JPH06256939A - スパッタリングターゲットおよびそれを用いて形成した高硬度被膜 - Google Patents
スパッタリングターゲットおよびそれを用いて形成した高硬度被膜Info
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- JPH06256939A JPH06256939A JP5047898A JP4789893A JPH06256939A JP H06256939 A JPH06256939 A JP H06256939A JP 5047898 A JP5047898 A JP 5047898A JP 4789893 A JP4789893 A JP 4789893A JP H06256939 A JPH06256939 A JP H06256939A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高硬度、高靭性を示し、かつ密着性に優れた
保護膜等を形成することを可能にしたスパッタリングタ
ーゲットを提供する。 【構成】 Ti、Zr、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化
物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%、および
Si、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素から選ばれた少
なくとも 1種を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的に窒
化ケイ素からなる焼結スパッタリングターゲットであ
る。またさらには、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化物か
ら選ばれた少なくとも 1種を0.05〜40mol%の範囲で含有
させる。
保護膜等を形成することを可能にしたスパッタリングタ
ーゲットを提供する。 【構成】 Ti、Zr、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化
物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%、および
Si、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素から選ばれた少
なくとも 1種を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的に窒
化ケイ素からなる焼結スパッタリングターゲットであ
る。またさらには、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化物か
ら選ばれた少なくとも 1種を0.05〜40mol%の範囲で含有
させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サーマルプリンタヘッ
ドや密着型センサ用の保護膜等の形成に好適なスパッタ
リングターゲットと、それを用いて形成した高硬度被膜
に関する。
ドや密着型センサ用の保護膜等の形成に好適なスパッタ
リングターゲットと、それを用いて形成した高硬度被膜
に関する。
【0002】
【従来の技術】サーマルプリンタヘッドは、少音、省保
守、低ランニングコスト等の利点を生かして、ファクシ
ミリ、ワードプロセッサ用プリンタ等の各種記録装置に
多用されている。一方、各種電子機器には小型化、低価
格化、低電力化が要請されており、サーマルヘッドにも
小型で安価で、かつ高効率のものが望まれている。この
ような要望を満たすサーマルヘッドとして、保温層とし
てポリイミド樹脂等の耐熱性に優れ、低い熱拡散率を有
する樹脂を用いたサーマルプリンタヘッドが注目されて
いる。
守、低ランニングコスト等の利点を生かして、ファクシ
ミリ、ワードプロセッサ用プリンタ等の各種記録装置に
多用されている。一方、各種電子機器には小型化、低価
格化、低電力化が要請されており、サーマルヘッドにも
小型で安価で、かつ高効率のものが望まれている。この
ような要望を満たすサーマルヘッドとして、保温層とし
てポリイミド樹脂等の耐熱性に優れ、低い熱拡散率を有
する樹脂を用いたサーマルプリンタヘッドが注目されて
いる。
【0003】上記した保温層として耐熱性樹脂を用いた
サーマルプリンタヘッドは、例えば以下に示すような構
造を有している。すなわち、金属基板上にポリイミド樹
脂等からなる保温層を設け、この保温層上に発熱抵抗体
層、個別電極および共通電極となる導電層を順に形成
し、最外表面をTa2 O 5 、Si3 N 4 、SiON等からなる保
護膜で被覆した構造とされている。また、保温層をアッ
シング処理等から保護し、発熱抵抗体層形成時の抵抗値
制御を容易にし、さらにワイヤーボンディング性を改善
するために、保温層と発熱抵抗体層間に SiO2 、SiN 、
SiC 等からなる下地層を設けることも行われている。
サーマルプリンタヘッドは、例えば以下に示すような構
造を有している。すなわち、金属基板上にポリイミド樹
脂等からなる保温層を設け、この保温層上に発熱抵抗体
層、個別電極および共通電極となる導電層を順に形成
し、最外表面をTa2 O 5 、Si3 N 4 、SiON等からなる保
護膜で被覆した構造とされている。また、保温層をアッ
シング処理等から保護し、発熱抵抗体層形成時の抵抗値
制御を容易にし、さらにワイヤーボンディング性を改善
するために、保温層と発熱抵抗体層間に SiO2 、SiN 、
SiC 等からなる下地層を設けることも行われている。
【0004】このようなサーマルプリンタヘッドは、耐
熱性等の面では十分に動作に耐えられることが確認され
ているものの、ファクシミリ等の装置に組み込んで実機
走行テストを行うと、走行中に異常な抵抗値変化を示
し、印字に悪影響を及ぼす現象が多々認められるという
欠点がある。これは、サーマルプリンタヘッドと感熱紙
の間に巻き込まれた塵芥等の異物が、サーマルプリンタ
ヘッドの保護膜に亀裂(クラック)を生じさせ、亀裂が
発熱抵抗体まで達した場合に生じる問題である。上記し
たような問題は、従来のグレーズガラス層を有するアル
ミナ基板を高抵抗基体として用いた場合や、ガラス層を
有する金属基体を高抵抗基体として用いた場合には、他
の構成が同じサーマルプリンタヘッドでも認められず、
保温層として樹脂を用いた場合に特有な現象である。す
なわち、ポリイミド等の樹脂は弾性が大きく、変形能が
保護膜より著しく大きいために、保護膜に局所的な集中
荷重が加わった場合、樹脂からなる保温層は大きく変形
するが、保護膜はこの変形に追従できずに亀裂が生じる
ものと考えられる。また、上記した亀裂は、塵埃等の異
物の巻き込みにより発生した後、その亀裂を中心に広い
範囲で保護膜の剥離を引き起こしており、膜の機械的強
度不足だけでなく、膜の構造や内部応力等の性質にも問
題があるものと考えられる。
熱性等の面では十分に動作に耐えられることが確認され
ているものの、ファクシミリ等の装置に組み込んで実機
走行テストを行うと、走行中に異常な抵抗値変化を示
し、印字に悪影響を及ぼす現象が多々認められるという
欠点がある。これは、サーマルプリンタヘッドと感熱紙
の間に巻き込まれた塵芥等の異物が、サーマルプリンタ
ヘッドの保護膜に亀裂(クラック)を生じさせ、亀裂が
発熱抵抗体まで達した場合に生じる問題である。上記し
たような問題は、従来のグレーズガラス層を有するアル
ミナ基板を高抵抗基体として用いた場合や、ガラス層を
有する金属基体を高抵抗基体として用いた場合には、他
の構成が同じサーマルプリンタヘッドでも認められず、
保温層として樹脂を用いた場合に特有な現象である。す
なわち、ポリイミド等の樹脂は弾性が大きく、変形能が
保護膜より著しく大きいために、保護膜に局所的な集中
荷重が加わった場合、樹脂からなる保温層は大きく変形
するが、保護膜はこの変形に追従できずに亀裂が生じる
ものと考えられる。また、上記した亀裂は、塵埃等の異
物の巻き込みにより発生した後、その亀裂を中心に広い
範囲で保護膜の剥離を引き起こしており、膜の機械的強
度不足だけでなく、膜の構造や内部応力等の性質にも問
題があるものと考えられる。
【0005】このようなことから、種々の保護膜材料に
ついて検討が重ねられているが、前述したようなTa2 O
5 、Si3 N 4 、SiON等では、硬度、靭性、付着力が不足
し、いずれもクラックが発生し易いために、実用的な使
用に耐え得るものではない。また、上記したTa2 O 5 や
Si3 N 4 等は、内部応力が高く、十分な密着性は得られ
ていない。
ついて検討が重ねられているが、前述したようなTa2 O
5 、Si3 N 4 、SiON等では、硬度、靭性、付着力が不足
し、いずれもクラックが発生し易いために、実用的な使
用に耐え得るものではない。また、上記したTa2 O 5 や
Si3 N 4 等は、内部応力が高く、十分な密着性は得られ
ていない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、保温
層として耐熱性樹脂を適用したサーマルプリンタヘッド
等に使用されている従来の保護膜は、硬度や靭性が不足
し、クラックが発生しやすいという問題や、内部応力が
高くて、密着性の点で劣るという問題を有していた。こ
のように、保護膜がその機能を十分に発揮していないこ
とに伴って、従来の耐熱性樹脂を用いたサーマルプリン
タヘッドでは、走行中に抵抗値異常を起こし、十分な印
字性能が得られなくなるという問題を招いていた。この
ようなことから、局所的な応力が加わった場合にも、ク
ラックの発生を抑制することができ、かつ密着性に優れ
た信頼性の高い保護膜が強く求められている。
層として耐熱性樹脂を適用したサーマルプリンタヘッド
等に使用されている従来の保護膜は、硬度や靭性が不足
し、クラックが発生しやすいという問題や、内部応力が
高くて、密着性の点で劣るという問題を有していた。こ
のように、保護膜がその機能を十分に発揮していないこ
とに伴って、従来の耐熱性樹脂を用いたサーマルプリン
タヘッドでは、走行中に抵抗値異常を起こし、十分な印
字性能が得られなくなるという問題を招いていた。この
ようなことから、局所的な応力が加わった場合にも、ク
ラックの発生を抑制することができ、かつ密着性に優れ
た信頼性の高い保護膜が強く求められている。
【0007】上述したような問題は、サーマルプリンタ
ヘッドに限らず、密着型センサ等の各種固体デバイスに
おいても同様に生じている。
ヘッドに限らず、密着型センサ等の各種固体デバイスに
おいても同様に生じている。
【0008】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、高硬度、高靭性を示し、かつ密着性
に優れた保護膜を形成することを可能にしたスパッタリ
ングターゲット、およびそれを用いて形成した高硬度被
膜を提供することを目的としている。
になされたもので、高硬度、高靭性を示し、かつ密着性
に優れた保護膜を形成することを可能にしたスパッタリ
ングターゲット、およびそれを用いて形成した高硬度被
膜を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
ターゲットに関する第1の発明は、Ti、Zr、Hf、Al、
Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた少なくとも 1
種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物
および炭素から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%
含有し、残部が実質的に窒化ケイ素からなる混合物を、
焼成してなることを特徴としている。
ターゲットに関する第1の発明は、Ti、Zr、Hf、Al、
Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた少なくとも 1
種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物
および炭素から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%
含有し、残部が実質的に窒化ケイ素からなる混合物を、
焼成してなることを特徴としている。
【0010】また、本発明のスパッタリングターゲット
に関する第2の発明は、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化
物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜40mol%、Ti、Z
r、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた
少なくとも 1種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Z
r、Hfの炭化物および炭素から選ばれた少なくとも 1種
を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的に窒化ケイ素から
なる混合物を、焼成してなることを特徴としている。
に関する第2の発明は、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化
物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜40mol%、Ti、Z
r、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた
少なくとも 1種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Z
r、Hfの炭化物および炭素から選ばれた少なくとも 1種
を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的に窒化ケイ素から
なる混合物を、焼成してなることを特徴としている。
【0011】本発明の高硬度被膜は、上記したスパッタ
リングターゲットを用いて形成した少なくともその一部
がアモルファス状態のスパッタ膜からなることを特徴と
している。
リングターゲットを用いて形成した少なくともその一部
がアモルファス状態のスパッタ膜からなることを特徴と
している。
【0012】本発明のスパッタリングターゲット中に含
まれる、Si、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素は、窒
化ケイ素を主成分とする膜の靭性を高めると共に、応力
緩和効果を有することから、内部応力を低減して膜の密
着性を向上させる成分であり、その含有量は0.05mol%〜
30mol%の範囲とする。これら金属炭化物や炭素の含有量
が0.05mol%未満では、上記した効果が十分に得られず、
また30mol%を超えると、ターゲットの焼結密度が上りに
くくなる。より好ましい含有量は、 2mol%〜25mol%の範
囲である。
まれる、Si、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素は、窒
化ケイ素を主成分とする膜の靭性を高めると共に、応力
緩和効果を有することから、内部応力を低減して膜の密
着性を向上させる成分であり、その含有量は0.05mol%〜
30mol%の範囲とする。これら金属炭化物や炭素の含有量
が0.05mol%未満では、上記した効果が十分に得られず、
また30mol%を超えると、ターゲットの焼結密度が上りに
くくなる。より好ましい含有量は、 2mol%〜25mol%の範
囲である。
【0013】また、Ti、Zr、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、
Bの酸化物は、窒化ケイ素を主成分とする焼結ターゲッ
トを高密度化し、得られるスパッタ膜の機械的強度や靭
性を向上させると共に、内部応力を低減して膜の密着性
を向上させる成分であり、その含有量は0.05mol%〜30mo
l%の範囲とする。これら金属酸化物の含有量が0.05mol%
未満では、上記した効果が十分に得られず、また30mol%
を超えると膜に強い応力が働き、いずれも膜の密着性が
低下して、剥がれが生じやすくなる。より好ましい含有
量は 5mol%〜20mol%の範囲である。
Bの酸化物は、窒化ケイ素を主成分とする焼結ターゲッ
トを高密度化し、得られるスパッタ膜の機械的強度や靭
性を向上させると共に、内部応力を低減して膜の密着性
を向上させる成分であり、その含有量は0.05mol%〜30mo
l%の範囲とする。これら金属酸化物の含有量が0.05mol%
未満では、上記した効果が十分に得られず、また30mol%
を超えると膜に強い応力が働き、いずれも膜の密着性が
低下して、剥がれが生じやすくなる。より好ましい含有
量は 5mol%〜20mol%の範囲である。
【0014】本発明のスパッタリングターゲットにおい
ては、窒化ケイ素に上記金属炭化物等と金属酸化物を添
加した系であっても、高硬度、高靭性を満足し、かつ密
着性に優れたスパッタ膜を得ることができるが、さらに
Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化物を含有させることによ
って、より一層硬度の向上を図ることができる。上記金
属硼化物の含有量は0.05mol%〜40mol%の範囲とする。こ
れら金属酸化物の含有量が0.05mol%未満では、硬度向上
効果が十分に得られず、また40mol%を超えると、金属硼
化物自体が導電性を有することから、電気絶縁性が必要
とされる保護膜等の形成材料としては適さなくなり、ま
たターゲットの焼結密度が上りにくくなる。より好まし
い含有量は10mol%〜30mol%の範囲である。
ては、窒化ケイ素に上記金属炭化物等と金属酸化物を添
加した系であっても、高硬度、高靭性を満足し、かつ密
着性に優れたスパッタ膜を得ることができるが、さらに
Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化物を含有させることによ
って、より一層硬度の向上を図ることができる。上記金
属硼化物の含有量は0.05mol%〜40mol%の範囲とする。こ
れら金属酸化物の含有量が0.05mol%未満では、硬度向上
効果が十分に得られず、また40mol%を超えると、金属硼
化物自体が導電性を有することから、電気絶縁性が必要
とされる保護膜等の形成材料としては適さなくなり、ま
たターゲットの焼結密度が上りにくくなる。より好まし
い含有量は10mol%〜30mol%の範囲である。
【0015】なお、窒化ケイ素に金属炭化物(または炭
素)、金属酸化物および金属硼化物を添加したスパッタ
リングターゲットは、添加元素数の増加により、金属炭
化物および金属酸化物を添加した系に比べて、若干内部
応力は増大するものの、従来の窒化ケイ素系スパッタ膜
よりは密着性に優れたものとなる。
素)、金属酸化物および金属硼化物を添加したスパッタ
リングターゲットは、添加元素数の増加により、金属炭
化物および金属酸化物を添加した系に比べて、若干内部
応力は増大するものの、従来の窒化ケイ素系スパッタ膜
よりは密着性に優れたものとなる。
【0016】また、本発明のスパッタリングターゲット
中に含まれる窒化ケイ素は、焼結スパッタリングターゲ
ットおよびスパッタ膜の主成分となるものであり、出発
原料となる混合物の段階で、55mol%以上含有させること
が好ましい。窒化ケイ素の含有量が55mol%未満である
と、膜の本質的な機械的特性が低下する。また、窒化ケ
イ素の出発原料としては、α化率が 50%以上の粉末を使
用することが好ましい。これにより、成膜速度および膜
の付着力の向上を図ることができる。
中に含まれる窒化ケイ素は、焼結スパッタリングターゲ
ットおよびスパッタ膜の主成分となるものであり、出発
原料となる混合物の段階で、55mol%以上含有させること
が好ましい。窒化ケイ素の含有量が55mol%未満である
と、膜の本質的な機械的特性が低下する。また、窒化ケ
イ素の出発原料としては、α化率が 50%以上の粉末を使
用することが好ましい。これにより、成膜速度および膜
の付着力の向上を図ることができる。
【0017】本発明のスパッタリングターゲットは、例
えば通常のセラミックス焼結体と同様に、常圧焼結法、
雰囲気加圧焼結法、ホットプレス法、HIP法等の焼結
法によって作製することができる。
えば通常のセラミックス焼結体と同様に、常圧焼結法、
雰囲気加圧焼結法、ホットプレス法、HIP法等の焼結
法によって作製することができる。
【0018】また、本発明による高硬度被膜は、上記し
た本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成した
スパッタ膜からなるものであって、その組織の少なくと
も一部はアモルファスからなる。このようなアモルファ
ス状態のスパッタ膜は、膜の部位による組成のバラツキ
が少なく、優れた靭性を示し、かつ高硬度を有すること
から、保護膜等として好適なものとなる。よって、組織
中のアモルファス状態の占める割合は、面積比で 40%以
上が好ましい。より好ましくは 70%以上であり、さらに
好ましくは 85%以上である。なお、本発明の高硬度被膜
の組成分は、上記ターゲットと同一となるが、その組成
比はスパッタ条件等によって異なるため、必ずしも一致
しない。また、特性もスパッタ条件によって異なること
がある。上記した高硬度被膜は、本発明のスパッタリン
グターゲットを用いて、通常のスパッタ条件下でスパッ
タリングを行うことにより形成される。スパッタガスと
しては、不活性ガスが用いられるが、各種添加物が金属
成分として析出することを防止する上で、アルゴンガス
のみ、あるいは酸素や窒素を5%〜 10%程度含むアルゴン
ガスとすることが好ましい。上記高硬度被膜は、高硬
度、高靭性を有し、かつ被着体との密着性に優れること
から、サーマルプリンタヘッドや密着型センサ等の保護
膜として好適である。また、各種摺動部品の保護膜等と
して用いることもできる。
た本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成した
スパッタ膜からなるものであって、その組織の少なくと
も一部はアモルファスからなる。このようなアモルファ
ス状態のスパッタ膜は、膜の部位による組成のバラツキ
が少なく、優れた靭性を示し、かつ高硬度を有すること
から、保護膜等として好適なものとなる。よって、組織
中のアモルファス状態の占める割合は、面積比で 40%以
上が好ましい。より好ましくは 70%以上であり、さらに
好ましくは 85%以上である。なお、本発明の高硬度被膜
の組成分は、上記ターゲットと同一となるが、その組成
比はスパッタ条件等によって異なるため、必ずしも一致
しない。また、特性もスパッタ条件によって異なること
がある。上記した高硬度被膜は、本発明のスパッタリン
グターゲットを用いて、通常のスパッタ条件下でスパッ
タリングを行うことにより形成される。スパッタガスと
しては、不活性ガスが用いられるが、各種添加物が金属
成分として析出することを防止する上で、アルゴンガス
のみ、あるいは酸素や窒素を5%〜 10%程度含むアルゴン
ガスとすることが好ましい。上記高硬度被膜は、高硬
度、高靭性を有し、かつ被着体との密着性に優れること
から、サーマルプリンタヘッドや密着型センサ等の保護
膜として好適である。また、各種摺動部品の保護膜等と
して用いることもできる。
【0019】
【作用】本発明のスパッタリングターゲットにおいて
は、窒化ケイ素を主成分として、これに金属炭化物と金
属酸化物を配合している。このような組成を有するスパ
ッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行った
場合、窒化ケイ素を主成分とするスパッタ膜が有する高
硬度を維持した上で、靭性の向上を図ることができると
共に、膜の密着性を高めることができる。また、さらに
金属硼化物を配合することによって、より一層硬度の向
上を図ることが可能となる。よって、優れた耐摩耗性お
よび密着性を有すると共に、クラック等の発生を防止し
たスパッタ膜を得ることが可能となる。
は、窒化ケイ素を主成分として、これに金属炭化物と金
属酸化物を配合している。このような組成を有するスパ
ッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行った
場合、窒化ケイ素を主成分とするスパッタ膜が有する高
硬度を維持した上で、靭性の向上を図ることができると
共に、膜の密着性を高めることができる。また、さらに
金属硼化物を配合することによって、より一層硬度の向
上を図ることが可能となる。よって、優れた耐摩耗性お
よび密着性を有すると共に、クラック等の発生を防止し
たスパッタ膜を得ることが可能となる。
【0020】また、上記したようなスパッタ膜(高硬度
被膜)を、樹脂保温層を有するサーマルプリンタヘッド
等の保護膜として用いることで、樹脂層の変形能に起因
して、保護膜にクラックが生じることを防止することが
できる。これにより、長期間安定して使用することが可
能なサーマルプリンタヘッドが得られる。
被膜)を、樹脂保温層を有するサーマルプリンタヘッド
等の保護膜として用いることで、樹脂層の変形能に起因
して、保護膜にクラックが生じることを防止することが
できる。これにより、長期間安定して使用することが可
能なサーマルプリンタヘッドが得られる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【0022】実施例1 Si3 N 4 粉末に、 SiC粉末を30mol%、 ZrO2 粉末を10mo
l%、 Y2 O 3 粉末を3mol%、およびAl2 O 3 粉末を 3mol
%配合し、ボールミルによりエタノール中で12時間混合
分散した後、乾燥して原料粉末を作製した。各出発原料
としては、平均粒径が 1μm 以下の粉末を用いた。次
に、上記原料粉末を N2 雰囲気中にて、1600℃〜1800℃
の温度で、 200〜 300kgf/cm2 の加圧条件下でホットプ
レス焼結し、次いでダイヤモンド研削を行って、直径 1
27mm×厚さ 5mmのスパッタリングターゲットを得た。こ
のようにして得たスパッタリングターゲットを用いて、
サーマルプリンタヘッドの保護膜を形成した。
l%、 Y2 O 3 粉末を3mol%、およびAl2 O 3 粉末を 3mol
%配合し、ボールミルによりエタノール中で12時間混合
分散した後、乾燥して原料粉末を作製した。各出発原料
としては、平均粒径が 1μm 以下の粉末を用いた。次
に、上記原料粉末を N2 雰囲気中にて、1600℃〜1800℃
の温度で、 200〜 300kgf/cm2 の加圧条件下でホットプ
レス焼結し、次いでダイヤモンド研削を行って、直径 1
27mm×厚さ 5mmのスパッタリングターゲットを得た。こ
のようにして得たスパッタリングターゲットを用いて、
サーマルプリンタヘッドの保護膜を形成した。
【0023】図1は、この実施例で作製したサーマルプ
リンタヘッドの構成を示す図であり、例えば下記に示す
ような方法により製造した。
リンタヘッドの構成を示す図であり、例えば下記に示す
ような方法により製造した。
【0024】まず、例えばCrを18重量% 含有する厚さ0.
5 mm程度のFe合金からなる金属基板1をレベリングした
後、所定の寸法に切断し、ばり取り後、有機溶剤中にて
脱脂洗浄し、50℃〜70℃に保持した希硫酸中に浸漬し
て、表面に形成されている酸化物層を除去すると共に、
表面をミクロ的に荒らすための活性化処理を行う。
5 mm程度のFe合金からなる金属基板1をレベリングした
後、所定の寸法に切断し、ばり取り後、有機溶剤中にて
脱脂洗浄し、50℃〜70℃に保持した希硫酸中に浸漬し
て、表面に形成されている酸化物層を除去すると共に、
表面をミクロ的に荒らすための活性化処理を行う。
【0025】次に、ポリアミック酸をN-メチル -2-ピロ
リドン等の溶剤を用いて所定の粘度に調整し、上記金属
基板1上に所定の膜厚に塗布し、焼成炉を用いて50℃で
1時間、80℃で30分、次いで 120℃で30分、 250℃で 1
時間、 450℃で 1時間というような条件で加熱処理を行
い、溶剤成分を除去すると共に、脱水環化反応を進行さ
せて成膜し、耐熱樹脂であるポリイミド樹脂からなる保
温層2を形成する。
リドン等の溶剤を用いて所定の粘度に調整し、上記金属
基板1上に所定の膜厚に塗布し、焼成炉を用いて50℃で
1時間、80℃で30分、次いで 120℃で30分、 250℃で 1
時間、 450℃で 1時間というような条件で加熱処理を行
い、溶剤成分を除去すると共に、脱水環化反応を進行さ
せて成膜し、耐熱樹脂であるポリイミド樹脂からなる保
温層2を形成する。
【0026】次いで、上記保温層2上に SiH4 ガスと N
2 ガスおよび SiH4 ガスとCH4 ガスを用いて、基板温度
150℃〜 300℃によるプラズマCVDで、連続して SiN
層31および SiC層32からなる下地層3を形成する。
2 ガスおよび SiH4 ガスとCH4 ガスを用いて、基板温度
150℃〜 300℃によるプラズマCVDで、連続して SiN
層31および SiC層32からなる下地層3を形成する。
【0027】次に、Ta-SiO2 からなる発熱抵抗体層4、
さらにAlからなる電極導体層を形成し、ウェットエッチ
ングやドライエッチングにより発熱部5となる開口部が
設けられるようにパターニングし、個別電極6および共
通電極7を形成する。この後、上記発熱部5が少なくと
も被覆されるように、スパッタリング法によって保護膜
8を形成する。保護膜8は、この実施例のスパッタリン
グターゲットを用い、不活性雰囲気中にて高周波マグネ
トロンスパッタリングを行って形成した。なお、保護膜
8の厚さは、通常 1μm 〜 7μm 、好ましくは 2μm 〜
4μm である。このようにして作製した保護膜の硬度
を、薄膜用微少ヌープ硬度計を用いて測定した。また、
保護膜の内部応力を評価するために、この実施例のスパ
ッタリングターゲットを用いて、Si基板上にスパッタ膜
を、Ar雰囲気中にて500Wの出力で高周波マグネトロンス
パッタリングを行うことによって形成し、Si基板の反り
による変形量から膜の内部応力を算出した。さらに、上
記により作製したサーマルプリンタヘッドをプリンタに
搭載し、#240のアルミナ粉末0.5gを均一に散布した感熱
紙を、サーマルプリンタヘッドとプラテンローラ間を通
過させて、上記保護膜に発生した亀裂数を調べた。ま
た、膜の付着力は、ステンレス板にポリイミド樹脂を塗
布し、プラズマCVDで SiN、 SiCを構成した基板を用
い、この上に 1mm角の格子をカッタで 144個作り、粘着
テープで引き剥がし試験を行うことにより調べた。これ
らの結果を表1に示す。
さらにAlからなる電極導体層を形成し、ウェットエッチ
ングやドライエッチングにより発熱部5となる開口部が
設けられるようにパターニングし、個別電極6および共
通電極7を形成する。この後、上記発熱部5が少なくと
も被覆されるように、スパッタリング法によって保護膜
8を形成する。保護膜8は、この実施例のスパッタリン
グターゲットを用い、不活性雰囲気中にて高周波マグネ
トロンスパッタリングを行って形成した。なお、保護膜
8の厚さは、通常 1μm 〜 7μm 、好ましくは 2μm 〜
4μm である。このようにして作製した保護膜の硬度
を、薄膜用微少ヌープ硬度計を用いて測定した。また、
保護膜の内部応力を評価するために、この実施例のスパ
ッタリングターゲットを用いて、Si基板上にスパッタ膜
を、Ar雰囲気中にて500Wの出力で高周波マグネトロンス
パッタリングを行うことによって形成し、Si基板の反り
による変形量から膜の内部応力を算出した。さらに、上
記により作製したサーマルプリンタヘッドをプリンタに
搭載し、#240のアルミナ粉末0.5gを均一に散布した感熱
紙を、サーマルプリンタヘッドとプラテンローラ間を通
過させて、上記保護膜に発生した亀裂数を調べた。ま
た、膜の付着力は、ステンレス板にポリイミド樹脂を塗
布し、プラズマCVDで SiN、 SiCを構成した基板を用
い、この上に 1mm角の格子をカッタで 144個作り、粘着
テープで引き剥がし試験を行うことにより調べた。これ
らの結果を表1に示す。
【0028】実施例2〜24 表1および表2に示す組成のスパッタリングターゲット
を、それぞれ実施例1と同一条件下で作製し、これら各
スパッタリングターゲットを用いて、実施例1と同様に
保護膜を形成してサーマルヘッドを作製した。これらに
関しても、実施例1と同様にして特性を評価した。その
結果を併せて表1および表2に示す。
を、それぞれ実施例1と同一条件下で作製し、これら各
スパッタリングターゲットを用いて、実施例1と同様に
保護膜を形成してサーマルヘッドを作製した。これらに
関しても、実施例1と同様にして特性を評価した。その
結果を併せて表1および表2に示す。
【0029】比較例1〜3 Si3 N 4 (比較例1)、 70%Si3 N 4 - 30%SiO2 (比較
例2)およびTa2 O 5(比較例3)からなるスパッタリ
ングターゲットをそれぞれ作製し、これらのターゲット
を用いて形成した保護膜を有するサ―マルヘッドを、実
施例1と同一条件で製造し、その特性を実施例1と同一
条件で測定した。それらの結果を、実施例の結果と併せ
て表2に示す。
例2)およびTa2 O 5(比較例3)からなるスパッタリ
ングターゲットをそれぞれ作製し、これらのターゲット
を用いて形成した保護膜を有するサ―マルヘッドを、実
施例1と同一条件で製造し、その特性を実施例1と同一
条件で測定した。それらの結果を、実施例の結果と併せ
て表2に示す。
【0030】
【表1】
【表2】 表1および表2に示す結果から明らかなように、本発明
のスパッタリングターゲットを用いて形成した保護膜
は、高硬度で応力が低く、密着性に優れ、膜剥がれの発
生を防ぐことができると共に、保温層として樹脂を使用
した場合でもクラックの発生を防止することができた。
また、長時間にわたる成膜後も、ターゲットの組成およ
びスパッタ膜の特性に変化を生じさせることがなかっ
た。さらに、サーマルプリンタヘッドをプリンタに搭載
して実機走行をした後においても、保護膜をアモルファ
ス状態を維持していた。なお、比較例1のSi3 N 4 ター
ゲットによる膜は、各実施例による膜と比べ、強度にお
いては劣るものではなかったが、膜の応力が高く、密着
性の悪いものであった。
のスパッタリングターゲットを用いて形成した保護膜
は、高硬度で応力が低く、密着性に優れ、膜剥がれの発
生を防ぐことができると共に、保温層として樹脂を使用
した場合でもクラックの発生を防止することができた。
また、長時間にわたる成膜後も、ターゲットの組成およ
びスパッタ膜の特性に変化を生じさせることがなかっ
た。さらに、サーマルプリンタヘッドをプリンタに搭載
して実機走行をした後においても、保護膜をアモルファ
ス状態を維持していた。なお、比較例1のSi3 N 4 ター
ゲットによる膜は、各実施例による膜と比べ、強度にお
いては劣るものではなかったが、膜の応力が高く、密着
性の悪いものであった。
【0031】実施例25〜30 表3に示す組成のスパッタリングターゲットを、それぞ
れ実施例1と同一条件下で作製し、これら各スパッタリ
ングターゲットを用いて、実施例1と同様に保護膜を形
成してサーマルヘッドを作製した。これらに関しても、
実施例1と同様にして特性を評価した。その結果を併せ
て表3に示す。
れ実施例1と同一条件下で作製し、これら各スパッタリ
ングターゲットを用いて、実施例1と同様に保護膜を形
成してサーマルヘッドを作製した。これらに関しても、
実施例1と同様にして特性を評価した。その結果を併せ
て表3に示す。
【0032】
【表3】 表3に示す結果から明らかなように、本発明のスパッタ
リングターゲットを用いて形成した保護膜は、高硬度
で、保温層として樹脂を使用した場合でもクラックの発
生を防止することができると共に、膜剥がれの発生も防
ぐことができた。また、長時間にわたる成膜後も、ター
ゲットの組成およびスパッタ膜の特性に変化を生じさせ
ることがなかった。さらに、サーマルプリンタヘッドを
プリンタに搭載して実機走行をした後においても、保護
膜をアモルファス状態に維持していた。
リングターゲットを用いて形成した保護膜は、高硬度
で、保温層として樹脂を使用した場合でもクラックの発
生を防止することができると共に、膜剥がれの発生も防
ぐことができた。また、長時間にわたる成膜後も、ター
ゲットの組成およびスパッタ膜の特性に変化を生じさせ
ることがなかった。さらに、サーマルプリンタヘッドを
プリンタに搭載して実機走行をした後においても、保護
膜をアモルファス状態に維持していた。
【0033】なお、上述した各実施例では、本発明の高
硬度被膜をサーマルプリンタヘッドの保護膜に適用した
例について説明したが、本発明のスパッタリングターゲ
ットおよび高硬度被膜は、上述したサーマルプリンタヘ
ッドの保護膜に限らず、絶縁膜やサーマルプリンタヘッ
ドの下地層、Al2 O 3 基板を用いたサーマルプリンタヘ
ッドや密着型センサの保護膜、定期券やプリペイド方式
の情報読取り機や書き込み機等に用いられる耐摩耗性が
要求される部品の保護膜、さらには光磁気ディスクの保
護膜等を形成する場合にも有効である。
硬度被膜をサーマルプリンタヘッドの保護膜に適用した
例について説明したが、本発明のスパッタリングターゲ
ットおよび高硬度被膜は、上述したサーマルプリンタヘ
ッドの保護膜に限らず、絶縁膜やサーマルプリンタヘッ
ドの下地層、Al2 O 3 基板を用いたサーマルプリンタヘ
ッドや密着型センサの保護膜、定期券やプリペイド方式
の情報読取り機や書き込み機等に用いられる耐摩耗性が
要求される部品の保護膜、さらには光磁気ディスクの保
護膜等を形成する場合にも有効である。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リングターゲットによれば、高硬度、高靭性を示し、か
つ密着性に優れたスパッタ膜を得ることができ、これに
より信頼性の高い保護膜等を提供することが可能とな
る。
リングターゲットによれば、高硬度、高靭性を示し、か
つ密着性に優れたスパッタ膜を得ることができ、これに
より信頼性の高い保護膜等を提供することが可能とな
る。
【図1】本発明の一実施例で作製したサーマルプリンタ
ヘッドの構成を示す斜視図である。
ヘッドの構成を示す斜視図である。
1……金属基板 2……ポリイミド樹脂からなる保温層 3……下地層を形成する。 4……発熱抵抗体層 5……発熱部 6……個別電極 7……共通電極 8……保護膜
Claims (3)
- 【請求項1】 Ti、Zr、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの
酸化物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%、お
よびSi、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素から選ばれ
た少なくとも 1種を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的
に窒化ケイ素からなる混合物を、焼成してなることを特
徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項2】 Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化物から選
ばれた少なくとも 1種を0.05〜40mol%、Ti、Zr、Hf、A
l、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた少なくと
も 1種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Zr、Hfの炭
化物および炭素から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30
mol%含有し、残部が実質的に窒化ケイ素からなる混合物
を、焼成してなることを特徴とするスパッタリングター
ゲット。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2記載のスパッタ
リングターゲットを用いて形成した少なくともその一部
がアモルファス状態のスパッタ膜からなることを特徴と
する高硬度被膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047898A JPH06256939A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | スパッタリングターゲットおよびそれを用いて形成した高硬度被膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047898A JPH06256939A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | スパッタリングターゲットおよびそれを用いて形成した高硬度被膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256939A true JPH06256939A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=12788223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5047898A Withdrawn JPH06256939A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | スパッタリングターゲットおよびそれを用いて形成した高硬度被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005083150A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP5047898A patent/JPH06256939A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005083150A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |