JPH0624878A - セラミックスのメッキ方法 - Google Patents
セラミックスのメッキ方法Info
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- JPH0624878A JPH0624878A JP4207195A JP20719592A JPH0624878A JP H0624878 A JPH0624878 A JP H0624878A JP 4207195 A JP4207195 A JP 4207195A JP 20719592 A JP20719592 A JP 20719592A JP H0624878 A JPH0624878 A JP H0624878A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 脆弱構造のマシナブルセラミックスに対して
無電解メッキを施す。 【構成】 マシナブルセラミックスの表面を低濃度のフ
ッ化アンモニウム溶液でエッチングし、エッチングによ
り生じたセラミックス粉を超音波洗浄で除去した後、セ
ンシタイジング処理およびアクチベーション処理を行
い、その後、低濃度のメッキ液で無電解メッキして密着
強度の大きな下地メッキ層を形成し、熱衝撃を緩和して
欠陥を生じさせることのない緩慢な条件で洗浄および熱
処理し、その後、無電解メッキする。
無電解メッキを施す。 【構成】 マシナブルセラミックスの表面を低濃度のフ
ッ化アンモニウム溶液でエッチングし、エッチングによ
り生じたセラミックス粉を超音波洗浄で除去した後、セ
ンシタイジング処理およびアクチベーション処理を行
い、その後、低濃度のメッキ液で無電解メッキして密着
強度の大きな下地メッキ層を形成し、熱衝撃を緩和して
欠陥を生じさせることのない緩慢な条件で洗浄および熱
処理し、その後、無電解メッキする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス、特にマ
シナブルセラミックスの表面にメッキを施す方法に関す
る。
シナブルセラミックスの表面にメッキを施す方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】セラミックスへ無電解メッキを行なう場
合には、一般に、セラミックス表面をエッチング処理し
てセラミックスとメッキ金属との密着力を高めた後、セ
ンシタイジング処理およびアクチベーション処理して、
無電解メッキすることが行なわれている。特開昭６２−
２６５１９１号公報および同６３−１７２７８号公報に
は、このセラミックスへメッキを施す従来方法が記載さ
れている。
合には、一般に、セラミックス表面をエッチング処理し
てセラミックスとメッキ金属との密着力を高めた後、セ
ンシタイジング処理およびアクチベーション処理して、
無電解メッキすることが行なわれている。特開昭６２−
２６５１９１号公報および同６３−１７２７８号公報に
は、このセラミックスへメッキを施す従来方法が記載さ
れている。
【０００３】特開昭６２−２６５１９１号公報の方法
は、ＮＨ4 Ｆ３０〜６０重量％、（ＮＨ4 ）2 ＳＯ4 １
〜１０重量％、Ｈ2 ＳＯ4 ５〜２０重量％、Ｈ2 Ｏ１０
〜６４重量％が混合されたエッチング液に液温３０〜９
０℃でセラミックスを約１分以上浸漬した後、水洗し、
約６００℃に加熱したＮａＯＨ融液に３０秒以上浸漬
し、その後、中和，水洗している。また、特開昭６３−
１７２７８号公報の方法は、エッチングして無電解メッ
キした後、その表面に冷間静水圧を加圧してセラミック
スとメッキとの密着力を高めている。
は、ＮＨ4 Ｆ３０〜６０重量％、（ＮＨ4 ）2 ＳＯ4 １
〜１０重量％、Ｈ2 ＳＯ4 ５〜２０重量％、Ｈ2 Ｏ１０
〜６４重量％が混合されたエッチング液に液温３０〜９
０℃でセラミックスを約１分以上浸漬した後、水洗し、
約６００℃に加熱したＮａＯＨ融液に３０秒以上浸漬
し、その後、中和，水洗している。また、特開昭６３−
１７２７８号公報の方法は、エッチングして無電解メッ
キした後、その表面に冷間静水圧を加圧してセラミック
スとメッキとの密着力を高めている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来方法では、マシナブルセラミックスへのメッキに
適用できない問題があった。すなわち、マシナブルセラ
ミックスは母材のＳｉＯ2 の中に雲母結晶が散在してお
り、このような構造のセラミックスを特開昭６２−２６
５１９１号公報のように、高濃度のＮＨ4 Ｆ溶液でエッ
チングすると、セラミックス表面の腐食が急速に進行す
ると共に、この腐食が雲母結晶の粒界を介して内部に進
行する。そして、この腐食が内部まで進行すると、強度
が低下して、メッキ時の応力で亀裂が生じるためであ
る。また、エッチング後の水洗だけでは、エッチングで
生成したアンカー部分に詰まっているセラミックス粉が
除去できないため、メッキの密着強度も低下している。
た従来方法では、マシナブルセラミックスへのメッキに
適用できない問題があった。すなわち、マシナブルセラ
ミックスは母材のＳｉＯ2 の中に雲母結晶が散在してお
り、このような構造のセラミックスを特開昭６２−２６
５１９１号公報のように、高濃度のＮＨ4 Ｆ溶液でエッ
チングすると、セラミックス表面の腐食が急速に進行す
ると共に、この腐食が雲母結晶の粒界を介して内部に進
行する。そして、この腐食が内部まで進行すると、強度
が低下して、メッキ時の応力で亀裂が生じるためであ
る。また、エッチング後の水洗だけでは、エッチングで
生成したアンカー部分に詰まっているセラミックス粉が
除去できないため、メッキの密着強度も低下している。
【０００５】一方、特開昭６２−１７２７８号公報の方
法においても、マシナブルセラミックスの強度が低いた
め、冷間静水圧によってエッジ部分が欠ける問題があ
り、マシナブルセラミックスには適用が不可能となって
いる。
法においても、マシナブルセラミックスの強度が低いた
め、冷間静水圧によってエッジ部分が欠ける問題があ
り、マシナブルセラミックスには適用が不可能となって
いる。
【０００６】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、マシナブルセラミックス自身に欠陥を
発生させることなく、極めて密着強度の強いメッキを施
すことのできるセラミックスのメッキ方法を提供するこ
とを目的とする。
れたものであり、マシナブルセラミックス自身に欠陥を
発生させることなく、極めて密着強度の強いメッキを施
すことのできるセラミックスのメッキ方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】本発明のメッ
キ方法は、マシナブルセラミックスの表面を低濃度のフ
ッ化アンモニウム溶液でエッチングし、このエッチング
により生じたセラミックス粉を超音波洗浄で除去した
後、センシタイジング処理およびアクチベーション処理
を行い、その後、低濃度のメッキ液で無電解メッキして
下地メッキ層を形成し、緩慢な条件で洗浄および熱処理
して無電解メッキを行なうことを特徴とするものであ
る。
キ方法は、マシナブルセラミックスの表面を低濃度のフ
ッ化アンモニウム溶液でエッチングし、このエッチング
により生じたセラミックス粉を超音波洗浄で除去した
後、センシタイジング処理およびアクチベーション処理
を行い、その後、低濃度のメッキ液で無電解メッキして
下地メッキ層を形成し、緩慢な条件で洗浄および熱処理
して無電解メッキを行なうことを特徴とするものであ
る。
【０００８】上記エッチング処理においては、マシナブ
ルセラミックスをアルカリ溶液に浸漬後に、ＮＨ4 Ｆ溶
液に浸漬する。ＮＨ4 Ｆ溶液は１０重量％程度の低濃度
の溶液が使用され、この溶液にマシナブルセラミックス
を例えば３分間、浸漬してエッチングする。かかるＮＨ
4 Ｆ溶液は低濃度のため、緩やかなエッチングが行なわ
れ、これによりセラミックスの強度の低下がなく、亀裂
発生もない状態で、その表面が均一にエッチングされ
る。
ルセラミックスをアルカリ溶液に浸漬後に、ＮＨ4 Ｆ溶
液に浸漬する。ＮＨ4 Ｆ溶液は１０重量％程度の低濃度
の溶液が使用され、この溶液にマシナブルセラミックス
を例えば３分間、浸漬してエッチングする。かかるＮＨ
4 Ｆ溶液は低濃度のため、緩やかなエッチングが行なわ
れ、これによりセラミックスの強度の低下がなく、亀裂
発生もない状態で、その表面が均一にエッチングされ
る。
【０００９】このエッチング後における超音波洗浄で
は、エッチングによって生じたセラミックス粉を除去す
る。すなわち、エッチング後のマシナブルセラミックス
を水洗後、セラミックス粉が出なくなるまで超音波洗浄
器内で５分間程度洗浄する。このとき、セラミックス粉
で洗浄液が濁った場合は、新しい洗浄液に交換し、セラ
ミックス粉が完全に除去されたことを確認する。かかる
セラミックス粉の除去により、表面が清浄となるため、
セラミックス粉の上にメッキが覆うことがなくなり、メ
ッキの密着強度が増大する。
は、エッチングによって生じたセラミックス粉を除去す
る。すなわち、エッチング後のマシナブルセラミックス
を水洗後、セラミックス粉が出なくなるまで超音波洗浄
器内で５分間程度洗浄する。このとき、セラミックス粉
で洗浄液が濁った場合は、新しい洗浄液に交換し、セラ
ミックス粉が完全に除去されたことを確認する。かかる
セラミックス粉の除去により、表面が清浄となるため、
セラミックス粉の上にメッキが覆うことがなくなり、メ
ッキの密着強度が増大する。
【００１０】センシタイジング処理においては、通常の
センシタイジングに用いる濃度の半分程度の濃度の塩化
スズ水溶液に浸漬することで行なう。このセンシタイジ
ング処理の後、水洗してアクチベーション処理を行な
う。このアクチベーション処理においても、通常の半分
程度の濃度の塩化パラジウム水溶液に浸漬して行なう。
そして、水洗後、センシタイジング処理およびアクチベ
ーション処理を数回繰り返す。かかるセンシタイジング
処理およびアクチベーション処理を、通常の濃度で実施
する場合には、メッキの核（パラジウム）がエッチング
されたセラミックス表面の凹部よりも凸部に多く付着
し、この状態でメッキするとセラミックス表面の凹部に
メッキが付着しにくくなり投錨効果が得られずに、メッ
キの密着強度が低くなるが、半分程度の濃度の半分程度
でしかも複数回実施するため、セラミックス表面の凹部
にもメッキの核（パラジウム）が均一に付着する。
センシタイジングに用いる濃度の半分程度の濃度の塩化
スズ水溶液に浸漬することで行なう。このセンシタイジ
ング処理の後、水洗してアクチベーション処理を行な
う。このアクチベーション処理においても、通常の半分
程度の濃度の塩化パラジウム水溶液に浸漬して行なう。
そして、水洗後、センシタイジング処理およびアクチベ
ーション処理を数回繰り返す。かかるセンシタイジング
処理およびアクチベーション処理を、通常の濃度で実施
する場合には、メッキの核（パラジウム）がエッチング
されたセラミックス表面の凹部よりも凸部に多く付着
し、この状態でメッキするとセラミックス表面の凹部に
メッキが付着しにくくなり投錨効果が得られずに、メッ
キの密着強度が低くなるが、半分程度の濃度の半分程度
でしかも複数回実施するため、セラミックス表面の凹部
にもメッキの核（パラジウム）が均一に付着する。
【００１１】下地メッキ層の形成においては、低濃度の
メッキ液に浸漬して行い、数μｍのメッキ膜を付着させ
る。メッキ液を低濃度とすることにより緩速度でメッキ
が発生するため、セラミックス表面の微細な凹部に対し
ても無電解メッキ層を形成することができる。図１およ
び図２は低濃度および高濃度のメッキ液により、下地メ
ッキ層３を形成した断面を示し、高濃度メッキ液を使用
した図２においては、セラミックス１の凹部２（アンカ
ー部）内にメッキ層３が充満していないのに比べ、低濃
度メッキ液を使用した図１においては、セラミックス１
の凹部２内をメッキ層３が充満している。このように凹
部２内にメッキ層が充満することにより、確実な投錨効
果が得られるため、メッキ層の密着強度が大きくなる。
メッキ液に浸漬して行い、数μｍのメッキ膜を付着させ
る。メッキ液を低濃度とすることにより緩速度でメッキ
が発生するため、セラミックス表面の微細な凹部に対し
ても無電解メッキ層を形成することができる。図１およ
び図２は低濃度および高濃度のメッキ液により、下地メ
ッキ層３を形成した断面を示し、高濃度メッキ液を使用
した図２においては、セラミックス１の凹部２（アンカ
ー部）内にメッキ層３が充満していないのに比べ、低濃
度メッキ液を使用した図１においては、セラミックス１
の凹部２内をメッキ層３が充満している。このように凹
部２内にメッキ層が充満することにより、確実な投錨効
果が得られるため、メッキ層の密着強度が大きくなる。
【００１２】この下地メッキ層形成の後において行う洗
浄および熱処理は、緩慢な条件の下で実施する。すなわ
ち、洗浄においては水洗ではなく湯洗とする。マシナブ
ルセラミックスは熱衝撃に対して脆弱であるため、高温
のメッキ槽から引き出し後、湯洗するものである。熱処
理においても同様で、低温（例えば、２００℃前後）で
長時間（例えば、２時間程度）、加熱することでマシナ
ブルセラミックスへの熱応力を軽減させる。これらの工
程以外の工程においても、高温から低温にする場合に
は、同様な目的で徐冷を行なう。なお熱処理の前には、
乾燥を行なっても良く、この乾燥によりセラミックス内
部に侵入した水分を除去できるため、熱処理時における
セラミックスの割れを防止できる。
浄および熱処理は、緩慢な条件の下で実施する。すなわ
ち、洗浄においては水洗ではなく湯洗とする。マシナブ
ルセラミックスは熱衝撃に対して脆弱であるため、高温
のメッキ槽から引き出し後、湯洗するものである。熱処
理においても同様で、低温（例えば、２００℃前後）で
長時間（例えば、２時間程度）、加熱することでマシナ
ブルセラミックスへの熱応力を軽減させる。これらの工
程以外の工程においても、高温から低温にする場合に
は、同様な目的で徐冷を行なう。なお熱処理の前には、
乾燥を行なっても良く、この乾燥によりセラミックス内
部に侵入した水分を除去できるため、熱処理時における
セラミックスの割れを防止できる。
【００１３】熱処理後における無電解メッキは、マシナ
ブルセラミックス表面にメッキを施す本来の処理工程で
あり、通常の条件でメッキ処理する。このメッキ処理に
おいては、下地メッキ層と母材のセラミックスとの密着
性が強いため、５０〜３００μｍの厚い膜厚でメッキ層
を形成できる。
ブルセラミックス表面にメッキを施す本来の処理工程で
あり、通常の条件でメッキ処理する。このメッキ処理に
おいては、下地メッキ層と母材のセラミックスとの密着
性が強いため、５０〜３００μｍの厚い膜厚でメッキ層
を形成できる。
【００１４】
【実施例１】マシナブルセラミックスとして商品名ホレ
ベール（ホトンセラミックス（株）製）および商品名マ
コール（石原薬品（株）製）を使用し、このマシナブル
セラミックスを２０重量％のカセイカリウム溶液に３０
秒浸漬して、アルカリ処理した後、１０重量％のＮＨ4
Ｆ溶液に３分間浸漬して、エッチング処理した。図３
は、ホトベールの表面をエッチング処理した図を示す。
このエッチングの後、水洗し、さらに超音波洗浄器で約
１０分間洗浄した。この洗浄の途中では、エッチングで
生じたセラミックス粉により溶液が濁るので、２回程新
しい溶液に代えて洗浄し、セラミックス粉が出なくなっ
たことでセラミックス粉が十分に除去されたことを確認
した。
ベール（ホトンセラミックス（株）製）および商品名マ
コール（石原薬品（株）製）を使用し、このマシナブル
セラミックスを２０重量％のカセイカリウム溶液に３０
秒浸漬して、アルカリ処理した後、１０重量％のＮＨ4
Ｆ溶液に３分間浸漬して、エッチング処理した。図３
は、ホトベールの表面をエッチング処理した図を示す。
このエッチングの後、水洗し、さらに超音波洗浄器で約
１０分間洗浄した。この洗浄の途中では、エッチングで
生じたセラミックス粉により溶液が濁るので、２回程新
しい溶液に代えて洗浄し、セラミックス粉が出なくなっ
たことでセラミックス粉が十分に除去されたことを確認
した。
【００１５】次に、ＳｎＣｌ2 を５ｇ／ｌ，３６％ＨＣ
ｌを５ｍｌ／ｌ溶解した液温３０℃の塩化スズ水溶液に
５分間、浸漬してセンシタイジング処理し、水洗後、Ｐ
ｄＣｌ2 を０．２ｇ／ｌ，３６％ＨＣｌを２ｍｌ／ｌ溶
解した液温３５℃の塩化パラジウム水溶液に３分間浸漬
してアクチベーション処理した。そして、水洗後、上記
処理を数回実施した。これらセンシタイジング処理およ
びアクチベーション処理の各処理液は、通常の処理液の
半分程度の濃度である。
ｌを５ｍｌ／ｌ溶解した液温３０℃の塩化スズ水溶液に
５分間、浸漬してセンシタイジング処理し、水洗後、Ｐ
ｄＣｌ2 を０．２ｇ／ｌ，３６％ＨＣｌを２ｍｌ／ｌ溶
解した液温３５℃の塩化パラジウム水溶液に３分間浸漬
してアクチベーション処理した。そして、水洗後、上記
処理を数回実施した。これらセンシタイジング処理およ
びアクチベーション処理の各処理液は、通常の処理液の
半分程度の濃度である。
【００１６】この処理の後、セラミックスを水洗し、Ｎ
ｉが３ｇ／ｌ，Ｐが７％に調整された低濃度の無電解Ｐ
Ｎｉメッキ液に、液温８５℃で１５分間浸漬して、数μ
ｍの下地メッキ層を形成した。このメッキ後、湯洗し、
乾燥した。この場合において、温度変化が大きい工程で
は、適宜、徐冷した。乾燥後、約２００℃の炉内で２時
間熱処理し、その後徐冷し、無電解メッキ処理した。
ｉが３ｇ／ｌ，Ｐが７％に調整された低濃度の無電解Ｐ
Ｎｉメッキ液に、液温８５℃で１５分間浸漬して、数μ
ｍの下地メッキ層を形成した。このメッキ後、湯洗し、
乾燥した。この場合において、温度変化が大きい工程で
は、適宜、徐冷した。乾燥後、約２００℃の炉内で２時
間熱処理し、その後徐冷し、無電解メッキ処理した。
【００１７】この無電解メッキ処理は、Ｎｉが５ｇ／
ｌ，Ｐが１２％に調整された濃度の無電解ＰＮｉメッキ
液に一定時間浸漬することで行なった。本実施例におけ
るメッキの析出速度は５〜６μｍ／時間であるため、必
要なメッキ厚に応じて浸漬時間を設定し、例えば１５０
μｍの厚さにメッキする場合は、２７時間浸漬した。か
かる無電解メッキにより５０〜３００μｍの厚膜のメッ
キ層を付着させることができた。
ｌ，Ｐが１２％に調整された濃度の無電解ＰＮｉメッキ
液に一定時間浸漬することで行なった。本実施例におけ
るメッキの析出速度は５〜６μｍ／時間であるため、必
要なメッキ厚に応じて浸漬時間を設定し、例えば１５０
μｍの厚さにメッキする場合は、２７時間浸漬した。か
かる無電解メッキにより５０〜３００μｍの厚膜のメッ
キ層を付着させることができた。
【００１８】このような本実施例では、マシナブルセラ
ミックスに欠陥を生じさせることがなく、しかも下地メ
ッキ層が強固に密着するため、内部応力の大きな無電解
ＰＮｉメッキでも、５０〜３００μｍの厚いメッキが可
能となった。
ミックスに欠陥を生じさせることがなく、しかも下地メ
ッキ層が強固に密着するため、内部応力の大きな無電解
ＰＮｉメッキでも、５０〜３００μｍの厚いメッキが可
能となった。
【００１９】
【実施例２】商品名ホトベールをマシナブルセラミック
スとして使用し、このセラミックスに対し、熱処理工程
まで実施例１と同様な手順で行なった。この熱処理後、
硫酸銅７ｇ／ｌに調整された液温６０℃の無電解Ｃｕメ
ッキ液に浸漬し、Ｃｕメッキ層を付着させた。これによ
り密着強度が大きな状態で良好なメッキ層を形成でき
た。
スとして使用し、このセラミックスに対し、熱処理工程
まで実施例１と同様な手順で行なった。この熱処理後、
硫酸銅７ｇ／ｌに調整された液温６０℃の無電解Ｃｕメ
ッキ液に浸漬し、Ｃｕメッキ層を付着させた。これによ
り密着強度が大きな状態で良好なメッキ層を形成でき
た。
【００２０】
【実施例３】マシナブルセラミックスに対し、熱処理工
程まで実施例１と同様に行い、その後、電気ニッケルメ
ッキを１００〜２００μｍの厚さで付着させた。そし
て、表面を所定形状に機械加工した後、Ｎｉが５ｇ／
ｌ，Ｐが１２％に調整された液温９０℃の無電解ＰＮｉ
メッキ液に浸漬して、無電解メッキを施した。
程まで実施例１と同様に行い、その後、電気ニッケルメ
ッキを１００〜２００μｍの厚さで付着させた。そし
て、表面を所定形状に機械加工した後、Ｎｉが５ｇ／
ｌ，Ｐが１２％に調整された液温９０℃の無電解ＰＮｉ
メッキ液に浸漬して、無電解メッキを施した。
【００２１】本実施例では、ＰＮｉメッキとは内部応力
の異なる電気ニッケルメッキを中間に施すことにより、
温度変化が大きい環境でもメッキの剥離や割れが起こら
ないメッキが可能となっている。これは無電解ＰＮｉは
圧縮応力であるのに対し、電気ニッケルメッキはこれよ
りも小さな引張応力であり、これらの応力が相殺される
ためである。
の異なる電気ニッケルメッキを中間に施すことにより、
温度変化が大きい環境でもメッキの剥離や割れが起こら
ないメッキが可能となっている。これは無電解ＰＮｉは
圧縮応力であるのに対し、電気ニッケルメッキはこれよ
りも小さな引張応力であり、これらの応力が相殺される
ためである。
【００２２】
【発明の効果】以上のとおり本発明によれば、マシナブ
ルセラミックスであっても、欠陥を発生させることな
く、しかも下地メッキ層と母材のセラミックスとの強固
な密着ができるため、内部応力が大きな無電解メッキで
も５０〜３００μｍの厚いメッキを施すことができる。
ルセラミックスであっても、欠陥を発生させることな
く、しかも下地メッキ層と母材のセラミックスとの強固
な密着ができるため、内部応力が大きな無電解メッキで
も５０〜３００μｍの厚いメッキを施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】低濃度で形成した下地メッキ層の断面図であ
る。
る。
【図２】高濃度で形成した下地メッキ層の断面図であ
る。
る。
【図３】エッチング処理したセラミックスの表面図であ
る。
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 マシナブルセラミックスの表面を低濃度
のフッ化アンモニウム溶液でエッチングし、このエッチ
ングにより生じたセラミックス粉を超音波洗浄で除去し
た後、センシタイジング処理およびアクチベーション処
理を行い、その後、低濃度のメッキ液で無電解メッキし
て下地メッキ層を形成し、緩慢な条件で洗浄および熱処
理して無電解メッキを行なうことを特徴とするセラミッ
クスのメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4207195A JPH0624878A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | セラミックスのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4207195A JPH0624878A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | セラミックスのメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0624878A true JPH0624878A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16535820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4207195A Pending JPH0624878A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | セラミックスのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624878A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003057647A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-17 | Applied Materials, Inc. | Methods of roughening a ceramic surface |
| JP2014195000A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Ngk Insulators Ltd | 積層体及び圧電／電歪素子 |
| US11821090B2 (en) | 2016-04-26 | 2023-11-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing ceramic electronic component |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP4207195A patent/JPH0624878A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003057647A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-17 | Applied Materials, Inc. | Methods of roughening a ceramic surface |
| US6899798B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Reusable ceramic-comprising component which includes a scrificial surface layer |
| CN100343200C (zh) * | 2001-12-21 | 2007-10-17 | 应用材料有限公司 | 粗糙化陶瓷表面的方法 |
| KR100978763B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2010-08-30 | 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드 | 기계적 인터로크 및 증착 희생층을 갖는 재사용가능한 세라믹을 포함하는 구성요소를 가공하는 방법 |
| JP2014195000A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Ngk Insulators Ltd | 積層体及び圧電／電歪素子 |
| US11821090B2 (en) | 2016-04-26 | 2023-11-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing ceramic electronic component |
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