JPH0540920A

JPH0540920A - 複合型磁気ヘツド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0540920A
Application number: JP19433491A
Authority: JP
Inventors: Takuji Shibata; 拓二柴田; Mamoru Sasaki; 守佐々木; Hideo Suyama; 英夫陶山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-08-02
Filing date: 1991-08-02
Publication date: 1993-02-19

Abstract

(57)【要約】【構成】第１の薄膜磁気コア１と第２の薄膜磁気コア
２の先端部間に磁気ギャップが構成され、その磁気ギャ
ップ内に先端部と後端部にそれぞれ電極７ａ，７ｂが積
層されたＭＲ感磁部５の一端或いは先端部に積層される
電極７ｂが、磁気記録媒体との対接面に臨んで配置され
てなる複合型磁気ヘッドにおいて、先端部に積層れる電
極７ａと第２の薄膜磁気コア２を電気的に接続する。【効果】静電破壊を回避することができ、信頼性の高
い複合型磁気ヘッドが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドに関
する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブ（駆
動装置）の磁気記録再生用ヘッドの再生ヘッドとして、
短波長感度に優れた磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）が用いられる方向にある。

【０００３】このヘッドにおいて浮上型構成をとる場
合、例えば図９に示すようにハードディスク５１に対
し、当該ハードディスク５１の回転による相対的移行に
よる空気流によって浮上するスライダ５２が設けられ
る。そして、これに磁気ヘッド、例えばインダクティブ
型ヘッドによる記録ヘッドと、ＭＲヘッドによる再生ヘ
ッドとが一体に形成された複合型磁気ヘッド５３が配置
される。なお、上記スライダ５２には、このスライダ５
２を支持する弾性部材よりなるジンバル５４が設けられ
る。

【０００４】図１０は、この複合型薄膜磁気ヘッド５３
の一部を断面とした拡大斜視図である。この複合型薄膜
磁気ヘッド５３においては、上述したスライダ５２自
体、或いはこれに取付けられる基板等よりなる基体５５
上に、ハードディスク５１との対接面、すなわちＡＢＳ
（エア・ベアリング・サーフェス）面５６に臨んでその
前方端部間に記録用の磁気ギャップｇを構成する第１の
薄膜磁気コア５７と第２の薄膜磁気コア５８が積層され
てなる。そして、上記磁気ギャップｇ内に少なくとも磁
気抵抗効果薄膜（以下、ＭＲ薄膜と称する。）よりなる
磁気抵抗効果感磁部（以下、ＭＲ感磁部と称する。）５
９の一端或いはその一電極６０ａが上記ＡＢＳ面５６に
臨むようにして配置される。

【０００５】また、上記ＡＢＳ面５６と反対側には、上
記ＭＲ感磁部５９の他方の電極６０ｂが上記一電極６０
ａと略平行に設けられる。なお、これら電極６０ａ，６
０ｂは、いずれも導電薄膜によって形成される。また、
上記ＭＲ感磁部５９の略中央部には、このＭＲ感磁部５
９への通電によってこのＭＲ感磁部５９に所要の向きの
磁化状態を与え、磁気抵抗効果特性が優れた直線性と高
い感度を示す特性領域で動作するようになすバイアス導
体６１が、絶縁層６２を介して上記ＭＲ感磁部５９を横
切る形で設けられる。そしてさらに、上記薄膜磁気コア
５７，５８の接続部である磁気的結合部を取り囲むよう
にスパイラル状のヘッド巻線６３が設けられる。なお、
これらバイアス導体６１とヘッド巻線６３は、共に導電
性薄膜によって形成される。

【０００６】このように形成された複合型薄膜磁気ヘッ
ド５３は、第１の薄膜磁気コア５７と第２の薄膜磁気コ
ア５８間にＭＲ感磁部５９を配置したいわゆるシールド
型構成のＭＲヘッドと、上記第１の薄膜磁気コア５７と
第２の薄膜磁気コア５８による磁路上にヘッド巻線６３
が巻回されてなるインダクティブヘッドを有した、いわ
ゆる複合型磁気ヘッド構成とされる。なお、上記ＭＲヘ
ッドは、図１１にその回路図を示すように、ＭＲ感磁部
５９の一端が接地電位Ｖｓｓとされ、先端側の電極６０
ａと後端側の電極６０ｂの間に定電流源６４からセンス
電流ｉｓが通電されて、ハードディスク５１上の記録に
基づく信号磁界による抵抗変化を電圧変化として検出す
るように構成されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の複合
型磁気ヘッド５３においては、高記録密度化に対処する
べく狭ギャップ化が進められており、例えば再生用のギ
ャップ長、すなわち第２の薄膜磁気コア５８とＭＲ感磁
部５９間の隙間が数千Åと非常に小さなものとなされて
いる。このため、ハードディスク５１上の導電性の微小
なごみ等の影響で、ＭＲ感磁部５９の先端部が電気的に
不安定なものとなり、再生時における特性が劣化する不
都合が生ずる。

【０００８】また、ハードディスク５１の表面は、上述
した空気流等によって表面電位が上昇し、静電気（電
荷）が蓄積された状態となっている。このため、磁気ヘ
ッド５３が動作開始時または停止時にハードディスク５
１に対して近接ないしは接触すると、接地状態にあるＭ
Ｒ感磁部５９のＡＢＳ面５６に臨んでいるＭＲ薄膜の端
部或いはその電極６０ａとの間に放電が生じ、この放電
による大きな電流がＭＲ薄膜に流れる。つまり、ハード
ディスク５１上に蓄積された電荷がヘッドに飛び込んで
きて、ＭＲ薄膜に流れることになる。この結果、高感度
化のために数百Åと極めて薄くされたＭＲ薄膜が上記放
電電流によって破壊されてしまうという事故、すなわち
静電破壊が起こり、ヘッド出力が得られなくなる現象が
生ずる。

【０００９】そこで本発明は、上述の技術的な課題に鑑
みて提案されたものであって、磁気抵抗効果感磁部先端
の電気的不安定さを解消するとともに、媒体からの電荷
飛び込みによる静電破壊を回避することができる信頼性
の高い複合型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
さらに本発明は、磁気抵抗効果感磁部にダメージを与え
ずに先端電極と第２の薄膜磁気コアを電気的に接続可能
となす複合型磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の複合型磁気ヘッドは、前方端部間に磁気
記録媒体との対接面に臨んで磁気ギャップを構成する第
１の薄膜磁気コアと第２の薄膜磁気コアが積層され、上
記磁気ギャップ内に、先端部と後端部にそれぞれ電極が
積層された磁気抵抗効果感磁部の一端或いは先端部に積
層される電極が、上記磁気記録媒体との対接面に臨んで
配置され、上記先端部に積層される電極と第２の薄膜磁
気コアとが電気的に接続されていることを特徴とするも
のである。

【００１１】さらに本発明の複合型磁気ヘッドは、第１
の薄膜磁気コアの容量が第２の薄膜磁気コアの容量より
も大きく、且つ第１の薄膜磁気コアと第２の薄膜磁気コ
アがそれぞれ独立に接地電位に接続されていることを特
徴とするものである。

【００１２】一方、本発明の方法は、第１の薄膜磁気コ
アの上に第１の絶縁層を介して磁気抵抗効果感磁部を磁
気記録媒体との対接面と略直交する方向に延在して形成
する工程と、上記磁気抵抗効果感磁部上に第２の絶縁層
を形成した後、当該磁気抵抗効果感磁部の先端部と後端
部に積層される第２の絶縁層を除去する工程と、上記磁
気抵抗効果感磁部の先端部と後端部にそれぞれ非磁性の
導電材料よりなる電極をその一部が上記第２の絶縁層に
積層されるように同時形成する工程と、上記電極を覆っ
て第３の絶縁層を形成した後、この上にバイアス導体層
を積層し、さらにこのバイアス導体を覆って第４の絶縁
層を形成する工程と、上記磁気抵抗効果感磁部上の先端
電極が露出するまで第３の絶縁層及び第４の絶縁層を除
去する工程と、露出した先端電極と電気的に接続して第
２の薄膜磁気コアを上記第４の絶縁層上に積層形成する
工程とを有してなるものである。

【００１３】

【作用】本発明の複合型磁気ヘッドにおいては、磁気記
録媒体との対接面に臨む磁気抵抗効果感磁部の先端側に
積層される電極が第２の薄膜磁気コアと電気的に接続さ
れているので、磁気抵抗効果感磁部と第２の薄膜磁気コ
アとが同電位となり、当該磁気抵抗効果感磁部の先端部
が電気的に安定する。

【００１４】また、本発明においては、第１の薄膜磁気
コアの容量が第２の薄膜磁気コアの容量よりも大きく、
且つ第１の薄膜磁気コアと第２の薄膜磁気コアがそれぞ
れ独立に接地電位に接続されているので、媒体からの電
荷はその殆どが大容量の第１の薄膜磁気コアを通じて接
地電位へと流れる。仮に、磁気抵抗効果感磁部の先端部
に電荷が飛び込んだとしても、電荷は先端電極を介して
第２の薄膜磁気コアへと流れ、最終的に接地電位へ放出
される。したがって、媒体からの電荷の磁気抵抗効果感
磁部への流れを確実に防止することができ、静電破壊が
回避される。

【００１５】磁気抵抗効果感磁部の先端側に積層される
電極と第２の薄膜磁気コアを接続するのに、例えば磁気
抵抗効果感磁部の後端側にのみ電極を形成し、その上に
絶縁層を介してバイアス導体を積層し、さらにこれを覆
って絶縁層を形成した後に、先端側に積層される絶縁層
を磁気抵抗効果感磁部までエッチングして除去した場合
には、オーバーエッチングにより磁気抵抗効果感磁部が
ダメージを受ける。しかしながら、本発明の方法におい
ては、予め磁気抵抗効果感磁部の両端部に電極を同時に
形成した後に、先端側の電極上に積層された絶縁層を、
その電極が露出するまで除去するようにしているので、
磁気抵抗効果感磁部が損傷するようなことがない。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。なお本実施例
は、ＭＲヘッドによる再生ヘッドと、インダクティブヘ
ッドによる記録ヘッドを一体に構成した複合型磁気ヘッ
ドの例である。

【００１７】本実施例の複合型磁気ヘッドにおいては、
図１及び図２に示すように、前方端部間に磁気ギャップ
ｇを構成する第１の薄膜磁気コア１と第２の薄膜磁気コ
ア２がスライダに取付けられる基体３上に所定の間隔を
持って積層形成されている。第１の薄膜磁気コア１は、
上記基体３上に直接設けられ、磁気記録媒体（図示は省
略する。）との対接面となるＡＢＳ面４にその一端を臨
ませるようにしてこのＡＢＳ面４に対して略直交する方
向に延在して設けられている。一方、第２の薄膜磁気コ
ア２は、上記ＡＢＳ面４にその一端を臨ませるようにし
てこのＡＢＳ面４に対して略直交する方向に延在して設
けられ、そのＡＢＳ面４に臨む前方端部が上記第１の薄
膜磁気コア１との間隙が狭まるように屈曲形成されてい
る。その間隙が狭くなされた前方端部間には、記録用ギ
ャップとして機能する磁気ギャップｇが上記ＡＢＳ面４
に臨んで構成されている。さらに、上記第２の薄膜磁気
コア２は、後方端部で上記第１の薄膜磁気コア１と磁気
的に接触してバックギャップを構成するようになってい
る。

【００１８】そしてこの磁気ヘッドにおいては、上記磁
気ギャップ内に磁気抵抗効果感磁部であるＭＲ感磁部５
が設けられている。ＭＲ感磁部５は、磁気ギャップｇの
トラック幅よりも若干幅広の長方形パターンとして形成
され、その長手方向がＡＢＳ面４に対する直交方向と合
わせて設けられている。そしてこのＭＲ感磁部５は、そ
の一端縁がＡＢＳ面４に臨むようになされるとともに、
後端縁が相対向する第１の薄膜磁気コア１と第２の薄膜
磁気コア２の略中途部に至る位置とされている。なお、
上記ＭＲ感磁部５は、上記基体３上に設けられる第１の
薄膜磁気コア１との絶縁をとるために、第１の絶縁層６
ａを介して当該第１の薄膜磁気コア１上に設けられてい
る。また、上記ＭＲ感磁部５は、バルクハウゼンノイズ
の発生を回避するために、例えばＳｉＯ₂等よりなる非
磁性絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜を
積層する形とすることが望ましい。

【００１９】そして、上記ＭＲ感磁部５には、図示しな
い定電流源からのセンス電流を通ずるための帯状パター
ンとされた一対の電極７ａ，７ｂ（以下、ＡＢＳ面４側
に設けられる電極７ａを先端電極７ａ、後端側に設けら
れる電極７ｂを後端電極７ｂと称する。）が当該ＭＲ感
磁部５と電気的に接続されるように積層形成されてい
る。先端電極７ａは、ＭＲ感磁部５へのセンス電流を通
ずるための電極として機能する他、ＭＲヘッドの再生用
ギャップのギャップ材としても機能する。したがって、
この先端電極７ａには非磁性で且つ導電性に優れた材料
が使用される。例えば、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃ，ス
テンレス等の耐湿性に優れた導電材料が好適である。

【００２０】ところで、上記先端電極７ａは、ＭＲ感磁
部５を完全に覆う幅広の帯状パターンとして設けられ、
上記ＡＢＳ面４よりＭＲ感磁部５の中央部に至る位置ま
で形成されている。その先端電極７ａの一端縁は、上記
ＡＢＳ面４に臨むようになされ、後端部は上記ＭＲ感磁
部５の先端部と後端部を除く中央部分に積層される第２
の絶縁層６ｂ上に積層されている。すなわち、上記ＭＲ
感磁部５は、全体として見ると断面形状が階段状となさ
れている。一方、後端電極７ｂは、ＭＲ感磁部５を横切
る形で設けられ、上記第２の絶縁層６ｂとＭＲ感磁部５
の後端部とに跨がって積層されている。なお、上記後端
電極７ｂは、バックギャップ側に平面略Ｌ字状のパター
ンとして引き出され、その後方端部８が端子とされてい
る。

【００２１】また、上記ＭＲ感磁部５の上には、第３の
絶縁層６ｃを介して当該ＭＲ感磁部５への通電によって
このＭＲ感磁部５に所要の向きの磁化状態を与え、磁気
抵抗特性が優れた直線性と高い感度を示す特性領域で動
作するようになすバイアス導体９が設けられている。バ
イアス導体９は、ＭＲ感磁部５を横切る形で上記一対の
電極７ａ，７ｂ間に設けられ、その両端部がバックギャ
ップ側へ引き出されるようになっている。そのバックギ
ャップ側に引き出された後方端部９ａ，９ｂが、上記バ
イアス導体９に電流を通ずるための端子とされる。

【００２２】また、上記第１の薄膜磁気コア１と第２の
薄膜磁気コア２の接続部である磁気的結合部１０には、
この磁気的結合部１０を取り囲むようにしてスパイラル
状のヘッド巻線１１が設けられている。ヘッド巻線１１
は、上記第１の薄膜磁気コア１と第２の薄膜磁気コア２
に記録情報に応じた電流を供給する役目をするものであ
り、上記第２の薄膜磁気コア２との絶縁性を確保するた
めに第４の絶縁層６ｄによって埋め込まれている。な
お、上記ヘッド巻線１１の両端部はそれぞれバックギャ
ップ側に引き出され、その引き出された後方端部１１
ａ，１１ｂが端子とされている。

【００２３】そして特に、本実施例の磁気ヘッドでは、
上記第２の薄膜磁気コア２とＭＲ感磁部５の先端電極７
ａとが電気的に接続されるようになっている。すなわ
ち、階段状となされた先端電極７ａ上に第２の薄膜磁気
コア２の先端部が積層されることによって電気的に接続
され、これら先端電極７ａと第２の薄膜磁気コア２とが
同電位とされている。したがって、先端電極７ａとＭＲ
感磁部５とが電気的に接続されていることから、該ＭＲ
感磁部５と第２の薄膜磁気コア２とが同電位となり、当
該ＭＲ感磁部５の先端部が電気的に安定する。これによ
り、媒体上の微小な導電性を有するごみ等の影響を受け
ることなく、再生時における特性が向上し、ノイズの発
生が回避される。また、上記第２の薄膜磁気コア２が先
端電極７ａと電気的に接続されることから、この第２の
薄膜磁気コア２が上記ＭＲ感磁部５の先端電極として機
能する。したがって、この第２の薄膜磁気コア２には、
後端縁よりバック側へ引き出される端子導出部が設けら
れ、その後端縁部２ａが外部端子部とされている。

【００２４】また、上記第２の薄膜磁気コア２と先端電
極７ａとの接続部においては、ＡＢＳ面４より先端電極
７ａの段差部までの距離Ｌ₁がＭＲヘッドのデプスとさ
れ、ＡＢＳ面４より先端電極７ａと第２の薄膜磁気コア
２との接続後端部までの距離Ｌ₂がインダクティブヘッ
ドのデプスとされている。すなわち、ＭＲヘッドとイン
ダクティブヘッドのそれぞれの磁気ギャップｇのデプス
が同一の先端電極７ａによって規制されるようになって
いる。

【００２５】そしてさらに本実施例の磁気ヘッドでは、
媒体からの電荷を上記ＭＲ感磁部５へ流さないようにす
るため、第１の薄膜磁気コア１の容量を第２の薄膜磁気
コア２の容量よりも大きくし、且つ第１の薄膜磁気コア
１と第２の薄膜磁気コア２をそれぞれ独立に接地電位Ｖ
ss₁，Ｖss₂ に接続している。なお本例では、第２の薄
膜磁気コア２と直接接地を取るのではなく、当該第２の
薄膜磁気コア２と電気接続される基体３に接地電位Ｖss
₁を接続している。もちろん、第２の薄膜磁気コア２と
接地電位Ｖss₁を直接接続するようにしてもよい。

【００２６】この結果、媒体からの電荷が磁気ギャップ
部に飛び込んできた場合には、電荷はＭＲ感磁部５を通
らずに容量の大きい第１の薄膜磁気コア１へと流れ、最
終的に接地電位Ｖss₁へと放出される。仮に、ＭＲ感磁
部５に電荷が飛び込んできた場合でも、先端電極７ａを
介して第１の薄膜磁気コア１へと流れ、最終的に接地電
位Ｖss₂ へと放出される。したがって、本実施例の磁気
ヘッドにおいては、ＭＲ感磁部５への電荷の飛び込みが
確実に防止され、静電破壊が回避される。

【００２７】ところで、上述の複合型磁気ヘッドを作製
するには、次のようにして行う。先ず、図３に示すよう
に、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ等の非磁性且つ導電性材料より
なる基体３上に、所要のパターンにＦｅ−Ｎｉ等よりな
る第１の薄膜磁気コア１をフレームメッキ法によって形
成する。次に、上記第１の薄膜磁気コア１を埋め込むよ
うにしてＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃等の非磁性材料をスパッ
タリングし、第１の絶縁層６ａを形成する。次いで、上
記第１の絶縁層６ａ上にＮｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏ，Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｃｏ等よりなるＭＲ感磁部５を形成する。ＭＲ
感磁部５は、平面長方形パターンとして形成し、その一
端縁がＡＢＳ面４に臨むように、且つこのＡＢＳ面４に
対して略直交する方向に延在して形成する。

【００２８】次に、上記ＭＲ感磁部５上に非磁性材料を
全面被着する。このときの膜厚は、ＭＲ感磁部５とこの
非磁性材料上に積層される電極７ａ，７ｂとが絶縁され
ればよいため、２０００Å程度と薄くてよい。次いで、
上記ＡＢＳ面４側の先端部と後端部に積層される非磁性
材料をエッチングによって除去する。このとき非磁性材
料の膜厚は薄いので、エッチング時間の短縮化が望め
る。なお、非磁性材料を除去する際は、ＡＢＳ面４から
除去後のＭＲ感磁部５の先端縁１２までの距離Ｌ₁がＭ
Ｒヘッドのデプスとなるようにする。この結果、図４に
示すように、ＭＲ感磁部５の中央部分を覆った形で第２
の絶縁層６ｂが形成される。

【００２９】そして、上記第２の絶縁層６ｂを含めてＭ
Ｒ感磁部５上に、エッチングされ難くしかも非磁性且つ
導電材料よりなる例えばＴｉを全面被着し、当該Ｔｉよ
りなる層を所定形状にパターニングする。この結果、図
５に示すように、ＭＲ感磁部５の先端部には第２の絶縁
層６ｂにその一部が積層された先端電極７ａが形成さ
れ、これと同時にＭＲ感磁部５の後端部には第２の絶縁
層６ｂにその一部が積層された後端電極７ｂが形成され
る。

【００３０】次いで、図６に示すように、上記電極７
ａ，７ｂを覆って第３の絶縁層６ｃを形成する。次に、
この第３の絶縁層６ｃ上に上記ＭＲ感磁部９の略中央部
分を横切ってバイアス導体９を形成するとともに、これ
と同時に磁気的結合部１０を取り囲むようにして薄膜導
体よりなるヘッド巻線１１（図示は省略する。）をスパ
イラル状に形成する。そして、上記バイアス導体９を覆
って第２の薄膜磁気コア２との絶縁を図るための第４の
絶縁層６ｄを積層形成する。

【００３１】次に、図７に示すように、先端電極７ａ上
に積層される第３の絶縁層６ｃと第４の絶縁層６ｄを当
該先端電極７ａが露出するまでエッチングするととも
に、ヘッド巻線１１の中心部において上記第１の絶縁層
６ａ、第３の絶縁層６ｃ、第４の絶縁層６ｄを第１の薄
膜磁気コア１が露出するまでエッチングする。なお、先
端電極７ａ上に積層される絶縁層６ｃ，６ｄをエッチン
グする際には、ＡＢＳ面４よりこれら絶縁層６ｃ，６ｄ
の先端縁１３までの距離Ｌ₂がインダクティブヘッドの
デプスとなるようにする。ここで例えば、ＭＲ感磁部５
の後端側にのみ電極を形成し、その上に絶縁層を介して
バイアス導体９を積層し、さらにこれを覆って絶縁層を
形成した後に、先端側に積層される絶縁層をＭＲ感磁部
５までエッチングして除去した場合には、オーバーエッ
チングによりＭＲ感磁部５がダメージを受けるが、本実
施例ではＭＲ感磁部５上に先端電極７ａがあるためにＭ
Ｒ感磁部５がエッチングによって損傷されない。

【００３２】次いで、図８に示すように、露出した先端
電極７ａ上及び第１の薄膜磁気コア１上を含めて第４の
絶縁層６ｄａ上にＮｉ−Ｆｅ等よりなる磁性薄膜を被着
し、第２の薄膜磁気コア２を所望形状に形成する。この
結果、フロント部で先端電極７ａと第２の薄膜磁気コア
２とが電気的に接続されるとともに、バックギャップ部
で第２の薄膜磁気コア２と第１の薄膜磁気コア１が電気
的に接続される。そのフロント部では、先端電極７ａが
非磁性材料よりなることからギャップ材として機能し、
当該先端電極７ａのＡＢＳ面４から第２の絶縁層６ｂの
先端縁１３までの距離Ｌ₁がＭＲヘッドのデプスとな
る。同様に、ＡＢＳ面４より絶縁層６ｃ，６ｄの先端縁
１３までの距離Ｌ₂がインダクティブヘッドのデプスと
なる。

【００３３】ところで、従来の磁気ヘッドでは、ＭＲヘ
ッドとインダクティブヘッドのデプスが同じであるため
に、ＭＲの再生という点ではデプスが短い方が先端の非
感磁領域が小さくなって出力が向上するが、インダクテ
ィブの記録という点では記録時に先端コアの飽和が生じ
やすくなり、記録の磁化反転領域が広がり望ましくな
い。これに対し、本実施例の磁気ヘッドでは、ＭＲヘッ
ドとインダクティブヘッドのデプスをそれぞれ再生時と
記録時とで最適な特性が得られるようにそのデプスを決
定することができるので、記録特性と再生特性の両方を
同時に満足させることができる。そして最後に、第２の
薄膜磁気コア２を覆って保護膜１４を形成した後、この
第２の薄膜磁気コア２を接地電位Ｖss₂ に接続するとと
もに、基体３を接地電位Ｖss₁にそれぞれ独立に接続す
る。

【００３４】以上、本発明を適用した複合型磁気ヘッド
の一実施例について説明したが、本発明は上述の実施例
に限定されることなく種々の変更が可能である。例え
ば、前述の実施例では、インダクティブヘッドとＭＲヘ
ッドの複合型ヘッドの場合について本発明方法を適用し
たが、一対のシールドコアによってＭＲ感磁部を挾み込
んだＭＲヘッドの場合についても適用できる。もちろ
ん、この場合もＭＲ感磁部を損傷させることなく信頼性
の高いＭＲヘッドを作製することができることは言うま
でもない。

【００３５】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の複合型磁気ヘッドによれば、磁気記録媒体との対接
面に臨むＭＲ感磁部の先端側に積層される先端電極が第
２の薄膜磁気コアと電気的に接続されているので、ＭＲ
感磁部と第２の薄膜磁気コアとが同電位となり、当該Ｍ
Ｒ感磁部の先端部が電気的に安定し、媒体上の微小な導
電性を有するごみ等の影響を受けることなく、再生時に
おける特性が向上し、ノイズの発生が回避される。

【００３６】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、第１の薄膜磁気コアの容量が第２の薄膜磁気コアの
容量よりも大きく、且つ第１の薄膜磁気コアと第２の薄
膜磁気コアがそれぞれ独立に接地電位に接続されている
ので、媒体からの電荷のＭＲ感磁部への飛び込みを確実
に防止することができ、静電破壊を回避できる。

【００３７】一方、本発明の方法においては、ＭＲ感磁
部に至るまでエッチングを行って絶縁層を除去するので
はなく、ＭＲ感磁部上に積層した先端電極が露出するま
でエッチングを行うようにしているので、ＭＲ感磁部を
損傷させるようなことがない。したがって、信頼性の高
い磁気ヘッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの断面図で
ある。

【図２】図１の複合型磁気ヘッドの概略的な平面図であ
る。

【図３】本発明を適用した複合型磁気ヘッドを順次作製
する工程を示すもので、ＭＲ感磁部形成工程を示す要部
拡大断面図である。

【図４】第１の絶縁層形成工程を示す要部拡大断面図で
ある。

【図５】電極形成工程を示す要部拡大断面図である。

【図６】バイアス導体形成工程を示す要部拡大断面図で
ある。

【図７】エッチング工程を示す要部拡大断面図である。

【図８】第２の薄膜磁気コア形成工程を示す要部拡大断
面図である。

【図９】ハードディスク用磁気ヘッドの一例を示す斜視
図である。

【図１０】従来の複合型磁気ヘッドを一部破断して示す
拡大斜視図である。

【図１１】図１０の複合型磁気ヘッドの概略的な回路図
である。

【符号の説明】

１・・・第１の薄膜磁気コア２・・・第２の薄膜磁気コア４・・・ＡＢＳ面５・・・ＭＲ感磁部６ａ・・・第１の絶縁層６ｂ・・・第２の絶縁層６ｃ・・・第３の絶縁層６ｄ・・・第４の絶縁層７ａ・・・先端電極７ｂ・・・後端電極９・・・バイアス導体１１・・・ヘッド巻線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】前方端部間に磁気記録媒体との対接面に
臨んで磁気ギャップを構成する第１の薄膜磁気コアと第
２の薄膜磁気コアが積層され、上記磁気ギャップ内に、先端部と後端部にそれぞれ電極
が積層された磁気抵抗効果感磁部の一端或いは先端部に
積層される電極が、上記磁気記録媒体との対接面に臨ん
で配置され、上記先端部に積層される電極と第２の薄膜磁気コアとが
電気的に接続されていることを特徴とする複合型磁気ヘ
ッド。
【請求項２】第１の薄膜磁気コアの容量が第２の薄膜
磁気コアの容量よりも大きく、且つ第１の薄膜磁気コア
と第２の薄膜磁気コアがそれぞれ独立に接地電位に接続
されていることを特徴とする請求項１記載の複合型磁気
ヘッド。
【請求項３】第１の薄膜磁気コアの上に第１の絶縁層
を介して磁気抵抗効果感磁部を磁気記録媒体との対接面
と略直交する方向に延在して形成する工程と、上記磁気抵抗効果感磁部上に第２の絶縁層を形成した
後、当該磁気抵抗効果感磁部の先端部と後端部に積層さ
れる第２の絶縁層を除去する工程と、上記磁気抵抗効果感磁部の先端部と後端部にそれぞれ非
磁性の導電材料よりなる電極をその一部が上記第２の絶
縁層に積層されるように同時形成する工程と、上記電極を覆って第３の絶縁層を形成した後、この上に
バイアス導体層を積層し、さらにこのバイアス導体を覆
って第４の絶縁層を形成する工程と、上記磁気抵抗効果感磁部上の先端電極が露出するまで第
３の絶縁層及び第４の絶縁層を除去する工程と、露出した先端電極と電気的に接続して第２の薄膜磁気コ
アを上記第４の絶縁層上に積層形成する工程とを有して
なる複合型磁気ヘッドの製造方法。