JPH06260722A - モノリシックマルチビームレーザーダイオード及びそれの制御方法 - Google Patents
モノリシックマルチビームレーザーダイオード及びそれの制御方法Info
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- JPH06260722A JPH06260722A JP7297493A JP7297493A JPH06260722A JP H06260722 A JPH06260722 A JP H06260722A JP 7297493 A JP7297493 A JP 7297493A JP 7297493 A JP7297493 A JP 7297493A JP H06260722 A JPH06260722 A JP H06260722A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のレーザー発振領域を設けた半導体チッ
プを冷却手段で適切に冷却することにより熱的クロスト
ークを抑え、変調精度の高い光出力が容易に得られるモ
ノリシックマルチビームレーザーダイオード及びそれの
制御方法を提供すること。 【構成】 レーザー光を発振放射するレーザー発振領域
を複数設けた半導体チップと、該半導体チップを冷却す
る冷却手段とを設けたこと。
プを冷却手段で適切に冷却することにより熱的クロスト
ークを抑え、変調精度の高い光出力が容易に得られるモ
ノリシックマルチビームレーザーダイオード及びそれの
制御方法を提供すること。 【構成】 レーザー光を発振放射するレーザー発振領域
を複数設けた半導体チップと、該半導体チップを冷却す
る冷却手段とを設けたこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一つの半導体チップに複
数のレーザー発振領域を設けたモノリシックマルチビー
ムレーザーダイオード及びそれの制御方法に関し、該モ
ノリシックマルチビームレーザーダイオードを冷却手段
で冷却し、変調精度の高い光出力が得られるようにし
た、例えば光ディスクメモリ装置や、光走査装置、そし
てレーザービームプリンターに好適なものである。
数のレーザー発振領域を設けたモノリシックマルチビー
ムレーザーダイオード及びそれの制御方法に関し、該モ
ノリシックマルチビームレーザーダイオードを冷却手段
で冷却し、変調精度の高い光出力が得られるようにし
た、例えば光ディスクメモリ装置や、光走査装置、そし
てレーザービームプリンターに好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、モノリシックマルチビームレ
ーザーダイオードは光ディスクメモリー装置の情報書き
込みや、読み出し用の光ヘッドとして、またマルチビー
ムの光走査装置等に用いられている。
ーザーダイオードは光ディスクメモリー装置の情報書き
込みや、読み出し用の光ヘッドとして、またマルチビー
ムの光走査装置等に用いられている。
【０００３】該モノリシックマルチビームレーザーダイ
オードの光出力を安定化して得るために、従来は光出力
の変動をフォトダイオードで検出し、該ダイオードへの
印加電流量を所要量、変動制御して光出力を一定量に保
つように制御していた。
オードの光出力を安定化して得るために、従来は光出力
の変動をフォトダイオードで検出し、該ダイオードへの
印加電流量を所要量、変動制御して光出力を一定量に保
つように制御していた。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】図２は半導体レー
ザーにおけるレーザー発振領域の温度が異なる場合の印
加電流と光出力との特性を示した説明図である。
ザーにおけるレーザー発振領域の温度が異なる場合の印
加電流と光出力との特性を示した説明図である。
【０００５】一般に、レーザー発振領域に印加する電流
量を変調すると、レーザー発振の量子効率が１００％で
はない為、フォノン発生による発熱量も同時に変調さ
れ、温度変動が生じてしまう。
量を変調すると、レーザー発振の量子効率が１００％で
はない為、フォノン発生による発熱量も同時に変調さ
れ、温度変動が生じてしまう。
【０００６】また、レーザー発振領域の温度が変動した
場合、図２に示すように一定電流を印加したとしても、
光出力が変動してしまう。
場合、図２に示すように一定電流を印加したとしても、
光出力が変動してしまう。
【０００７】モノリシックマルチビームレーザーダイオ
ードは同一の半導体チップから複数のレーザー光を発振
する為、片方のレーザー発振領域で光出力の強度変調を
行なう際、該強度変調に伴って生じる熱が他方のレーザ
ー発振領域へ伝搬し、光出力に影響を与えるという問題
点があった。
ードは同一の半導体チップから複数のレーザー光を発振
する為、片方のレーザー発振領域で光出力の強度変調を
行なう際、該強度変調に伴って生じる熱が他方のレーザ
ー発振領域へ伝搬し、光出力に影響を与えるという問題
点があった。
【０００８】図４は同一の半導体チップに設けた２つの
レーザー発振領域のうち一方のレーザー発振領域に一定
電流量を印加した場合の出力を実線、そして他方のレー
ザー発振領域に印加電流を変化させて光出力の強度変調
を行なった場合の出力を点線で示した説明図である。
レーザー発振領域のうち一方のレーザー発振領域に一定
電流量を印加した場合の出力を実線、そして他方のレー
ザー発振領域に印加電流を変化させて光出力の強度変調
を行なった場合の出力を点線で示した説明図である。
【０００９】同図より明らかなように実線で示したレー
ザー発振領域の光出力が点線で示したレーザー発振領域
の強度変調に影響されて変動している。以後この光出力
への影響を熱的クロストークと呼ぶ。
ザー発振領域の光出力が点線で示したレーザー発振領域
の強度変調に影響されて変動している。以後この光出力
への影響を熱的クロストークと呼ぶ。
【００１０】近年半導体レーザーでは特に、集積化、微
細化、高出力化、高速化が要求される状況の中で、発振
ビーム間隔が狭くなり、また発振光出力が増大化し、変
調が速くなってきている。これより熱的クロストークが
更に増大し、光出力が変動することとなり、より深刻な
問題点となってきている。
細化、高出力化、高速化が要求される状況の中で、発振
ビーム間隔が狭くなり、また発振光出力が増大化し、変
調が速くなってきている。これより熱的クロストークが
更に増大し、光出力が変動することとなり、より深刻な
問題点となってきている。
【００１１】本発明は、複数のレーザー発振領域を設け
た半導体チップを冷却手段で適切に冷却することにより
熱的クロストークを抑え、変調精度の高い光出力が容易
に得られるモノリシックマルチビームレーザーダイオー
ド及びそれの制御方法の提供を目的とする。
た半導体チップを冷却手段で適切に冷却することにより
熱的クロストークを抑え、変調精度の高い光出力が容易
に得られるモノリシックマルチビームレーザーダイオー
ド及びそれの制御方法の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決する為の手段】本発明のモノリシックマル
チビームレーザーダイオードは、レーザー光を発振放射
するレーザー発振領域を複数設けた半導体チップと、該
半導体チップを冷却する冷却手段とを設けたことを特徴
としている。
チビームレーザーダイオードは、レーザー光を発振放射
するレーザー発振領域を複数設けた半導体チップと、該
半導体チップを冷却する冷却手段とを設けたことを特徴
としている。
【００１３】特に、前記冷却手段はペルチェ素子によっ
て熱移動し、冷却することを特徴としている。
て熱移動し、冷却することを特徴としている。
【００１４】また、本発明のモノリシックマルチビーム
レーザーダイオードの制御方法は、 （イ）レーザー光を発振放射するレーザー発振領域を複
数設けた１つの半導体チップと、該半導体チップを冷却
する冷却手段とを有し、レーザー発振時には該半導体チ
ップをレーザー非発振時の該半導体チップの環境温度以
下に冷却すること。 （ロ）レーザー光を発振放射するレーザー発振領域を複
数設けた１つの半導体チップと、該半導体チップを冷却
する冷却手段とを有し、該レーザー発振領域からのレー
ザー光を検出手段で検出して、レーザーダイオードに印
加する電流を制御して該レーザー光の出力を制御するこ
とを特徴としている。
レーザーダイオードの制御方法は、 （イ）レーザー光を発振放射するレーザー発振領域を複
数設けた１つの半導体チップと、該半導体チップを冷却
する冷却手段とを有し、レーザー発振時には該半導体チ
ップをレーザー非発振時の該半導体チップの環境温度以
下に冷却すること。 （ロ）レーザー光を発振放射するレーザー発振領域を複
数設けた１つの半導体チップと、該半導体チップを冷却
する冷却手段とを有し、該レーザー発振領域からのレー
ザー光を検出手段で検出して、レーザーダイオードに印
加する電流を制御して該レーザー光の出力を制御するこ
とを特徴としている。
【００１５】特に、前記冷却手段は前記半導体チップ
を、該半導体チップをレーザー非発振時に取り囲む環境
温度以下の温度に制御することや、前記冷却手段は前記
半導体チップを環境温度以下の特定温度に制御するこ
と、更に、前記冷却手段は前記半導体チップを制御温度
Ｔに制御する際、モノリシックマルチビームレーザーダ
イオードの特性温度をＴｏ、レーザー非発振時に該半導
体チップを取り囲む環境温度をＴ′としたとき、
を、該半導体チップをレーザー非発振時に取り囲む環境
温度以下の温度に制御することや、前記冷却手段は前記
半導体チップを環境温度以下の特定温度に制御するこ
と、更に、前記冷却手段は前記半導体チップを制御温度
Ｔに制御する際、モノリシックマルチビームレーザーダ
イオードの特性温度をＴｏ、レーザー非発振時に該半導
体チップを取り囲む環境温度をＴ′としたとき、
【００１６】
【数２】 を満足すること、前記冷却手段はペルチェ素子によって
熱移動し、冷却すること等を特徴としている。
熱移動し、冷却すること等を特徴としている。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の一実施例の要部概略図であ
る。図中、１は２ビームＡ，Ｂを放射するモノリシック
マルチビームレーザーダイオード（本体）であり、半導
体チップ１２に２つのレーザー発振領域を設けている。
１４は保護キャップであり、その内部に保持部材（不図
示）及びコモン端子２で保持された半導体チップ１２を
収納し、窓ガラス１１で内部を密閉している。３，４は
アノード端子（電流印加素子）、そして５，６はボンデ
ィングワイヤーである。
る。図中、１は２ビームＡ，Ｂを放射するモノリシック
マルチビームレーザーダイオード（本体）であり、半導
体チップ１２に２つのレーザー発振領域を設けている。
１４は保護キャップであり、その内部に保持部材（不図
示）及びコモン端子２で保持された半導体チップ１２を
収納し、窓ガラス１１で内部を密閉している。３，４は
アノード端子（電流印加素子）、そして５，６はボンデ
ィングワイヤーである。
【００１８】１３は冷却手段であり、ペルチェ素子７、
サーミスタ８、温度コントローラ９を有している。
サーミスタ８、温度コントローラ９を有している。
【００１９】冷却手段１３はペルチェ素子７を保護キャ
ップ１４及びコモン端子２に熱的に密着させており、保
護キャップ１４及びコモン端子２を介して間接的に半導
体チップ１２を冷却している。またサーミスタ８を保護
キャップ１４に熱的に密着させており、半導体チップ１
２の周囲の温度をサーミスタ８の特性変化（抵抗値の変
化）により検出している。
ップ１４及びコモン端子２に熱的に密着させており、保
護キャップ１４及びコモン端子２を介して間接的に半導
体チップ１２を冷却している。またサーミスタ８を保護
キャップ１４に熱的に密着させており、半導体チップ１
２の周囲の温度をサーミスタ８の特性変化（抵抗値の変
化）により検出している。
【００２０】そしてサーミスタ８で検出した温度に基づ
き温度コントローラ９でペルチェ素子７を駆動制御し、
半導体チップ１２を所定温度に保っている。尚、ペルチ
ェ素子７より生じた熱は不図示のヒートシンク等の、他
の部材へ接触させて放熱している。
き温度コントローラ９でペルチェ素子７を駆動制御し、
半導体チップ１２を所定温度に保っている。尚、ペルチ
ェ素子７より生じた熱は不図示のヒートシンク等の、他
の部材へ接触させて放熱している。
【００２１】１０はレーザー駆動用の変調ドライバであ
り、コモン端子２とアノード端子３又は４との間に動作
電流を印加することで、レーザー光Ａ，レーザー光Ｂを
それぞれ独立駆動可能にしている。
り、コモン端子２とアノード端子３又は４との間に動作
電流を印加することで、レーザー光Ａ，レーザー光Ｂを
それぞれ独立駆動可能にしている。
【００２２】次に本実施例の制御動作の技術的意味につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２３】図３は半導体チップ１２の温度変化と閾値
電流変動率との変化との関係を示す図である。
電流変動率との変化との関係を示す図である。
【００２４】モノリシックマルチビームレーザーダイオ
ードにおいて半導体チップ１２の温度変動量に対する光
出力の変動はスロープ効率（印加電流変動に対する光出
力の変動の比率）ηとレーザー発振閾値電流Ｉthの温度
変化ΔＴによる変動率Ｉth−αとによって決定される。
ードにおいて半導体チップ１２の温度変動量に対する光
出力の変動はスロープ効率（印加電流変動に対する光出
力の変動の比率）ηとレーザー発振閾値電流Ｉthの温度
変化ΔＴによる変動率Ｉth−αとによって決定される。
【００２５】そして、半導体チップ１２の温度をＴと
し、モノリシックマルチビームレーザーダイオードの特
性温度をＴｏとしたとき、閾値電流変動率Ｉth−αは図
３に示した様に特性温度Ｔｏと温度Ｔの比Ｔ／Ｔｏの指
数関数に比例する。
し、モノリシックマルチビームレーザーダイオードの特
性温度をＴｏとしたとき、閾値電流変動率Ｉth−αは図
３に示した様に特性温度Ｔｏと温度Ｔの比Ｔ／Ｔｏの指
数関数に比例する。
【００２６】
【数３】 となる。
【００２７】従って、半導体チップ１２の温度Ｔを低く
すれば指数関数的に光出力の変動量ΔＰが少なくなる。
即ち、モノリシックマルチビームレーザーダイオード１
の温度を下げる（半導体チップ１２を冷却する）ことに
よって、一方のレーザー発振領域からの温度変化ΔＴが
他方のレーザー発振領域へ伝搬しても光出力の変動量Δ
Ｐを小さく抑えることができる。
すれば指数関数的に光出力の変動量ΔＰが少なくなる。
即ち、モノリシックマルチビームレーザーダイオード１
の温度を下げる（半導体チップ１２を冷却する）ことに
よって、一方のレーザー発振領域からの温度変化ΔＴが
他方のレーザー発振領域へ伝搬しても光出力の変動量Δ
Ｐを小さく抑えることができる。
【００２８】本実施例においてはレーザー非発振時に半
導体チップ１２を取り囲む環境温度Ｔ′をサーミスタ８
及び温度コントローラ９で検出し、ペルチェ素子７で
（１）式を満たす様に半導体チップ１２を冷却してい
る。
導体チップ１２を取り囲む環境温度Ｔ′をサーミスタ８
及び温度コントローラ９で検出し、ペルチェ素子７で
（１）式を満たす様に半導体チップ１２を冷却してい
る。
【００２９】これより、複数のレーザー発振領域間の熱
的クロストークによる影響を抑えて、光出力の変調制御
に忠実な発振が行なえるようにしている。例えば光ディ
スクメモリー装置の光ヘッドや光走査装置に用いること
により、精度の高い装置を供給することができる。
的クロストークによる影響を抑えて、光出力の変調制御
に忠実な発振が行なえるようにしている。例えば光ディ
スクメモリー装置の光ヘッドや光走査装置に用いること
により、精度の高い装置を供給することができる。
【００３０】次に具体例をあげて示す。一般に、波長６
７０ｎｍ，７８０ｎｍ，８３０ｎｍのレーザーダイオー
ドの特性温度は略１００〜１５０〔ｋ〕であり、このレ
ーザーダイオードを５０℃の環境温度で駆動した場合と
０℃の環境温度で駆動した場合との出力変動ΔＰの比を
αとすると、
７０ｎｍ，７８０ｎｍ，８３０ｎｍのレーザーダイオー
ドの特性温度は略１００〜１５０〔ｋ〕であり、このレ
ーザーダイオードを５０℃の環境温度で駆動した場合と
０℃の環境温度で駆動した場合との出力変動ΔＰの比を
αとすると、
【００３１】
【数４】 となり、Ｔｏ＝１００〔ｋ〕のときα＝０．６１、Ｔｏ
＝１５０〔ｋ〕のときα＝０．７２となる。
＝１５０〔ｋ〕のときα＝０．７２となる。
【００３２】つまり、０℃の環境温度での駆動の方が熱
的クロストークによる光出力の変動量はＴｏ＝１００
〔ｋ〕のとき３９％、Ｔｏ＝１５０〔ｋ〕のとき２８％
軽減される。また図２より、印加電流量は少量で所要の
光出力が得られる為、変調により生じる熱の変動量も少
なくなる為、上記変動量の比α値以上の効果が得られ
る。
的クロストークによる光出力の変動量はＴｏ＝１００
〔ｋ〕のとき３９％、Ｔｏ＝１５０〔ｋ〕のとき２８％
軽減される。また図２より、印加電流量は少量で所要の
光出力が得られる為、変調により生じる熱の変動量も少
なくなる為、上記変動量の比α値以上の効果が得られ
る。
【００３３】本実施例において冷却手段は、ペルチェ素
子を用いて冷却を行なったが、このほか冷媒（例えば純
水等の液体）で保護キャップ１の周囲を満たして冷却す
るようにしても良い。
子を用いて冷却を行なったが、このほか冷媒（例えば純
水等の液体）で保護キャップ１の周囲を満たして冷却す
るようにしても良い。
【００３４】また、本発明のモノリシックマルチビーム
レーザーダイオードの制御方法は半導体チップを冷却す
ると共に光出力の変動を検出し、印加電流にフィードバ
ックする様に構成しても良い。
レーザーダイオードの制御方法は半導体チップを冷却す
ると共に光出力の変動を検出し、印加電流にフィードバ
ックする様に構成しても良い。
【００３５】例えば半導体チップを冷却手段で室温以下
に冷却し、光出力の変動量を半導体チップの前方又は後
方でフォトダイオードにて検出し、光出力が所要値とな
るように印加電流を制御すれば、より熱的クロストーク
を抑えた光出力を得ることができる。
に冷却し、光出力の変動量を半導体チップの前方又は後
方でフォトダイオードにて検出し、光出力が所要値とな
るように印加電流を制御すれば、より熱的クロストーク
を抑えた光出力を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば以上のように各要素を適
切に構成し、半導体チップを冷却することにより熱的ク
ロストークが抑えられ、光出力の変調精度が高いモノリ
シックマルチビームレーザーダイオード及びそれの制御
方法を達成できる。
切に構成し、半導体チップを冷却することにより熱的ク
ロストークが抑えられ、光出力の変調精度が高いモノリ
シックマルチビームレーザーダイオード及びそれの制御
方法を達成できる。
【図１】 本発明の一実施例の要部概略図
【図２】 モノリシックマルチビームレーザーダイオー
ドの印加電流−光出力特性図
ドの印加電流−光出力特性図
【図３】 モノリシックマルチビームレーザーダイオー
ドのチップ温度−閾値電流変動率特性図
ドのチップ温度−閾値電流変動率特性図
【図４】 モノリシックマルチビームレーザーダイオー
ドの時間−光出力及び印加電流特性図
ドの時間−光出力及び印加電流特性図
１ モノリシックマルチビームレーザーダイオードデバ
イス ２ コモン端子 ３，４ アノード端子 ５，６ ボンディングワイヤー ７ ペルチェ素子 ８ サーミスター ９ 温度コントローラー １０ 変調ドライバ １１ 窓部 １２ 半導体チップ １３ 冷却手段 １４ 保護キャップ
イス ２ コモン端子 ３，４ アノード端子 ５，６ ボンディングワイヤー ７ ペルチェ素子 ８ サーミスター ９ 温度コントローラー １０ 変調ドライバ １１ 窓部 １２ 半導体チップ １３ 冷却手段 １４ 保護キャップ
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザー光を発振放射するレーザー発振
領域を複数設けた半導体チップと、該半導体チップを冷
却する冷却手段とを設けたことを特徴としたモノリシッ
クマルチビームレーザーダイオード。 - 【請求項２】 レーザー光を発振放射するレーザー発振
領域を複数設けた１つの半導体チップと、該半導体チッ
プを冷却する冷却手段とを有し、レーザー発振時には該
半導体チップをレーザー非発振時の該半導体チップの環
境温度以下に冷却することを特徴としたモノリシックマ
ルチビームレーザーダイオードの制御方法。 - 【請求項３】 レーザー光を発振放射するレーザー発振
領域を複数設けた１つの半導体チップと、該半導体チッ
プを冷却する冷却手段とを有し、該レーザー発振領域か
らのレーザー光を検出手段で検出して、レーザーダイオ
ードに印加する電流を制御して該レーザー光の出力を制
御することを特徴としたモノリシックマルチビームレー
ザーダイオードの制御方法。 - 【請求項４】 前記冷却手段は前記半導体チップを、該
半導体チップをレーザー非発振時に取り囲む環境温度以
下の温度に制御することを特徴とする請求項３のモノリ
シックマルチビームレーザーダイオードの制御方法。 - 【請求項５】 前記冷却手段は前記半導体チップを環境
温度以下の特定温度に制御することを特徴とする請求項
４のモノリシックマルチビームレーザーダイオードの制
御方法。 - 【請求項６】 前記冷却手段は前記半導体チップを制御
温度Ｔに制御する際、モノリシックマルチビームレーザ
ーダイオードの特性温度をＴｏ、レーザー非発振時に該
半導体チップを取り囲む環境温度をＴ′としたとき、 【数１】 を満足することを特徴とした請求項２又は３のモノリシ
ックマルチビームレーザーダイオードの制御方法。 - 【請求項７】 前記冷却手段はペルチェ素子によって熱
移動し、冷却することを特徴とする請求項１のモノリシ
ックマルチビームレーザーダイオード。 - 【請求項８】 前記冷却手段はペルチェ素子によって熱
移動し、冷却することを特徴とする請求項２又は３のモ
ノリシックマルチビームレーザーダイオードの制御方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7297493A JPH06260722A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | モノリシックマルチビームレーザーダイオード及びそれの制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7297493A JPH06260722A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | モノリシックマルチビームレーザーダイオード及びそれの制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260722A true JPH06260722A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=13504877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7297493A Pending JPH06260722A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | モノリシックマルチビームレーザーダイオード及びそれの制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5994679A (en) * | 1997-12-19 | 1999-11-30 | Lucent Technologies Inc. | Thermal housing for optical circuits |
| WO2017018496A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | プレキシオン株式会社 | 光音響検出装置および光音響画像化装置 |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP7297493A patent/JPH06260722A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5994679A (en) * | 1997-12-19 | 1999-11-30 | Lucent Technologies Inc. | Thermal housing for optical circuits |
| EP0929206A3 (en) * | 1997-12-19 | 2001-02-28 | Lucent Technologies Inc. | Thermal housing for optical circuits |
| WO2017018496A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | プレキシオン株式会社 | 光音響検出装置および光音響画像化装置 |
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