JPH06260757A - プリント回路板の製造方法 - Google Patents
プリント回路板の製造方法Info
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- JPH06260757A JPH06260757A JP4507093A JP4507093A JPH06260757A JP H06260757 A JPH06260757 A JP H06260757A JP 4507093 A JP4507093 A JP 4507093A JP 4507093 A JP4507093 A JP 4507093A JP H06260757 A JPH06260757 A JP H06260757A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ファインパターン化が可能で、銅資源を節約
でき、安価に製造できるプリント回路板の製造方法を提
供する。 【構成】 両面銅張積層板1の所定個所にスルーホール
4を穿設し、少なくとも前記スルーホール4の壁面に導
電性を付与し、前記スルーホール4にマスク材を充填し
たのち、前記両面銅張積層板の両面に研磨処理を施し、
前記研磨処理後の両面銅張積層板の表面のうち、導体回
路部,スルーホールランド部および端子部をそれぞれ形
成すべき個所8a,8b,8cにレジストマスクをパタ
ーニングし、エッチング処理を施して表面に露出してい
る銅層部分をエッチング除去し、前記レジストマスクお
よび前記マスク材を除去し、露出したスルーホールラン
ド部および端子部を除いた個所を被覆してソルダーレジ
スト10をパターニングし、最後に、スルーホールラン
ド部にすべき個所8bおよび端子部にすべき個所8c
に、銅めっき層6’,ニッケルめっき層11,および金
めっき層12を順次形成するプリント回路板の製造方
法。
でき、安価に製造できるプリント回路板の製造方法を提
供する。 【構成】 両面銅張積層板1の所定個所にスルーホール
4を穿設し、少なくとも前記スルーホール4の壁面に導
電性を付与し、前記スルーホール4にマスク材を充填し
たのち、前記両面銅張積層板の両面に研磨処理を施し、
前記研磨処理後の両面銅張積層板の表面のうち、導体回
路部,スルーホールランド部および端子部をそれぞれ形
成すべき個所8a,8b,8cにレジストマスクをパタ
ーニングし、エッチング処理を施して表面に露出してい
る銅層部分をエッチング除去し、前記レジストマスクお
よび前記マスク材を除去し、露出したスルーホールラン
ド部および端子部を除いた個所を被覆してソルダーレジ
スト10をパターニングし、最後に、スルーホールラン
ド部にすべき個所8bおよび端子部にすべき個所8c
に、銅めっき層6’,ニッケルめっき層11,および金
めっき層12を順次形成するプリント回路板の製造方
法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプリント回路板の製造方
法に関し、更に詳しくは、回路網のファインパターン化
が可能で、かつ、省資源にも利するプリント回路板の製
造方法に関する。
法に関し、更に詳しくは、回路網のファインパターン化
が可能で、かつ、省資源にも利するプリント回路板の製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】プリント回路板の製造方法の1つにサブ
トラクティブ法があるが、以下に、その変法の1つを、
両面実装用のプリント回路板の場合につき、図面に則し
て説明する。まず、図1で示したように、例えばガラス
繊維−エポキシ樹脂積層板のような絶縁基材2の両面
に、通常、厚み18μmの銅箔3,3が積層されている
両面銅張積層板1が用意される。
トラクティブ法があるが、以下に、その変法の1つを、
両面実装用のプリント回路板の場合につき、図面に則し
て説明する。まず、図1で示したように、例えばガラス
繊維−エポキシ樹脂積層板のような絶縁基材2の両面
に、通常、厚み18μmの銅箔3,3が積層されている
両面銅張積層板1が用意される。
【0003】ついで、この両面銅張積層板1の表裏を貫
いて、例えば直径0.3〜6mm程度のスルーホール4,4
が穿設され(図2)、その後、全体に公知の無電解銅め
っきが行なわれる。その結果、銅箔3,3の表面および
スルーホール4,4の壁面には化学銅が析出して化学銅
層5が形成され、そのことにより、スルーホール4の壁
面にも導電性が付与される(図3)。その後、全体に電
解めっき法を施すことにより、上記化学銅層5の全表面
を被覆して厚み10〜25μmの銅めっき層6が形成さ
れる(図4)。
いて、例えば直径0.3〜6mm程度のスルーホール4,4
が穿設され(図2)、その後、全体に公知の無電解銅め
っきが行なわれる。その結果、銅箔3,3の表面および
スルーホール4,4の壁面には化学銅が析出して化学銅
層5が形成され、そのことにより、スルーホール4の壁
面にも導電性が付与される(図3)。その後、全体に電
解めっき法を施すことにより、上記化学銅層5の全表面
を被覆して厚み10〜25μmの銅めっき層6が形成さ
れる(図4)。
【0004】ついで、スルーホール4の中に、例えば穴
埋めインクのようなマスク材7を充填してスルーホール
の穴埋めを行なったのち、両面を研磨して、マスク材7
の表面7aと銅めっき層6の表面6aが同一平面を構成
するように処置する(図5)。その後、導体回路を形成
すべき個所8a,スルーホールランド部を形成すべき個
所8b,および回路板の端子部を形成すべき個所8c
に、例えば、熱硬化型インクのようなレジストマスク9
をパターニングする(図6)。
埋めインクのようなマスク材7を充填してスルーホール
の穴埋めを行なったのち、両面を研磨して、マスク材7
の表面7aと銅めっき層6の表面6aが同一平面を構成
するように処置する(図5)。その後、導体回路を形成
すべき個所8a,スルーホールランド部を形成すべき個
所8b,および回路板の端子部を形成すべき個所8c
に、例えば、熱硬化型インクのようなレジストマスク9
をパターニングする(図6)。
【0005】ついで、全体を銅エッチャントに浸漬し、
個所8a,個所8b,個所8c以外の銅層部分をエッチ
ング除去することにより絶縁基材2の表面2aを露出さ
せる(図7)。その後、レジストマスク9を除去し、更
に続けてスルーホール内に充填されているマスク材7を
除去する。その結果、両面銅張積層板1には、いずれも
銅層の3層の積層構造である、導体回路部8a’,スル
ーホールランド部にすべき個所8b,端子部にすべき個
所8cがそれぞれ形成される(図8)。
個所8a,個所8b,個所8c以外の銅層部分をエッチ
ング除去することにより絶縁基材2の表面2aを露出さ
せる(図7)。その後、レジストマスク9を除去し、更
に続けてスルーホール内に充填されているマスク材7を
除去する。その結果、両面銅張積層板1には、いずれも
銅層の3層の積層構造である、導体回路部8a’,スル
ーホールランド部にすべき個所8b,端子部にすべき個
所8cがそれぞれ形成される(図8)。
【0006】ついで、スルーホールランド部にすべき個
所8b,端子部にすべき個所8cを除いた個所にソルダ
ーレジスト10をパターニングして、導体回路部8a’
と絶縁基材2の表面2aを埋設する(図9)。最後に、
全体に電解めっきを施すことにより、スルーホールラン
ド部にすべき個所8bと端子部にすべき個所8cにおい
て露出している銅めっき層6の表面に、ニッケルめっき
層11,金めっき層12を順次形成してスルーホールラ
ンド部8b’,端子部8c’にする(図10)。
所8b,端子部にすべき個所8cを除いた個所にソルダ
ーレジスト10をパターニングして、導体回路部8a’
と絶縁基材2の表面2aを埋設する(図9)。最後に、
全体に電解めっきを施すことにより、スルーホールラン
ド部にすべき個所8bと端子部にすべき個所8cにおい
て露出している銅めっき層6の表面に、ニッケルめっき
層11,金めっき層12を順次形成してスルーホールラ
ンド部8b’,端子部8c’にする(図10)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した製
造方法には次のような問題がある。まず、第1の問題は
回路網のファインパターン化が困難なことである。すな
わち、図4で示したように、化学銅層5の全表面に電解
めっき法で銅めっき層6を形成したときに、両面銅張積
層板1は大面積であるため、両面銅張積層板1の面内に
おける銅めっき層6の厚みのばらつきが大きくなり、そ
のため、図7で示したようなエッチング処理を施したと
きに、銅層部分では、過度にエッチング除去されたりま
たはエッチング不足で残留したりすることが起こり、回
路設計時に決めたパターンの形成に難点が生ずるからで
ある。
造方法には次のような問題がある。まず、第1の問題は
回路網のファインパターン化が困難なことである。すな
わち、図4で示したように、化学銅層5の全表面に電解
めっき法で銅めっき層6を形成したときに、両面銅張積
層板1は大面積であるため、両面銅張積層板1の面内に
おける銅めっき層6の厚みのばらつきが大きくなり、そ
のため、図7で示したようなエッチング処理を施したと
きに、銅層部分では、過度にエッチング除去されたりま
たはエッチング不足で残留したりすることが起こり、回
路設計時に決めたパターンの形成に難点が生ずるからで
ある。
【0008】第2の問題は、銅資源が無駄に使用されて
いるという問題である。すなわち、図4で示したよう
に、化学銅層5の全面には電解めっき法によって一旦銅
めっき層6が形成されるが、次に、図7で示したような
エッチング処理時には、上記銅めっき層6のうち、導体
回路部にすべき個所8a,スルーホールランド部にすべ
き個所8b,端子部にすべき個所8cに相当する部分以
外をエッチング除去してしまうので、その部分のめっき
銅は、結果として無駄になってしまう。
いるという問題である。すなわち、図4で示したよう
に、化学銅層5の全面には電解めっき法によって一旦銅
めっき層6が形成されるが、次に、図7で示したような
エッチング処理時には、上記銅めっき層6のうち、導体
回路部にすべき個所8a,スルーホールランド部にすべ
き個所8b,端子部にすべき個所8cに相当する部分以
外をエッチング除去してしまうので、その部分のめっき
銅は、結果として無駄になってしまう。
【0009】第3の問題は、全体の工程の流れにおける
効率が悪いということである。すなわち、図1〜図10
で示した工程においては、図4で示した銅めっき層6の
形成以後、つぎには、穴埋,研磨,レジストマスクのパ
ターニング,エッチング処理,レジストマスクとマスク
体の除去,そしてソルダーレジストの形成を経たのち、
再び、電解めっきのラインにのせている。このことは、
電解めっき工程が分断されていることであり、無電解銅
めっき工程後の処理を考慮すると、ラインの稼働効率を
悪くする要因になっている。
効率が悪いということである。すなわち、図1〜図10
で示した工程においては、図4で示した銅めっき層6の
形成以後、つぎには、穴埋,研磨,レジストマスクのパ
ターニング,エッチング処理,レジストマスクとマスク
体の除去,そしてソルダーレジストの形成を経たのち、
再び、電解めっきのラインにのせている。このことは、
電解めっき工程が分断されていることであり、無電解銅
めっき工程後の処理を考慮すると、ラインの稼働効率を
悪くする要因になっている。
【0010】本発明は、図1〜図10で示した従来の製
造方法における上記した問題を解決し、回路網のファイ
ンパターン化を可能とし、銅の省資源も実現でき、かつ
生産ラインの高効率稼働を可能にするプリント回路板の
製造方法の提供を目的とする。
造方法における上記した問題を解決し、回路網のファイ
ンパターン化を可能とし、銅の省資源も実現でき、かつ
生産ラインの高効率稼働を可能にするプリント回路板の
製造方法の提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、両面銅張積層板の所定個所
にスルーホールを穿設する工程(以下、第1工程とい
う);少なくとも前記スルーホールの壁面に導電性を付
与する工程(以下、第2工程という);前記スルーホー
ルにマスク材を充填したのち、前記両面銅張積層板の両
面に研磨処理を施す工程(以下、第3工程という);前
記研磨処理後の両面銅張積層板の表面のうち、導体回路
部,スルーホールランド部および端子部をそれぞれ形成
すべき個所にレジストマスクをパターニングする工程
(以下、第4工程という);エッチング処理を施して表
面に露出している銅層部分をエッチング除去する工程
(以下、第5工程という);前記レジストマスクおよび
前記マスク材を除去する工程(以下、第6工程とい
う);露出したスルーホールランド部を形成すべき個所
および端子部を形成すべき個所を除いた個所を被覆して
ソルダーレジストをパターニングする工程(以下、第7
工程という);ならびに、前記スルーホールランド部を
形成すべき個所および前記端子部を形成すべき個所に、
無電解めっきまたは電解めっきにより、銅めっき,ニッ
ケルめっき,および金めっきを順次施す工程(以下、第
8工程という);を備えていることを特徴とするプリン
ト回路板の製造方法が提供される。
ために、本発明においては、両面銅張積層板の所定個所
にスルーホールを穿設する工程(以下、第1工程とい
う);少なくとも前記スルーホールの壁面に導電性を付
与する工程(以下、第2工程という);前記スルーホー
ルにマスク材を充填したのち、前記両面銅張積層板の両
面に研磨処理を施す工程(以下、第3工程という);前
記研磨処理後の両面銅張積層板の表面のうち、導体回路
部,スルーホールランド部および端子部をそれぞれ形成
すべき個所にレジストマスクをパターニングする工程
(以下、第4工程という);エッチング処理を施して表
面に露出している銅層部分をエッチング除去する工程
(以下、第5工程という);前記レジストマスクおよび
前記マスク材を除去する工程(以下、第6工程とい
う);露出したスルーホールランド部を形成すべき個所
および端子部を形成すべき個所を除いた個所を被覆して
ソルダーレジストをパターニングする工程(以下、第7
工程という);ならびに、前記スルーホールランド部を
形成すべき個所および前記端子部を形成すべき個所に、
無電解めっきまたは電解めっきにより、銅めっき,ニッ
ケルめっき,および金めっきを順次施す工程(以下、第
8工程という);を備えていることを特徴とするプリン
ト回路板の製造方法が提供される。
【0012】以下に、図面に基づいて本発明における各
工程を説明する。まず、第1工程においては、図11で
示したように、両面銅張積層板1が用意され、この積層
板1の所定個所にスルーホール4が穿設される(図1
2)。用いる両面銅張積層板1としては、銅箔3,3の
厚みが35μmであるものが好ましい。
工程を説明する。まず、第1工程においては、図11で
示したように、両面銅張積層板1が用意され、この積層
板1の所定個所にスルーホール4が穿設される(図1
2)。用いる両面銅張積層板1としては、銅箔3,3の
厚みが35μmであるものが好ましい。
【0013】第2工程は、第1工程で得られたスルーホ
ール付きの両面銅張積層板に後述する処理を施すことに
より、少なくとも絶縁基材2が露出しているスルーホー
ル4の壁面に導電性を付与する工程である。スルーホー
ルの壁面に導電性を付与する方法としては次のような方
法をあげることができる。
ール付きの両面銅張積層板に後述する処理を施すことに
より、少なくとも絶縁基材2が露出しているスルーホー
ル4の壁面に導電性を付与する工程である。スルーホー
ルの壁面に導電性を付与する方法としては次のような方
法をあげることができる。
【0014】第1の方法は、公知の無電解銅めっきを施
すことにより、図13で示したように、銅箔3,3の表
面およびスルーホール4の壁面に化学銅を析出させ、化
学銅層5を形成する方法である。具体的には、まず、例
えば、塩化第一すずの塩酸水溶液中に両面銅張積層板を
浸漬してその全面に塩化第一すずを吸着させ、ついで、
塩化パラジウム水溶液中に浸漬することにより、Sn2+
+Pd2+→Sn4++Pd0 の還元反応で金属パラジウム
を全面に析出させたのち、最後に両面銅張積層板を所定
組成の無電解銅めっき浴に浸漬して、Cu2++Pd0 →
Cu0 +Pd2+の還元反応により金属銅を析出させる方
法がある。また、パラジウム微粒子の周囲に第二すずイ
オン(Sn 4+)の保護コロイドが形成されているコロイ
ド溶液(キャタリスト)に両面銅張積層板を浸漬してそ
の全面に上記キャタリストを沈着させ、ついで、のよう
なアクセレータに浸漬して上記の沈着コロイドを活性化
したのち、所定組成の無電解銅めっき浴に浸漬して金属
銅を析出させるという方法がある。
すことにより、図13で示したように、銅箔3,3の表
面およびスルーホール4の壁面に化学銅を析出させ、化
学銅層5を形成する方法である。具体的には、まず、例
えば、塩化第一すずの塩酸水溶液中に両面銅張積層板を
浸漬してその全面に塩化第一すずを吸着させ、ついで、
塩化パラジウム水溶液中に浸漬することにより、Sn2+
+Pd2+→Sn4++Pd0 の還元反応で金属パラジウム
を全面に析出させたのち、最後に両面銅張積層板を所定
組成の無電解銅めっき浴に浸漬して、Cu2++Pd0 →
Cu0 +Pd2+の還元反応により金属銅を析出させる方
法がある。また、パラジウム微粒子の周囲に第二すずイ
オン(Sn 4+)の保護コロイドが形成されているコロイ
ド溶液(キャタリスト)に両面銅張積層板を浸漬してそ
の全面に上記キャタリストを沈着させ、ついで、のよう
なアクセレータに浸漬して上記の沈着コロイドを活性化
したのち、所定組成の無電解銅めっき浴に浸漬して金属
銅を析出させるという方法がある。
【0015】これらの方法のうち、後者のキャタリスト
−アクセレータ系を用いる方法は、銅の析出核になるパ
ラジウムの消耗が少ないので、経済性の面で好適であ
る。この化学銅層5は、電解めっきで形成されるめっき
銅層と異なり、その厚みは薄いが、しかし厚みのばらつ
きは極めて小さい。すなわち、この化学銅層5の厚み
は、両面銅張積層板のいずれの場所においてもほとんど
同じであり、かつ薄い。
−アクセレータ系を用いる方法は、銅の析出核になるパ
ラジウムの消耗が少ないので、経済性の面で好適であ
る。この化学銅層5は、電解めっきで形成されるめっき
銅層と異なり、その厚みは薄いが、しかし厚みのばらつ
きは極めて小さい。すなわち、この化学銅層5の厚み
は、両面銅張積層板のいずれの場所においてもほとんど
同じであり、かつ薄い。
【0016】スルーホールの壁面に導電性を付与するた
めの第2の方法としては、上記したキャタリスト−アク
セレータ系を用いる方法において、両面銅張積層板をキ
ャタリストに浸漬するにとどめる方法である。この場合
には、スルーホールの壁面も含めた両面銅張積層の全面
には上記したパラジウムの析出核が沈着しているにとど
まる。この沈着コロイドは非常に薄いが導電性を有して
おり、後述する第8工程において、無電解めっき,電解
めっきのいずれによっても必要とする厚みの銅めっきを
施すことは可能である。
めの第2の方法としては、上記したキャタリスト−アク
セレータ系を用いる方法において、両面銅張積層板をキ
ャタリストに浸漬するにとどめる方法である。この場合
には、スルーホールの壁面も含めた両面銅張積層の全面
には上記したパラジウムの析出核が沈着しているにとど
まる。この沈着コロイドは非常に薄いが導電性を有して
おり、後述する第8工程において、無電解めっき,電解
めっきのいずれによっても必要とする厚みの銅めっきを
施すことは可能である。
【0017】なお、この沈着処理後に、積層板に、例え
ば115〜125℃の温度域で35〜40分間程度の熱
処理を施すと、沈着した析出核が壁面に強固に密着する
ので好適である。第3の方法は、上記したようなめっき
法を適用することなく、少なくともスルーホールの壁面
に導電性皮膜を成膜する方法である。
ば115〜125℃の温度域で35〜40分間程度の熱
処理を施すと、沈着した析出核が壁面に強固に密着する
ので好適である。第3の方法は、上記したようなめっき
法を適用することなく、少なくともスルーホールの壁面
に導電性皮膜を成膜する方法である。
【0018】具体的には、両面銅張積層板を、例えば、
DMS2(商品名、日本エル・ピー・ダブリュー(株)
製)のような薬液に浸漬してその全面に上記薬液の所定
量を膜状に付着させる。このようにして成膜された皮膜
は、通常、炭素を主成分としているため導電性を有して
おり、ここに、第8工程における銅めっきを行うことが
できる。
DMS2(商品名、日本エル・ピー・ダブリュー(株)
製)のような薬液に浸漬してその全面に上記薬液の所定
量を膜状に付着させる。このようにして成膜された皮膜
は、通常、炭素を主成分としているため導電性を有して
おり、ここに、第8工程における銅めっきを行うことが
できる。
【0019】その場合、この導電性皮膜に対しては無電
解銅めっきを行うことができないので、常用の電解めっ
きが適用される。このように、第2工程を経由すること
により、少なくともスルーホールの壁面に導電性が付与
された両面銅張積層板が得られる。本発明方法において
は、以後、この両面銅張積層板に対し、後述する第3工
程以下の処置が施されることにより目的とするプリント
回路板が製造される。
解銅めっきを行うことができないので、常用の電解めっ
きが適用される。このように、第2工程を経由すること
により、少なくともスルーホールの壁面に導電性が付与
された両面銅張積層板が得られる。本発明方法において
は、以後、この両面銅張積層板に対し、後述する第3工
程以下の処置が施されることにより目的とするプリント
回路板が製造される。
【0020】以後、第8工程までは、スルーホール壁面
の導電性が図13で示した化学銅層で確保されている場
合を例にして各工程を説明する。まず、第3工程におい
ては、図14で示したように、スルーホール4に従来と
同じようなマスク材7が充填されてスルーホール4の穴
埋めが行なわれたのち、マスク材7の表面7aと化学銅
層5の表面5aが同一平面を構成するように積層板1の
表面を研磨する。
の導電性が図13で示した化学銅層で確保されている場
合を例にして各工程を説明する。まず、第3工程におい
ては、図14で示したように、スルーホール4に従来と
同じようなマスク材7が充填されてスルーホール4の穴
埋めが行なわれたのち、マスク材7の表面7aと化学銅
層5の表面5aが同一平面を構成するように積層板1の
表面を研磨する。
【0021】第4工程においては、第3工程で形成され
た平滑な両面のうち、導体回路部を形成すべき個所8
a,スルーホールランド部を形成すべき個所8b,端子
部を形成すべき個所8cのそれぞれに、レジストマスク
9をパターニングする(図15)。第5工程では、第4
工程で得られた積層板を銅エッチャントに浸漬し、レジ
ストマスク9がパターニングされている個所以外の個所
で露出している銅層部分5,3を順次エッチング除去す
る。その結果、図16で示したように、絶縁基材2の表
面2aが露出し、また、それぞれ、上面にレジストマス
ク9が添着した状態で、導体回路部にすべき個所8a,
スルーホールランド部にすべき個所8b,端子部にすべ
き個所8cが形成される。
た平滑な両面のうち、導体回路部を形成すべき個所8
a,スルーホールランド部を形成すべき個所8b,端子
部を形成すべき個所8cのそれぞれに、レジストマスク
9をパターニングする(図15)。第5工程では、第4
工程で得られた積層板を銅エッチャントに浸漬し、レジ
ストマスク9がパターニングされている個所以外の個所
で露出している銅層部分5,3を順次エッチング除去す
る。その結果、図16で示したように、絶縁基材2の表
面2aが露出し、また、それぞれ、上面にレジストマス
ク9が添着した状態で、導体回路部にすべき個所8a,
スルーホールランド部にすべき個所8b,端子部にすべ
き個所8cが形成される。
【0022】この第5工程においては、銅箔3,3の厚
みのばらつきは所定の規格内にあり、また、銅箔3,3
の表面に形成されている化学銅層5の厚みは、前記した
ように、薄くかつ厚みのばらつきがほとんどないので、
エッチング処理は、従来のようにエッチングの過不足を
引き起こすことなく、回路設計時の設計基準を実現する
ことができる。すなわち、導体回路部にすべき個所8
a,スルーホールランド部にすべき個所8b,端子部に
すべき個所8cの寸法精度を高めることができ、これら
のファイン化が可能になる。
みのばらつきは所定の規格内にあり、また、銅箔3,3
の表面に形成されている化学銅層5の厚みは、前記した
ように、薄くかつ厚みのばらつきがほとんどないので、
エッチング処理は、従来のようにエッチングの過不足を
引き起こすことなく、回路設計時の設計基準を実現する
ことができる。すなわち、導体回路部にすべき個所8
a,スルーホールランド部にすべき個所8b,端子部に
すべき個所8cの寸法精度を高めることができ、これら
のファイン化が可能になる。
【0023】第6工程では、導体回路部にすべき個所8
a,スルーホールランド部にすべき個所8b,端子部に
すべき個所8cの各化学銅層の表面に添着しているレジ
ストマスク9をエッチング除去し、更に続けて、スルー
ホール内に充填されていたマスク材7をエッチング除去
する。その結果、図17で示したように、絶縁基材2の
両面には、導体回路部8a’,スルーホールランド部に
すべき個所8b,端子部にすべき個所8cがそれぞれ、
所定のパターンで露出する。
a,スルーホールランド部にすべき個所8b,端子部に
すべき個所8cの各化学銅層の表面に添着しているレジ
ストマスク9をエッチング除去し、更に続けて、スルー
ホール内に充填されていたマスク材7をエッチング除去
する。その結果、図17で示したように、絶縁基材2の
両面には、導体回路部8a’,スルーホールランド部に
すべき個所8b,端子部にすべき個所8cがそれぞれ、
所定のパターンで露出する。
【0024】ついで第7工程においては、スルーホール
ランド部にすべき個所8b,端子部にすべき個所8cを
除いた他の個所、すなわち、導体回路部8a’と絶縁基
材2の露出表面2aを被覆してソルダーレジスト10を
パターニングする。その結果、図18で示したように、
スルーホールランド部にすべき個所8b,端子部にすべ
き個所8c,および、スルーホール4の壁面のみが化学
銅層5で被覆されている回路板が得られる。
ランド部にすべき個所8b,端子部にすべき個所8cを
除いた他の個所、すなわち、導体回路部8a’と絶縁基
材2の露出表面2aを被覆してソルダーレジスト10を
パターニングする。その結果、図18で示したように、
スルーホールランド部にすべき個所8b,端子部にすべ
き個所8c,および、スルーホール4の壁面のみが化学
銅層5で被覆されている回路板が得られる。
【0025】第8工程は、上記したようにして形成され
たスルーホールランド部にすべき個所8b,端子部にす
べき個所8c、および、スルーホール4の壁面に、銅め
っき層,ニッケルめっき層,金めっき層を順次形成する
工程である。この場合、スルーホール4の壁面の導電性
が前記した第1の方法による化学銅層で確保されている
ときには、図19で示したように、この化学銅層5の上
に、直接、銅,ニッケル,金を用いた無電解めっきまた
は電解めっきが上記した順序で施される。通常は、電解
めっきであることが好ましい。
たスルーホールランド部にすべき個所8b,端子部にす
べき個所8c、および、スルーホール4の壁面に、銅め
っき層,ニッケルめっき層,金めっき層を順次形成する
工程である。この場合、スルーホール4の壁面の導電性
が前記した第1の方法による化学銅層で確保されている
ときには、図19で示したように、この化学銅層5の上
に、直接、銅,ニッケル,金を用いた無電解めっきまた
は電解めっきが上記した順序で施される。通常は、電解
めっきであることが好ましい。
【0026】その結果、スルーホールランド部にすべき
個所の化学銅層5の上、および端子部にすべき個所の化
学銅層5の上には、所定厚みの銅めっき層6’,ニッケ
ルめっき層11,金めっき層12がこの順序で形成され
てそれぞれスルーホールランド部8b’,端子部8c’
となり、目的とするプリント回路板が得られる(図1
9)。
個所の化学銅層5の上、および端子部にすべき個所の化
学銅層5の上には、所定厚みの銅めっき層6’,ニッケ
ルめっき層11,金めっき層12がこの順序で形成され
てそれぞれスルーホールランド部8b’,端子部8c’
となり、目的とするプリント回路板が得られる(図1
9)。
【0027】また、スルーホール壁面の導電性が第2工
程における前記第2の方法によって確保される場合も、
同じく、無電解めっきまたは電解めっきにより、壁面に
付着しているパラジウムの析出核の上に銅めっき層,ニ
ッケルめっき層,金めっき層を順次形成すればよい。な
お、このとき、無電解めっきで上記銅めっき層を形成す
る場合には、まず、第2工程で用いたキャタリストと対
をなすアクセレータで少なくともスルーホールの壁面を
処理することにより、その壁面に沈着しているパラジウ
ムの析出核を活性化したのち、無電解銅めっき浴に浸漬
して銅を析出させる。
程における前記第2の方法によって確保される場合も、
同じく、無電解めっきまたは電解めっきにより、壁面に
付着しているパラジウムの析出核の上に銅めっき層,ニ
ッケルめっき層,金めっき層を順次形成すればよい。な
お、このとき、無電解めっきで上記銅めっき層を形成す
る場合には、まず、第2工程で用いたキャタリストと対
をなすアクセレータで少なくともスルーホールの壁面を
処理することにより、その壁面に沈着しているパラジウ
ムの析出核を活性化したのち、無電解銅めっき浴に浸漬
して銅を析出させる。
【0028】更に、スルーホール壁面の導電性が第2工
程における第3の方法によって確保される場合には、無
電解めっきは適用でないので、電解めっきによって壁面
には銅めっき層6’を形成する。この第8工程におい
て、銅めっき層6’は、第7工程でソルダーレジスト1
0のパターニングによって形成された必要個所にのみ形
成されるので、それに要する銅量は、図4で示した従来
の銅めっき層6の形成に要する銅量に比べて大幅に節約
される。回路網の密度にもよるが、概ね、1/10程度
にまで銅資源を節約することができる。
程における第3の方法によって確保される場合には、無
電解めっきは適用でないので、電解めっきによって壁面
には銅めっき層6’を形成する。この第8工程におい
て、銅めっき層6’は、第7工程でソルダーレジスト1
0のパターニングによって形成された必要個所にのみ形
成されるので、それに要する銅量は、図4で示した従来
の銅めっき層6の形成に要する銅量に比べて大幅に節約
される。回路網の密度にもよるが、概ね、1/10程度
にまで銅資源を節約することができる。
【0029】また、第8工程は、銅めっき,ニッケルめ
っき,金めっきをこの順序で進めているので、これらを
めっきラインとして連続化することができる。その結
果、全体の生産ラインにおける効率は向上し、製造コス
トを従来に比べて大幅に低減することができる。
っき,金めっきをこの順序で進めているので、これらを
めっきラインとして連続化することができる。その結
果、全体の生産ラインにおける効率は向上し、製造コス
トを従来に比べて大幅に低減することができる。
【0030】
【実施例】実施例1 ガラス繊維−エポキシ樹脂の絶縁基材2の両面に厚み3
5μmの銅箔3,3が積層されている両面銅張積層板1
を用意し、両面を貫通する孔径0.8mmのスルーホール
4,4を電気ドリルで穿設した(図11,図12)。
5μmの銅箔3,3が積層されている両面銅張積層板1
を用意し、両面を貫通する孔径0.8mmのスルーホール
4,4を電気ドリルで穿設した(図11,図12)。
【0031】この両面銅張積層板1を、温度80℃のコ
ンディショナー1175(商品名、シップレー社製)に
浸漬して脱脂処理を施したのち充分に湯洗,水洗を行
い、ついで、HET−100(商品名、日立化成(株)
製)と精製硫酸の混合溶液(液温35℃)に浸漬したの
ち2回水洗し、更に硫酸水素ナトリウムと塩化ナトリウ
ムを含む溶液(室温)に浸漬した。
ンディショナー1175(商品名、シップレー社製)に
浸漬して脱脂処理を施したのち充分に湯洗,水洗を行
い、ついで、HET−100(商品名、日立化成(株)
製)と精製硫酸の混合溶液(液温35℃)に浸漬したの
ち2回水洗し、更に硫酸水素ナトリウムと塩化ナトリウ
ムを含む溶液(室温)に浸漬した。
【0032】上記した前処理終了後の両面銅張積層板
を、つぎに、キャタリスト(商品名、HS−202B、
日立化成(株)製)に温度30±5℃で5〜10分間浸
漬し、更にアクセレータ(商品名、ADP−501、日
立化成(株)製)に温度25±5℃で5〜10分間浸漬
したのち、無電解銅めっき浴(商品名、CUST−AB
C、日立化成(株)製)に温度25±5℃で20±5分
間浸漬して厚みが0.2〜0.3μmの化学銅層5を形成
し、スルーホール4における絶縁基材2の壁面にも導電
性を付与した(図13)。
を、つぎに、キャタリスト(商品名、HS−202B、
日立化成(株)製)に温度30±5℃で5〜10分間浸
漬し、更にアクセレータ(商品名、ADP−501、日
立化成(株)製)に温度25±5℃で5〜10分間浸漬
したのち、無電解銅めっき浴(商品名、CUST−AB
C、日立化成(株)製)に温度25±5℃で20±5分
間浸漬して厚みが0.2〜0.3μmの化学銅層5を形成
し、スルーホール4における絶縁基材2の壁面にも導電
性を付与した(図13)。
【0033】その後、スルーホール4,4にマスク材7
(商品名、SER−492YM、山栄化学社製)を充填
して穴埋めを行なったのち、を用いて表面研磨を行な
い、マスク材7の表面7aと化学銅層2の表面5aを同
一平面にした(図14)。ついで、導体回路部8a’,
スルーホールランド部8b,端子部8cがそれぞれ形成
されるべき個所を除いた化学銅層5の表面に、レジスト
マスク9(商品名、MT−UV−5107T6、三井東
圧化学(株)製)を厚み15〜20μmでパターニング
したのち、濃度135g/lの塩化第二銅水溶液をエッ
チャントにしてエッチング処理を行ない、露出している
化学銅層5、その下の銅箔3をエッチング除去し、所定
パターンの導体回路部にすべき個所8a,スルーホール
ランド部にすべき個所8b,端子部にすべき個所8cを
形成した(図15,図16)。
(商品名、SER−492YM、山栄化学社製)を充填
して穴埋めを行なったのち、を用いて表面研磨を行な
い、マスク材7の表面7aと化学銅層2の表面5aを同
一平面にした(図14)。ついで、導体回路部8a’,
スルーホールランド部8b,端子部8cがそれぞれ形成
されるべき個所を除いた化学銅層5の表面に、レジスト
マスク9(商品名、MT−UV−5107T6、三井東
圧化学(株)製)を厚み15〜20μmでパターニング
したのち、濃度135g/lの塩化第二銅水溶液をエッ
チャントにしてエッチング処理を行ない、露出している
化学銅層5、その下の銅箔3をエッチング除去し、所定
パターンの導体回路部にすべき個所8a,スルーホール
ランド部にすべき個所8b,端子部にすべき個所8cを
形成した(図15,図16)。
【0034】その後、全体を3.0%苛性ソーダ溶液に浸
漬して、残留しているレジストマスク9をエッチング除
去した(図17)。ついで、導体回路部8a’,絶縁基
材2の露出表面2aにのみソルダーレジスト(商品名、
UVR150GR−60、太陽インキ社製)を厚み15
〜17μmでパターニングした(図18)。
漬して、残留しているレジストマスク9をエッチング除
去した(図17)。ついで、導体回路部8a’,絶縁基
材2の露出表面2aにのみソルダーレジスト(商品名、
UVR150GR−60、太陽インキ社製)を厚み15
〜17μmでパターニングした(図18)。
【0035】最後に、全体を電解めっきラインに移送し
て、電解銅めっき,電解ニッケルめっき,電解金めっき
をこの順序で行なった。電解銅めっきは、組成、Cu:
70〜95g/l,H2 SO4 :190±10g/l,
Cl- :30〜60mg/lのめっき浴を用い、浴温25
±5℃,電流密度2〜3A/dm2 で40分間行なった。
て、電解銅めっき,電解ニッケルめっき,電解金めっき
をこの順序で行なった。電解銅めっきは、組成、Cu:
70〜95g/l,H2 SO4 :190±10g/l,
Cl- :30〜60mg/lのめっき浴を用い、浴温25
±5℃,電流密度2〜3A/dm2 で40分間行なった。
【0036】電解ニッケルめっきは、組成、硫酸ニッケ
ル:300〜350g/l,塩化ニッケル:45±15
g/l,ホウ酸:45±15g/lのめっき浴を用い、
浴温55±5℃,電流密度2〜3A/dm2 で6分間行な
った。更に電解金めっきは、組成、Auとして3.0〜4.
0g/l,pH3.8〜4.5,比重12〜15ボーメのめ
っき浴を用い、浴温40±2℃,電流密度0.35A/dm
2 で2分間行なった。
ル:300〜350g/l,塩化ニッケル:45±15
g/l,ホウ酸:45±15g/lのめっき浴を用い、
浴温55±5℃,電流密度2〜3A/dm2 で6分間行な
った。更に電解金めっきは、組成、Auとして3.0〜4.
0g/l,pH3.8〜4.5,比重12〜15ボーメのめ
っき浴を用い、浴温40±2℃,電流密度0.35A/dm
2 で2分間行なった。
【0037】その結果、スルーホールランド部にすべき
個所8b,端子部にすべき個所8cにおいて露出してい
る化学銅層5の上には、厚み10〜25μmの銅めっき
層6’,厚み2〜3μmのニッケルめっき層11,厚み
0.05〜0.2μmの金めっき層12が形成されてスルー
ホールランド部8b’,端子部8c’が形成された(図
19)。
個所8b,端子部にすべき個所8cにおいて露出してい
る化学銅層5の上には、厚み10〜25μmの銅めっき
層6’,厚み2〜3μmのニッケルめっき層11,厚み
0.05〜0.2μmの金めっき層12が形成されてスルー
ホールランド部8b’,端子部8c’が形成された(図
19)。
【0038】なお、比較のために、同じ両面銅張積層板
を用いて図1〜図10に示した従来方法によって、プリ
ント回路板を製造した。そして、図4における銅めっき
層6の形成に要する銅量と、図19における銅めっき層
6’の形成に要する銅量を比較したところ、前者10に
対し、後者の場合は1であった。すなわち、本発明方法
では、使用する銅資源を大幅に節約することができた。
を用いて図1〜図10に示した従来方法によって、プリ
ント回路板を製造した。そして、図4における銅めっき
層6の形成に要する銅量と、図19における銅めっき層
6’の形成に要する銅量を比較したところ、前者10に
対し、後者の場合は1であった。すなわち、本発明方法
では、使用する銅資源を大幅に節約することができた。
【0039】実施例2 実施例1において、キャタリストに浸漬したのち両面銅
張積層板を取り出し、ただちに、全体を2回水洗し、つ
づけて、120℃の恒温乾燥器に40分間放置した。す
なわち、この両面銅張積層板の表面には、実施例1の場
合のように、化学銅層5,5は形成されておらず、キャ
タリストのパラジウムが沈着しているのみである。
張積層板を取り出し、ただちに、全体を2回水洗し、つ
づけて、120℃の恒温乾燥器に40分間放置した。す
なわち、この両面銅張積層板の表面には、実施例1の場
合のように、化学銅層5,5は形成されておらず、キャ
タリストのパラジウムが沈着しているのみである。
【0040】ついで、乾燥器から取り出した両面銅張積
層板に対し、実施例1と同様にして、穴埋め,研磨,レ
ジストマスクのパターニング,エッチング処理,レジス
トマスクとマスク体の除去,ソルダーレジストの塗布を
行なった。その後、実施例1の場合と同様にして、電解
銅めっき,電解ニッケルめっき,電解銅めっきを順次行
なった。スルーホールランド部にすべき個所,端子部に
すべき個所およびスルーホールの壁面に、厚み10〜2
5μmの銅めっき層,厚み2〜3μmのニッケルめっき
層,厚み0.05〜0.2μmの金めっき層を形成すること
ができた。
層板に対し、実施例1と同様にして、穴埋め,研磨,レ
ジストマスクのパターニング,エッチング処理,レジス
トマスクとマスク体の除去,ソルダーレジストの塗布を
行なった。その後、実施例1の場合と同様にして、電解
銅めっき,電解ニッケルめっき,電解銅めっきを順次行
なった。スルーホールランド部にすべき個所,端子部に
すべき個所およびスルーホールの壁面に、厚み10〜2
5μmの銅めっき層,厚み2〜3μmのニッケルめっき
層,厚み0.05〜0.2μmの金めっき層を形成すること
ができた。
【0041】実施例3 実施例1と同様にして、まず、両面銅張積層板にスルー
ホールを穿設した。ついで、この積層板を、ブラッシド
DMA(商品名、日本エル・ピー・ダブリュー(株)
製)100g/lと精製硫酸10g/lとから成る混合
溶液(液温25℃)に2分間浸漬して表面をエッチング
し、2回水洗したのち、つぎに、プラソリットDMS2
/4パート(1)(商品名、日本エル・ピー・ダブリュ
ー(株)製)15ml/lとプラソリットDMS2/4パ
ート(2)(商品名、日本エル・ピー・ダブリュー
(株)製)30ml/lとの混合溶液(液温60℃)に5
分間浸漬して脱脂処理を行ない、2回水洗した。
ホールを穿設した。ついで、この積層板を、ブラッシド
DMA(商品名、日本エル・ピー・ダブリュー(株)
製)100g/lと精製硫酸10g/lとから成る混合
溶液(液温25℃)に2分間浸漬して表面をエッチング
し、2回水洗したのち、つぎに、プラソリットDMS2
/4パート(1)(商品名、日本エル・ピー・ダブリュ
ー(株)製)15ml/lとプラソリットDMS2/4パ
ート(2)(商品名、日本エル・ピー・ダブリュー
(株)製)30ml/lとの混合溶液(液温60℃)に5
分間浸漬して脱脂処理を行ない、2回水洗した。
【0042】ついで、濃度60g/lの過マンガン酸カ
リ溶液(液温90℃)に、上記脱脂処理後の積層板を3
分間浸漬して、スルーホールの壁面に露出しているガラ
ス繊維を溶解除去した。処理後の積層板を、つぎに、D
MS2(商品名、日本エル・ピー・ダブリュー(株)
製)の480ml/lの溶液(液温20℃)に1分間浸漬
したのち、ブラッシドDMA(商品名、日本エル・ピー
・ダブリュー(株)製)10g/lと精製硫酸180g
/lとの混合溶液(液温20℃)に1分間浸漬した。ス
ルーホール壁面のうち、絶縁機材の表面に黒色の皮膜が
形成された。
リ溶液(液温90℃)に、上記脱脂処理後の積層板を3
分間浸漬して、スルーホールの壁面に露出しているガラ
ス繊維を溶解除去した。処理後の積層板を、つぎに、D
MS2(商品名、日本エル・ピー・ダブリュー(株)
製)の480ml/lの溶液(液温20℃)に1分間浸漬
したのち、ブラッシドDMA(商品名、日本エル・ピー
・ダブリュー(株)製)10g/lと精製硫酸180g
/lとの混合溶液(液温20℃)に1分間浸漬した。ス
ルーホール壁面のうち、絶縁機材の表面に黒色の皮膜が
形成された。
【0043】ついで、実施例1と同様にして、穴埋め,
研磨,レジストマスクのパターニング,エッチング処
理,レジストマスクとマスク体の除去,ソルダーレジス
トの塗布を行なったのち、実施例1の場合と同様にし
て、電解銅めっき,電解ニッケルめっき,電解銅めっき
を順次行なった。スルーホールランド部にすべき個所,
端子部にすべき個所およびスルーホールの壁面に、厚み
10〜25μmの銅めっき層,厚み2〜3μmのニッケ
ルめっき層,厚み0.05〜0.2μmの金めっき層を形成
することができた。
研磨,レジストマスクのパターニング,エッチング処
理,レジストマスクとマスク体の除去,ソルダーレジス
トの塗布を行なったのち、実施例1の場合と同様にし
て、電解銅めっき,電解ニッケルめっき,電解銅めっき
を順次行なった。スルーホールランド部にすべき個所,
端子部にすべき個所およびスルーホールの壁面に、厚み
10〜25μmの銅めっき層,厚み2〜3μmのニッケ
ルめっき層,厚み0.05〜0.2μmの金めっき層を形成
することができた。
【0044】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明方
法においては、図4で示した従来の方法における銅めっ
き層6に相当する銅めっき層6’は、スルーホールラン
ド部と端子部にすべき個所8b,8cが所定のパターン
として形成されたのち、その表面にのみ形成される。
法においては、図4で示した従来の方法における銅めっ
き層6に相当する銅めっき層6’は、スルーホールラン
ド部と端子部にすべき個所8b,8cが所定のパターン
として形成されたのち、その表面にのみ形成される。
【0045】したがって、めっきに要する銅量は、図4
の場合に比べて大幅に減少、銅資源の節約に資する。ま
た、従来の銅めっき層6はその厚みのばらつきが大きい
ため、導体回路部等をエッチングによって形成するとき
にエッチングの過不足が起こりやすく、ファインパター
ンの回路網の形成は困難であるが、本発明方法において
は、規格内ばらつきの銅箔と極めて薄くかつ厚みばらつ
きのない化学銅層に対してエッチング処理を施すことに
より回路パターンを形成するので、エッチングの過不足
は起こりにくく、その結果、回路網のファイン化が可能
になる。
の場合に比べて大幅に減少、銅資源の節約に資する。ま
た、従来の銅めっき層6はその厚みのばらつきが大きい
ため、導体回路部等をエッチングによって形成するとき
にエッチングの過不足が起こりやすく、ファインパター
ンの回路網の形成は困難であるが、本発明方法において
は、規格内ばらつきの銅箔と極めて薄くかつ厚みばらつ
きのない化学銅層に対してエッチング処理を施すことに
より回路パターンを形成するので、エッチングの過不足
は起こりにくく、その結果、回路網のファイン化が可能
になる。
【0046】更には、めっき工程を全体工程の最後に集
中して配置しかつ連続化することができるので、生産ラ
インとしては極めて高効率となる。以上のことから、本
発明方法は、ファインパターンのプリント回路板を高い
生産性の下で、したがって安価に製造する方法としてそ
の工業的価値は極めて大である。
中して配置しかつ連続化することができるので、生産ラ
インとしては極めて高効率となる。以上のことから、本
発明方法は、ファインパターンのプリント回路板を高い
生産性の下で、したがって安価に製造する方法としてそ
の工業的価値は極めて大である。
【図1】両面銅張積層板を示す断面図である。
【図2】両面銅張積層板にスルーホールを穿設した状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図3】両面銅張積層板の両面とスルーホール壁面に化
学銅層を形成した状態を示す断面図である。
学銅層を形成した状態を示す断面図である。
【図4】図3の化学銅層の表面全体に銅めっき層を形成
した状態を示す断面図である。
した状態を示す断面図である。
【図5】図4のスルーホールにマスク材を充填して穴埋
めを行なった状態を示す断面図である。
めを行なった状態を示す断面図である。
【図6】導体回路部,スルーホールランド部,端子部を
それぞれ形成すべき個所にレジストマスクをパターニン
グした状態を示す断面図である。
それぞれ形成すべき個所にレジストマスクをパターニン
グした状態を示す断面図である。
【図7】露出銅層部分をエッチング除去した状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図8】レジストマスクとマスク材を除去した状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図9】スルーホールランド部にすべき個所と端子部に
すべき個所以外の個所にソルダーレジストをパターニン
グした状態を示す断面図である。
すべき個所以外の個所にソルダーレジストをパターニン
グした状態を示す断面図である。
【図10】スルーホールランド部にすべき個所と端子部
にすべき個所にニッケルめっき層と金めっき層を順次形
成してスルーホールランド部,端子部にした状態を示す
断面図である。
にすべき個所にニッケルめっき層と金めっき層を順次形
成してスルーホールランド部,端子部にした状態を示す
断面図である。
【図11】両面銅張積層板を示す断面図である。
【図12】両面銅張積層板にスルーホールを穿設した状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図13】両面銅張積層板の両面とスルーホール壁面に
化学銅層を形成した状態を示す断面図である。
化学銅層を形成した状態を示す断面図である。
【図14】図13のスルーホールにマスク材を充填して
穴埋めを行なった状態を示す断面図である。
穴埋めを行なった状態を示す断面図である。
【図15】導体回路部,スルーホールランド部,端子部
を形成すべき個所にレジストマスクをパターニングした
状態を示す断面図である。
を形成すべき個所にレジストマスクをパターニングした
状態を示す断面図である。
【図16】露出銅層部分をエッチング除去した状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図17】レジストマスクとマスク材を除去した状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図18】スルーホールランド部にすべき個所と端子部
にすべき個所以外の個所にソルダーレジストをパターニ
ングした状態を示す断面図である。
にすべき個所以外の個所にソルダーレジストをパターニ
ングした状態を示す断面図である。
【図19】スルーホールランド部にすべき個所と端子部
にすべき個所に銅めっき層,ニッケルめっき層と金めっ
き層を順次形成してスルーホールランド部,端子部にし
た状態を示す断面図である。
にすべき個所に銅めっき層,ニッケルめっき層と金めっ
き層を順次形成してスルーホールランド部,端子部にし
た状態を示す断面図である。
1 両面銅張積層板 2 絶縁基材 2a 絶縁基材2の露出表面 3 銅箔 4 スルーホール 5 化学銅層 6 銅めっき層 6a 銅めっき層6の表面 6’ 銅めっき層 7 マスク材 7a マスク材7の表面 8a 導体回路部を形成すべき個所 8a’導体回路部 8b スルーホールランド部を形成すべき個所 8b’スルーホールランド部 8c 端子部を形成すべき個所 8c’端子部 9 レジストマスク 10 ソルダーレジスト 11 ニッケルめっき層 12 金めっき層
Claims (4)
- 【請求項1】 両面銅張積層板の所定個所にスルーホー
ルを穿設する工程;少なくとも前記スルーホールの壁面
に導電性を付与する工程;前記スルーホールにマスク材
を充填したのち、前記両面銅張積層板の両面に研磨処理
を施す工程;前記研磨処理後の両面銅張積層板の表面の
うち、導体回路部,スルーホールランド部および端子部
をそれぞれ形成すべき個所にレジストマスクをパターニ
ングする工程;エッチング処理を施して表面に露出して
いる銅層部分をエッチング除去する工程;前記レジスト
マスクおよび前記マスク材を除去する工程;露出したス
ルーホールランド部を形成すべき個所および端子部を形
成すべき個所を除いた個所を被覆してソルダーレジスト
をパターニングする工程;ならびに、前記スルーホール
ランド部を形成すべき個所および前記端子部を形成すべ
き個所に、銅めっき,ニッケルめっき,および金めっき
を順次施す工程;を備えていることを特徴とするプリン
ト回路板の製造方法。 - 【請求項2】 前記導電性を付与する工程が、パラジウ
ムを析出核とするキャタリストとアクセレータと無電解
銅めっき浴を用いて化学銅を析出させる工程である請求
項1のプリント回路板の製造方法。 - 【請求項3】 前記導電性を付与する工程が、パラジウ
ムを析出核とするキャタリストに浸漬して前記パラジウ
ムを沈着させる工程である請求項1のプリント回路板の
製造方法。 - 【請求項4】 前記導電性を付与する工程が、有機物を
主体とする導電性皮膜を形成する工程である請求項1の
プリント回路板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4507093A JPH06260757A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | プリント回路板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4507093A JPH06260757A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | プリント回路板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260757A true JPH06260757A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12709089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4507093A Pending JPH06260757A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | プリント回路板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260757A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6739048B2 (en) * | 1998-01-08 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Process of fabricating a circuitized structure |
| US7030500B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-04-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Package substrate manufactured using electrolytic leadless plating process, and method for manufacturing the same |
| JP2012114400A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| CN108966478A (zh) * | 2017-05-17 | 2018-12-07 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 柔性电路板及其制作方法 |
| CN112449500A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 深南电路股份有限公司 | 一种电路板及其制造方法 |
-
1993
- 1993-03-05 JP JP4507093A patent/JPH06260757A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6739048B2 (en) * | 1998-01-08 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Process of fabricating a circuitized structure |
| US7030500B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-04-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Package substrate manufactured using electrolytic leadless plating process, and method for manufacturing the same |
| JP2012114400A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| CN108966478A (zh) * | 2017-05-17 | 2018-12-07 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 柔性电路板及其制作方法 |
| CN112449500A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 深南电路股份有限公司 | 一种电路板及其制造方法 |
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