JPH04352377A - 半導体レーザ素子用サブマウント - Google Patents

半導体レーザ素子用サブマウント

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JPH04352377A
JPH04352377A JP3155902A JP15590291A JPH04352377A JP H04352377 A JPH04352377 A JP H04352377A JP 3155902 A JP3155902 A JP 3155902A JP 15590291 A JP15590291 A JP 15590291A JP H04352377 A JPH04352377 A JP H04352377A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
submount
semiconductor laser
laser chip
solder
die
Prior art date
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Pending
Application number
JP3155902A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Usuki
臼木　俊雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3155902A priority Critical patent/JPH04352377A/ja
Publication of JPH04352377A publication Critical patent/JPH04352377A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
    • H10W72/07353—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/30—Die-attach connectors
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    • H10W72/334—Cross-sectional shape, i.e. in side view
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ素子用サ
ブマウントに関し、特に半導体レーザ素子のダイボンド
時にはみ出した半田がレーザ動作に与える悪影響を防止
できる半導体レーザ素子用サブマウントに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図２は半導体レーザチップを従来の半導
体レーザ素子用サブマウントを用いてダイボンドした状
態を示す斜視図である。図において、１はレーザチップ
、２はサブマウント、４は金属ブロック、５は半田、６
，７はレーザ光である。
【０００３】次に動作について説明する。図２に示すよ
うに、一般にレーザチップ１は放熱の良い金属ブロック
４にサブマウント２を介して接着される。レーザチップ
１のサブマウント２への固着には半田５が用いられる。 レーザチップ１の上面及び下面に設けられた図示しない
電極間にレーザチップ内に形成されるｐｎ接合に対して
順方向バイアスをかけることにより、レーザチップ１の
前端面及び後端面からレーザ光６，７が出射される。後
端面から出射されたレーザ光７は、前端面から出射され
たレーザ光６の出力を制御するためのモニタ光として用
いられる。
【０００４】ところで、半導体レーザをＯＤＤやプリン
タに使用する場合には、低熱抵抗や低ドループ特性を得
るために、発光領域をサブマウント８に近づけて組み立
てを行うジャンクションダウン（Ｊ／Ｄ）組立が必要不
可欠である。この場合、発光領域が接着から約数μｍの
位置にあるため、ダイボンドした後の半田５が組立上問
題となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ素
子用サブマウントは以上のように構成されているので、
ダイボンドした際のサブマウント８の表面にはみ出して
上方向に盛り上がった半田が発光領域のジャンクション
部に接触してショート不良を発生したり、レーザチップ
後端面より出射したレーザ光７がはみ出した半田により
異方向に反射されてモニタ電流が小となる不良が発生す
るといった問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ダイボンドした際のはみ出した
半田によりショート不良やレーザ光の異方向への反射不
良が発生することのない歩留り，信頼性の高い半導体レ
ーザ素子用サブマウントを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ素子用サブマウントは、少なくともサブマウントの
半導体レーザチップを載置する領域を凹凸形状に形成し
たものである。
【０００８】
【作用】この発明における半導体レーザ素子用サブマウ
ントは、少なくともサブマウントのレーザチップを載置
する領域を凹凸に形成したから、レーザチップはサブマ
ウントの凸部にダイボンドされ、ダイボンドした際に用
いた半田はサブマウントの凹部へ流れ出し、半田がレー
ザチップ，特に発光領域を含めたジャンクション部に接
触することはない。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は半導体レーザチップを本発明の一実施例に
よる半導体レーザ素子用サブマウントを用いてダイボン
ドした状態を示す斜視図である。図において、１は半導
体レーザチップ、３は本実施例のサブマウントで、半導
体レーザチップ１を載置する面は全面が凹凸形状に形成
されている。また、４は金属ブロック、５は半田、６，
７はレーザ光である。
【００１０】本実施例は、サブマウント３の半導体レー
ザチップ１を載置する面を複数の凹凸を有する形状とし
ているのが特徴である。このような本実施例によれば、
サブマウント３の半導体レーザチップ１を載置する面を
凹凸形状に形成したので、半導体レーザチップ１はサブ
マウント３の凸部にダイボンドされることとなり、ダイ
ボンドした際にはみ出した半田５は凸部より低い凹部に
流れ、上方に盛り上がらない。よって、低熱抵抗，低ド
ループ特性を得るためのＪ／Ｄ組立ての際にも、レーザ
チップ１の発光領域を含めたジャンクション部にダイボ
ンドした半田が接触することはなく、これにより、ショ
ート不良やレーザ光が異方向に反射して生ずるモニタ電
流小不良を防止することができる。
【００１１】なお、上記実施例では半導体レーザチップ
１を載置する面の全面にわたって凹凸を設けたサブマウ
ントについて示したが、該凹凸は、半導体レーザチップ
１が載置される領域のみに設けるようにしてもよく、こ
の場合においても上記実施例と同様の効果を奏する。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、少な
くともサブマウントの半導体レーザチップ搭載領域を凹
凸形状に形成したので、半導体レーザチップはその凸部
にダイボンドされるとともにダイボンドした際の半田は
凹部に流れ、これにより、ダイボンドした際のはみ出し
た半田が発光領域を含めたジャンクションへ接触してシ
ョートしたり、レーザ光が異方向へ反射してモニタ電流
が小となる不具合を防止でき、歩留り及び信頼性を向上
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ素子用
サブマウントを用いてレーザチップをダイボンドした状
態を示す斜視図である。
【図２】従来の半導体レーザ素子用サブマウントを用い
てレーザチップをダイボンドした状態を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
１　　レーザチップ ２　　従来例のサブマウント ３　　本発明の一実施例によるサブマウント４　　金属
ブロック ５　　半田 ６　　レーザ光 ７　　レーザ光

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体レーザチップを金属ブロックに
    接着する際に、該半導体レーザチップと金属ブロックと
    の間に配置される半導体レーザ素子用サブマウントにお
    いて、少なくとも前記半導体レーザチップを載置する領
    域が凹凸形状に形成されていることを特徴とする半導体
    レーザ素子用サブマウント。
JP3155902A 1991-05-29 1991-05-29 半導体レーザ素子用サブマウント Pending JPH04352377A (ja)

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