JPH06248082A - ポリシルセスキオキサン類の合成方法及び得られた化合物の利用 - Google Patents
ポリシルセスキオキサン類の合成方法及び得られた化合物の利用Info
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- JPH06248082A JPH06248082A JP2414317A JP41431790A JPH06248082A JP H06248082 A JPH06248082 A JP H06248082A JP 2414317 A JP2414317 A JP 2414317A JP 41431790 A JP41431790 A JP 41431790A JP H06248082 A JPH06248082 A JP H06248082A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】エーテルの存在下、一般式RSiCl3（式中、Rは
有機基、特にアルキル基、アリール基、ビニル基または
アリル基を表す）のトリクロロシランを加水分解する第
１段階、第１段階で得られた固体生成物を無水ケトン性
溶媒中に溶解させ、塩基を添加し反応を加熱下に実施
し、蒸発及び乾燥後に固体生成物を得る第２段階、第２
段階で得られた固体生成物を無水ケトン性溶媒に溶解さ
せ、連鎖停止剤を添加し、反応を加熱下に実施し、得ら
れた溶液を濾過、蒸発及び乾燥させることにより目的物
のポリシルセスキオキサンを得る第３段階からなり、第
２段階を数回繰り返すことを含むポリシルセスキオキサ
ンの合成方法に関する。 【効果】架橋性であるビニル基の存在によって、電子、
X線及び極限UV範囲の光線に対し感光材料である。この
樹脂は従って、標準工程に従ったマイクロリトグラフ
ィ、特に２層工程に於けるイメージ作成に使用できる。
有機基、特にアルキル基、アリール基、ビニル基または
アリル基を表す）のトリクロロシランを加水分解する第
１段階、第１段階で得られた固体生成物を無水ケトン性
溶媒中に溶解させ、塩基を添加し反応を加熱下に実施
し、蒸発及び乾燥後に固体生成物を得る第２段階、第２
段階で得られた固体生成物を無水ケトン性溶媒に溶解さ
せ、連鎖停止剤を添加し、反応を加熱下に実施し、得ら
れた溶液を濾過、蒸発及び乾燥させることにより目的物
のポリシルセスキオキサンを得る第３段階からなり、第
２段階を数回繰り返すことを含むポリシルセスキオキサ
ンの合成方法に関する。 【効果】架橋性であるビニル基の存在によって、電子、
X線及び極限UV範囲の光線に対し感光材料である。この
樹脂は従って、標準工程に従ったマイクロリトグラフ
ィ、特に２層工程に於けるイメージ作成に使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高分子量で、多分散性が
低く、経時的により安定な化合物を与えるポリシルセス
キオキサン（polysilsesquioxane）の新規な化学的合成
方法に関する。これらの改良点により、超小形電子技術
に於ける応用で使用されるポリシルセスキオキサンの性
能特性は、電子またはX線照射に対し非常に高感度を有
し、且つ高いコントラストを持ち、またはさらに一般的
には集積用光学での使用のためのネガレジンの作成を可
能にさせる。
低く、経時的により安定な化合物を与えるポリシルセス
キオキサン（polysilsesquioxane）の新規な化学的合成
方法に関する。これらの改良点により、超小形電子技術
に於ける応用で使用されるポリシルセスキオキサンの性
能特性は、電子またはX線照射に対し非常に高感度を有
し、且つ高いコントラストを持ち、またはさらに一般的
には集積用光学での使用のためのネガレジンの作成を可
能にさせる。
【０００２】近年、超小形電子技術分野に於いて珪酸質
のポリマー類は多く利用されるようになった。特にポリ
シルセスキオキサン類は、フィルムに適しているから超
小形電子技術分野で多くの用途がある。
のポリマー類は多く利用されるようになった。特にポリ
シルセスキオキサン類は、フィルムに適しているから超
小形電子技術分野で多くの用途がある。
【０００３】
【従来の技術】ポリシルセスキオキサン合成の最初の方
法は、G.H.WAGNERらによるInd.and Eng.Chem.,vol.45,N
o.2（1953）367-374ページに記載されている方法から着
想を得た。この方法によると、化合物RSiCl3［Rはアル
キル基（例えば、CH3またはC2H5）、またはアリール基
（例えば、C6H5基）、またはアリル基であり得るが、用
途の観点からもっとも重要なのはビニル基CH2＝CHであ
る］が加水分解される。この加水分解は、低温（0〜5
℃）でエーテル中で大過剰の水を用いて実施する。次い
で有機層を何度も洗浄し、塩酸の残渣を除去するため、
同時に生成物のオリゴマー化を促進するために処理す
る。エーテル化層を次いで乾燥させると、油状の低分子
量のオリゴマーが得られる。
法は、G.H.WAGNERらによるInd.and Eng.Chem.,vol.45,N
o.2（1953）367-374ページに記載されている方法から着
想を得た。この方法によると、化合物RSiCl3［Rはアル
キル基（例えば、CH3またはC2H5）、またはアリール基
（例えば、C6H5基）、またはアリル基であり得るが、用
途の観点からもっとも重要なのはビニル基CH2＝CHであ
る］が加水分解される。この加水分解は、低温（0〜5
℃）でエーテル中で大過剰の水を用いて実施する。次い
で有機層を何度も洗浄し、塩酸の残渣を除去するため、
同時に生成物のオリゴマー化を促進するために処理す
る。エーテル化層を次いで乾燥させると、油状の低分子
量のオリゴマーが得られる。
【０００４】この方法での多くの改良点は、フランス特
許第2,144,024号中に記載されており、一定量のアンモ
ニアを添加して処理することによって、加水分解生成物
の縮合が達成可能で且つOH残基を約2%有する質量約1300
のポリマーを得ている。しかしながらこの方法は、多分
散性が過度であること、及び比較的分子量が低いこと、
並びにOH基の存在によりポリマーをかなり熟成させなけ
ればならないという欠点を有する。
許第2,144,024号中に記載されており、一定量のアンモ
ニアを添加して処理することによって、加水分解生成物
の縮合が達成可能で且つOH残基を約2%有する質量約1300
のポリマーを得ている。しかしながらこの方法は、多分
散性が過度であること、及び比較的分子量が低いこと、
並びにOH基の存在によりポリマーをかなり熟成させなけ
ればならないという欠点を有する。
【０００５】上記に記載した方法を改良する目的で他に
も特許出願がなされている。
も特許出願がなされている。
【０００６】日本特許公報昭和62年第283,128号は、ヒ
ドロキシル基を一端に持つポリアリルシルセスキオキサ
ン（この場合、RはCH2CH＝CH2基である）の合成につい
て記載している。しかしながら、これらのヒドロキシル
基が存在することは、得られた化合物が温度下でほとん
ど安定でないことを意味する。
ドロキシル基を一端に持つポリアリルシルセスキオキサ
ン（この場合、RはCH2CH＝CH2基である）の合成につい
て記載している。しかしながら、これらのヒドロキシル
基が存在することは、得られた化合物が温度下でほとん
ど安定でないことを意味する。
【０００７】欧州特許第255,303号はコポリマー （CH2＝CHCH2SiO3/2）m−（ClCH2SiO3/2）n （式中、mは0から100の間を変動し且つm＋n＝100であ
る）の合成方法について記載している。発明者は、上記
のWagner方法を使用しているが、得られた生成物を連続
して再加工することでこれを補足している。この方法で
は第２の重合を、塩基の存在下にケトン性溶媒中で実施
している。この方法はポリシロキサン類の質量を効果的
に増加させ得ることが知られているが、多分散性を1.5
以下に減少させるには十分ではない。
る）の合成方法について記載している。発明者は、上記
のWagner方法を使用しているが、得られた生成物を連続
して再加工することでこれを補足している。この方法で
は第２の重合を、塩基の存在下にケトン性溶媒中で実施
している。この方法はポリシロキサン類の質量を効果的
に増加させ得ることが知られているが、多分散性を1.5
以下に減少させるには十分ではない。
【０００８】これらの低分子量、高い多分散性（polydi
spersivity）及び安定化されていない末端基の存在によ
り、これらの種々の方法によって得られた材料は、X線
または電子マイクロリトグラフィ（micro lithograph
y）に於いて性能値が低い。
spersivity）及び安定化されていない末端基の存在によ
り、これらの種々の方法によって得られた材料は、X線
または電子マイクロリトグラフィ（micro lithograph
y）に於いて性能値が低い。
【０００９】
【本発明の概要】本発明はこれらの欠点を克服しようと
するものである。本発明により増加した分子量（照射及
びフィルムに適した特性に対する感度が増加する）及び
低い多分散性（現像工程中に選択性が増加し、従って分
解能が増加する）を有する化合物を得ることができる。
本発明により、特に経時的に安定であり且つ望ましくな
い反応の影響を受けない生成物を得ることができる。本
発明による方法は、Wagner方法に対応する第１段階、非
常に無水のケトン性溶媒を使用する第２段階及び非常に
無水であるケトン及び連鎖停止剤を使用する第３段階の
３段階を含む。
するものである。本発明により増加した分子量（照射及
びフィルムに適した特性に対する感度が増加する）及び
低い多分散性（現像工程中に選択性が増加し、従って分
解能が増加する）を有する化合物を得ることができる。
本発明により、特に経時的に安定であり且つ望ましくな
い反応の影響を受けない生成物を得ることができる。本
発明による方法は、Wagner方法に対応する第１段階、非
常に無水のケトン性溶媒を使用する第２段階及び非常に
無水であるケトン及び連鎖停止剤を使用する第３段階の
３段階を含む。
【００１０】本発明の目的は従って、エーテルの存在
下、一般式RSiCl3（式中、Rは有機基で、特にアルキル
基、アリール基、ビニル基またはアリル基を表す）のト
リクロロシランを加水分解する第１段階、さらに第１段
階で得られた固体生成物を無水ケトン性溶媒中に溶解さ
せ、塩基を添加し反応を加熱下に実施し、蒸発及び乾燥
後に固体生成物を得る第２段階、第２段階で得られた固
体生成物を無水ケトン中に溶解させ、連鎖停止剤を添加
し、反応を加熱下で実施し、得られた溶液を濾過、蒸発
及び乾燥させることにより、目的物のポリシルセスキオ
キサンを得る第３段階からなり、第２段階を数回繰り返
すことを含むポリシルセスキオキサンの合成方法であ
る。
下、一般式RSiCl3（式中、Rは有機基で、特にアルキル
基、アリール基、ビニル基またはアリル基を表す）のト
リクロロシランを加水分解する第１段階、さらに第１段
階で得られた固体生成物を無水ケトン性溶媒中に溶解さ
せ、塩基を添加し反応を加熱下に実施し、蒸発及び乾燥
後に固体生成物を得る第２段階、第２段階で得られた固
体生成物を無水ケトン中に溶解させ、連鎖停止剤を添加
し、反応を加熱下で実施し、得られた溶液を濾過、蒸発
及び乾燥させることにより、目的物のポリシルセスキオ
キサンを得る第３段階からなり、第２段階を数回繰り返
すことを含むポリシルセスキオキサンの合成方法であ
る。
【００１１】
【本発明の具体的説明】本発明に従ってプロセスを３段
階で実施する。ポリビニルシルセスキオキサンの場合に
於ける合成の一般的な方法は以下の通りである。
階で実施する。ポリビニルシルセスキオキサンの場合に
於ける合成の一般的な方法は以下の通りである。
【００１２】第１段階で、エーテル及びビニルトリクロ
ロシランの混合物（50/50容量比）を氷及びエーテルの
混合物中に注ぐ。数分間加水分解した後、エーテルを添
加して混合物を激しく振蕩する。混合物を放置して上澄
みを分離させ、有機層を回収、洗浄し、乾燥させ次いで
蒸発させる。少量のアンモニアを洗浄水に添加して塩酸
を除去し、生成物をオリゴマー化させる。
ロシランの混合物（50/50容量比）を氷及びエーテルの
混合物中に注ぐ。数分間加水分解した後、エーテルを添
加して混合物を激しく振蕩する。混合物を放置して上澄
みを分離させ、有機層を回収、洗浄し、乾燥させ次いで
蒸発させる。少量のアンモニアを洗浄水に添加して塩酸
を除去し、生成物をオリゴマー化させる。
【００１３】以下の反応 CH2＝CHSiCl3 ＋ 3H2O → CH2＝CHSi（OH）3 が起き、引き続いて、環状構造で質量範囲が100から150
0であるオリゴマーを与えた。
0であるオリゴマーを与えた。
【００１４】第２段階では、先に集めた固体を非常に無
水のケトン性溶媒（即ち、特に10から1000ppmの制御さ
れた水分量を含むエーテル）中に溶解させ、塩基の存在
下高温で少なくとも10時間反応させる。徹底的に蒸発及
び乾燥させた後、所望の質量を得るべく、この段階を連
続して数回繰り返すことが望ましい。何故ならば、重合
度を決定するのは非常に無水の溶媒中に於ける反応時間
だからである。オリゴマーは、化合物 HO−（CH2＝CHSiO3/2）n−OH （n>380） を与える。
水のケトン性溶媒（即ち、特に10から1000ppmの制御さ
れた水分量を含むエーテル）中に溶解させ、塩基の存在
下高温で少なくとも10時間反応させる。徹底的に蒸発及
び乾燥させた後、所望の質量を得るべく、この段階を連
続して数回繰り返すことが望ましい。何故ならば、重合
度を決定するのは非常に無水の溶媒中に於ける反応時間
だからである。オリゴマーは、化合物 HO−（CH2＝CHSiO3/2）n−OH （n>380） を与える。
【００１５】第２段階が１度だけ繰り返されると、重合
度ｎは500以上である。第２段階が数回繰り返される
と、重合度はさらに増加する。
度ｎは500以上である。第２段階が数回繰り返される
と、重合度はさらに増加する。
【００１６】臨界的な因子は、溶媒中の水分量の制御で
ある。
ある。
【００１７】第３段階では、第２段階の終わりに得られ
た固体を非常に無水のケトン（即ち、特に10から1000pp
mの間の制御された水分量を有するエーテル）中に溶解
させ、次いでやや少量の塩基並びに連鎖停止剤（化学的
に不活性基）の過剰量を添加する。高温下で数時間反応
後、溶液を濾過して塩を除去し、次いで蒸発させて乾燥
させる。
た固体を非常に無水のケトン（即ち、特に10から1000pp
mの間の制御された水分量を有するエーテル）中に溶解
させ、次いでやや少量の塩基並びに連鎖停止剤（化学的
に不活性基）の過剰量を添加する。高温下で数時間反応
後、溶液を濾過して塩を除去し、次いで蒸発させて乾燥
させる。
【００１８】連鎖停止剤が（CH3）3SiClである時、以下
の反応 HO −（CH2＝CHSiO3/2）n−OH ＋ （CH3)3SiCl → （CH3）3Si −（CH2＝CHSiO3/2）n−Si（CH3）3 が起きる。
の反応 HO −（CH2＝CHSiO3/2）n−OH ＋ （CH3)3SiCl → （CH3）3Si −（CH2＝CHSiO3/2）n−Si（CH3）3 が起きる。
【００１９】溶媒/非溶媒混合物中での標準的な再沈澱
によって、ポリマーを最終精製する。
によって、ポリマーを最終精製する。
【００２０】本方法は、他のポリシルセスキオキサン
類、即ち式（RSiO3/2）n［式中、Rは任意の基（例え
ば、メチルなどのアルキル基、または特にフェニルなど
のアリール基）である］を有するポリマーの合成にも適
用し得る。
類、即ち式（RSiO3/2）n［式中、Rは任意の基（例え
ば、メチルなどのアルキル基、または特にフェニルなど
のアリール基）である］を有するポリマーの合成にも適
用し得る。
【００２１】連鎖停止剤としては、Z3SiCl型（Zはアル
キル基またはアルコキシ基である）の化合物も使用し得
る。
キル基またはアルコキシ基である）の化合物も使用し得
る。
【００２２】
【実施例】エーテル60cm3及びビニルトリクロロシラン6
0cm3の混合物を、破砕した氷500g及びエチルエーテル80
cm3の混合物中に滴下した。数分後、エーテル200cm3を
添加した。エーテル化した生成物を洗浄し、アンモニア
2cm3と共に振蕩し、次いで中性になるまで再び洗浄し、
蒸発乾燥させた。約30gの生成物を回収した。この生成
物を新しく蒸留したメチルエチルケトン240cm3中に溶解
させた。蒸留したトリエチルアミン15cm3を添加し、15
時間還流した。高真空下で蒸発及び乾燥後、トリエチル
アミン7cm3及び停止剤として（CH3）3SiCl 6cm3の存在
下に、新しく蒸留したメチルエチルケトン240cm3中にポ
リマーを溶解させた。
0cm3の混合物を、破砕した氷500g及びエチルエーテル80
cm3の混合物中に滴下した。数分後、エーテル200cm3を
添加した。エーテル化した生成物を洗浄し、アンモニア
2cm3と共に振蕩し、次いで中性になるまで再び洗浄し、
蒸発乾燥させた。約30gの生成物を回収した。この生成
物を新しく蒸留したメチルエチルケトン240cm3中に溶解
させた。蒸留したトリエチルアミン15cm3を添加し、15
時間還流した。高真空下で蒸発及び乾燥後、トリエチル
アミン7cm3及び停止剤として（CH3）3SiCl 6cm3の存在
下に、新しく蒸留したメチルエチルケトン240cm3中にポ
リマーを溶解させた。
【００２３】生成物を次いで冷却してトリエチルアミン
塩酸塩を濾過し、蒸発乾燥させた。
塩酸塩を濾過し、蒸発乾燥させた。
【００２４】得られたポリマー（25から28g）は粉末状
で且つ白かった。メタノール/メチルエチルケトン混合
物中で再沈澱させることによって精製した。
で且つ白かった。メタノール/メチルエチルケトン混合
物中で再沈澱させることによって精製した。
【００２５】この生成物に関しては、一般的に分子量は
40,000に等しく、多分散性は1.4であった。
40,000に等しく、多分散性は1.4であった。
【００２６】図１は、得られた生成物のGPC（ゲル浸透
クロマトグラフィー）の記録を示す。
クロマトグラフィー）の記録を示す。
【００２７】第１段階に対応する条件は重要ではないの
で、一般に先行文献中の場合と同様にやや変形し得る。
で、一般に先行文献中の場合と同様にやや変形し得る。
【００２８】第２段階に関しては、50から250cm3の少な
い溶媒量で実施でき、他のケトン類（例えば、メチルイ
ソブチルケトン）またはエチルアセテート、トルエン、
ベンゼン若しくは十分に沸点温度の高いエーテル類が使
用可能である。使用される塩基は、他のアミン（例え
ば、トリブチルアミン）またはピリジンであっても良
い。
い溶媒量で実施でき、他のケトン類（例えば、メチルイ
ソブチルケトン）またはエチルアセテート、トルエン、
ベンゼン若しくは十分に沸点温度の高いエーテル類が使
用可能である。使用される塩基は、他のアミン（例え
ば、トリブチルアミン）またはピリジンであっても良
い。
【００２９】これらの条件を第３段階に応用する。さら
に停止剤は、Z3SiCl系の他の化合物でもよい。
に停止剤は、Z3SiCl系の他の化合物でもよい。
【００３０】第３段階へ進む前に第２段階を繰り返すの
が特に有効である。上記合成例に関しては、第２段階を
２回実施すると、分子量40,000の代わりに分子量50,000
が得られたが、多分散性の値に何等変化はなかった。第
３段階も２回以上繰り返し得る。
が特に有効である。上記合成例に関しては、第２段階を
２回実施すると、分子量40,000の代わりに分子量50,000
が得られたが、多分散性の値に何等変化はなかった。第
３段階も２回以上繰り返し得る。
【００３１】ポリシルセスキオキサンは、X線の作用
（図２）及び電子の作用（図３）に対する材料の感度曲
線から見られるように、架橋性であるビニル基の存在に
よって、電子、X線及び極限UV範囲の光線に対し感光材
料である。この樹脂は従って、標準工程に従ったマイク
ロリトグラフィ、特に２層工程に於けるイメージ作成に
使用できる。
（図２）及び電子の作用（図３）に対する材料の感度曲
線から見られるように、架橋性であるビニル基の存在に
よって、電子、X線及び極限UV範囲の光線に対し感光材
料である。この樹脂は従って、標準工程に従ったマイク
ロリトグラフィ、特に２層工程に於けるイメージ作成に
使用できる。
【００３２】本明細書の最後に添付した表１は、本発明
の方法に従って合成したポリシルセスキオキサン（PV
S）及び市販で入手可能な同様の性質の、シリコンを含
んだ樹脂であるSNR（日本合成ゴムから入手）について
の感度及びコントラストパラメーターの測定値を示す。
表１は、本発明による化合物がコントラストはやや減少
しているが、実質的に増加した感度を有していて、これ
らの樹脂が２層工程、特に超薄膜での使用に十分である
ことを示している。さらに、PVSは、酸素プラズマ下で
非常に迅速にシリカに転換し、その後はもはや変化しな
い。酸素プラズマ下での侵食速度は50オングストローム
/分でSNRよりもかなり遅いと推測される。
の方法に従って合成したポリシルセスキオキサン（PV
S）及び市販で入手可能な同様の性質の、シリコンを含
んだ樹脂であるSNR（日本合成ゴムから入手）について
の感度及びコントラストパラメーターの測定値を示す。
表１は、本発明による化合物がコントラストはやや減少
しているが、実質的に増加した感度を有していて、これ
らの樹脂が２層工程、特に超薄膜での使用に十分である
ことを示している。さらに、PVSは、酸素プラズマ下で
非常に迅速にシリカに転換し、その後はもはや変化しな
い。酸素プラズマ下での侵食速度は50オングストローム
/分でSNRよりもかなり遅いと推測される。
【００３３】本明細書の最後に添付した表２は、本発明
に記載された方法によって合成されたPVSと比較した市
販で入手可能な幾つかの非珪酸質の樹脂の特徴を表して
いる。これらの非珪酸質の樹脂はもっぱら３層工程に使
用できる。表２には、KODAKか ら上市されているKPR及
びKTFR樹脂並びに、日本合成ゴムから上市されているCB
RM901、CIR701及びCIR70E樹脂を挙げている。
に記載された方法によって合成されたPVSと比較した市
販で入手可能な幾つかの非珪酸質の樹脂の特徴を表して
いる。これらの非珪酸質の樹脂はもっぱら３層工程に使
用できる。表２には、KODAKか ら上市されているKPR及
びKTFR樹脂並びに、日本合成ゴムから上市されているCB
RM901、CIR701及びCIR70E樹脂を挙げている。
【００３４】PVSの性能特徴が非常に満足できるもので
あることは、印刷工程の簡易化を考慮に入れなくても理
解される。従って、PVSはサブミクロン構造の成形加工
用に、X線または電子マイクロリトグラフィによるイメ
ージ作成に使用可能な層として 利用できる。さらに、P
VSはフランス特許第2,144,024号の示唆に従ってシリカ
マスクの成形加工用に使用され得る。近紫外から近赤外
までの範囲で吸収が小さいので、PVSはK.L.Marshallら
によるJ ournal of Applied Physics,Vol.64(5),Sept.19
88,pp.2279-2285の示唆に従い非反射層としても使用さ
れ得る。その指数1.44は光マイクロガイドの作成に、さ
らに一般的に光学相互連結装置に使用可能である。PVS
は当業者にとっては公知の方法によって、光増感剤を添
加することによ って感光性にし得る。この高い分解能
によって、光学記録手段、特にWORM（Write Once Read
Many）型の光学記録用メモリーとして使用され得る。PV
Sはポリマ ーの多層システム中の緩衝層を作成するのに
も使用され得る。
あることは、印刷工程の簡易化を考慮に入れなくても理
解される。従って、PVSはサブミクロン構造の成形加工
用に、X線または電子マイクロリトグラフィによるイメ
ージ作成に使用可能な層として 利用できる。さらに、P
VSはフランス特許第2,144,024号の示唆に従ってシリカ
マスクの成形加工用に使用され得る。近紫外から近赤外
までの範囲で吸収が小さいので、PVSはK.L.Marshallら
によるJ ournal of Applied Physics,Vol.64(5),Sept.19
88,pp.2279-2285の示唆に従い非反射層としても使用さ
れ得る。その指数1.44は光マイクロガイドの作成に、さ
らに一般的に光学相互連結装置に使用可能である。PVS
は当業者にとっては公知の方法によって、光増感剤を添
加することによ って感光性にし得る。この高い分解能
によって、光学記録手段、特にWORM（Write Once Read
Many）型の光学記録用メモリーとして使用され得る。PV
Sはポリマ ーの多層システム中の緩衝層を作成するのに
も使用され得る。
【００３５】 表１ 生成物 パラメーター X線 電子 SNR 感度 65 mJ/cm2 13 μC/cm2 コントラスト 1.6 1.7 PVS 感度 2.1mJ/cm2 2.9 μC/cm2 コントラスト 1.4 1.4 表２ 生成物 感度 コントラスト KPR 10 mJ/cm2 1.5 KTFR 25 mJ/cm2 0.9 CBR M901 0.8mJ/cm2 0.9 CIR 701 6 mJ/cm2 1.1 CIR 70E 3.4mJ/cm2 0.9 PVS 2.1mJ/cm2 0.4
【図１】ゲル浸透クロマトグラフィーの記録を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の方法によって得られた化合物の感度の
グラフを示す図である。
グラフを示す図である。
【図３】本発明の方法によって得られた化合物の感度の
グラフを示す図である。
グラフを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヤン−クロード・デユボア フランス国、78470・サン・レミ・レ・シ ユブルーズ、アベニユー・セ・ニコラ・ル ドウ、65
Claims (7)
- 【請求項１】 エーテルの存在下、一般式RSiCl3（式
中、Rは有機基、特にアルキル基、アリール基、ビニル
基またはアリル基を表す）のトリクロロシランを加水分
解する第１段階、第１段階で得られた固体生成物を無水
ケトン性溶媒中に溶解させ、塩基を添加し反応を加熱下
に実施し、蒸発及び乾燥後に固体生成物を得る第２段
階、第２段階で得られた固体生成物を無水ケトンに溶解
させ、連鎖停止剤を添加し反応を加熱下に実施し、得ら
れた溶液を濾過、蒸発及び乾燥させることにより目的物
のポリシルセスキオキサンを得る第３段階からなり、第
２段階を数回繰り返すことを含むポリシルセスキオキサ
ンの合成方法。 - 【請求項２】 R基がビニル基を表すことを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の合成方法。 - 【請求項３】 連鎖停止剤がZ3SiCl系（Zはアルキル基
またはアルコキシ基である）の化合物であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の合成
方法。 - 【請求項４】 特許請求の範囲第１項から第３項のいず
れか１項に記載の方法によって得られたポリシルセスキ
オキサンをネガレジンとして利用すること。 - 【請求項５】 特許請求の範囲第１項から第３項のいず
れか１項に記載の方法によって得られたポリシルセスキ
オキサンを非反射層として利用すること。 - 【請求項６】 特許請求の範囲第１項から第３項のいず
れか１項に記載の方法によって得られたポリシルセスキ
オキサンを導波管として利用すること。 - 【請求項７】 特許請求の範囲第１項から第３項のいず
れか１項に記載の方法によって得られたポリシルセスキ
オキサンを、ポリマー多層フィルムシステム中の緩衝層
として利用すること。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8917315A FR2656617A1 (fr) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | Procede de synthese de polysilsesquioxanes et applications des produits contenus. |
| FR8917315 | 1989-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06248082A true JPH06248082A (ja) | 1994-09-06 |
Family
ID=9389062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414317A Pending JPH06248082A (ja) | 1989-12-28 | 1990-12-26 | ポリシルセスキオキサン類の合成方法及び得られた化合物の利用 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5200487A (ja) |
| EP (1) | EP0435751A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06248082A (ja) |
| FR (1) | FR2656617A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101013824B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2011-02-14 | 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 | 관능기를 갖는 바스켓형 실세스퀴옥산수지 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5504257A (en) * | 1994-09-26 | 1996-04-02 | Uop | Process for producing diisopropyl ether with removal of acid material |
| JP3635156B2 (ja) * | 1996-08-19 | 2005-04-06 | ダウ コーニング アジア株式会社 | 硬化性ポリメチルシルセスキオキサン組成物 |
| US6731857B2 (en) | 2001-03-29 | 2004-05-04 | Shipley Company, L.L.C. | Photodefinable composition, method of manufacturing an optical waveguide with the photodefinable composition, and optical waveguide formed therefrom |
| JP2004185000A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 導波路を形成する方法及びそれから形成される導波路 |
| US6842577B2 (en) * | 2002-12-02 | 2005-01-11 | Shipley Company L.L.C. | Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom |
| US7072564B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-07-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Waveguide compositions and waveguides formed therefrom |
| JP5102428B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2012-12-19 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 導波路組成物およびこれから形成された導波路 |
| EP1586603B1 (en) * | 2004-04-14 | 2007-06-13 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Waveguide compositions and waveguides formed therefrom |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2303819A1 (fr) * | 1975-03-11 | 1976-10-08 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'une resine negative sensible aux electrons, application de ladite resine en optique integree, et guides de lumiere comportant ladite resine |
| KR900002364B1 (ko) * | 1984-05-30 | 1990-04-12 | 후지쓰가부시끼가이샤 | 패턴 형성재의 제조방법 |
| US4670299A (en) * | 1984-11-01 | 1987-06-02 | Fujitsu Limited | Preparation of lower alkyl polysilsesquioxane and formation of insulating layer of silylated polymer on electronic circuit board |
| JPS62502071A (ja) * | 1985-03-07 | 1987-08-13 | ヒュ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | イオンビ−ムと電子ビ−ムリソグラフイのためのポリシロキサンレジスト |
| DE3760773D1 (en) * | 1986-07-25 | 1989-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Negative resist material, method for its manufacture and method for using it |
-
1989
- 1989-12-28 FR FR8917315A patent/FR2656617A1/fr not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-12-20 EP EP90403697A patent/EP0435751A1/fr not_active Withdrawn
- 1990-12-20 US US07/630,507 patent/US5200487A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-26 JP JP2414317A patent/JPH06248082A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101013824B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2011-02-14 | 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 | 관능기를 갖는 바스켓형 실세스퀴옥산수지 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5200487A (en) | 1993-04-06 |
| EP0435751A1 (fr) | 1991-07-03 |
| FR2656617A1 (fr) | 1991-07-05 |
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