JPS60257532A - 半導体ダイボンダ−用ヒ−タ−ブロツク - Google Patents
半導体ダイボンダ−用ヒ−タ−ブロツクInfo
- Publication number
- JPS60257532A JPS60257532A JP59114125A JP11412584A JPS60257532A JP S60257532 A JPS60257532 A JP S60257532A JP 59114125 A JP59114125 A JP 59114125A JP 11412584 A JP11412584 A JP 11412584A JP S60257532 A JPS60257532 A JP S60257532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- lead frame
- block
- heater
- heater block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体用ダイボンダーに使用するヒーターブロ
ックに関するものである。
ックに関するものである。
半導体素子３をり・−ドフレーム４のアイランド（素子
固着部） ４ａにグイボウント（以下、マウントという
）する際には、リードフレームのアイランドをヒーター
ブロックに密着させる必要がある。
固着部） ４ａにグイボウント（以下、マウントという
）する際には、リードフレームのアイランドをヒーター
ブロックに密着させる必要がある。
従来の密着方法の一例を第２図（ａ） 、 （ｂ）に示
す。
す。
第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように従来は、リード
フレーム４のアイランド４ａの両端２箇所を押え１，１
を使用して該アイランド４ａをヒーターブロック５の上
面に密着させるのが一般的であった。この際、押え１．
１間の間隔りは半導体吸着コレット２の巾寸法Ａとコレ
ット２によるスクラブ寸法（素子３をアイランド４ａに
こすり付ける時の振幅寸法）との和よシ広く、しかもリ
ードフレーム４のアイランド段差部４ｂ 、 ４ｂ間の
長さＣより狭くする必要がある。
フレーム４のアイランド４ａの両端２箇所を押え１，１
を使用して該アイランド４ａをヒーターブロック５の上
面に密着させるのが一般的であった。この際、押え１．
１間の間隔りは半導体吸着コレット２の巾寸法Ａとコレ
ット２によるスクラブ寸法（素子３をアイランド４ａに
こすり付ける時の振幅寸法）との和よシ広く、しかもリ
ードフレーム４のアイランド段差部４ｂ 、 ４ｂ間の
長さＣより狭くする必要がある。
ところが、最近パッケージの小型化に伴ない、リードフ
レーム４のＤＰ寸寸法上アイランド４ａの位置に近接し
、上記条件で押えることができなくなっている。Ｂは半
導体素子３の巾寸法である。
レーム４のＤＰ寸寸法上アイランド４ａの位置に近接し
、上記条件で押えることができなくなっている。Ｂは半
導体素子３の巾寸法である。
仮シに、リードフレーム４のＤＰ寸寸法上シ広い外側の
位置を押え１，１を使用して押圧した場合には、第３図
に示すようにアイランド４ａの段差部分４ｂ 、 ４ｂ
を支点としてアイランド４ａが上方に反り返ってリード
フレーム４のアイランド４ａがヒーターブロック５の密
着面５ａから離れてしまい、マラント性が極度に低下す
る結果になる。
位置を押え１，１を使用して押圧した場合には、第３図
に示すようにアイランド４ａの段差部分４ｂ 、 ４ｂ
を支点としてアイランド４ａが上方に反り返ってリード
フレーム４のアイランド４ａがヒーターブロック５の密
着面５ａから離れてしまい、マラント性が極度に低下す
る結果になる。
本発明は前記問題点を解消するもので、ヒーターブロッ
クとリードフレームのアイランドとを密着性を高めるこ
とにより、パッケージの小型化に伴なうダイボンドに対
処できる装置を提供するものである。
クとリードフレームのアイランドとを密着性を高めるこ
とにより、パッケージの小型化に伴なうダイボンドに対
処できる装置を提供するものである。
すなわち、本発明はヒーターブロックに密着させたリー
ドフレームのアイランドに半導体素子を該アイランドに
ダイボンドする半導体用グイボンダーにおいて、リード
フレームアイランドを密着させる前記ヒーターブロック
の面上に真空吸着用開口を設けたことを特徴とする半導
体ダイボンダー用ヒーターブロックである。
ドフレームのアイランドに半導体素子を該アイランドに
ダイボンドする半導体用グイボンダーにおいて、リード
フレームアイランドを密着させる前記ヒーターブロック
の面上に真空吸着用開口を設けたことを特徴とする半導
体ダイボンダー用ヒーターブロックである。
以下に、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図（ａ）において、本発明はリードフレーム４のア
イランド４ａを密着させるヒーターブロック５の密着面
５ａに、リードフレーム４のアイランド４ａを真空吸着
させる開口６を穿設したものである。
イランド４ａを密着させるヒーターブロック５の密着面
５ａに、リードフレーム４のアイランド４ａを真空吸着
させる開口６を穿設したものである。
本発明において、リードフレーム４のアイランド４ａを
ヒーターブロック５に密着させるには、リードフレーム
４のアイランド４ａをヒーターブロック５の密着面５ａ
に載置し、次に図示しない真空源により真空吸着用開口
６を真空引きしてその真空圧をアイランド４ａに作用さ
せてこれを密着面５ａに密着させる。その後、従来と同
様の方法により半導体素子３をリードフレーム４のアイ
ランド４ａ上にダイボンドする・したがって、第１図（
ｂ）に示すパッケージ小型品のリードフレーム４であっ
ても、そのアイランド４ａをヒーターブロック５に確実
に密着させることが可能になる・ 〔発明の効果〕 本発明は以上説明したように、リードフレームのアイラ
ンドを真空吸着を利用してこれをヒーターブロックに定
着させるようにしたので、従来のように押え機構でリー
ドフレームを押圧する必要がなく、パッケージの小型品
の場合にもリードフレームを変形させずにそのアイラン
ドをヒーターブロックに密着させることができ、ノくツ
ケージ小型品をリードフレームのアイランドに品質を低
下させることなくダイボンドすることができる効果を有
するものである。
ヒーターブロック５に密着させるには、リードフレーム
４のアイランド４ａをヒーターブロック５の密着面５ａ
に載置し、次に図示しない真空源により真空吸着用開口
６を真空引きしてその真空圧をアイランド４ａに作用さ
せてこれを密着面５ａに密着させる。その後、従来と同
様の方法により半導体素子３をリードフレーム４のアイ
ランド４ａ上にダイボンドする・したがって、第１図（
ｂ）に示すパッケージ小型品のリードフレーム４であっ
ても、そのアイランド４ａをヒーターブロック５に確実
に密着させることが可能になる・ 〔発明の効果〕 本発明は以上説明したように、リードフレームのアイラ
ンドを真空吸着を利用してこれをヒーターブロックに定
着させるようにしたので、従来のように押え機構でリー
ドフレームを押圧する必要がなく、パッケージの小型品
の場合にもリードフレームを変形させずにそのアイラン
ドをヒーターブロックに密着させることができ、ノくツ
ケージ小型品をリードフレームのアイランドに品質を低
下させることなくダイボンドすることができる効果を有
するものである。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す断面図、第１図
（ｂ）はパッケージ小型品のリードフレームの平面図、
第２図（ａ）は従来装置の一例を示す断面図、第２図（
ｂ）はリードフレームの平面図、第３図は従来装置によ
りパッケージ小型品のダイボンドを示す断面図である。 ５・・・ヒーターブロック、５ａ・・・密着面、６・・
・真空吸着用開口 特許出願人 九州日本電気株式会社 第１図 （Ｑ） （ｂ） 第２図 （Ｑ）
（ｂ）はパッケージ小型品のリードフレームの平面図、
第２図（ａ）は従来装置の一例を示す断面図、第２図（
ｂ）はリードフレームの平面図、第３図は従来装置によ
りパッケージ小型品のダイボンドを示す断面図である。 ５・・・ヒーターブロック、５ａ・・・密着面、６・・
・真空吸着用開口 特許出願人 九州日本電気株式会社 第１図 （Ｑ） （ｂ） 第２図 （Ｑ）
Claims (1)
- （１）ヒーターブロックに密着させたリードフレームの
アイランドに、半導体素子をダイボンドする半導体用ダ
イボンダーにおいて、リードフレームアイランドを密着
させる前記ヒーターブロックの面上に真空吸着用開口を
設けたことを特徴とする半導体ダイボンダー用ヒーター
ブロック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59114125A JPS60257532A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体ダイボンダ−用ヒ−タ−ブロツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59114125A JPS60257532A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体ダイボンダ−用ヒ−タ−ブロツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257532A true JPS60257532A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14629757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59114125A Pending JPS60257532A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体ダイボンダ−用ヒ−タ−ブロツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257532A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252183A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Nec Corp | 半導体素子実装ステージ |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59114125A patent/JPS60257532A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252183A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Nec Corp | 半導体素子実装ステージ |
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