JPH06250037A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPH06250037A JPH06250037A JP3216293A JP3216293A JPH06250037A JP H06250037 A JPH06250037 A JP H06250037A JP 3216293 A JP3216293 A JP 3216293A JP 3216293 A JP3216293 A JP 3216293A JP H06250037 A JPH06250037 A JP H06250037A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易に製造できる光増幅機能等を持った光導
波路の構造及びその製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 第１の工程において、基板４上にパターニン
グ用として撥水性の保護膜８を形成し、該保護膜８のコ
ア部９を形成する領域をエッチングし、第２の工程で、
このエッチングされた領域に、ゾルゲル法により機能性
物質として希土類元素をドープした加水分解溶液でコー
ティングした後、コア部９を形成し、第３の工程で、上
記保護膜８を除去した後、コア部９が形成されている基
板４上に、スパッタ法あるいは火炎堆積法によりクラッ
ド部１０を形成することを特徴としており、特に、上記
基板４上に形成される保護膜８は、希土類元素をドープ
した加水分解溶液が表面に残存するのを防止する性質を
有する膜である。
波路の構造及びその製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 第１の工程において、基板４上にパターニン
グ用として撥水性の保護膜８を形成し、該保護膜８のコ
ア部９を形成する領域をエッチングし、第２の工程で、
このエッチングされた領域に、ゾルゲル法により機能性
物質として希土類元素をドープした加水分解溶液でコー
ティングした後、コア部９を形成し、第３の工程で、上
記保護膜８を除去した後、コア部９が形成されている基
板４上に、スパッタ法あるいは火炎堆積法によりクラッ
ド部１０を形成することを特徴としており、特に、上記
基板４上に形成される保護膜８は、希土類元素をドープ
した加水分解溶液が表面に残存するのを防止する性質を
有する膜である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば光増幅機能、
光スイッチ機能等の光素子としての機能を持つ光導波路
に関し、特に、これら機能を得るための構造及びその製
造方法に関するものである。
光スイッチ機能等の光素子としての機能を持つ光導波路
に関し、特に、これら機能を得るための構造及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路の中で石英ガラスを主成
分とした石英系光導波路は、光伝送損失が低く、また、
石英系光ファイバとの低損失な接続が可能であることか
ら、注目を集めてきた。
分とした石英系光導波路は、光伝送損失が低く、また、
石英系光ファイバとの低損失な接続が可能であることか
ら、注目を集めてきた。
【０００３】この石英系光導波路の製造方法としては、
例えば河内正夫、「石英系光導波路と集積光部品への応
用」光学第１８巻第１２号（１９８９年１２月）Ｐ６８
１〜６８６に示すように、火災堆積法（ＦＨＤ：Flame
Hydrolysis Deposition ）によるガラス膜形成と反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）に
よるガラス膜形成とを組合せた方法が最も一般的であ
る。
例えば河内正夫、「石英系光導波路と集積光部品への応
用」光学第１８巻第１２号（１９８９年１２月）Ｐ６８
１〜６８６に示すように、火災堆積法（ＦＨＤ：Flame
Hydrolysis Deposition ）によるガラス膜形成と反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）に
よるガラス膜形成とを組合せた方法が最も一般的であ
る。
【０００４】具体的には、図２に示すように、まず、バ
ーナ１にＳｉＣｌ4 ，ＴｉＣｌ3 等のガラス原料を供給
し、酸水素火炎２中で加水分解反応及び酸化反応により
ガラス微粒子３を得、これをＳｉウェハなどの基板４上
に堆積させて、屈折率の異なるガラス微粒子膜５ａ，５
ｂを順次形成する（同図（ａ））。ここで、ガラス微粒
子膜５ａ，５ｂの両者の組成は異なるものとする（屈折
率が異なる）。
ーナ１にＳｉＣｌ4 ，ＴｉＣｌ3 等のガラス原料を供給
し、酸水素火炎２中で加水分解反応及び酸化反応により
ガラス微粒子３を得、これをＳｉウェハなどの基板４上
に堆積させて、屈折率の異なるガラス微粒子膜５ａ，５
ｂを順次形成する（同図（ａ））。ここで、ガラス微粒
子膜５ａ，５ｂの両者の組成は異なるものとする（屈折
率が異なる）。
【０００５】そして、上述した工程で順次形成したガラ
ス微粒子膜５ａ、５ｂを高温に加熱することにより、ガ
ラス微粒子膜５ａ，５ｂを透明ガラス化してバッファ層
６ａ及びコア層６ｂとする（同図（ｂ））。以上が火炎
堆積法である。
ス微粒子膜５ａ、５ｂを高温に加熱することにより、ガ
ラス微粒子膜５ａ，５ｂを透明ガラス化してバッファ層
６ａ及びコア層６ｂとする（同図（ｂ））。以上が火炎
堆積法である。
【０００６】次に、反応性エッチングにより、コア層６
ｂの不要な部分を除去してリッジ状のコア部６ｃを残し
（同図（ｃ））、再び火炎堆積法によりコア部６ｃを覆
うようにクラッド層６ｄを形成することにより、埋め込
み型の石英系光導波路７を製造する（同図（ｄ））。
ｂの不要な部分を除去してリッジ状のコア部６ｃを残し
（同図（ｃ））、再び火炎堆積法によりコア部６ｃを覆
うようにクラッド層６ｄを形成することにより、埋め込
み型の石英系光導波路７を製造する（同図（ｄ））。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の石英系光導波路
の製造方法は以上のように、火炎堆積法によりコア層及
びクラッド層を形成する。この火炎堆積法は伝送損失が
小さく光合分波、分岐等の受動型光素子の製造には適し
た方法であるが、光増幅、あるいは光スイッチ等の機能
を持った光素子には適していない。
の製造方法は以上のように、火炎堆積法によりコア層及
びクラッド層を形成する。この火炎堆積法は伝送損失が
小さく光合分波、分岐等の受動型光素子の製造には適し
た方法であるが、光増幅、あるいは光スイッチ等の機能
を持った光素子には適していない。
【０００８】すなわち、上記機能を持たせるためには、
コア部に希土類元素などをドープする必要があるが、上
述した火炎堆積法では２０００℃以上の酸水素火炎内で
ガラス合成を行なうため、これら添加物が結晶化しガラ
スにドープすることができないなどの課題があった。
コア部に希土類元素などをドープする必要があるが、上
述した火炎堆積法では２０００℃以上の酸水素火炎内で
ガラス合成を行なうため、これら添加物が結晶化しガラ
スにドープすることができないなどの課題があった。
【０００９】一方、室温付近でガラス合成を行なうため
（添加物の結晶化は起こらない）、添加物を高濃度にし
かも均一にドープすることができる方法としてゾルゲル
法がある。
（添加物の結晶化は起こらない）、添加物を高濃度にし
かも均一にドープすることができる方法としてゾルゲル
法がある。
【００１０】このゾルゲル法は、ガラス原料としてシリ
コンアルコキシドを用い、１０００℃程度の比較的低温
の製造プロセスでガラスが得られるという特徴を有す
る。また、従来の気相法、溶液含浸法等では１ｗｔ％程
度しか不純物をドープすることができず、しかもドープ
しても均一にならない（高温度では結晶化してしまう）
のに対し、この方法によれば、加工温度を低くできるの
で３ｗｔ％程度まで不純物をドープすることができ、し
かも均一にドープできるので、従来の方法よりもはるか
に高い濃度の不純物をドープしたガラスの合成が可能で
ある。
コンアルコキシドを用い、１０００℃程度の比較的低温
の製造プロセスでガラスが得られるという特徴を有す
る。また、従来の気相法、溶液含浸法等では１ｗｔ％程
度しか不純物をドープすることができず、しかもドープ
しても均一にならない（高温度では結晶化してしまう）
のに対し、この方法によれば、加工温度を低くできるの
で３ｗｔ％程度まで不純物をドープすることができ、し
かも均一にドープできるので、従来の方法よりもはるか
に高い濃度の不純物をドープしたガラスの合成が可能で
ある。
【００１１】しかしながら、ゾルゲル法で作成すること
ができるコーティング膜の膜厚は１μｍ程度が限界で、
それ以上の厚さの膜を作製しようとすると膜の剥離又は
クラックなどを生じるため、コア部とするのに必要な数
μｍの厚さを持った薄膜を作製することができないとい
う課題があった。
ができるコーティング膜の膜厚は１μｍ程度が限界で、
それ以上の厚さの膜を作製しようとすると膜の剥離又は
クラックなどを生じるため、コア部とするのに必要な数
μｍの厚さを持った薄膜を作製することができないとい
う課題があった。
【００１２】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、容易に製造できる光増幅機能等を
持った光導波路の構造及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
めになされたもので、容易に製造できる光増幅機能等を
持った光導波路の構造及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光導波路
の製造方法は、第１の工程において、基板上にパターニ
ング用として撥水性の保護膜を形成し、該保護膜のコア
部を形成する領域をエッチングし、第２の工程で、この
エッチングされた領域に、ゾルゲル法により機能性物質
として希土類元素をドープした加水分解溶液でコーティ
ングした後、コア部を形成し、第３の工程で、上記保護
膜を除去した後、コア部が形成されている基板上に、ス
パッタ法あるいは火炎堆積法によりクラッド部を形成す
ることを特徴としている。
の製造方法は、第１の工程において、基板上にパターニ
ング用として撥水性の保護膜を形成し、該保護膜のコア
部を形成する領域をエッチングし、第２の工程で、この
エッチングされた領域に、ゾルゲル法により機能性物質
として希土類元素をドープした加水分解溶液でコーティ
ングした後、コア部を形成し、第３の工程で、上記保護
膜を除去した後、コア部が形成されている基板上に、ス
パッタ法あるいは火炎堆積法によりクラッド部を形成す
ることを特徴としている。
【００１４】特に、上記基板上に形成される保護膜は、
希土類元素をドープした加水分解溶液が表面に残存する
のを防止するため、フッ素を含むガラスあるいは樹脂に
より撥水性を有することを特徴としている。なお、具体
的な樹脂として、３フッ化塩化エチレン、４フッ化エチ
レン、４フッ化エチレン・６フッ化プロピレン、フッ化
ビニリデンなどのフッ素樹脂を用いる。また、パラフィ
ンやシリコーンを用いても良い。
希土類元素をドープした加水分解溶液が表面に残存する
のを防止するため、フッ素を含むガラスあるいは樹脂に
より撥水性を有することを特徴としている。なお、具体
的な樹脂として、３フッ化塩化エチレン、４フッ化エチ
レン、４フッ化エチレン・６フッ化プロピレン、フッ化
ビニリデンなどのフッ素樹脂を用いる。また、パラフィ
ンやシリコーンを用いても良い。
【００１５】また、光導波路におけるクラッド領域とし
て機能する上記基板及びクラッド領域は、上記コア部の
屈折率と異なる屈折率とする。
て機能する上記基板及びクラッド領域は、上記コア部の
屈折率と異なる屈折率とする。
【００１６】具体的には、基板及びクラッド部にフッ素
等をドープして、この基板及びクラッド部の屈折率をコ
ア部の屈折率よりも下げるか、あるいはコア部の各層に
ＧｅＯ2 をドープして、このコア部の屈折率を基板及び
クラッド部の屈折率よりも上げるようにする。なお、基
板とクラッド部の屈折率は、必ずしも一致する必要はな
い。
等をドープして、この基板及びクラッド部の屈折率をコ
ア部の屈折率よりも下げるか、あるいはコア部の各層に
ＧｅＯ2 をドープして、このコア部の屈折率を基板及び
クラッド部の屈折率よりも上げるようにする。なお、基
板とクラッド部の屈折率は、必ずしも一致する必要はな
い。
【００１７】
【作用】この発明における光導波路の製造方法は、基板
上に形成する保護膜を、希土類元素をドープした加水分
解溶液が表面に残存するのを防止する性質（撥水性）を
有する膜で形成している。
上に形成する保護膜を、希土類元素をドープした加水分
解溶液が表面に残存するのを防止する性質（撥水性）を
有する膜で形成している。
【００１８】これは、課題の欄で示したように、ゾルゲ
ル法で膜厚１μｍ以上の層を基板上に形成すると、膜の
剥離又はクラックが発生する原因を以下のように考えた
からである。
ル法で膜厚１μｍ以上の層を基板上に形成すると、膜の
剥離又はクラックが発生する原因を以下のように考えた
からである。
【００１９】すなわち、ゾルゲル法により形成される膜
はコーティング後、ガラス化するまでに収縮するが、こ
の収縮が基板表面に対して垂直方向だけでなく、水平方
向にも起こるため、基板表面の収縮率（ほとんどない）
と膜の収縮率との差により、応力集中が生じ、剥離又は
クラックが発生する。
はコーティング後、ガラス化するまでに収縮するが、こ
の収縮が基板表面に対して垂直方向だけでなく、水平方
向にも起こるため、基板表面の収縮率（ほとんどない）
と膜の収縮率との差により、応力集中が生じ、剥離又は
クラックが発生する。
【００２０】以上の認識によると、膜の収縮による歪は
基板との接触面積が大きいほど、その歪は大きくなるの
で、膜と基板の接触面積を小さくすれば歪は小さくな
る。
基板との接触面積が大きいほど、その歪は大きくなるの
で、膜と基板の接触面積を小さくすれば歪は小さくな
る。
【００２１】したがって、ゾルゲル法を用いてコア部を
作り込む工程において、予めパターニングする保護膜
を、希土類元素をドープした加水分解溶液が表面に残存
するのを防止する性質を有する膜で形成することによ
り、この保護膜の表面上に上記溶液が残存するのを防止
するとともに、パターニングされたコア部形成領域のみ
に上記溶液を閉じ込めることが可能になり、コア部と基
板表面との接触面積を小さくすることが可能になる。
作り込む工程において、予めパターニングする保護膜
を、希土類元素をドープした加水分解溶液が表面に残存
するのを防止する性質を有する膜で形成することによ
り、この保護膜の表面上に上記溶液が残存するのを防止
するとともに、パターニングされたコア部形成領域のみ
に上記溶液を閉じ込めることが可能になり、コア部と基
板表面との接触面積を小さくすることが可能になる。
【００２２】また、コア部を取り囲む基板及びクラッド
部の屈折率を、コア部の屈折率よりも低くなるように構
成することにより、光導波路としての機能を保証する。
部の屈折率を、コア部の屈折率よりも低くなるように構
成することにより、光導波路としての機能を保証する。
【００２３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１を用いて説
明する。なお、図中同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。
明する。なお、図中同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。
【００２４】図１は、この発明に係る光導波路の製造方
法を説明するための製造工程を示す図であり、以下この
図にしたがって各工程を説明する。
法を説明するための製造工程を示す図であり、以下この
図にしたがって各工程を説明する。
【００２５】まず、第１の工程において、基板４上に撥
水性の保護膜８を形成する（同図（ａ））。ここで、上
記基板４はフッ素（Ｆ）をドープした３０ｍｍ角のＳｉ
Ｏ2 ガラスであって、上記第１のコア層８ａとして形成
したＳｉＯ2 に対して屈折率差が−０．７％低くしたも
のを用いている。
水性の保護膜８を形成する（同図（ａ））。ここで、上
記基板４はフッ素（Ｆ）をドープした３０ｍｍ角のＳｉ
Ｏ2 ガラスであって、上記第１のコア層８ａとして形成
したＳｉＯ2 に対して屈折率差が−０．７％低くしたも
のを用いている。
【００２６】また、上記撥水性の保護膜８はフッ素
（Ｆ）を含む高分子膜であり、この保護膜８のうちコア
部９を形成する領域を、リソグラフィ技術を用いてエッ
チングする（同図（ｂ））。
（Ｆ）を含む高分子膜であり、この保護膜８のうちコア
部９を形成する領域を、リソグラフィ技術を用いてエッ
チングする（同図（ｂ））。
【００２７】次に、第２の工程において、上記パターニ
ングされた撥水性の保護膜８上に、ゾルゲル法を用いて
機能性物質である希土類元素としてエルビウム（Ｅｒ）
を３ｗｔ％ドープした加水分解溶液をコーティングし、
この保護膜８の表面から上記加水分解溶液が残存するの
を防止するとともに、コア部９を形成する領域にコーテ
ィングされた加水分解溶液を閉じ込める（同図
（ｃ））。
ングされた撥水性の保護膜８上に、ゾルゲル法を用いて
機能性物質である希土類元素としてエルビウム（Ｅｒ）
を３ｗｔ％ドープした加水分解溶液をコーティングし、
この保護膜８の表面から上記加水分解溶液が残存するの
を防止するとともに、コア部９を形成する領域にコーテ
ィングされた加水分解溶液を閉じ込める（同図
（ｃ））。
【００２８】具体的には、テトラエトキシシラン（ＴＥ
ＯＳ:tetraethylorthosilicate）を１０ｍｌ、エタノー
ルを１０ｍｌ、１Ｎ−ＨＣｌを４ｍｌの溶液にＥｒＣｌ
3 ・６Ｈ2 Ｏを所定量溶解させ攪拌して調製したゾル
を、スピンコーティングにより保護膜８上にコーティン
グし（同図（ｃ））、１００℃で１０時間乾燥した後、
酸素雰囲気中で５００℃に加熱して保護膜８である高分
子膜を熱分解させ、５μｍ×５μｍの断面形状を有する
コア部９を形成する（同図（ｄ））。
ＯＳ:tetraethylorthosilicate）を１０ｍｌ、エタノー
ルを１０ｍｌ、１Ｎ−ＨＣｌを４ｍｌの溶液にＥｒＣｌ
3 ・６Ｈ2 Ｏを所定量溶解させ攪拌して調製したゾル
を、スピンコーティングにより保護膜８上にコーティン
グし（同図（ｃ））、１００℃で１０時間乾燥した後、
酸素雰囲気中で５００℃に加熱して保護膜８である高分
子膜を熱分解させ、５μｍ×５μｍの断面形状を有する
コア部９を形成する（同図（ｄ））。
【００２９】なお、不純物ドープ層８ｂの膜厚は、ＴＥ
ＯＳに対するエタノールの成分比を変え、ゾルの粘度を
変化させることで、０．４〜１．２μｍ程度の範囲で制
御できることが、星野、他´ゾルゲル法による石英膜の
作成´、１９９１年電子情報通信学会春季全国大会、Ｃ
−２１５に示されている。
ＯＳに対するエタノールの成分比を変え、ゾルの粘度を
変化させることで、０．４〜１．２μｍ程度の範囲で制
御できることが、星野、他´ゾルゲル法による石英膜の
作成´、１９９１年電子情報通信学会春季全国大会、Ｃ
−２１５に示されている。
【００３０】さらに、第３の工程において、コア部９が
形成されている基板４上に、火炎堆積法により、クラッ
ド部１０を形成してそして、第３の工程では、火炎堆積
法によって上記基板４と同様にコア部８ｄより屈折率の
低いクラッド部９を形成することで、埋め込み型光導波
路を製造する（同図（ｅ））。
形成されている基板４上に、火炎堆積法により、クラッ
ド部１０を形成してそして、第３の工程では、火炎堆積
法によって上記基板４と同様にコア部８ｄより屈折率の
低いクラッド部９を形成することで、埋め込み型光導波
路を製造する（同図（ｅ））。
【００３１】なお、上記実施例によると、クラッド部１
０は火炎堆積法により形成したが、特にこの形成方法に
は限定されず、スパッタ法を用いても同様に形成するこ
とができる。
０は火炎堆積法により形成したが、特にこの形成方法に
は限定されず、スパッタ法を用いても同様に形成するこ
とができる。
【００３２】さらに、上記実施例では基板４としてフッ
素をドープしたＳｉＯ2 板を用いたが、特に限定するも
のではなく、純ＳｉＯ2 板、多成分ガラス板、Ｓｉウェ
ハ等を用いても同様の効果を奏する。
素をドープしたＳｉＯ2 板を用いたが、特に限定するも
のではなく、純ＳｉＯ2 板、多成分ガラス板、Ｓｉウェ
ハ等を用いても同様の効果を奏する。
【００３３】この実施例のように基板４としてフッ素を
ドープしたＳｉＯ2 板の場合、基板４の屈折率が低下す
るのでコア部９は純石英でよいので作製が容易になる。
ドープしたＳｉＯ2 板の場合、基板４の屈折率が低下す
るのでコア部９は純石英でよいので作製が容易になる。
【００３４】一方、基板４に純石英基板を用いる場合、
コア部９を形成のときに屈折率を上げる材料としてＧｅ
Ｏ2 などの不純物を同時に添加することにより、光導波
路としての機能を保証する。
コア部９を形成のときに屈折率を上げる材料としてＧｅ
Ｏ2 などの不純物を同時に添加することにより、光導波
路としての機能を保証する。
【００３５】なお、基板４としてＳｉウェハ等を用いる
場合は、コア部９を形成するのに先立って、バッファ層
（従来の技術では、図２中の図番６ａに相当する）を形
成しておく。
場合は、コア部９を形成するのに先立って、バッファ層
（従来の技術では、図２中の図番６ａに相当する）を形
成しておく。
【００３６】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ゾルゲ
ル法により機能性物質として希土類元素をドープした加
水分解溶液でコーティングした後、コア部を形成する
際、予め基板上に撥水性の保護膜によりこの加水分解溶
液をコア部を形成する領域に閉じ込めたので、基板との
剥離又はクラックを生じることなくコア部を形成するこ
とができるという効果がある。
ル法により機能性物質として希土類元素をドープした加
水分解溶液でコーティングした後、コア部を形成する
際、予め基板上に撥水性の保護膜によりこの加水分解溶
液をコア部を形成する領域に閉じ込めたので、基板との
剥離又はクラックを生じることなくコア部を形成するこ
とができるという効果がある。
【００３７】さらに、この発明にによると導波路型の光
増幅器を作成することが可能になるため、光通信分野に
おける増幅器の小形化を可能にするという効果がある。
増幅器を作成することが可能になるため、光通信分野に
おける増幅器の小形化を可能にするという効果がある。
【図１】この発明に係る光導波路の製造方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図２】従来の光導波路の製造方法を説明するための図
である。
である。
４…基板、８…高分子膜、９…コア部、１０…クラッド
部。
部。
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上にパターニング用の保護膜を形成
し、該保護膜のコア部を形成する領域をエッチングする
第１の工程と、 前記エッチングされた領域に、ゾルゲル法により機能性
物質を含有するコア部を形成する第２の工程と、 前記保護膜を除去した後、前記コア部が形成されている
基板上にクラッド部を形成する第３の工程を備えた光導
波路の製造方法。 - 【請求項２】 前記エッチングされた保護膜表面を、ゾ
ルゲル法により機能性物質として希土類元素をドープし
た加水分解溶液でコーティングし、コア部を形成するこ
とを特徴とする請求項１記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 前記保護膜は、前記ゾルゲル法により機
能性物質として希土類元素をドープした加水分解溶液が
表面に残存するのを防止する性質を有する膜であって、
フッ素を含むガラス、樹脂、パラフィン、あるいはシリ
コーンで形成されることを特徴とする請求項１又は２記
載の光導波路の作製方法。 - 【請求項４】 前記基板及びクラッド部に不純物をドー
プして、該基板及びクラッド部の屈折率を前記コア部の
屈折率よりも低くすることを特徴とする請求項１記載の
光導波路の製造方法。 - 【請求項５】 前記コア部を構成する各層に不純物をド
ープして、該コア部を構成する各層の屈折率を前記基板
及びクラッド部の屈折率よりも高くすることを特徴とす
る請求項１記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項６】 前記第３の工程において、前記クラッド
層をスパッタ法で形成するか、あるいは火炎堆積法で形
成することを特徴とする請求項１記載の光導波路の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216293A JPH06250037A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216293A JPH06250037A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250037A true JPH06250037A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12351248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3216293A Pending JPH06250037A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06250037A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007240781A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平面光導波回路およびその作製方法 |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP3216293A patent/JPH06250037A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007240781A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平面光導波回路およびその作製方法 |
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