JPH06251338A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとその製造方法Info
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- JPH06251338A JPH06251338A JP5033413A JP3341393A JPH06251338A JP H06251338 A JPH06251338 A JP H06251338A JP 5033413 A JP5033413 A JP 5033413A JP 3341393 A JP3341393 A JP 3341393A JP H06251338 A JPH06251338 A JP H06251338A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子の静電破壊を防止し得る接地手段を
備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを低コストで提供
することを目的とする。 【構成】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、導電性基
板２１上に形成された磁気抵抗効果型の薄膜磁気回路３
２，３７ａ，３６，３７ｂと、導電性基板２１の電位を
接地電位に維持するための接地手段３７ｃ，２４ａ，２
６とを備えている。
備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを低コストで提供
することを目的とする。 【構成】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、導電性基
板２１上に形成された磁気抵抗効果型の薄膜磁気回路３
２，３７ａ，３６，３７ｂと、導電性基板２１の電位を
接地電位に維持するための接地手段３７ｃ，２４ａ，２
６とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドに関し、特に、磁気テープの走行時に発生する静
電気による磁気抵抗素子（ＭＲ素子）の破壊防止に関す
るものである。
ヘッドに関し、特に、磁気テープの走行時に発生する静
電気による磁気抵抗素子（ＭＲ素子）の破壊防止に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの一例を示す主要部の概略的な断面図である。図４の
磁気ヘッドはヨークタイプの磁気抵抗効果型ヘッドと称
されるもので、ＭＲ素子は左端のヘッド先端から離され
ており、磁気記録媒体から生じる磁束は磁束導入路（以
下、「磁気コア」と称す）を介してＭＲ素子まで導かれ
る。このようなヨークタイプの磁気抵抗効果型ヘッド
は、ＭＲ素子単体で磁気ヘッドを構成した場合よりも、
信号の分解能の向上やＭＲ素子の耐久性の向上に有効で
あることが知られている。
ドの一例を示す主要部の概略的な断面図である。図４の
磁気ヘッドはヨークタイプの磁気抵抗効果型ヘッドと称
されるもので、ＭＲ素子は左端のヘッド先端から離され
ており、磁気記録媒体から生じる磁束は磁束導入路（以
下、「磁気コア」と称す）を介してＭＲ素子まで導かれ
る。このようなヨークタイプの磁気抵抗効果型ヘッド
は、ＭＲ素子単体で磁気ヘッドを構成した場合よりも、
信号の分解能の向上やＭＲ素子の耐久性の向上に有効で
あることが知られている。
【０００３】図４の磁気ヘッドにおいては、基板２１上
に、パーマロイやセンダストなどの磁性材料からなる下
部磁気コア３２が形成され、その上にＳｉＯ2 やＡｌ2
Ｏ3などからなる磁気ギャップ用の層間絶縁膜（以下、
「ギャップ層」と称す）２２が形成されている。このギ
ャップ層２２上には概略台形状に加工されたＳｉＯ2や
Ａｌ2 Ｏ3 などからなる絶縁層２３が形成されている。
その絶縁層２３の内部においてＡｌ，Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｕ
合金，Ａｕ，Ａｇなどからなるバイアスリード層２４と
Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｎｉ−Ｃｏ合金などからなるＭＲ素子
３６とが、互いに絶縁された状態で形成されている。概
略台形状に加工された絶縁層２３の表面に沿って、パー
マロイやセンダストなどの磁気材料からなる第１と第２
の上部磁気コア３７ａと３７ｂが形成されている。第２
の上部磁気コア３７ｂの後方において、ギャップ層２２
が加工されており、そこにおいて第２の上部磁気コア３
７ｂと下部磁気コア３２が磁気的に結合している。
に、パーマロイやセンダストなどの磁性材料からなる下
部磁気コア３２が形成され、その上にＳｉＯ2 やＡｌ2
Ｏ3などからなる磁気ギャップ用の層間絶縁膜（以下、
「ギャップ層」と称す）２２が形成されている。このギ
ャップ層２２上には概略台形状に加工されたＳｉＯ2や
Ａｌ2 Ｏ3 などからなる絶縁層２３が形成されている。
その絶縁層２３の内部においてＡｌ，Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｕ
合金，Ａｕ，Ａｇなどからなるバイアスリード層２４と
Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｎｉ−Ｃｏ合金などからなるＭＲ素子
３６とが、互いに絶縁された状態で形成されている。概
略台形状に加工された絶縁層２３の表面に沿って、パー
マロイやセンダストなどの磁気材料からなる第１と第２
の上部磁気コア３７ａと３７ｂが形成されている。第２
の上部磁気コア３７ｂの後方において、ギャップ層２２
が加工されており、そこにおいて第２の上部磁気コア３
７ｂと下部磁気コア３２が磁気的に結合している。
【０００４】すなわち、ギャップ層２２，第２の上部磁
気コア３７ａ，ＭＲ素子３６，第２の磁気コア３７ｂ，
および下部磁気コア３２によって磁気回路が形成され、
磁気記録媒体（図示せず）から生じる磁束はＭＲ素子３
６で電気信号に変換され、そのＭＲ素子３６の両端に接
続されたリード線（以下、これを「シグナルリード」と
称し、これは図４の断面において表れていない）によっ
て伝達される。
気コア３７ａ，ＭＲ素子３６，第２の磁気コア３７ｂ，
および下部磁気コア３２によって磁気回路が形成され、
磁気記録媒体（図示せず）から生じる磁束はＭＲ素子３
６で電気信号に変換され、そのＭＲ素子３６の両端に接
続されたリード線（以下、これを「シグナルリード」と
称し、これは図４の断面において表れていない）によっ
て伝達される。
【０００５】以上のような磁気回路上にはＳｉＯ2 やＡ
ｌ2 Ｏ3 などの保護層３９が形成されており、さらに、
セラミック結晶化硝子などの保護板（図示せず）によっ
て挟持されている。
ｌ2 Ｏ3 などの保護層３９が形成されており、さらに、
セラミック結晶化硝子などの保護板（図示せず）によっ
て挟持されている。
【０００６】このような磁気ヘッドは図４の紙面に垂直
な方向に複数個同時に形成されており、図４の紙面に平
行な面に沿って分断することによって、それら複数の磁
気ヘッドが互いに分離される。分離された磁気ヘッドの
各々のヘッド先端におけるテープ褶動面（図４における
左側の面）は、円筒研削やテープ研磨によって所定の極
率に加工される。この再生用磁気ヘッドチップは、記録
用磁気ヘッドチップとともに、または録再複合ヘッドチ
ップとしてユニット化される。磁気ヘッドのユニット化
においては、ヘッドのあおり突出し量，テープエッジに
対するアジマス角，磁気テープのトラック位置などに対
するヘッドの相対的位置を調整し、テープガイドなどに
接着剤や紫外線硬化型樹脂などで接続固定される。その
とき、バイアスリードとシグナルリードの端子は、ＴＡ
Ｂ法などのボンディングによって、対応する導線を介し
て外部装置に接続される。
な方向に複数個同時に形成されており、図４の紙面に平
行な面に沿って分断することによって、それら複数の磁
気ヘッドが互いに分離される。分離された磁気ヘッドの
各々のヘッド先端におけるテープ褶動面（図４における
左側の面）は、円筒研削やテープ研磨によって所定の極
率に加工される。この再生用磁気ヘッドチップは、記録
用磁気ヘッドチップとともに、または録再複合ヘッドチ
ップとしてユニット化される。磁気ヘッドのユニット化
においては、ヘッドのあおり突出し量，テープエッジに
対するアジマス角，磁気テープのトラック位置などに対
するヘッドの相対的位置を調整し、テープガイドなどに
接着剤や紫外線硬化型樹脂などで接続固定される。その
とき、バイアスリードとシグナルリードの端子は、ＴＡ
Ｂ法などのボンディングによって、対応する導線を介し
て外部装置に接続される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の磁
気ヘッドには、静電気対策用の電極端子は設けられてお
らず、磁気ヘッドがユニット化された場合に、接地され
ている周辺部とヘッド部とが確実に電気的に導通される
という保証がなかった。
気ヘッドには、静電気対策用の電極端子は設けられてお
らず、磁気ヘッドがユニット化された場合に、接地され
ている周辺部とヘッド部とが確実に電気的に導通される
という保証がなかった。
【０００８】すなわち、磁気ヘッドがユニット化される
場合に、ヘッドを装着するテープガイドが絶縁物であっ
たり、または接地された周辺部と磁気ヘッドとの間で導
通が取られていない場合に、たとえばテープ走行時に発
生した静電気がヘッド内に流入して帯電し、その静電気
の放電時にＭＲ素子が破壊されることがあるという課題
があった。
場合に、ヘッドを装着するテープガイドが絶縁物であっ
たり、または接地された周辺部と磁気ヘッドとの間で導
通が取られていない場合に、たとえばテープ走行時に発
生した静電気がヘッド内に流入して帯電し、その静電気
の放電時にＭＲ素子が破壊されることがあるという課題
があった。
【０００９】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
み、静電気によるＭＲ素子の破壊を防止し得る磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供することを
目的としている。
み、静電気によるＭＲ素子の破壊を防止し得る磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供することを
目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの態様によ
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、導電性基板と、そ
の導電性基板上に形成された磁気抵抗効果型の薄膜磁気
回路と、導電性基板の電位を接地電位に維持するための
接地手段とを備えていることを特徴としている。
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、導電性基板と、そ
の導電性基板上に形成された磁気抵抗効果型の薄膜磁気
回路と、導電性基板の電位を接地電位に維持するための
接地手段とを備えていることを特徴としている。
【００１１】本発明のもう１つの態様による磁気ヘッド
の製造方法は、導電性基板上に形成された磁気抵抗効果
型の薄膜磁気回路と、導電性基板の電位を接地電位に維
持するための接地手段とを備えた磁気ヘッドの製造方法
であって、導電性基板の第１領域上に磁気回路に含まれ
る下部磁気コアを形成し、下部磁気コア上に絶縁層を形
成すると同時に基板の第２領域上に同一の絶縁層を形成
し、第１領域上の絶縁層上に磁気回路に含まれるバイア
スリードを形成すると同時に第２領域上の絶縁層上に接
地用電極を形成し、バイアスリードと接地用電極を埋込
むようにさらに絶縁層を積層し、積層されて一体化され
た絶縁層を第１領域と第２領域において同時に加工し、
第１領域において加工された絶縁層上に磁気回路に含ま
れる上部磁気コアを形成すると同時に第２領域内の絶縁
層に開けられたコンタクトホールを介して接地用電極と
基板を接続する導電体を形成し、その後に、第２領域の
絶縁層内に開けられたもう１つのコンタクトホールを介
して接地用電極が接地電位に接続されることを特徴とし
ている。
の製造方法は、導電性基板上に形成された磁気抵抗効果
型の薄膜磁気回路と、導電性基板の電位を接地電位に維
持するための接地手段とを備えた磁気ヘッドの製造方法
であって、導電性基板の第１領域上に磁気回路に含まれ
る下部磁気コアを形成し、下部磁気コア上に絶縁層を形
成すると同時に基板の第２領域上に同一の絶縁層を形成
し、第１領域上の絶縁層上に磁気回路に含まれるバイア
スリードを形成すると同時に第２領域上の絶縁層上に接
地用電極を形成し、バイアスリードと接地用電極を埋込
むようにさらに絶縁層を積層し、積層されて一体化され
た絶縁層を第１領域と第２領域において同時に加工し、
第１領域において加工された絶縁層上に磁気回路に含ま
れる上部磁気コアを形成すると同時に第２領域内の絶縁
層に開けられたコンタクトホールを介して接地用電極と
基板を接続する導電体を形成し、その後に、第２領域の
絶縁層内に開けられたもう１つのコンタクトホールを介
して接地用電極が接地電位に接続されることを特徴とし
ている。
【００１２】
【作用】本発明の１つの態様による磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドにおいては、導電性基板の電位を接地電位に
接続するための接続手段を有しているので、テープ走行
時に発生した静電気が磁気ヘッド内に流入しても、その
静電気が接地手段を介して流出する。したがって、磁気
ヘッドが帯電することがなく、ＭＲ素子が破壊されるこ
とがない。
磁気ヘッドにおいては、導電性基板の電位を接地電位に
接続するための接続手段を有しているので、テープ走行
時に発生した静電気が磁気ヘッド内に流入しても、その
静電気が接地手段を介して流出する。したがって、磁気
ヘッドが帯電することがなく、ＭＲ素子が破壊されるこ
とがない。
【００１３】本発明のもう１つの態様による磁気ヘッド
の製造方法においては、接地用電極がバイアスリードと
同一の工程において形成され、その接地用電極と導電性
基板とを接続する導電体が上部磁気コアと同じ工程にお
いて形成されるので、従来の磁気ヘッドの製造工程を増
加させることなく導電性基板を接地電位に接続する手段
を備えた磁気ヘッドの製造方法を提供することができ
る。
の製造方法においては、接地用電極がバイアスリードと
同一の工程において形成され、その接地用電極と導電性
基板とを接続する導電体が上部磁気コアと同じ工程にお
いて形成されるので、従来の磁気ヘッドの製造工程を増
加させることなく導電性基板を接地電位に接続する手段
を備えた磁気ヘッドの製造方法を提供することができ
る。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の一実施例による磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドを模式的に示す平面図である。この
図において、図４の磁気ヘッドと同一部分または相当す
る部分には同一の参照符号が付されている。すなわち、
磁気ヘッド部１００はバイアスリード２４，ＭＲ素子３
６，第１の上部磁気コア３７ａ，および第２の上部磁気
コア３７ｂを含んでいる。さらに、磁気ヘッド部１００
は、ＭＲ素子３６の両端に接続された第１と第２のシグ
ナルリード３０ａ，３０ｂを含んでいる。バイアスリー
ド２４はマルチトラックに関して共通に形成されてお
り、ＭＲ素子３６によって検出された信号はシグナルリ
ード３０ａ，３０ｂによって伝達される。なお、図中の
矢印Ｉｓは信号電流を表している。
果型薄膜磁気ヘッドを模式的に示す平面図である。この
図において、図４の磁気ヘッドと同一部分または相当す
る部分には同一の参照符号が付されている。すなわち、
磁気ヘッド部１００はバイアスリード２４，ＭＲ素子３
６，第１の上部磁気コア３７ａ，および第２の上部磁気
コア３７ｂを含んでいる。さらに、磁気ヘッド部１００
は、ＭＲ素子３６の両端に接続された第１と第２のシグ
ナルリード３０ａ，３０ｂを含んでいる。バイアスリー
ド２４はマルチトラックに関して共通に形成されてお
り、ＭＲ素子３６によって検出された信号はシグナルリ
ード３０ａ，３０ｂによって伝達される。なお、図中の
矢印Ｉｓは信号電流を表している。
【００１５】静電気を開放するために設けられた接地用
電極２４ａは、導電層３７ｃを介して基板２１へ電気的
に接続されている。この接地用電極２４ａは、導線２６
を介して接地されている。
電極２４ａは、導電層３７ｃを介して基板２１へ電気的
に接続されている。この接地用電極２４ａは、導線２６
を介して接地されている。
【００１６】したがって、図１の紙面と垂直方向に走行
して第１の上部磁気コア３７ａなどに対して褶動する磁
気テープによって生ぜられた静電気が導電性基板２１内
に侵入したとしても、その静電気は導電層２７ｃ，接地
用電極２４ａ，および導線２６を介してアースに解放さ
れるので、静電気の内部放電によるＭＲ素子３６の破壊
を防止することができる。
して第１の上部磁気コア３７ａなどに対して褶動する磁
気テープによって生ぜられた静電気が導電性基板２１内
に侵入したとしても、その静電気は導電層２７ｃ，接地
用電極２４ａ，および導線２６を介してアースに解放さ
れるので、静電気の内部放電によるＭＲ素子３６の破壊
を防止することができる。
【００１７】図２と図３は図１の磁気ヘッドの製造方法
を説明するための概略的な断面図であり、図１中の線３
Ｂ−３Ｂに沿った断面構造の形成過程を図解している。
図２および図３において、図４と同一部分または対応す
る部分が同一の参照符号で表されている。
を説明するための概略的な断面図であり、図１中の線３
Ｂ−３Ｂに沿った断面構造の形成過程を図解している。
図２および図３において、図４と同一部分または対応す
る部分が同一の参照符号で表されている。
【００１８】まず、図２（Ａ）において、導電性基板２
１上に下部絶縁層２２と上部絶縁層２３が形成される。
下部絶縁層２２と上部絶縁層２３は、それぞれ図４中の
ギャップ層２２および絶縁層２３と同一の工程によって
形成され、同一の層をなしている。また、接地用電極２
４ａはバイアスリード２４と同一の工程によって形成さ
れる。下部絶縁層（またはギャップ層）２２は、たとえ
ばＡｌ2 Ｏ3 を用いて、たとえばスパッタリングによっ
て形成することができる。上部絶縁層２３は、たとえば
ＳｉＯ2 を用いて、たとえばスパッタリングによって形
成することができる。接地用電極２４ａとバイアスリー
ド２４は、たとえばＡｌ−Ｃｕ合金を用いて、たとえば
蒸着法によって形成された膜を加工することによって形
成され得る。すなわち、その合金膜上にフォトリソグラ
フィ技術によって所望のレジストパターンを形成し、そ
の後に湿式エッチングを施すことによって所望のパター
ンの接地用電極２４ａとバイアスリード２４を同時に形
成することができる。
１上に下部絶縁層２２と上部絶縁層２３が形成される。
下部絶縁層２２と上部絶縁層２３は、それぞれ図４中の
ギャップ層２２および絶縁層２３と同一の工程によって
形成され、同一の層をなしている。また、接地用電極２
４ａはバイアスリード２４と同一の工程によって形成さ
れる。下部絶縁層（またはギャップ層）２２は、たとえ
ばＡｌ2 Ｏ3 を用いて、たとえばスパッタリングによっ
て形成することができる。上部絶縁層２３は、たとえば
ＳｉＯ2 を用いて、たとえばスパッタリングによって形
成することができる。接地用電極２４ａとバイアスリー
ド２４は、たとえばＡｌ−Ｃｕ合金を用いて、たとえば
蒸着法によって形成された膜を加工することによって形
成され得る。すなわち、その合金膜上にフォトリソグラ
フィ技術によって所望のレジストパターンを形成し、そ
の後に湿式エッチングを施すことによって所望のパター
ンの接地用電極２４ａとバイアスリード２４を同時に形
成することができる。
【００１９】図２（Ｂ）において、上部絶縁層２３が加
工される。この上部絶縁層２３の加工は、図４中の絶縁
層２３を台形形状に加工するのと同じ工程によって加工
される。このような加工は、フォトリソグラフィ技術に
よってレジストパターンを形成した後に、反応性イオン
エッチング装置を用いることによって行なうことができ
る。
工される。この上部絶縁層２３の加工は、図４中の絶縁
層２３を台形形状に加工するのと同じ工程によって加工
される。このような加工は、フォトリソグラフィ技術に
よってレジストパターンを形成した後に、反応性イオン
エッチング装置を用いることによって行なうことができ
る。
【００２０】図２（Ｃ）において、下部絶縁層２２が加
工される。下部絶縁層２２は、図４中のギャップ層２２
の加工と同時に行なわれる。このような加工は、フォト
リソグラフィ技術によってレジストパターンを形成した
後に、たとえばイオンミリング装置を用いることによっ
て行ない得る。図２（Ｃ）の段階において、接地用電極
２４ａと導電性基板２１との間を電気的に接続するため
のコンタクトホールが完成する。
工される。下部絶縁層２２は、図４中のギャップ層２２
の加工と同時に行なわれる。このような加工は、フォト
リソグラフィ技術によってレジストパターンを形成した
後に、たとえばイオンミリング装置を用いることによっ
て行ない得る。図２（Ｃ）の段階において、接地用電極
２４ａと導電性基板２１との間を電気的に接続するため
のコンタクトホールが完成する。
【００２１】図２（Ｄ）において、導電性基板２１と接
地用電極２４ａとの間を電気的に接続するための導電層
２７ｃが形成される。この導電層２７ｃは、図４中の上
部磁気コア３７ａ，３７ｂと同時に形成される。上部磁
気コア２７ａ，２７ｂおよび導電層２７ｃは、たとえば
スパッタリング法によってパーマロイ膜を形成し、その
後、フォトリソグラフィ技術によってレジストパターン
を形成した後に、たとえばイオンミリング装置を用いる
ことによって加工し得る。
地用電極２４ａとの間を電気的に接続するための導電層
２７ｃが形成される。この導電層２７ｃは、図４中の上
部磁気コア３７ａ，３７ｂと同時に形成される。上部磁
気コア２７ａ，２７ｂおよび導電層２７ｃは、たとえば
スパッタリング法によってパーマロイ膜を形成し、その
後、フォトリソグラフィ技術によってレジストパターン
を形成した後に、たとえばイオンミリング装置を用いる
ことによって加工し得る。
【００２２】図３（Ａ）において、接地用電極２４ａに
ボンディングを行なうためのコンタクトホールが形成さ
れる。このボンディング用コンタクトホールは、バイア
スリード２４とシグナルリード３０ａ，３０ｂのボンデ
ィング用端子を加工するときに同時に加工される。それ
らの加工は、フォトリソグラフィ技術によってレジスト
パターンを形成した後に、反応性イオンエッチング装置
を用いることによって行なわれ得る。
ボンディングを行なうためのコンタクトホールが形成さ
れる。このボンディング用コンタクトホールは、バイア
スリード２４とシグナルリード３０ａ，３０ｂのボンデ
ィング用端子を加工するときに同時に加工される。それ
らの加工は、フォトリソグラフィ技術によってレジスト
パターンを形成した後に、反応性イオンエッチング装置
を用いることによって行なわれ得る。
【００２３】図３（Ｂ）において、接地電位に接続され
るＦＰＣなどの導線をボンディング用コンタクトホール
を介して接地用電極２４ａに接続する。これによって、
導電性基板２１は導電層３７ｃ，接地用電極２４ａ，お
よび導線２６を介して接地電位に接続され得る磁気ヘッ
ドが完成する。
るＦＰＣなどの導線をボンディング用コンタクトホール
を介して接地用電極２４ａに接続する。これによって、
導電性基板２１は導電層３７ｃ，接地用電極２４ａ，お
よび導線２６を介して接地電位に接続され得る磁気ヘッ
ドが完成する。
【００２４】以上の説明から明らかなように、本発明に
よる薄膜磁気ヘッドの製造方法は、従来の接地手段を有
しない磁気ヘッドの製造方法における工程数を増やすこ
となく、接地手段を備えた薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。すなわち、本発明による磁気ヘッドの製造
方法は、接地手段を有しない従来の磁気ヘッドの製造方
法の工程数を増加させることがなく、ＭＲ素子の静電破
壊を防止するための接地手段を有する薄膜磁気ヘッドを
低コストで提供することができる。
よる薄膜磁気ヘッドの製造方法は、従来の接地手段を有
しない磁気ヘッドの製造方法における工程数を増やすこ
となく、接地手段を備えた薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。すなわち、本発明による磁気ヘッドの製造
方法は、接地手段を有しない従来の磁気ヘッドの製造方
法の工程数を増加させることがなく、ＭＲ素子の静電破
壊を防止するための接地手段を有する薄膜磁気ヘッドを
低コストで提供することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の１つの態様による磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドは、導電性基板の電位を接地電位に維
持するための接地手段を備えているので、テープ走行中
に発生する静電気によってＭＲ素子が破壊されることを
防止し得る。
型薄膜磁気ヘッドは、導電性基板の電位を接地電位に維
持するための接地手段を備えているので、テープ走行中
に発生する静電気によってＭＲ素子が破壊されることを
防止し得る。
【００２６】本発明のもう１つの態様による磁気ヘッド
の製造方法は、接地手段を有しない従来の薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を増大させることがなく、ＭＲ素子の静電
破壊を防止するための接地手段を有する薄膜磁気ヘッド
を低コストで提供することができる。
の製造方法は、接地手段を有しない従来の薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を増大させることがなく、ＭＲ素子の静電
破壊を防止するための接地手段を有する薄膜磁気ヘッド
を低コストで提供することができる。
【図１】本発明の一実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの概略的な上面図である。
気ヘッドの概略的な上面図である。
【図２】本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明するための概略的な断面図である。
方法を説明するための概略的な断面図である。
【図３】図２の製造工程に続く工程を示す概略的な断面
図である。
図である。
【図４】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの主要部
を示す概略的な断面図である。
を示す概略的な断面図である。
２１ 導電性基板 ２２ ギャップ層，下部絶縁層 ２３ 絶縁層，上部絶縁層 ２４ バイアスリード ２４ａ 接地用電極 ２６ 導線 ３２ 下部磁気コア ３６ ＭＲ素子 ３７ａ 第１の上部磁気コア ３７ｂ 第２の上部磁気コア ３７ｃ 導電層 ３９ 保護絶縁層 １００ 磁気ヘッド部 Ｉｓ 信号電流
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性基板と、 前記導電性基板上に形成された磁気抵抗効果型の薄膜磁
気回路と、 前記導電性基板の電位を接地電位に維持するための接地
手段と、 を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 導電性基板上に形成された磁気抵抗効果
型の薄膜磁気回路と、前記導電性基板の電位を接地電位
に維持するための接地手段とを備えた磁気ヘッドの製造
方法であって、 前記導電性基板の第１領域上に前記磁気回路に含まれる
下部磁気コアを形成し、 前記下部磁気コア上に絶縁層を形成すると同時に前記基
板の第２領域上に同一の絶縁層を形成し、 前記第１領域上の前記絶縁層上に前記磁気回路に含まれ
るバイアスリードを形成すると同時に、前記第２領域上
の前記絶縁層上に接地用電極を形成し、 前記バイアスリードと前記接地用電極を埋込むようにさ
らに絶縁層を積層し、 前記積層されて一体化された絶縁層を前記第１領域と第
２領域において同時に加工し、 前記第１領域において前記加工された絶縁層上に前記磁
気回路に含まれる上部磁気コアを形成すると同時に、前
記第２領域内で前記加工された前記絶縁層に開けられた
コンタクトホールを介して前記接地用電極と前記基板と
を接続する導電体を形成し、 その後に、前記第２領域内の前記絶縁層に開けられたも
う１つのコンタクトホールを介して、前記接地用電極が
接地電位に接続されることを特徴とする磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3341393A JP2942086B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3341393A JP2942086B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251338A true JPH06251338A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2942086B2 JP2942086B2 (ja) | 1999-08-30 |
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ID=12385899
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3341393A Expired - Fee Related JP2942086B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2942086B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831783A (en) * | 1995-07-17 | 1998-11-03 | Fujitsu Limited | Power source control circuit for controlling an electric potential of a magnetic head and memory apparatus using such a power source control circuit |
| US9176204B2 (en) | 2014-03-07 | 2015-11-03 | Mitsubishi Electric Corporation | TMR magnetic sensor including a conductive material and a passivation film and manufacturing method therefor |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP3341393A patent/JP2942086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831783A (en) * | 1995-07-17 | 1998-11-03 | Fujitsu Limited | Power source control circuit for controlling an electric potential of a magnetic head and memory apparatus using such a power source control circuit |
| US9176204B2 (en) | 2014-03-07 | 2015-11-03 | Mitsubishi Electric Corporation | TMR magnetic sensor including a conductive material and a passivation film and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2942086B2 (ja) | 1999-08-30 |
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