JPH0523042B2 - - Google Patents
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- JPH0523042B2 JPH0523042B2 JP59216321A JP21632184A JPH0523042B2 JP H0523042 B2 JPH0523042 B2 JP H0523042B2 JP 59216321 A JP59216321 A JP 59216321A JP 21632184 A JP21632184 A JP 21632184A JP H0523042 B2 JPH0523042 B2 JP H0523042B2
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は抵抗体の製造方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
抵抗体は回路基板上に形成される抵抗素子、サ
ーマルヘツド等の発熱抵抗体等に広く用いられ
る。 サーマルヘツドは例えばガラスグレーズ処理し
たセラミツク基板上に複数個の発熱抵抗体と、こ
の発熱抵抗体に電力を供給するための電気導体と
を設け、記録すべき情報に従つて必要な熱パター
ンが得られるように、対応する発熱抵抗体に電気
導体を介して電流を流して発熱させ、記録媒体に
接触する事により記録を行うものである。 従来、RuO2とガラスとを混合し、ペースト状
にして、これを塗付、焼付けるという、いわゆる
厚膜式の発熱体がある。（例えば特開昭54−
44798）しかしながら、この抵抗値は原料の粒径
や、焼付時の温度、時間によつて抵抗値のバラツ
キが大きいという欠点を有していた。また厚膜式
はスクリーン印刷法によるため本質的に微細に加
工できず、解像度が低下するという欠点を有して
いる。一方薄膜の発熱抵抗体として窒化タンタ
ル、ニクロムやCr−Si系サーメツト等の薄膜が
用いられてきた。 しかしながらかかる抵抗体を用いた場合発熱さ
せて高温にした時酸化が激しく抵抗が増大すると
云う欠点を有していた。一般にはこれを防ぐため
SiO2の酸化防止膜を設けることが行なわれてい
るが、この場合においても酸化防止は充分でな
く、また工程が複雑になるという欠点を有してい
た。また、基板との膨張係数のちがいから長時間
の動作においてクラツク等により故障するという
欠点を有していた。 また、酸化による劣化を防ぐため発熱体を低温
にするので印字速度の高速化という点に対応でき
なかつた。 一方発熱体として、不純物がドープされた
SnO2があるが、この系はいわゆる酸化物半導体
であり、温度が上ると抵抗値が減少するという特
性を有する。かかる特性の場合、電力を供給する
半導体の電圧、電流容量の関係から、電力印加初
期値を低くしなければならず、従つて印字速度が
遅いという欠点を有している。 〔発明の目的〕 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
安定性に優れた抵抗体の製造方法を提供すること
を目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、Ca，Sr，Ba，Pb，Bi及びTlの少
なくとも一種（以下Ｍ成分という）を含有する酸
化ルテニウム系薄膜抵抗体（以下Ｍ−Ru−Ｏ系
薄膜抵抗体という。）を形成する時、前記薄膜抵
抗体原料をターゲツトとし、酸素分圧が0.5〜
100mTorrの雰囲気中でスパツタリングすること
を特徴とする抵抗体の製造方法である。 Ｍ−Ru−Ｏ系薄膜抵抗体は、高温の下での劣
化がなく、又、耐湿性にも優れているため、安定
性に優れた抵抗体である。又、比較的シート抵抗
が高いため同じ発熱量を得ることを考えた場合、
小容量の電源で済むため、発熱抵抗体、特にサー
マルヘツドへの応用に適している。 RuO2は、単独では耐湿性に劣り、Ｍ（Ca，Sr，
Ba，Pb，Bi，Tlから選ばれた少なくとも一種）
の酸化物と併用することにより、耐湿性が増す。
実質的に原子比でＭ／Ru＝１であれば、例えば
RuCaO3，RuSrO3，RuBaO3，RuPbO3，
RuBiO7／2，RuTlO7／2等の安定な構造となる。
多少比率がズレても問題はないが、Ｍの酸化物が
Ｍ／Ruで0.6より少なくなると、析出するRuO2
の影響で耐湿性が劣化し、Ｍ／Ruで２より多く
なると抵抗値が高くなり負の抵抗温度係数を有す
るようになり、また４（Ｍ／Ru）以上では絶縁体
に近くなる。ゆえに、Ｍ／Ruは、0.6〜２の範囲
が望ましい。 本発明者等がこのＭ−Ru−Ｏ系抵抗体につい
て研究を進めた結果、スパツタリング時の雰囲気
の酸素濃度が抵抗値の経時安定性に大きく影響す
ることが判明した。すなわちO2分圧を0.5mTorr
以上、特に1mTorr以上とすることにより、Ｍ−
Ru−Ｏ系抵抗体の経時変化が小さくなることを
みいだしたのである。 O2分圧の上限は特に限定しないが、スパツタ
リングの放電の安定性により規定され、実質的に
100mTorr以下程度となる。又、O2ガス単独で用
いても良いし、Arガス等の不活性ガスとの混合
ガスを用いても良い。Arガス等との混合雰囲気
中の方が膜形成速度が早いという利点がある。 又、スパツタリングによる着膜後、空気中等の
酸素含有雰囲気中でアニールすることにより、抵
抗値の安定化を図ることができる。そしてこのア
ニールは電極形成後行なう方がよりこんましい。
温度は300〜700℃程度である。これは電極と抵抗
体との接触界面における安定性を増すためであ
る。酸素は10mTorr以上程度含んでいれば十分
である。 特にサーマルベツド等の発熱抵抗体を考えた場
合このようなアニール処理により、使用中の加熱
等によつても抵抗値の変化を示すことがないため
有効である。 この薄膜抵抗体の膜厚を変化させる事により所
望の抵抗値を得る事ができるが、あまり薄いと膜
厚のわずかな変化で抵抗値が大幅にかわり、所望
の抵抗値を得るのが困難であるため実用上は
10nm以上であることが好ましい。また厚い場合
は製造に時間がかかりすぎ、抵抗値が低くなりす
ぎるため、1μm以下、好ましくは300nm以下程度
が良い。 一般に、サーマルヘツド等の発熱抵抗体上には
耐摩耗層が設けられるが、前述のごとく酸化劣化
の恐れがないため、特にち密性は要求されない。
この耐摩耗層としてはAl2O3，Ta2O5，SiC，Si3
N4等が用いられるが、Al2O3が特に好ましい。 酸化ルテニウム（RuO2）を主成分とする本発
明に係る薄膜抵抗体はシート抵抗が高く、低電
流、短時間で所望の温度に到達する。さらに、酸
化物であるため、発熱による酸化劣化がほとんど
ない、等の優れた性質をもち、サーマルヘツドに
用いた場合、低電流（電源の小型化）、高速性、
耐酸化性（長寿命）等の効果を発揮する。 また、RuO2系の酸化物薄膜は、前述のごとく
酸化劣化の恐れがないため、SiO2保護膜を形成
する必要がない。しかし、耐摩耗性を考慮すると
保護層を形成する必要がある。ところで、通常こ
の保護層としてはやはりその層自体の耐酸化性等
が要求されるため、酸化物が用いられる。しかし
ながら、発熱抵抗体がそもそも酸化物であり、高
温動作中に保護層の酸化物が拡散したり、反応し
たりするため問題がある。 本発明者等の研究によればAl2O3が、高温動作
においても発熱抵抗体の抵抗値を変化させること
がないことがわかつた。 又、Al2O3は従来酸化防止膜として用いられて
いるSiO2に比べ、１ケタ以上高い熱伝導率を有
し、発熱抵抗体から生ずる熱が速やかに保護層で
あるAl2O3層表面に伝導するため、サーマルヘツ
ドのプリント速度の高速化に好適である。硬度は
Ta2O5より高い値を有し薄くすることができる。
Al2O5膜厚は使用条件により適宜選定可能である
が、あまり薄いと耐摩耗性に問題が残り、又あつ
すぎると高速化のメリツトが低減するため、１〜
4μm程度が好ましい。着膜方法は、RFスパツタ
リング法、Ｅ−Gan蒸着法、イオンプレーテイン
グ法、Alターゲツトの反応性スパツタリング法
等の通常のスパツタリング法、蒸着法等が用いら
れる。 従来のサーマルヘツドではSiO2層に加え、さ
らに耐摩耗層としてTa2O5層を形成することが必
要であつた。このようにSiO2−Ta2O5と２層とす
ることにより、SiO2の熱伝導性の悪さ、Ta2O5の
硬度不足を補なうため厚くしていること（熱容量
大）とが併せて、高速性、低パワーに悪影響を与
える。しかしながら、本発明のごとくRuO2系発
熱薄膜抵抗体−Al2O3層の構成をとることによ
り、抵抗体の良好な性質に加え、Al2O3層と組み
合わせから低パワー、高速化が達成できる。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、抵抗値の
安定したＭ−Ru−Ｏ系の薄膜抵抗体を得ること
ができる。 このＭ−Ru−Ｏ系薄膜抵抗体は、高温での安
定性に優れ、かつシート抵抗も高いため、小電流
で高速の加熱が必要なサーマルヘツド用として有
効である。 特にアニール処理した場合、抵抗の変動がない
ため有効である。 〔発明の実施例〕 以下に本発明の実施例を説明する。 BaRuO3焼結体をターゲツトとし、Al2O3基板
上にRFスパツタリングにより、基板温度を300
℃、１cm□、50nm厚の条件で、BaRuO3薄膜抵
抗体を形成した。50％O2・Ar混合ガス10mTorr
の条件で作成したものは、着膜後約2KΩ／□で
あつたが、600℃、1hr、air中のアニールで約
500Ω／□と低下して、安定化した。このように
着膜後のアニール処理は抵抗の安定化に寄与す
る。 次いで上記と同様の条件でO2分圧を変えた場
合の特性を第１表に示す。いずれもアニール後の
抵抗値を１とした場合の変化を示し、抵抗値は四
探針法で測定した。
ーマルヘツド等の発熱抵抗体等に広く用いられ
る。 サーマルヘツドは例えばガラスグレーズ処理し
たセラミツク基板上に複数個の発熱抵抗体と、こ
の発熱抵抗体に電力を供給するための電気導体と
を設け、記録すべき情報に従つて必要な熱パター
ンが得られるように、対応する発熱抵抗体に電気
導体を介して電流を流して発熱させ、記録媒体に
接触する事により記録を行うものである。 従来、RuO2とガラスとを混合し、ペースト状
にして、これを塗付、焼付けるという、いわゆる
厚膜式の発熱体がある。（例えば特開昭54−
44798）しかしながら、この抵抗値は原料の粒径
や、焼付時の温度、時間によつて抵抗値のバラツ
キが大きいという欠点を有していた。また厚膜式
はスクリーン印刷法によるため本質的に微細に加
工できず、解像度が低下するという欠点を有して
いる。一方薄膜の発熱抵抗体として窒化タンタ
ル、ニクロムやCr−Si系サーメツト等の薄膜が
用いられてきた。 しかしながらかかる抵抗体を用いた場合発熱さ
せて高温にした時酸化が激しく抵抗が増大すると
云う欠点を有していた。一般にはこれを防ぐため
SiO2の酸化防止膜を設けることが行なわれてい
るが、この場合においても酸化防止は充分でな
く、また工程が複雑になるという欠点を有してい
た。また、基板との膨張係数のちがいから長時間
の動作においてクラツク等により故障するという
欠点を有していた。 また、酸化による劣化を防ぐため発熱体を低温
にするので印字速度の高速化という点に対応でき
なかつた。 一方発熱体として、不純物がドープされた
SnO2があるが、この系はいわゆる酸化物半導体
であり、温度が上ると抵抗値が減少するという特
性を有する。かかる特性の場合、電力を供給する
半導体の電圧、電流容量の関係から、電力印加初
期値を低くしなければならず、従つて印字速度が
遅いという欠点を有している。 〔発明の目的〕 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
安定性に優れた抵抗体の製造方法を提供すること
を目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、Ca，Sr，Ba，Pb，Bi及びTlの少
なくとも一種（以下Ｍ成分という）を含有する酸
化ルテニウム系薄膜抵抗体（以下Ｍ−Ru−Ｏ系
薄膜抵抗体という。）を形成する時、前記薄膜抵
抗体原料をターゲツトとし、酸素分圧が0.5〜
100mTorrの雰囲気中でスパツタリングすること
を特徴とする抵抗体の製造方法である。 Ｍ−Ru−Ｏ系薄膜抵抗体は、高温の下での劣
化がなく、又、耐湿性にも優れているため、安定
性に優れた抵抗体である。又、比較的シート抵抗
が高いため同じ発熱量を得ることを考えた場合、
小容量の電源で済むため、発熱抵抗体、特にサー
マルヘツドへの応用に適している。 RuO2は、単独では耐湿性に劣り、Ｍ（Ca，Sr，
Ba，Pb，Bi，Tlから選ばれた少なくとも一種）
の酸化物と併用することにより、耐湿性が増す。
実質的に原子比でＭ／Ru＝１であれば、例えば
RuCaO3，RuSrO3，RuBaO3，RuPbO3，
RuBiO7／2，RuTlO7／2等の安定な構造となる。
多少比率がズレても問題はないが、Ｍの酸化物が
Ｍ／Ruで0.6より少なくなると、析出するRuO2
の影響で耐湿性が劣化し、Ｍ／Ruで２より多く
なると抵抗値が高くなり負の抵抗温度係数を有す
るようになり、また４（Ｍ／Ru）以上では絶縁体
に近くなる。ゆえに、Ｍ／Ruは、0.6〜２の範囲
が望ましい。 本発明者等がこのＭ−Ru−Ｏ系抵抗体につい
て研究を進めた結果、スパツタリング時の雰囲気
の酸素濃度が抵抗値の経時安定性に大きく影響す
ることが判明した。すなわちO2分圧を0.5mTorr
以上、特に1mTorr以上とすることにより、Ｍ−
Ru−Ｏ系抵抗体の経時変化が小さくなることを
みいだしたのである。 O2分圧の上限は特に限定しないが、スパツタ
リングの放電の安定性により規定され、実質的に
100mTorr以下程度となる。又、O2ガス単独で用
いても良いし、Arガス等の不活性ガスとの混合
ガスを用いても良い。Arガス等との混合雰囲気
中の方が膜形成速度が早いという利点がある。 又、スパツタリングによる着膜後、空気中等の
酸素含有雰囲気中でアニールすることにより、抵
抗値の安定化を図ることができる。そしてこのア
ニールは電極形成後行なう方がよりこんましい。
温度は300〜700℃程度である。これは電極と抵抗
体との接触界面における安定性を増すためであ
る。酸素は10mTorr以上程度含んでいれば十分
である。 特にサーマルベツド等の発熱抵抗体を考えた場
合このようなアニール処理により、使用中の加熱
等によつても抵抗値の変化を示すことがないため
有効である。 この薄膜抵抗体の膜厚を変化させる事により所
望の抵抗値を得る事ができるが、あまり薄いと膜
厚のわずかな変化で抵抗値が大幅にかわり、所望
の抵抗値を得るのが困難であるため実用上は
10nm以上であることが好ましい。また厚い場合
は製造に時間がかかりすぎ、抵抗値が低くなりす
ぎるため、1μm以下、好ましくは300nm以下程度
が良い。 一般に、サーマルヘツド等の発熱抵抗体上には
耐摩耗層が設けられるが、前述のごとく酸化劣化
の恐れがないため、特にち密性は要求されない。
この耐摩耗層としてはAl2O3，Ta2O5，SiC，Si3
N4等が用いられるが、Al2O3が特に好ましい。 酸化ルテニウム（RuO2）を主成分とする本発
明に係る薄膜抵抗体はシート抵抗が高く、低電
流、短時間で所望の温度に到達する。さらに、酸
化物であるため、発熱による酸化劣化がほとんど
ない、等の優れた性質をもち、サーマルヘツドに
用いた場合、低電流（電源の小型化）、高速性、
耐酸化性（長寿命）等の効果を発揮する。 また、RuO2系の酸化物薄膜は、前述のごとく
酸化劣化の恐れがないため、SiO2保護膜を形成
する必要がない。しかし、耐摩耗性を考慮すると
保護層を形成する必要がある。ところで、通常こ
の保護層としてはやはりその層自体の耐酸化性等
が要求されるため、酸化物が用いられる。しかし
ながら、発熱抵抗体がそもそも酸化物であり、高
温動作中に保護層の酸化物が拡散したり、反応し
たりするため問題がある。 本発明者等の研究によればAl2O3が、高温動作
においても発熱抵抗体の抵抗値を変化させること
がないことがわかつた。 又、Al2O3は従来酸化防止膜として用いられて
いるSiO2に比べ、１ケタ以上高い熱伝導率を有
し、発熱抵抗体から生ずる熱が速やかに保護層で
あるAl2O3層表面に伝導するため、サーマルヘツ
ドのプリント速度の高速化に好適である。硬度は
Ta2O5より高い値を有し薄くすることができる。
Al2O5膜厚は使用条件により適宜選定可能である
が、あまり薄いと耐摩耗性に問題が残り、又あつ
すぎると高速化のメリツトが低減するため、１〜
4μm程度が好ましい。着膜方法は、RFスパツタ
リング法、Ｅ−Gan蒸着法、イオンプレーテイン
グ法、Alターゲツトの反応性スパツタリング法
等の通常のスパツタリング法、蒸着法等が用いら
れる。 従来のサーマルヘツドではSiO2層に加え、さ
らに耐摩耗層としてTa2O5層を形成することが必
要であつた。このようにSiO2−Ta2O5と２層とす
ることにより、SiO2の熱伝導性の悪さ、Ta2O5の
硬度不足を補なうため厚くしていること（熱容量
大）とが併せて、高速性、低パワーに悪影響を与
える。しかしながら、本発明のごとくRuO2系発
熱薄膜抵抗体−Al2O3層の構成をとることによ
り、抵抗体の良好な性質に加え、Al2O3層と組み
合わせから低パワー、高速化が達成できる。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、抵抗値の
安定したＭ−Ru−Ｏ系の薄膜抵抗体を得ること
ができる。 このＭ−Ru−Ｏ系薄膜抵抗体は、高温での安
定性に優れ、かつシート抵抗も高いため、小電流
で高速の加熱が必要なサーマルヘツド用として有
効である。 特にアニール処理した場合、抵抗の変動がない
ため有効である。 〔発明の実施例〕 以下に本発明の実施例を説明する。 BaRuO3焼結体をターゲツトとし、Al2O3基板
上にRFスパツタリングにより、基板温度を300
℃、１cm□、50nm厚の条件で、BaRuO3薄膜抵
抗体を形成した。50％O2・Ar混合ガス10mTorr
の条件で作成したものは、着膜後約2KΩ／□で
あつたが、600℃、1hr、air中のアニールで約
500Ω／□と低下して、安定化した。このように
着膜後のアニール処理は抵抗の安定化に寄与す
る。 次いで上記と同様の条件でO2分圧を変えた場
合の特性を第１表に示す。いずれもアニール後の
抵抗値を１とした場合の変化を示し、抵抗値は四
探針法で測定した。
【表】
第１表から明らかなように試料ＡのごとくO2
分圧が低い場合は抵抗値が大きく変動してしまう
ことがわかる。試料Ｂ〜Ｆは初期的な変化はある
ものの、それ以降は安定した抵抗値を示している
ことがわかる。 第１図に、本実施例と同条件で抵抗体を作成
し、スパツタリング雰囲気（Ar−O2混合ガス）
を10mTorr一定にしてO2分圧を変化させたとき
の600℃1Hr後の抵抗値に対する600℃×10hrの加
熱後の抵抗値の変化を示す。第１図からも明らか
なように、O2分圧0.5mTorr、好ましくは
1.0mTorr以上の時に安定した値が得られる。 又、電極着膜後のアニール処理も抵抗値の安定
化には有効である。 BaRuO3焼結体をターゲツトとし、Ar−50％
O2雰囲気下10mTorr、基板温度300℃でRFスパ
ツタリングにより、膜厚30nmのBaRuO3系の抵
抗体を作製した。なお基板としてはグレーズ層を
作成したアルミナ基板を用いた。その後、
Ti50nm、Au500nmを蒸着し、エツチングにより
微細加工を行ない、抵抗体を100μm□の大きさと
した。 この抵抗体を空気中で600℃で熱処理をした場
合の処理時間と抵抗値の変化を第２図に示す。最
初の1Hrで前述の膜のアニール効果により低下す
るがその後熱処理数時間でわずかに変化する。し
かしながら、約5Hr後は安定した抵抗値を示して
おり、電極着膜後も数時間、例えば５時間以上程
度のアニールをする事により、抵抗値は安定して
いる事が分る。 以上の実施例ではBaRuO3の焼結体をターゲツ
トとして用いたが、他のＭ成分含有の場合でも同
様の結果を示した。 又、サーマルヘツド等の発熱抵抗体を考えた場
合、高温で使用されるため、用いる電極材料によ
つてもその特性が大きく影響をうける。本実施例
では抵抗体に接する側がTiで、Ti−Ni−Auの積
層された電極を用いたが、例えばCrを用いると
抵抗体の抵抗値が大きく変動する。 このようなTi電極は、蒸着法等一般の薄膜形
成法で作成できる。Tiのみを用いても良いが、
抵抗値の低減、ワイヤボンデイング性改善等のた
めAuを積層しても良い。この場合Ti−Au間の脆
弱な金属間化合物の形成を防止するため、前述の
実施例のごとくTi−Au間にNi層を介入すること
が好ましい。Niの代わりに、Pd等を用いても良
い。 このようにTiを電極として用いることにより、
Tiの基板（アルミナ等）、抵抗体、保護膜との密
着性が優れていることに加え、抵抗体の抵抗値の
変動が少ないため効果的である。 又、例えばTi−Ni−Au電極とした場合、電極
とAl2O3層との密着性を高めるため最上層にさら
にTi，Cr，Ｗ，Al等を積層してもよい。
分圧が低い場合は抵抗値が大きく変動してしまう
ことがわかる。試料Ｂ〜Ｆは初期的な変化はある
ものの、それ以降は安定した抵抗値を示している
ことがわかる。 第１図に、本実施例と同条件で抵抗体を作成
し、スパツタリング雰囲気（Ar−O2混合ガス）
を10mTorr一定にしてO2分圧を変化させたとき
の600℃1Hr後の抵抗値に対する600℃×10hrの加
熱後の抵抗値の変化を示す。第１図からも明らか
なように、O2分圧0.5mTorr、好ましくは
1.0mTorr以上の時に安定した値が得られる。 又、電極着膜後のアニール処理も抵抗値の安定
化には有効である。 BaRuO3焼結体をターゲツトとし、Ar−50％
O2雰囲気下10mTorr、基板温度300℃でRFスパ
ツタリングにより、膜厚30nmのBaRuO3系の抵
抗体を作製した。なお基板としてはグレーズ層を
作成したアルミナ基板を用いた。その後、
Ti50nm、Au500nmを蒸着し、エツチングにより
微細加工を行ない、抵抗体を100μm□の大きさと
した。 この抵抗体を空気中で600℃で熱処理をした場
合の処理時間と抵抗値の変化を第２図に示す。最
初の1Hrで前述の膜のアニール効果により低下す
るがその後熱処理数時間でわずかに変化する。し
かしながら、約5Hr後は安定した抵抗値を示して
おり、電極着膜後も数時間、例えば５時間以上程
度のアニールをする事により、抵抗値は安定して
いる事が分る。 以上の実施例ではBaRuO3の焼結体をターゲツ
トとして用いたが、他のＭ成分含有の場合でも同
様の結果を示した。 又、サーマルヘツド等の発熱抵抗体を考えた場
合、高温で使用されるため、用いる電極材料によ
つてもその特性が大きく影響をうける。本実施例
では抵抗体に接する側がTiで、Ti−Ni−Auの積
層された電極を用いたが、例えばCrを用いると
抵抗体の抵抗値が大きく変動する。 このようなTi電極は、蒸着法等一般の薄膜形
成法で作成できる。Tiのみを用いても良いが、
抵抗値の低減、ワイヤボンデイング性改善等のた
めAuを積層しても良い。この場合Ti−Au間の脆
弱な金属間化合物の形成を防止するため、前述の
実施例のごとくTi−Au間にNi層を介入すること
が好ましい。Niの代わりに、Pd等を用いても良
い。 このようにTiを電極として用いることにより、
Tiの基板（アルミナ等）、抵抗体、保護膜との密
着性が優れていることに加え、抵抗体の抵抗値の
変動が少ないため効果的である。 又、例えばTi−Ni−Au電極とした場合、電極
とAl2O3層との密着性を高めるため最上層にさら
にTi，Cr，Ｗ，Al等を積層してもよい。
第１図は酸素分圧と抵抗値変化との関係を示す
特性図、第２図はアニール時間と抵抗値の変化と
の関係を示す特性図。
特性図、第２図はアニール時間と抵抗値の変化と
の関係を示す特性図。
Claims (1)
- １ Ca，Sr，Ba，Pb，Bi及びTlの少なくとも
一種を含有する酸化ルテニウム系薄膜抵抗体を形
成する時、前記薄膜抵抗体原料をターゲツトと
し、酸素分圧が0.5〜100mTorrの雰囲気中でスパ
ツタリングすることを特徴とする抵抗体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216321A JPS6196704A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216321A JPS6196704A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196704A JPS6196704A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH0523042B2 true JPH0523042B2 (ja) | 1993-03-31 |
Family
ID=16686694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59216321A Granted JPS6196704A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196704A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103038148A (zh) * | 2010-06-24 | 2013-04-10 | 电气化学工业株式会社 | 浇包输送用锚链引导机构 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2679148B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1997-11-19 | 松下電器産業株式会社 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59216321A patent/JPS6196704A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103038148A (zh) * | 2010-06-24 | 2013-04-10 | 电气化学工业株式会社 | 浇包输送用锚链引导机构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6196704A (ja) | 1986-05-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |