JPH06252373A - Ｃｃｄ型固体撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ型固体撮像素子Info
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- JPH06252373A JPH06252373A JP5057745A JP5774593A JPH06252373A JP H06252373 A JPH06252373 A JP H06252373A JP 5057745 A JP5057745 A JP 5057745A JP 5774593 A JP5774593 A JP 5774593A JP H06252373 A JPH06252373 A JP H06252373A
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- JP
- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/151—Geometry or disposition of pixel elements, address lines or gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 取扱い電荷量の減少を伴うことなく垂直転送
効率を高め、更には受光素子から転送チャンネルへの読
み出しをより円滑に行われるようにする。 【構成】 少なくとも一部の隣接垂直転送電極間境界線
を、上から視て転送チャンネル１の受光素子３側の辺と
交差するエッジａと転送チャンネル１の反受光素子側
（チャンネルストッパ２側）の辺と交差するエッジｂの
一方、例えばｂが他方、例えばａよりも転送方向側へ寄
るように形成する。
効率を高め、更には受光素子から転送チャンネルへの読
み出しをより円滑に行われるようにする。 【構成】 少なくとも一部の隣接垂直転送電極間境界線
を、上から視て転送チャンネル１の受光素子３側の辺と
交差するエッジａと転送チャンネル１の反受光素子側
（チャンネルストッパ２側）の辺と交差するエッジｂの
一方、例えばｂが他方、例えばａよりも転送方向側へ寄
るように形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ型固体撮像素
子、特に垂直転送効率を高め、更には受光素子から転送
チャンネルへの読み出し効率を高めることのできる新規
なＣＣＤ型固体撮像素子に関する。
子、特に垂直転送効率を高め、更には受光素子から転送
チャンネルへの読み出し効率を高めることのできる新規
なＣＣＤ型固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はＣＣＤ型
固体撮像素子の従来例の一つを示すもので、（Ａ）は平
面図、（Ｂ）は図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、
（Ｃ）は図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿うポテンシャルプロフ
ィールである。図面において、１は転送チャンネル、２
はチャンネルストッパ、３は受光素子、４は第１層目の
ポリシリコン（１Ｐｏｌｙ）からなる垂直転送電極、５
は第２層目のポリシリコンからなる垂直転送電極（２Ｐ
ｏｌｙ）、６は第３層目のポリシリコン（３Ｐｏｌｙ）
からなる垂直転送電極であり、基本的には縦ストライプ
パターンを有している。
固体撮像素子の従来例の一つを示すもので、（Ａ）は平
面図、（Ｂ）は図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、
（Ｃ）は図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿うポテンシャルプロフ
ィールである。図面において、１は転送チャンネル、２
はチャンネルストッパ、３は受光素子、４は第１層目の
ポリシリコン（１Ｐｏｌｙ）からなる垂直転送電極、５
は第２層目のポリシリコンからなる垂直転送電極（２Ｐ
ｏｌｙ）、６は第３層目のポリシリコン（３Ｐｏｌｙ）
からなる垂直転送電極であり、基本的には縦ストライプ
パターンを有している。
【０００３】図４に示すように、従来のＣＣＤ型固体撮
像素子は、多層垂直転送電極間の境界線の転送チャンネ
ル上における部分の向きは転送方向に対して直角に形成
されていた。即ち、従来のＣＣＤ型固体撮像素子の垂直
転送電極は、長方形を部分的に重なり合うように平行移
動したような形状を有し、その垂直転送電極の辺は転送
方向と直角の向きを成していた、換言すれば、垂直転送
電極間境界線は転送方向と直角であった。
像素子は、多層垂直転送電極間の境界線の転送チャンネ
ル上における部分の向きは転送方向に対して直角に形成
されていた。即ち、従来のＣＣＤ型固体撮像素子の垂直
転送電極は、長方形を部分的に重なり合うように平行移
動したような形状を有し、その垂直転送電極の辺は転送
方向と直角の向きを成していた、換言すれば、垂直転送
電極間境界線は転送方向と直角であった。
【０００４】尚、図４（Ｃ）は、図４（Ｂ）に示すよう
に第１層目のポリシリコンからなる垂直転送電極４が−
９Ｖ、第２層目のポリシリコンからなる垂直転送電極５
が０Ｖ、第３層目のポリシリコン垂直転送電極６が−６
Ｖのとき、即ち３Ｐｏｌｙ電極６下から２Ｐｏｌｙ電極
５下へ信号電荷を運ぶときにおけるポテンシャルプロフ
ィールを示している。そして、図４（Ｂ）の破線は、第
３層目のポリシリコンからなる垂直転送電極６下の部分
（第１層目、第２層目のポリシリコンからなる垂直転送
電極４、５のない部分）におけるポテンシャルの勾配
（角度θａ）を示す。
に第１層目のポリシリコンからなる垂直転送電極４が−
９Ｖ、第２層目のポリシリコンからなる垂直転送電極５
が０Ｖ、第３層目のポリシリコン垂直転送電極６が−６
Ｖのとき、即ち３Ｐｏｌｙ電極６下から２Ｐｏｌｙ電極
５下へ信号電荷を運ぶときにおけるポテンシャルプロフ
ィールを示している。そして、図４（Ｂ）の破線は、第
３層目のポリシリコンからなる垂直転送電極６下の部分
（第１層目、第２層目のポリシリコンからなる垂直転送
電極４、５のない部分）におけるポテンシャルの勾配
（角度θａ）を示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＣＤ型固
体撮像素子においては転送効率をより高めることが必要
とされる。そのため、転送チャンネルに不純物を選択的
に打込んで斜めのパターンで浅いバリアを形成すること
により転送効率を高める試みが為されたこともあるが、
これはバリアを設けた分だけ取扱い電荷量を減少させる
ので好ましくない。
体撮像素子においては転送効率をより高めることが必要
とされる。そのため、転送チャンネルに不純物を選択的
に打込んで斜めのパターンで浅いバリアを形成すること
により転送効率を高める試みが為されたこともあるが、
これはバリアを設けた分だけ取扱い電荷量を減少させる
ので好ましくない。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、取扱い電荷量の減少を伴うことなく
垂直転送効率を高め、更には受光素子から転送チャンネ
ルの読み出しをより円滑に行われるようにすることを目
的とする。
されたものであり、取扱い電荷量の減少を伴うことなく
垂直転送効率を高め、更には受光素子から転送チャンネ
ルの読み出しをより円滑に行われるようにすることを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のＣＣＤ型固体
撮像素子は、少なくとも一部の隣接垂直転送電極間境界
線が、上から視て転送チャンネルの受光素子側の辺と交
差するエッジと転送チャンネルの反受光素子側の辺と交
差するエッジの一方が他方よりも転送方向側へ寄るよう
に形成したことを特徴とする。請求項２のＣＣＤ型固体
撮像素子は、受光素子から転送チャンネルへ信号電荷を
読み出す垂直転送電極とそれに隣接する垂直転送電極と
の境界線が、上から視て転送チャンネルの受光素子側の
辺と交差するエッジよりも転送チャンネルの反受光素子
側の辺と交差するエッジの方が転送方向側へ寄るように
形成されたことを特徴とする
撮像素子は、少なくとも一部の隣接垂直転送電極間境界
線が、上から視て転送チャンネルの受光素子側の辺と交
差するエッジと転送チャンネルの反受光素子側の辺と交
差するエッジの一方が他方よりも転送方向側へ寄るよう
に形成したことを特徴とする。請求項２のＣＣＤ型固体
撮像素子は、受光素子から転送チャンネルへ信号電荷を
読み出す垂直転送電極とそれに隣接する垂直転送電極と
の境界線が、上から視て転送チャンネルの受光素子側の
辺と交差するエッジよりも転送チャンネルの反受光素子
側の辺と交差するエッジの方が転送方向側へ寄るように
形成されたことを特徴とする
【０００８】
【作用】請求項１のＣＣＤ型固体撮像素子によれば、水
平方向二次元形状効果により下記の表１、図２に示すよ
うに垂直転送電極に同じ電圧を与えた場合の転送電界の
強度が従来の場合よりも強くなり、そして垂直転送電極
下の転送方向に沿うポテンシャル勾配をより大きくする
ことができる。従って、垂直転送効率を高めることがで
きる。請求項２のＣＣＤ型固体撮像素子によれば、受光
素子から転送チャンネルへ信号電荷を読み出す垂直転送
電極と他の垂直転送電極との境界線が、上から視て転送
チャンネルの受光素子側の辺と交差するエッジよりも転
送チャンネルの反受光素子側の辺と交差するエッジの方
が転送方向側へ寄るように形成されているので、請求項
１のＣＣＤ型固体撮像素子のように垂直転送効率を高め
ることができると共に、受光素子から転送チャンネルへ
の信号の読み出しがスムーズに行われるようにすること
もできる。
平方向二次元形状効果により下記の表１、図２に示すよ
うに垂直転送電極に同じ電圧を与えた場合の転送電界の
強度が従来の場合よりも強くなり、そして垂直転送電極
下の転送方向に沿うポテンシャル勾配をより大きくする
ことができる。従って、垂直転送効率を高めることがで
きる。請求項２のＣＣＤ型固体撮像素子によれば、受光
素子から転送チャンネルへ信号電荷を読み出す垂直転送
電極と他の垂直転送電極との境界線が、上から視て転送
チャンネルの受光素子側の辺と交差するエッジよりも転
送チャンネルの反受光素子側の辺と交差するエッジの方
が転送方向側へ寄るように形成されているので、請求項
１のＣＣＤ型固体撮像素子のように垂直転送効率を高め
ることができると共に、受光素子から転送チャンネルへ
の信号の読み出しがスムーズに行われるようにすること
もできる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明ＣＣＤ型固体撮像素子を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）は
本発明ＣＣＤ型固体撮像素子の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う
電極部の断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿うポテ
ンシャルプロフィールである。図面において、１は転送
チャンネル、２はチャンネルストッパ、３は受光素子、
４は第１層目のポリシリコンからなる垂直転送電極、５
は第２層目のポリシリコンからなる垂直転送電極、６は
第３層目のポリシリコンからなる垂直転送電極であり、
基本的には縦ストライプパターンを有している。
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）は
本発明ＣＣＤ型固体撮像素子の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う
電極部の断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿うポテ
ンシャルプロフィールである。図面において、１は転送
チャンネル、２はチャンネルストッパ、３は受光素子、
４は第１層目のポリシリコンからなる垂直転送電極、５
は第２層目のポリシリコンからなる垂直転送電極、６は
第３層目のポリシリコンからなる垂直転送電極であり、
基本的には縦ストライプパターンを有している。
【００１０】本発明ＣＣＤ型固体撮像素子の従来のＣＣ
Ｄ型固体撮像素子との違いは、各垂直転送電極間の境界
線が上から視て転送チャンネルの受光素子側の辺と交差
するエッジａと転送チャンネルの反受光素子側の辺と交
差するエッジｂの一方が他方よりも転送方向側へ寄るよ
うに形成されていることである。本実施例においては、
具体的にはエッジａよりもエッジｂの方が転送方向側に
寄っている。すると、第３層目のポリシリコンからなる
垂直転送電極６から第２層目のポリシリコンからなる垂
直転送電極５へ信号電荷を転送する途中でのポテンシャ
ルプロフィールは図１（Ｃ）に示すようになり、破線は
第３層目のポリシリコンからなる垂直転送電極６下での
最小電界強度分布勾配（角度θ）を示す。この勾配は、
図４（Ｃ）に示すところの従来のＣＣＤ型固体撮像素子
のそれよりも強くなっており、また、図２、下記の表１
に示すように、第３層目の垂直転送電極６に対して同じ
電圧（Ｖ３電圧［Ｖ］）を与えた場合の転送電界［ｍＶ
／μｍ］は従来の場合よりも本実施例の方が概ね高い。
Ｄ型固体撮像素子との違いは、各垂直転送電極間の境界
線が上から視て転送チャンネルの受光素子側の辺と交差
するエッジａと転送チャンネルの反受光素子側の辺と交
差するエッジｂの一方が他方よりも転送方向側へ寄るよ
うに形成されていることである。本実施例においては、
具体的にはエッジａよりもエッジｂの方が転送方向側に
寄っている。すると、第３層目のポリシリコンからなる
垂直転送電極６から第２層目のポリシリコンからなる垂
直転送電極５へ信号電荷を転送する途中でのポテンシャ
ルプロフィールは図１（Ｃ）に示すようになり、破線は
第３層目のポリシリコンからなる垂直転送電極６下での
最小電界強度分布勾配（角度θ）を示す。この勾配は、
図４（Ｃ）に示すところの従来のＣＣＤ型固体撮像素子
のそれよりも強くなっており、また、図２、下記の表１
に示すように、第３層目の垂直転送電極６に対して同じ
電圧（Ｖ３電圧［Ｖ］）を与えた場合の転送電界［ｍＶ
／μｍ］は従来の場合よりも本実施例の方が概ね高い。
【００１１】尚、図２は、垂直転送電極に対する印加ゲ
ート電圧と垂直転送電極下における転送電界強度との関
係図であり、実線は本実施例における複数のケースを示
し、２点鎖線は従来例を示す。また、下記の表１は垂直
転送電極に対する印加ゲート電圧と垂直転送電極下にお
ける転送電界強度との関係を従来の場合と本実施例の場
合の複数のケースについて表の形で示す。
ート電圧と垂直転送電極下における転送電界強度との関
係図であり、実線は本実施例における複数のケースを示
し、２点鎖線は従来例を示す。また、下記の表１は垂直
転送電極に対する印加ゲート電圧と垂直転送電極下にお
ける転送電界強度との関係を従来の場合と本実施例の場
合の複数のケースについて表の形で示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】そして、上から視て転送チャンネルの受光
素子側の辺と交差するエッジａよりも転送チャンネルの
反受光素子側の辺と交差するエッジｂの方が転送方向側
へ寄るように形成されているので、受光素子３から転送
チャンネル２への信号電荷の読み出しの方向が斜めにな
りスムーズに行われる。
素子側の辺と交差するエッジａよりも転送チャンネルの
反受光素子側の辺と交差するエッジｂの方が転送方向側
へ寄るように形成されているので、受光素子３から転送
チャンネル２への信号電荷の読み出しの方向が斜めにな
りスムーズに行われる。
【００１４】図３は本発明ＣＣＤ型固体撮像素子の他の
実施例を示す平面図で、該実施例は本発明を２層ポリシ
リコン４相駆動方式の垂直転送レジスタを有するＣＣＤ
型固体撮像素子に適用したものである。本ＣＣＤ型固体
撮像素子においては、第１層目のポリシリコンからなる
垂直転送電極４と、第２層目のポリシリコンからなる垂
直転送電極５との境界線の上から視て転送チャンネル１
と交差する受光素子側エッジａよりも反受光素子側（チ
ャンネルストッパ１側）のエッジｂの方が転送方向側に
寄っており、同じ印加電圧に対する垂直転送電極４下の
電界強度を高くすることができ、垂直転送効率を高める
ことができる点では図１に示した実施例と同様の効果を
得ることができる。また、垂直転送電極５による受光素
子３から転送チャンネル２への信号電荷の読み出しの方
向が斜めになり、読み出しがスムーズになるという点で
も図１に示した実施例と同様の効果を得ることができ
る。
実施例を示す平面図で、該実施例は本発明を２層ポリシ
リコン４相駆動方式の垂直転送レジスタを有するＣＣＤ
型固体撮像素子に適用したものである。本ＣＣＤ型固体
撮像素子においては、第１層目のポリシリコンからなる
垂直転送電極４と、第２層目のポリシリコンからなる垂
直転送電極５との境界線の上から視て転送チャンネル１
と交差する受光素子側エッジａよりも反受光素子側（チ
ャンネルストッパ１側）のエッジｂの方が転送方向側に
寄っており、同じ印加電圧に対する垂直転送電極４下の
電界強度を高くすることができ、垂直転送効率を高める
ことができる点では図１に示した実施例と同様の効果を
得ることができる。また、垂直転送電極５による受光素
子３から転送チャンネル２への信号電荷の読み出しの方
向が斜めになり、読み出しがスムーズになるという点で
も図１に示した実施例と同様の効果を得ることができ
る。
【００１５】
【発明の効果】請求項１のＣＣＤ型固体撮像素子は、少
なくとも一部の隣接垂直転送電極間境界線が、上から視
て転送チャンネルの受光素子側の辺と交差するエッジと
転送チャンネルの反受光素子側の辺と交差するエッジの
一方が他方よりも転送方向側へ寄るように形成したこと
を特徴とするものである。従って、請求項１のＣＣＤ型
固体撮像素子によれば、前述したように垂直転送電極に
同じ電圧を与えた場合の転送電界の強度が従来の場合よ
りも強くなり、そして、垂直転送電極下の転送方向に沿
うポテンシャル勾配をより大きくすることができる。従
って、垂直転送効率を高めることができる。
なくとも一部の隣接垂直転送電極間境界線が、上から視
て転送チャンネルの受光素子側の辺と交差するエッジと
転送チャンネルの反受光素子側の辺と交差するエッジの
一方が他方よりも転送方向側へ寄るように形成したこと
を特徴とするものである。従って、請求項１のＣＣＤ型
固体撮像素子によれば、前述したように垂直転送電極に
同じ電圧を与えた場合の転送電界の強度が従来の場合よ
りも強くなり、そして、垂直転送電極下の転送方向に沿
うポテンシャル勾配をより大きくすることができる。従
って、垂直転送効率を高めることができる。
【００１６】請求項２のＣＣＤ型固体撮像素子は、受光
素子から転送チャンネルへ信号電荷を読み出す垂直転送
電極とそれに隣接する垂直転送電極との境界線が、上か
ら視て転送チャンネルの受光素子側の辺と交差するエッ
ジよりも転送チャンネルの反受光素子側の辺と交差する
エッジの方が転送方向側へ寄るように形成されたことを
特徴とするものである。従って、請求項２のＣＣＤ型固
体撮像素子によれば、受光素子から転送チャンネルへ信
号電荷を読み出す垂直転送電極と他の垂直転送電極との
境界線が、上から視て転送チャンネルの受光素子側の辺
と交差するエッジよりも転送チャンネルの反受光素子側
の辺と交差するエッジの方が転送方向側へ寄るように形
成されているので、請求項１のＣＣＤ型固体撮像素子の
ように垂直転送効率を高めることができると共に、受光
素子から転送チャンネルへの信号の読み出しがスムーズ
に行われるようにすることもできる。
素子から転送チャンネルへ信号電荷を読み出す垂直転送
電極とそれに隣接する垂直転送電極との境界線が、上か
ら視て転送チャンネルの受光素子側の辺と交差するエッ
ジよりも転送チャンネルの反受光素子側の辺と交差する
エッジの方が転送方向側へ寄るように形成されたことを
特徴とするものである。従って、請求項２のＣＣＤ型固
体撮像素子によれば、受光素子から転送チャンネルへ信
号電荷を読み出す垂直転送電極と他の垂直転送電極との
境界線が、上から視て転送チャンネルの受光素子側の辺
と交差するエッジよりも転送チャンネルの反受光素子側
の辺と交差するエッジの方が転送方向側へ寄るように形
成されているので、請求項１のＣＣＤ型固体撮像素子の
ように垂直転送効率を高めることができると共に、受光
素子から転送チャンネルへの信号の読み出しがスムーズ
に行われるようにすることもできる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明ＣＣＤ型固体
撮像素子の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う電極構造を示す断
面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿うポテンシャルプ
ロフィール図である。
撮像素子の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う電極構造を示す断
面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿うポテンシャルプ
ロフィール図である。
【図２】上記実施例の垂直転送電極に印加する電圧とそ
の垂直転送電極下の電界強度との関係を示す曲線図であ
る。
の垂直転送電極下の電界強度との関係を示す曲線図であ
る。
【図３】本発明ＣＣＤ型固体撮像素子の他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はＣＣＤ型固体撮像素
子の従来例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う電極構造を示す断面図、（Ｃ）
は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿うポテンシャルプロフィール図
である。
子の従来例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う電極構造を示す断面図、（Ｃ）
は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿うポテンシャルプロフィール図
である。
１ 転送チャンネル ２ チャンネルストッパ ３ 受光素子 ４、５、６ 垂直転送電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石上 富士 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 中川 進次 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 田麦 武志 鹿児島県国分市野口北５番地１号 ソニー 国分株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一部の隣接垂直転送電極間境
界線が、上から視て転送チャンネルの受光素子側の辺と
交差するエッジと転送チャンネルの反受光素子側の辺と
交差するエッジの一方が他方よりも転送方向側へ寄るよ
うに形成されてなることを特徴とするＣＣＤ型固体撮像
素子 - 【請求項２】 受光素子から転送チャンネルへ信号電荷
を読み出す垂直転送電極とそれに隣接する垂直転送電極
との境界線が、上から視て転送チャンネルの受光素子側
の辺と交差するエッジよりも転送チャンネルの反受光素
子側の辺と交差するエッジの方が転送方向側へ寄るよう
に形成されたことを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5057745A JPH06252373A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
| TW083101447A TW234208B (ja) | 1993-02-23 | 1994-02-21 | |
| DE69430547T DE69430547T2 (de) | 1993-02-23 | 1994-02-22 | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung vom CCD-Typ |
| EP94102647A EP0613184B1 (en) | 1993-02-23 | 1994-02-22 | CCD type solid state imaging device |
| EP98124546A EP0915519B1 (en) | 1993-02-23 | 1994-02-22 | CCD type solid state imaging device |
| DE69430499T DE69430499T2 (de) | 1993-02-23 | 1994-02-22 | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung von CCD-Typ |
| US08/937,932 US6069374A (en) | 1993-02-23 | 1997-09-25 | CCD type solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5057745A JPH06252373A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252373A true JPH06252373A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13064448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5057745A Pending JPH06252373A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6069374A (ja) |
| EP (2) | EP0613184B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06252373A (ja) |
| DE (2) | DE69430499T2 (ja) |
| TW (1) | TW234208B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7719036B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-05-18 | Imagerlabs, Inc. | Charge coupled device with high quantum efficiency |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875382A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-05-07 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| US4602289A (en) * | 1982-05-31 | 1986-07-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Solid state image pick-up device |
| JPS58212176A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Nec Corp | 電荷転送装置 |
| JPS5916472A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0695536B2 (ja) * | 1984-06-04 | 1994-11-24 | 松下電子工業株式会社 | 電荷転送装置 |
| JPH02159063A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH04192561A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2825702B2 (ja) * | 1992-05-20 | 1998-11-18 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPH05326914A (ja) * | 1992-05-22 | 1993-12-10 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP5057745A patent/JPH06252373A/ja active Pending
-
1994
- 1994-02-21 TW TW083101447A patent/TW234208B/zh active
- 1994-02-22 EP EP94102647A patent/EP0613184B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-22 DE DE69430499T patent/DE69430499T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-22 EP EP98124546A patent/EP0915519B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-22 DE DE69430547T patent/DE69430547T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-25 US US08/937,932 patent/US6069374A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0613184B1 (en) | 2002-05-02 |
| EP0915519A1 (en) | 1999-05-12 |
| US6069374A (en) | 2000-05-30 |
| DE69430547T2 (de) | 2002-12-19 |
| DE69430499D1 (de) | 2002-06-06 |
| EP0613184A1 (en) | 1994-08-31 |
| DE69430499T2 (de) | 2002-12-12 |
| DE69430547D1 (de) | 2002-06-06 |
| TW234208B (ja) | 1994-11-11 |
| EP0915519B1 (en) | 2002-05-02 |
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