いて耐薬品性を高め、同
時に回転速度をさらに高速化することのできる回転処理
装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、上面に基板を保持するためのブロックとピンを設け
た回転テーブルを回転させながら基板処理を行う回転処
理装置において、回転テーブルの下面のバランサを設
け、上記回転テーブル、ブロック、ピンの重心とバラン
サの重心の合成重心が回転テーブルの遠心力作用面上に
くるようにする。
に、上面に基板を保持するためのブロックとピンを設け
た回転テーブルを回転させながら基板処理を行う回転処
理装置において、回転テーブルの下面のバランサを設
け、上記回転テーブル、ブロック、ピンの重心とバラン
サの重心の合成重心が回転テーブルの遠心力作用面上に
くるようにする。
【0009】また、上記回転処理装置により基板の乾燥
処理、または洗浄処理、またはフォトレジスト塗布処
理、またはフォトレジスト現像処理、またはエッチング
処理、またはフォトレジスト剥離処理等を行うようにす
る。また、上記回転処理装置によりシリコンウェハ、ま
たは半導体素子製造用基板、またはガラス板、または液
晶表示素子製造用基板、またはフォトマスク製造用基
板、または磁気ディスク製造用基板、またはアルミ板等
の基板を処理するようにする。また、上記ブロックとピ
ンとバランサを異なる材質のもので構成するようにす
る。
処理、または洗浄処理、またはフォトレジスト塗布処
理、またはフォトレジスト現像処理、またはエッチング
処理、またはフォトレジスト剥離処理等を行うようにす
る。また、上記回転処理装置によりシリコンウェハ、ま
たは半導体素子製造用基板、またはガラス板、または液
晶表示素子製造用基板、またはフォトマスク製造用基
板、または磁気ディスク製造用基板、またはアルミ板等
の基板を処理するようにする。また、上記ブロックとピ
ンとバランサを異なる材質のもので構成するようにす
る。
【0010】
【作用】上記回転テーブル、ブロック、ピンの重心とバ
ランサの重心の合成重心が回転テーブルの遠心力作用面
上にくるので、回転に伴う遠心力は回転テーブルに曲げ
力を及ぼさない。このため、基板とピンとの間の変形量
(隙間)の増加量が低減される。また、回転テーブル、
ブロック、ピン、バランサ等を耐薬品性に優れたプラス
チック材等で構成することにより回転部が軽量化され、
所要の回転力が低減される。
ランサの重心の合成重心が回転テーブルの遠心力作用面
上にくるので、回転に伴う遠心力は回転テーブルに曲げ
力を及ぼさない。このため、基板とピンとの間の変形量
(隙間)の増加量が低減される。また、回転テーブル、
ブロック、ピン、バランサ等を耐薬品性に優れたプラス
チック材等で構成することにより回転部が軽量化され、
所要の回転力が低減される。
【0011】
【実施例】図1は本発明による回転機構のテ−ブル部分
実施例の上面図と側面図である。テーブル3の各ア−ム
部の先端部上面にはブロック4を設け、各ブロック4の
上部に設けたピン5とブロック4間の段差部に基板1の
周辺部を載置する。本発明ではテーブル3の各ア−ム部
の下面にバランサ7を取付け、テーブル3の下側にくる
バランサ7の重心位置をテーブル3の上側にあるブロッ
ク4とピン5の重心位置11a(図5)とバランスさ
せ、両者の合成重心11bが図6に示すようにテーブル
3の中心面10上にくるようにする。なお、回転に伴い
テーブル3の遠心力は等価的に中心面10内に作用す
る。
実施例の上面図と側面図である。テーブル3の各ア−ム
部の先端部上面にはブロック4を設け、各ブロック4の
上部に設けたピン5とブロック4間の段差部に基板1の
周辺部を載置する。本発明ではテーブル3の各ア−ム部
の下面にバランサ7を取付け、テーブル3の下側にくる
バランサ7の重心位置をテーブル3の上側にあるブロッ
ク4とピン5の重心位置11a(図5)とバランスさ
せ、両者の合成重心11bが図6に示すようにテーブル
3の中心面10上にくるようにする。なお、回転に伴い
テーブル3の遠心力は等価的に中心面10内に作用す
る。
【0012】バランサ7にブロック4、ピン5より比重
の大きな材質のものを用いると、その大きさを小型化す
ることができる。例えばブロック4とピン5をポリプロ
ピレン、バランサ7をポリテトラフロロエチレンで構成
するようにすると、回転部を小型、軽量化できると同時
に耐薬品性を向上することができる。図6(a)は静止
時における側面図、図6(b)は回転時の拡大図であ
る。重心11cをテーブル3の中心面10上に置いたた
め、テーブル3の回転時にはテーブル3に延び方向の力
のみが作用し、合成重心11bが中心面10上を遠心力
方向に移動し、図6(b)に示したようにピン5とウエ
ハ1間の隙間dが僅かに増加する。
の大きな材質のものを用いると、その大きさを小型化す
ることができる。例えばブロック4とピン5をポリプロ
ピレン、バランサ7をポリテトラフロロエチレンで構成
するようにすると、回転部を小型、軽量化できると同時
に耐薬品性を向上することができる。図6(a)は静止
時における側面図、図6(b)は回転時の拡大図であ
る。重心11cをテーブル3の中心面10上に置いたた
め、テーブル3の回転時にはテーブル3に延び方向の力
のみが作用し、合成重心11bが中心面10上を遠心力
方向に移動し、図6(b)に示したようにピン5とウエ
ハ1間の隙間dが僅かに増加する。
【0013】図4の8は上記本発明の装置における回転
数に対する隙間dの特性曲線である。同図9に示す従来
装置の特性に比べて隙間dの大きさは略1/5に低減さ
れていることがわかる。したがって、本発明装置ではウ
エハ1がブロック4から外れるようなことはなく、実用
的には上記dの変化は無視できる程度なのである。
数に対する隙間dの特性曲線である。同図9に示す従来
装置の特性に比べて隙間dの大きさは略1/5に低減さ
れていることがわかる。したがって、本発明装置ではウ
エハ1がブロック4から外れるようなことはなく、実用
的には上記dの変化は無視できる程度なのである。
【0014】この結果、従来装置では約3000rpm
が限界であったテ−ブル3の回転数を大きく増加するこ
とができ、また、テーブル3に耐薬品性に優れてはいる
ものの曲げ剛性が低いポリテトラフルオロエチレン等の
材料を適用して高速回転処理を行うことができる。例え
ば回転数を5000rpmに増やした際の隙間dを30
00rpm時の従来装置における隙間dより少なくする
ことができる。
が限界であったテ−ブル3の回転数を大きく増加するこ
とができ、また、テーブル3に耐薬品性に優れてはいる
ものの曲げ剛性が低いポリテトラフルオロエチレン等の
材料を適用して高速回転処理を行うことができる。例え
ば回転数を5000rpmに増やした際の隙間dを30
00rpm時の従来装置における隙間dより少なくする
ことができる。
【0015】上記本発明の回転装置は液体を用いた洗浄
処理の他に、フォトレジスト塗布処理、フォトレジスト
現像処理、エッチング処理、フォトレジスト剥離処理等
に適用して、同様の効果を得ることができる。また、処
理対象をシリコンウェハ等の半導体基板に限らず、ガラ
ス板、液晶表示素子基板、フォトマスク基板、磁気ディ
スク基板、アルミ板等とすることができる。
処理の他に、フォトレジスト塗布処理、フォトレジスト
現像処理、エッチング処理、フォトレジスト剥離処理等
に適用して、同様の効果を得ることができる。また、処
理対象をシリコンウェハ等の半導体基板に限らず、ガラ
ス板、液晶表示素子基板、フォトマスク基板、磁気ディ
スク基板、アルミ板等とすることができる。
【0016】
【発明の効果】本発明により、回転テ−ブルおよび回転
テ−ブルに取付けるブロック、ピン、バランサ等を耐薬
品性に優れ、かつ、軽量、低曲げ剛性のポリエチレン、
ポリテトラフロロエチレン等の材料で構成することがで
きるので、酸、アルカリ等の薬品を用いた洗浄等処理を
可能とする回転装置を提供することができる。また、テ
−ブルの剛性を高める事なく薄くして軽量化し、高速回
転することができるので、乾燥等の処理時間を短縮して
基板処理のスループットを向上することができる。
テ−ブルに取付けるブロック、ピン、バランサ等を耐薬
品性に優れ、かつ、軽量、低曲げ剛性のポリエチレン、
ポリテトラフロロエチレン等の材料で構成することがで
きるので、酸、アルカリ等の薬品を用いた洗浄等処理を
可能とする回転装置を提供することができる。また、テ
−ブルの剛性を高める事なく薄くして軽量化し、高速回
転することができるので、乾燥等の処理時間を短縮して
基板処理のスループットを向上することができる。
【0017】さらに、テ−ブル回転用のモータや動力伝
達機構等も同時に小型化できるので、装置全体を小型化
でき、装置の設置面積や設置面積費用等をを低減するこ
とができる。また、本発明の回転装置は液体を用いた洗
浄処理の他に、フォトレジスト塗布処理、フォトレジス
ト現像処理、エッチング処理、フォトレジスト剥離処理
等に適用して、同様の効果を得ることができる。また、
処理対象をシリコンウェハ等の半導体基板に限らず、ガ
ラス板、液晶表示素子基板、フォトマスク基板、磁気デ
ィスク基板、アルミ板等とすることができる。
達機構等も同時に小型化できるので、装置全体を小型化
でき、装置の設置面積や設置面積費用等をを低減するこ
とができる。また、本発明の回転装置は液体を用いた洗
浄処理の他に、フォトレジスト塗布処理、フォトレジス
ト現像処理、エッチング処理、フォトレジスト剥離処理
等に適用して、同様の効果を得ることができる。また、
処理対象をシリコンウェハ等の半導体基板に限らず、ガ
ラス板、液晶表示素子基板、フォトマスク基板、磁気デ
ィスク基板、アルミ板等とすることができる。
【図1】本発明による回転装置実施例のテーブル部の上
面と側面とを示す図である。
面と側面とを示す図である。
【図2】従来装置のテーブル部の上面と側面とを示す図
である。
である。
【図3】従来装置の斜視図である。
【図4】回転数に対する本発明装置の変形量(隙間d)
特性を従来装置と比較して示す図である。
特性を従来装置と比較して示す図である。
【図5】従来装置における変形量(隙間d)の発生原理
を説明するテーブル部の側面図である。
を説明するテーブル部の側面図である。
【図6】本発明装置における変形量(隙間d)の発生原
理を説明するテーブル部の側面図である。
理を説明するテーブル部の側面図である。
1…ウェハ、2…カップ、3…テーブル、4…ブロッ
ク、5…ピン、6…シャフト、7…バランサ、10…回
転面中心、11a,11b…重心。
ク、5…ピン、6…シャフト、7…バランサ、10…回
転面中心、11a,11b…重心。
Claims (4)
- 【請求項1】 上面に基板を保持するためのブロックと
ピンを設けた回転テーブルを回転させながら基板処理を
行う回転処理装置において、回転テーブルの下面のバラ
ンサを設け、上記回転テーブル、ブロック、ピンの重心
とバランサの重心の合成重心が回転テーブルの遠心力作
用面上にあるようにしたことを特徴とする回転処理装
置。 - 【請求項2】 請求項1において、上記基板処理を乾燥
処理、または洗浄処理、またはフォトレジスト塗布処
理、またはフォトレジスト現像処理、またはエッチング
処理、またはフォトレジスト剥離処理としたことを特徴
とする回転処理装置。 - 【請求項3】 請求項1または2において、上記基板を
シリコンウェハ、または半導体素子製造用基板、または
ガラス板、または液晶表示素子製造用基板、またはフォ
トマスク製造用基板、または磁気ディスク製造用基板、
またはアルミ板としたことを特徴とする回転処理装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
上記ブロックとピンとバランサを異なる材質のもので構
成するようにしたことを特徴とする回転処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2670993A JPH06244165A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 回転処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2670993A JPH06244165A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 回転処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244165A true JPH06244165A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12200905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2670993A Pending JPH06244165A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 回転処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010221A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| JP2011233619A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP2670993A patent/JPH06244165A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010221A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| JP2011233619A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080193779A1 (en) | Dummy substrate and substrate processing method using the same | |
| JP2001070896A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JPH1059540A (ja) | 基板把持装置 | |
| JPH10242110A (ja) | 回転処理方法および回転処理装置 | |
| JPH06244165A (ja) | 回転処理装置 | |
| CN114649233A (zh) | 晶圆清洗装置及清洗晶圆的方法 | |
| JPH06155213A (ja) | 回転機構 | |
| TWI254370B (en) | Method and apparatus for reducing spin-induced wafer charging | |
| JP2001110771A (ja) | 基板洗浄装置及び基板処理装置 | |
| KR20230102615A (ko) | 매엽식 세정장치의 기판 고정용 클램핑 장치 | |
| KR20010054424A (ko) | 웨이퍼를 스피닝하기 위한 웨이퍼 척 | |
| JPH11251414A (ja) | 機械式スピンチャック | |
| JPH0774143A (ja) | 基板保持装置 | |
| JP2004235235A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR20010093683A (ko) | 습식 세정 장치 및 습식 에칭 방법 | |
| JP4070686B2 (ja) | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 | |
| JP2657392B2 (ja) | 回転処理装置 | |
| JPH09148416A (ja) | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 | |
| JPH0914836A (ja) | 回転ユニット | |
| JP3485471B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JPH11207583A (ja) | 半導体基板の製造方法及びその製造装置 | |
| JP2909362B2 (ja) | 基板保持装置 | |
| JPH09293658A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0613136U (ja) | 半導体製造装置に於ける半導体ウエハー保持機構 | |
| JPH0356041Y2 (ja) |