JPH06244224A - 半導体装置の部品半田付け方法 - Google Patents
半導体装置の部品半田付け方法Info
- Publication number
- JPH06244224A JPH06244224A JP2458093A JP2458093A JPH06244224A JP H06244224 A JPH06244224 A JP H06244224A JP 2458093 A JP2458093 A JP 2458093A JP 2458093 A JP2458093 A JP 2458093A JP H06244224 A JPH06244224 A JP H06244224A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soldering
- solder
- semiconductor device
- component
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半田付けの際に溶融半田が部品接合箇所から周
囲へ不用意にはみ出すのを阻止して安定した半田付けが
行えるようにした生産性のよい半導体装置の部品半田付
け方法を提供する。 【構成】金属ベース６の上に絶縁基板３，チップ用ベー
ス２を介して半導体チップ１, 外部導出端子４を半田マ
ウントして組立てた半導体装置を対象に、半導体チッ
プ, 外部導出端子に対応して金属ベース, およびチップ
用ベース上に設定した半田付け箇所の周域にあらかじめ
半田レジスト８を塗布した上で各部品の半田付けを行
う。
囲へ不用意にはみ出すのを阻止して安定した半田付けが
行えるようにした生産性のよい半導体装置の部品半田付
け方法を提供する。 【構成】金属ベース６の上に絶縁基板３，チップ用ベー
ス２を介して半導体チップ１, 外部導出端子４を半田マ
ウントして組立てた半導体装置を対象に、半導体チッ
プ, 外部導出端子に対応して金属ベース, およびチップ
用ベース上に設定した半田付け箇所の周域にあらかじめ
半田レジスト８を塗布した上で各部品の半田付けを行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイオード, サイリス
タ, トランジスタモジュールなどを対象とした半導体装
置の部品半田付け方法に関する。
タ, トランジスタモジュールなどを対象とした半導体装
置の部品半田付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】頭記の半導体装置として、金属ベース上
に絶縁基板，チップ用ベースを介して半導体チップ, 外
部導出端子を半田マウントして組立てた構成のものが公
知である。また、前記構成の半導体装置で各部品を半田
マウントする方法として、従来では金属ベース, チップ
用ベース上の所定箇所に半田付け部品の形状に合わせて
半田箔を載せるか, あるいはクリーム半田を塗布し、そ
の上に半田付け部品を載置した状態で熱を加えて半田付
けを行うようにしている。
に絶縁基板，チップ用ベースを介して半導体チップ, 外
部導出端子を半田マウントして組立てた構成のものが公
知である。また、前記構成の半導体装置で各部品を半田
マウントする方法として、従来では金属ベース, チップ
用ベース上の所定箇所に半田付け部品の形状に合わせて
半田箔を載せるか, あるいはクリーム半田を塗布し、そ
の上に半田付け部品を載置した状態で熱を加えて半田付
けを行うようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の部品半田付け方法では次記のような不具合が発生す
る。すなわち、金属ベース, チップ用ベースなどの金属
材は半田の濡れ性がよく、半田付け工程の際の加熱で半
田が溶融すると、流動性を帯びた溶融半田が半田付け箇
所から周囲にはみ出し、このために半田付け部（部品下
の面域）の半田層厚が極端に薄くなって半田付け不良が
発生したり、半田の不用意な広がりが原因で部品が溶融
半田の表面張力により所定の半田付け位置からずれてし
まったりするトラブルが発生し、このことが良品率を低
める原因の一つになっている。
来の部品半田付け方法では次記のような不具合が発生す
る。すなわち、金属ベース, チップ用ベースなどの金属
材は半田の濡れ性がよく、半田付け工程の際の加熱で半
田が溶融すると、流動性を帯びた溶融半田が半田付け箇
所から周囲にはみ出し、このために半田付け部（部品下
の面域）の半田層厚が極端に薄くなって半田付け不良が
発生したり、半田の不用意な広がりが原因で部品が溶融
半田の表面張力により所定の半田付け位置からずれてし
まったりするトラブルが発生し、このことが良品率を低
める原因の一つになっている。
【０００４】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解決し、半田付けの際に
溶融半田が部品接合箇所から周囲へ不用意にはみ出すの
を阻止して安定した半田付けが行えるようにした生産性
のよい半導体装置の部品半田付け方法を提供することに
ある。
であり、その目的は前記課題を解決し、半田付けの際に
溶融半田が部品接合箇所から周囲へ不用意にはみ出すの
を阻止して安定した半田付けが行えるようにした生産性
のよい半導体装置の部品半田付け方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、金属ベース上に絶縁基板，チップ用ベ
ースを介して半導体チップ, 外部導出端子を半田マウン
トして組立てた半導体装置を対象に、前記半導体チッ
プ, 外部導出端子に対応して金属ベース, およびチップ
用ベース上に設定した半田付け箇所の周域にあらかじめ
半田レジストを塗布した上で部品の半田付けを行うもの
とする。
に、本発明では、金属ベース上に絶縁基板，チップ用ベ
ースを介して半導体チップ, 外部導出端子を半田マウン
トして組立てた半導体装置を対象に、前記半導体チッ
プ, 外部導出端子に対応して金属ベース, およびチップ
用ベース上に設定した半田付け箇所の周域にあらかじめ
半田レジストを塗布した上で部品の半田付けを行うもの
とする。
【０００６】また、前記方法における半田レジストの塗
布の仕方については、各半田付け箇所ごとにその輪郭に
沿って半田レジストを線状に塗布するか、あるいは金属
ベース上における各半田付け箇所を共通に取り囲んで半
田レジストを面状に塗布することができる。
布の仕方については、各半田付け箇所ごとにその輪郭に
沿って半田レジストを線状に塗布するか、あるいは金属
ベース上における各半田付け箇所を共通に取り囲んで半
田レジストを面状に塗布することができる。
【０００７】
【作用】上記の半田付け方法によれば、金属ベース，チ
ップ用ベース上に設定した半田付け箇所に対し、その周
域が半田濡れ性の低い半田レジストで囲まれており、し
たがって部品半田付けの際に溶融した半田は半田レジス
トに阻止されて不用意に半田付け部から周囲へはみ出す
ことがなくなる。これにより、半田付け部での半田厚が
極端に薄くなったり、あるいは溶融半田の表面張力で部
品が所定位置からずれ動いたりするような不具合の発生
がなくなる。
ップ用ベース上に設定した半田付け箇所に対し、その周
域が半田濡れ性の低い半田レジストで囲まれており、し
たがって部品半田付けの際に溶融した半田は半田レジス
トに阻止されて不用意に半田付け部から周囲へはみ出す
ことがなくなる。これにより、半田付け部での半田厚が
極端に薄くなったり、あるいは溶融半田の表面張力で部
品が所定位置からずれ動いたりするような不具合の発生
がなくなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。まず、図１，図２において、１は半導体チップ、
２は半導体チップ１を搭載したチップ用ベース、３は外
部導出端子４を搭載した絶縁基板、５は半導体チップと
外部導出端子４との間を接続したボンディングワイヤ、
６は前記の各部品を搭載した放熱板兼用の金属ベース、
７は金属ベース６／絶縁基板３／チップ用ベース２／半
導体チップ１，外部導出端子４の間を接合した半田付け
部、８は本発明により新たに追加した半田レジストであ
り、これらで半導体装置の回路組立体を構成している。
なお、実際の製品では金属ベース６に外囲ケースを組合
わせた上で、そのケース内に封止樹脂を充填して樹脂封
止形半導体装置を構成している。
する。まず、図１，図２において、１は半導体チップ、
２は半導体チップ１を搭載したチップ用ベース、３は外
部導出端子４を搭載した絶縁基板、５は半導体チップと
外部導出端子４との間を接続したボンディングワイヤ、
６は前記の各部品を搭載した放熱板兼用の金属ベース、
７は金属ベース６／絶縁基板３／チップ用ベース２／半
導体チップ１，外部導出端子４の間を接合した半田付け
部、８は本発明により新たに追加した半田レジストであ
り、これらで半導体装置の回路組立体を構成している。
なお、実際の製品では金属ベース６に外囲ケースを組合
わせた上で、そのケース内に封止樹脂を充填して樹脂封
止形半導体装置を構成している。
【０００９】次に上記構成の半導体装置の組立方法を説
明する。まず、金属ベース６の上面に設定した半導体チ
ップ１，外部導出端子４の各部品に対応する絶縁基板３
の半田付け箇所、およびチップ用ベース２の上面に設定
した半導体チップ１の半田付け箇所に対し、半田付け工
程の前段階で前記した各半田付け部の輪郭に沿って半田
レジスト８を線状に塗布しておく。次に半田レジスト８
で囲まれた各半田付け箇所に適量の半田（組立法により
半田箔，クリーム半田などを使い分ける）を挟んでその
上に各部品を載せ、続く半田付け工程で熱を加えて各部
品の半田付けを行う。これにより、半田付け工程で溶融
した半田は半田レジスト８に阻まれて周囲へのはみ出し
がなく、各部品は図２で表すように均一な半田層の厚み
で所定の位置に適正に半田付けされる。
明する。まず、金属ベース６の上面に設定した半導体チ
ップ１，外部導出端子４の各部品に対応する絶縁基板３
の半田付け箇所、およびチップ用ベース２の上面に設定
した半導体チップ１の半田付け箇所に対し、半田付け工
程の前段階で前記した各半田付け部の輪郭に沿って半田
レジスト８を線状に塗布しておく。次に半田レジスト８
で囲まれた各半田付け箇所に適量の半田（組立法により
半田箔，クリーム半田などを使い分ける）を挟んでその
上に各部品を載せ、続く半田付け工程で熱を加えて各部
品の半田付けを行う。これにより、半田付け工程で溶融
した半田は半田レジスト８に阻まれて周囲へのはみ出し
がなく、各部品は図２で表すように均一な半田層の厚み
で所定の位置に適正に半田付けされる。
【００１０】図３（ａ),（ｂ）は、金属ベース６に対す
る半田レジスト８の塗布の仕方の応用例を示すものであ
り、（ａ）図の例では各部品に対応して設定した半田付
け箇所を共通に取り囲んで半田レジスト８が面状に塗布
されている。また（ｂ）図では金属ベース６に対し所定
の半田付け箇所，および周縁のケース接合箇所を除く面
域に半田レジスト８が塗布されている。なお、図１，図
３に示した半田レジスト８の塗布パターンは、例えばス
クリーン印刷法などを採用することで容易に対応でき
る。
る半田レジスト８の塗布の仕方の応用例を示すものであ
り、（ａ）図の例では各部品に対応して設定した半田付
け箇所を共通に取り囲んで半田レジスト８が面状に塗布
されている。また（ｂ）図では金属ベース６に対し所定
の半田付け箇所，および周縁のケース接合箇所を除く面
域に半田レジスト８が塗布されている。なお、図１，図
３に示した半田レジスト８の塗布パターンは、例えばス
クリーン印刷法などを採用することで容易に対応でき
る。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように本発明の部品半田付け
方法によれば、半田付け部からの不用意な溶融半田のは
み出し，溶融半田の表面張力による部品のずれを確実に
防止して適正な半田付けを行うことができ、これにより
信頼性の高い半導体装置を生産性よく提供することがで
きる。
方法によれば、半田付け部からの不用意な溶融半田のは
み出し，溶融半田の表面張力による部品のずれを確実に
防止して適正な半田付けを行うことができ、これにより
信頼性の高い半導体装置を生産性よく提供することがで
きる。
【図１】本発明の実施例による半導体装置の組立構造の
平面図
平面図
【図２】図１の正面図
【図３】本発明の応用実施例を示すものであり、（ａ),
（ｂ）はそれぞれ半田レジストの異なる塗布パターンを
表す図
（ｂ）はそれぞれ半田レジストの異なる塗布パターンを
表す図
１ 半導体チップ ２ チップ用ベース ３ 絶縁基板 ４ 外部導出端子 ６ 金属ベース ７ 半田付け部 ８ 半田レジスト
Claims (3)
- 【請求項１】金属ベース上に絶縁基板，チップ用ベース
を介して半導体チップ, 外部導出端子を半田マウントし
て組立てた半導体装置を対象に、半導体チップ, 外部導
出端子に対応して金属ベース, およびチップ用ベース上
に設定した半田付け箇所の周域にあらかじめ半田レジス
トを塗布した上で各部品の半田付けを行うことを特徴と
する半導体装置の部品半田付け方法。 - 【請求項２】請求項１記載の半田付け方法において、各
半田付け箇所ごとにその輪郭に沿って半田レジストを線
状に塗布したことを特徴とする半導体装置の部品半田付
け方法。 - 【請求項３】請求項１記載の半田付け方法において、金
属ベース上における各半田付け箇所を共通に取り囲んで
半田レジストを面状に塗布したことを特徴とする半導体
装置の部品半田付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2458093A JPH06244224A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置の部品半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2458093A JPH06244224A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置の部品半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244224A true JPH06244224A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12142107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2458093A Pending JPH06244224A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置の部品半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244224A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514785B2 (en) | 2005-02-03 | 2009-04-07 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2010212723A (ja) * | 2010-05-17 | 2010-09-24 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US8865584B2 (en) | 2010-05-18 | 2014-10-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2020095654A1 (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP2458093A patent/JPH06244224A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514785B2 (en) | 2005-02-03 | 2009-04-07 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| DE102006004788B4 (de) | 2005-02-03 | 2020-07-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleiterbauelement und Fertigungsverfahren für dieses |
| JP2010212723A (ja) * | 2010-05-17 | 2010-09-24 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US8865584B2 (en) | 2010-05-18 | 2014-10-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2020095654A1 (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
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