JPH06252183A - 半導体素子実装ステージ - Google Patents
半導体素子実装ステージInfo
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- JPH06252183A JPH06252183A JP3970293A JP3970293A JPH06252183A JP H06252183 A JPH06252183 A JP H06252183A JP 3970293 A JP3970293 A JP 3970293A JP 3970293 A JP3970293 A JP 3970293A JP H06252183 A JPH06252183 A JP H06252183A
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- heating stage
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 2
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の実装時において窒素ガスの噴出
による加熱ステージの温度変化をなくするとともに窒素
ガスの消費を節約する。 【構成】 基板１を真空吸着させた加熱ステージ５を加
熱するとき、半導体素子２を真空吸着した吸着アーム７
を加熱ステージ５上に移動させ、ノズル６から窒素ガス
を吸着アーム７に対して噴出すると、加熱ステージ５の
上面と吸着アーム７との間に、ノズル６の噴流によって
外部から遮断される流れの無い空間が形成される。この
空間に噴出孔４から窒素ガスを注入すると、その内部が
窒素ガスの雰囲気となる。ここで、基板１を加熱すると
共に、吸着アーム７を下降し半導体素子２を基板１に接
触させ加圧する。これにより、半導体素子２はその接合
面が酸化することなく基板１に固着することができる。
による加熱ステージの温度変化をなくするとともに窒素
ガスの消費を節約する。 【構成】 基板１を真空吸着させた加熱ステージ５を加
熱するとき、半導体素子２を真空吸着した吸着アーム７
を加熱ステージ５上に移動させ、ノズル６から窒素ガス
を吸着アーム７に対して噴出すると、加熱ステージ５の
上面と吸着アーム７との間に、ノズル６の噴流によって
外部から遮断される流れの無い空間が形成される。この
空間に噴出孔４から窒素ガスを注入すると、その内部が
窒素ガスの雰囲気となる。ここで、基板１を加熱すると
共に、吸着アーム７を下降し半導体素子２を基板１に接
触させ加圧する。これにより、半導体素子２はその接合
面が酸化することなく基板１に固着することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板に半導体素子を固着
する半導体素子実装ステージに関し、特に不活性ガスの
雰囲気中で固着する半導体素子実装ステージに関する。
する半導体素子実装ステージに関し、特に不活性ガスの
雰囲気中で固着する半導体素子実装ステージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体素子実装ステージについ
て、図面を参照して詳細に説明する。図３は従来例を示
す断面図である。従来の半導体素子実装ステージは、図
３に示すように、基板１と半導体素子２を加熱し、基板
１を真空吸着するための吸着孔１０を略中央部に有する
加熱ステージ１１と、この加熱ステージ１１の周囲を覆
い不活性ガスである窒素ガスが周囲に拡散するのを防止
するカバー８と、カバー８の周囲から加熱ステージ１１
上に窒素ガスを噴出するノズル１２と、半導体素子２を
真空吸着し加熱ステージ１１上に固定した基板１上に搬
送し、半導体素子２を基板１に吸着して搬送し、かつ加
圧するための吸着ヘッド９とを含んで構成される。
て、図面を参照して詳細に説明する。図３は従来例を示
す断面図である。従来の半導体素子実装ステージは、図
３に示すように、基板１と半導体素子２を加熱し、基板
１を真空吸着するための吸着孔１０を略中央部に有する
加熱ステージ１１と、この加熱ステージ１１の周囲を覆
い不活性ガスである窒素ガスが周囲に拡散するのを防止
するカバー８と、カバー８の周囲から加熱ステージ１１
上に窒素ガスを噴出するノズル１２と、半導体素子２を
真空吸着し加熱ステージ１１上に固定した基板１上に搬
送し、半導体素子２を基板１に吸着して搬送し、かつ加
圧するための吸着ヘッド９とを含んで構成される。
【０００３】続いて、従来の半導体素子実装ステージの
機能および動作について説明する。まず、基板１が吸着
ヘッド９に真空吸着されて加熱ステージ１１に搬送され
る。そして、吸着孔１０により吸着されて加熱ステージ
１１上に固定されるとともに加熱される。このとき、半
導体素子２は基板１合面が酸化するのを防止するため、
カバー８の周囲に配置されたノズル１２から窒素ガスが
カバー８内に噴出し、基板１の周囲を窒素ガスで充満さ
せる。続いて、半導体素子２は吸着ヘッド９に真空吸着
され、加熱ステージ１１上で加熱された基板１上に搬送
され、さらに、所定の圧力で加圧される。これにより、
半導体素子２は基板１に固着される。
機能および動作について説明する。まず、基板１が吸着
ヘッド９に真空吸着されて加熱ステージ１１に搬送され
る。そして、吸着孔１０により吸着されて加熱ステージ
１１上に固定されるとともに加熱される。このとき、半
導体素子２は基板１合面が酸化するのを防止するため、
カバー８の周囲に配置されたノズル１２から窒素ガスが
カバー８内に噴出し、基板１の周囲を窒素ガスで充満さ
せる。続いて、半導体素子２は吸着ヘッド９に真空吸着
され、加熱ステージ１１上で加熱された基板１上に搬送
され、さらに、所定の圧力で加圧される。これにより、
半導体素子２は基板１に固着される。
【０００４】また、別の従来例として、例えば、特開平
２−４７８５４号公報に記載されたように、半導体装置
の製造工程において、シリコン基板上に多結晶シリコン
膜を形成し、さらに、この上に層間絶縁膜を堆積したシ
リコン基板を回転プレート上に搭載して固定し、それを
約１０００℃のオーブン内で回転させ、かつ噴射ノズル
から高温度の窒素ガスを基板の上面に吹付けながら段差
のない平坦な層間絶縁膜を形成するものがある。
２−４７８５４号公報に記載されたように、半導体装置
の製造工程において、シリコン基板上に多結晶シリコン
膜を形成し、さらに、この上に層間絶縁膜を堆積したシ
リコン基板を回転プレート上に搭載して固定し、それを
約１０００℃のオーブン内で回転させ、かつ噴射ノズル
から高温度の窒素ガスを基板の上面に吹付けながら段差
のない平坦な層間絶縁膜を形成するものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
素子実装ステージは、加熱中に窒素ガスを加熱ステージ
に固定された基板に向って吹き付ける方式であるため、
窒素ガスの噴出によって加熱ステージの温度が不安定と
なり、基板と半導体素子とを効率よく加熱できないとい
う欠点がある。また、カバーの上部が開口しているた
め、カバーの周囲から噴出する窒素ガスは大気中に放出
され、ガス消費量が多くなるという欠点がある。
素子実装ステージは、加熱中に窒素ガスを加熱ステージ
に固定された基板に向って吹き付ける方式であるため、
窒素ガスの噴出によって加熱ステージの温度が不安定と
なり、基板と半導体素子とを効率よく加熱できないとい
う欠点がある。また、カバーの上部が開口しているた
め、カバーの周囲から噴出する窒素ガスは大気中に放出
され、ガス消費量が多くなるという欠点がある。
【０００６】さらに、別の従来例においても、常時オー
ブン内に窒素ガスを噴出させるため、ガス消費量が多く
なるという欠点がある。
ブン内に窒素ガスを噴出させるため、ガス消費量が多く
なるという欠点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
基板に固着する半導体素子実装ステージであって、略中
央部に前記基板を真空吸着する吸着孔とこの吸着孔の近
傍に不活性ガスを噴出する噴出孔とを有する前記半導体
素子および基板を加熱する加熱ステージと、この加熱ス
テージの周囲に配設し窒素ガスを噴出するノズルと、こ
のノズルの口径より大きい吸着面を有し前記半導体素子
を吸着して前記基板上に搬送し加圧する平板状の吸着ア
ームとを備えている。
基板に固着する半導体素子実装ステージであって、略中
央部に前記基板を真空吸着する吸着孔とこの吸着孔の近
傍に不活性ガスを噴出する噴出孔とを有する前記半導体
素子および基板を加熱する加熱ステージと、この加熱ス
テージの周囲に配設し窒素ガスを噴出するノズルと、こ
のノズルの口径より大きい吸着面を有し前記半導体素子
を吸着して前記基板上に搬送し加圧する平板状の吸着ア
ームとを備えている。
【０００８】また、前記加熱ステージが円形をなし、か
つ前記ノズルを前記円形の加熱ステージの周囲に同心状
に配置してもよい。
つ前記ノズルを前記円形の加熱ステージの周囲に同心状
に配置してもよい。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
り、図２は図１の主要部を示す部分斜視図である。な
お、図１および図２において、図３に示す従来例と同様
な個所は同一符号で示してある。
り、図２は図１の主要部を示す部分斜視図である。な
お、図１および図２において、図３に示す従来例と同様
な個所は同一符号で示してある。
【００１１】本発明の半導体素子実装ステージは、図１
および図２に示すように、円形をなし略中央部に基板１
を真空吸着するための吸着孔３とこの吸着孔３の近傍に
窒素ガスを噴出する噴出孔４とを有する加熱ステージ５
と、この加熱ステージ５の周囲に同心状に配設され窒素
ガスを噴出するノズル６と、このノズル６の口径よりも
大きな吸着面を有し半導体素子２を吸着して基板１上に
搬送する平板状の吸着アーム７とを備えている。
および図２に示すように、円形をなし略中央部に基板１
を真空吸着するための吸着孔３とこの吸着孔３の近傍に
窒素ガスを噴出する噴出孔４とを有する加熱ステージ５
と、この加熱ステージ５の周囲に同心状に配設され窒素
ガスを噴出するノズル６と、このノズル６の口径よりも
大きな吸着面を有し半導体素子２を吸着して基板１上に
搬送する平板状の吸着アーム７とを備えている。
【００１２】次に、本発明の半導体素子実装ステージの
機能および動作について説明する。
機能および動作について説明する。
【００１３】まず、加熱ステージ５上に搬送された基板
１は、吸着孔３により真空吸引され固定される。そし
て、加熱ステージ５を加熱するとき、半導体素子２を真
空吸着した吸着アーム７を加熱ステージ５上に移動さ
せ、加熱ステージ５の周囲のノズル６から窒素ガスを吸
着アーム７に対して噴出する。
１は、吸着孔３により真空吸引され固定される。そし
て、加熱ステージ５を加熱するとき、半導体素子２を真
空吸着した吸着アーム７を加熱ステージ５上に移動さ
せ、加熱ステージ５の周囲のノズル６から窒素ガスを吸
着アーム７に対して噴出する。
【００１４】このとき、ノズル６の先端と吸着アーム７
との位置が接近した状態にあると、加熱ステージ５面と
吸着アーム７との間にから流れの無い状態（空間）が形
成される。すなわち、加熱ステージ５上にノズル６から
の噴流によって外部と遮断される空間が形成される。こ
のとき吸着アーム７は加熱ステージ５の上面に接近して
いるため、ノズル６から噴出する窒素ガスの量は少量で
もよい。
との位置が接近した状態にあると、加熱ステージ５面と
吸着アーム７との間にから流れの無い状態（空間）が形
成される。すなわち、加熱ステージ５上にノズル６から
の噴流によって外部と遮断される空間が形成される。こ
のとき吸着アーム７は加熱ステージ５の上面に接近して
いるため、ノズル６から噴出する窒素ガスの量は少量で
もよい。
【００１５】次に、この形成された空間に対して噴出孔
４から窒素ガスを一定量だけ噴出すると、噴流を受けた
空間は窒素ガスが充満した状態となる。従って、この状
態で、すなわち、窒素ガスの雰囲気中で加熱ステージ５
を加熱することにより、３基板１と半導体素子２との接
合面が酸化するのを防止できる。
４から窒素ガスを一定量だけ噴出すると、噴流を受けた
空間は窒素ガスが充満した状態となる。従って、この状
態で、すなわち、窒素ガスの雰囲気中で加熱ステージ５
を加熱することにより、３基板１と半導体素子２との接
合面が酸化するのを防止できる。
【００１６】そして、基板１が加熱ステージ５により所
定の温度に加熱されると、半導体素子２を真空吸着した
吸着アーム７を下降し、半導体素子２を基板１に接触さ
せるとともに所定の圧力で加圧する。これにより、半導
体素子２は基板１に固着される。
定の温度に加熱されると、半導体素子２を真空吸着した
吸着アーム７を下降し、半導体素子２を基板１に接触さ
せるとともに所定の圧力で加圧する。これにより、半導
体素子２は基板１に固着される。
【００１７】
【発明の効果】本発明の半導体素子実装ステージは、加
熱ステージ上には窒素ガスの流れがないため、窒素ガス
の噴出によって加熱ステージの温度が変化することがな
く、基板と半導体素子とを効率よく加熱できるという効
果がある。
熱ステージ上には窒素ガスの流れがないため、窒素ガス
の噴出によって加熱ステージの温度が変化することがな
く、基板と半導体素子とを効率よく加熱できるという効
果がある。
【００１８】さらに、加熱ステージの周囲に配置したノ
ズルから少量の窒素ガスを噴出するのみで、加熱ステー
ジ上に窒素ガスに満たされた空間を形成できる、すなわ
ち、固着工程に必要な空間のみを不活性ガスの雰囲気に
すればよく、窒素ガスの消費量が節約できるという効果
がある。
ズルから少量の窒素ガスを噴出するのみで、加熱ステー
ジ上に窒素ガスに満たされた空間を形成できる、すなわ
ち、固着工程に必要な空間のみを不活性ガスの雰囲気に
すればよく、窒素ガスの消費量が節約できるという効果
がある。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１の加熱ステージ５，ノズル６を示す部分斜
視図である。
視図である。
【図３】従来の一例を示す断面図である。
１ 基板 ２ 半導体素子 ３，１０ 吸着孔 ４ 噴出孔 ５，１１ 加熱ステージ ６，１２ ノズル ７ 吸着アーム ８ カバー ９ 吸着ヘッド
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子を基板に固着する半導体素子
実装ステージであって、略中央部に前記基板を真空吸着
する吸着孔とこの吸着孔の近傍に不活性ガスを噴出する
噴出孔とを有する前記半導体素子および基板を加熱する
加熱ステージと、この加熱ステージの周囲に配設し窒素
ガスを噴出するノズルと、このノズルの口径より大きい
吸着面を有し前記半導体素子を吸着して前記基板上に搬
送し加圧する平板状の吸着アームとを備えることを特徴
とする半導体素子実装ステージ。 - 【請求項２】 前記加熱ステージが円形をなし、かつ前
記ノズルを前記円形の加熱ステージの周囲に同心状に配
置することを特徴とする請求項１記載の半導体素子実装
ステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3970293A JPH0810713B2 (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 半導体素子実装ステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3970293A JPH0810713B2 (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 半導体素子実装ステージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252183A true JPH06252183A (ja) | 1994-09-09 |
| JPH0810713B2 JPH0810713B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=12560348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3970293A Expired - Lifetime JPH0810713B2 (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 半導体素子実装ステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810713B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010004043A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | S E T | メタルボンディングパッドを有する構成要素組み立て装置 |
| CN101882590A (zh) * | 2010-07-15 | 2010-11-10 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种加热块装置 |
| JP2019110289A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 部品接合装置及びその方法と実装構造体 |
| CN111524821A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-11 | 河北美泰电子科技有限公司 | 微波芯片共晶焊接平台及共晶焊接方法 |
| US11574888B2 (en) | 2017-12-15 | 2023-02-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Component joining apparatus, component joining method and mounted structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257532A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Nec Kyushu Ltd | 半導体ダイボンダ−用ヒ−タ−ブロツク |
| JPH04326739A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンド方法およびダイボンド装置 |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP3970293A patent/JPH0810713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257532A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Nec Kyushu Ltd | 半導体ダイボンダ−用ヒ−タ−ブロツク |
| JPH04326739A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンド方法およびダイボンド装置 |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2010004043A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | S E T | メタルボンディングパッドを有する構成要素組み立て装置 |
| CN101882590A (zh) * | 2010-07-15 | 2010-11-10 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种加热块装置 |
| JP2019110289A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 部品接合装置及びその方法と実装構造体 |
| US11574888B2 (en) | 2017-12-15 | 2023-02-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Component joining apparatus, component joining method and mounted structure |
| CN111524821A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-11 | 河北美泰电子科技有限公司 | 微波芯片共晶焊接平台及共晶焊接方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810713B2 (ja) | 1996-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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