JPH06263442A - ＡｇＩｎＳ２ 粉末およびＡｇＩｎＳ２ 膜の製造方法 - Google Patents
ＡｇＩｎＳ２ 粉末およびＡｇＩｎＳ２ 膜の製造方法Info
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- JPH06263442A JPH06263442A JP5079014A JP7901493A JPH06263442A JP H06263442 A JPH06263442 A JP H06263442A JP 5079014 A JP5079014 A JP 5079014A JP 7901493 A JP7901493 A JP 7901493A JP H06263442 A JPH06263442 A JP H06263442A
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- agins
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 太陽電池などの光電変換素子の材料として有
用なＡｇＩｎＳ2 の粉末および膜を生産性よく提供す
る。 【構成】 Ａｇ粉末またはＡｇ硫化物粉末と、Ｉｎ粉
末またはＩｎ硫化物粉末と、硫黄粉末とを混合し、得ら
れた混合物を熱処理してＡｇＩｎＳ2 粉末を製造する。 上記で得られたＡｇＩｎＳ2 粉末を溶剤と混合して
ペースト状にし、そのペースト状混合物を基板上に塗布
し、熱処理してＡｇＩｎＳ2 膜を製造する。
用なＡｇＩｎＳ2 の粉末および膜を生産性よく提供す
る。 【構成】 Ａｇ粉末またはＡｇ硫化物粉末と、Ｉｎ粉
末またはＩｎ硫化物粉末と、硫黄粉末とを混合し、得ら
れた混合物を熱処理してＡｇＩｎＳ2 粉末を製造する。 上記で得られたＡｇＩｎＳ2 粉末を溶剤と混合して
ペースト状にし、そのペースト状混合物を基板上に塗布
し、熱処理してＡｇＩｎＳ2 膜を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池に代表される
光電変換素子の材料として使用されるＡｇＩｎＳ2 （銀
インジウム硫化物）の粉末およびその膜の製造方法に関
する。
光電変換素子の材料として使用されるＡｇＩｎＳ2 （銀
インジウム硫化物）の粉末およびその膜の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光電変換素子に使用される半導体材料
は、一般にチョクラルスキー法や引上げ法などに代表さ
れる結晶成長法によって製造されてきた。
は、一般にチョクラルスキー法や引上げ法などに代表さ
れる結晶成長法によって製造されてきた。
【０００３】これは、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＡｇＩｎＳ2 な
どに代表されるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ属材料についても同様
であり、例えば“１９９２年秋季応用物理学会予稿集
ｐ．１１２５”によれば、何件かの固相結晶成長法の試
みが報じられている。
どに代表されるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ属材料についても同様
であり、例えば“１９９２年秋季応用物理学会予稿集
ｐ．１１２５”によれば、何件かの固相結晶成長法の試
みが報じられている。
【０００４】しかし、それらは、いずれも、結晶の成長
条件の抑制を厳密にしなければならなかったり、ワンバ
ッチで製造できる量が少なかったりで、実用化がむつか
しいという問題があった。
条件の抑制を厳密にしなければならなかったり、ワンバ
ッチで製造できる量が少なかったりで、実用化がむつか
しいという問題があった。
【０００５】また、特開昭６４−６４３６９号公報に
は、各成分粉末または化合物を機械的に混合することに
よってＣｕＩｎＳｅ2 粉末を得ることが報告されてい
る。しかし、それはＣｕＩｎＳｅ2 に限られていて、Ａ
ｇＩｎＳ2 についてはまったく触れられておらず、した
がって、ＡｇＩｎＳ2 については実用性に優れた製造方
法が確立されていない。
は、各成分粉末または化合物を機械的に混合することに
よってＣｕＩｎＳｅ2 粉末を得ることが報告されてい
る。しかし、それはＣｕＩｎＳｅ2 に限られていて、Ａ
ｇＩｎＳ2 についてはまったく触れられておらず、した
がって、ＡｇＩｎＳ2 については実用性に優れた製造方
法が確立されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のＡｇ
ＩｎＳ2 の製造方法における問題点を解決し、生産性の
優れたＡｇＩｎＳ2 粉末およびＡｇＩｎＳ2 膜の製造方
法を提供することを目的とする。
ＩｎＳ2 の製造方法における問題点を解決し、生産性の
優れたＡｇＩｎＳ2 粉末およびＡｇＩｎＳ2 膜の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ａｇ（銀）粉
末またはＡｇ硫化物粉末と、Ｉｎ（インジウム）粉末ま
たはＩｎ硫化物粉末と、硫黄粉末とを混合し、得られた
混合物を熱処理することによってＡｇＩｎＳ2 粉末を製
造し、また得られたＡｇＩｎＳ2 粉末を溶剤と混合して
ペースト状にし、そのペースト状混合物を基板上に塗布
し、熱処理することによってＡｇＩｎＳ2 膜を製造する
ことにより、上記目的を達成したものである。
末またはＡｇ硫化物粉末と、Ｉｎ（インジウム）粉末ま
たはＩｎ硫化物粉末と、硫黄粉末とを混合し、得られた
混合物を熱処理することによってＡｇＩｎＳ2 粉末を製
造し、また得られたＡｇＩｎＳ2 粉末を溶剤と混合して
ペースト状にし、そのペースト状混合物を基板上に塗布
し、熱処理することによってＡｇＩｎＳ2 膜を製造する
ことにより、上記目的を達成したものである。
【０００８】上記製造方法を詳細に説明すると、ＡｇＩ
ｎＳ2 粉末の製造にあたっては、まず、各成分を製造し
たいＡｇＩｎＳ2 の組成と同一組成になるように秤量
し、それらを混合する。その際の混合方法としては、あ
る程度のエネルギーを有する方法でないと充分に均一な
混合が行なわれず、熱処理による合成が円滑に進行しな
くなるので、ボールミルやサンドミルなどの機械的な混
合方法を採用することが好ましい。
ｎＳ2 粉末の製造にあたっては、まず、各成分を製造し
たいＡｇＩｎＳ2 の組成と同一組成になるように秤量
し、それらを混合する。その際の混合方法としては、あ
る程度のエネルギーを有する方法でないと充分に均一な
混合が行なわれず、熱処理による合成が円滑に進行しな
くなるので、ボールミルやサンドミルなどの機械的な混
合方法を採用することが好ましい。
【０００９】混合時の回転速度を一定にすると、混合時
間に伴って混合物の粒径は小さくなるので、混合時間は
長いほどよいが、通常は５０〜２００時間程度が採用さ
れる。
間に伴って混合物の粒径は小さくなるので、混合時間は
長いほどよいが、通常は５０〜２００時間程度が採用さ
れる。
【００１０】混合直後の粉末はＡｇＩｎＳ2 以外にＡｇ
Ｉｎ5 Ｓ8 が生成していたり、Ｉｎ硫化物が残存してい
ることがあるが、それらは次の熱処理によって消滅す
る。
Ｉｎ5 Ｓ8 が生成していたり、Ｉｎ硫化物が残存してい
ることがあるが、それらは次の熱処理によって消滅す
る。
【００１１】熱処理時の温度は高温になるほどＡｇＩｎ
Ｓ2 の合成に好適となり、７００℃以上ではＸ線回折に
よってもＡｇ硫化物、Ｉｎ硫化物、ＡｇＩｎ5 Ｓ8 など
がまったく観察されなくなり、通常７００〜８５０℃程
度の温度で熱処理される。また、熱処理時間は熱処理温
度にもよるが１〜１０時間程度が好ましい。
Ｓ2 の合成に好適となり、７００℃以上ではＸ線回折に
よってもＡｇ硫化物、Ｉｎ硫化物、ＡｇＩｎ5 Ｓ8 など
がまったく観察されなくなり、通常７００〜８５０℃程
度の温度で熱処理される。また、熱処理時間は熱処理温
度にもよるが１〜１０時間程度が好ましい。
【００１２】そして、この熱処理は、ＡｇＩｎＳ2 やそ
の原料成分の酸化を防止するために、例えばＮ2 （窒
素）雰囲気、Ｈ2 （水素）雰囲気、あるいはＡｒ（アル
ゴン）雰囲気などの不活性ガス雰囲気など、酸素を含ま
ない雰囲気中で行なうのが好ましい。
の原料成分の酸化を防止するために、例えばＮ2 （窒
素）雰囲気、Ｈ2 （水素）雰囲気、あるいはＡｒ（アル
ゴン）雰囲気などの不活性ガス雰囲気など、酸素を含ま
ない雰囲気中で行なうのが好ましい。
【００１３】ＡｇＩｎＳ2 の製造にあたり、Ａｇ（銀）
成分としてはＡｇ粉末またはＡｇ硫化物粉末が用いられ
るが、そのＡｇ硫化物としては例えばＡｇ2 Ｓなどが挙
げられる。また、Ｉｎ（インジウム）成分としてはＩｎ
粉末またはＩｎ硫化物粉末が用いられるが、そのＩｎ硫
化物としては例えばＩｎＳ、Ｉｎ2 Ｓ3 などが挙げられ
る。
成分としてはＡｇ粉末またはＡｇ硫化物粉末が用いられ
るが、そのＡｇ硫化物としては例えばＡｇ2 Ｓなどが挙
げられる。また、Ｉｎ（インジウム）成分としてはＩｎ
粉末またはＩｎ硫化物粉末が用いられるが、そのＩｎ硫
化物としては例えばＩｎＳ、Ｉｎ2 Ｓ3 などが挙げられ
る。
【００１４】Ａｇ粉末またはＡｇ硫化物粉末と、Ｉｎ粉
末またはＩｎ硫化物粉末と、硫黄粉末との混合割合は、
化学量論的にＡｇＩｎＳ2 になるのが最も適正である
が、１０％程度ずれてもよい。
末またはＩｎ硫化物粉末と、硫黄粉末との混合割合は、
化学量論的にＡｇＩｎＳ2 になるのが最も適正である
が、１０％程度ずれてもよい。
【００１５】上記のようにして得られたＡｇＩｎＳ2 粉
末を用いてのＡｇＩｎＳ2 膜の製造は、上記ＡｇＩｎＳ
2 粉末に適当な溶剤、例えばプロピレングリコールなど
を加えて混合してペースト状にし、そのペースト状混合
物を例えばガラス板、Ａｌ2Ｏ3 セラミックスなどに代
表されるように７００℃以上で成分がＡｇＩｎＳ2 に拡
散しない基板上にスクリーン印刷法などにより塗布し、
熱処理することによって行なわれる。そして、基板上に
形成されたＡｇＩｎＳ2 は基板から剥がして使用に供し
てもよいし、また基板上に形成した状態でその基板と共
に使用に供してもよい。
末を用いてのＡｇＩｎＳ2 膜の製造は、上記ＡｇＩｎＳ
2 粉末に適当な溶剤、例えばプロピレングリコールなど
を加えて混合してペースト状にし、そのペースト状混合
物を例えばガラス板、Ａｌ2Ｏ3 セラミックスなどに代
表されるように７００℃以上で成分がＡｇＩｎＳ2 に拡
散しない基板上にスクリーン印刷法などにより塗布し、
熱処理することによって行なわれる。そして、基板上に
形成されたＡｇＩｎＳ2 は基板から剥がして使用に供し
てもよいし、また基板上に形成した状態でその基板と共
に使用に供してもよい。
【００１６】上記溶剤との混合にあたってＡｇＩｎＳ2
粉末は、粒径が小さいほどペースト状混合物の塗布性が
良好になり、平均粒径５μｍ以下になると平滑な塗布膜
が得られるようになる。
粉末は、粒径が小さいほどペースト状混合物の塗布性が
良好になり、平均粒径５μｍ以下になると平滑な塗布膜
が得られるようになる。
【００１７】塗布後の熱処理は、ＡｇＩｎＳ2 と基板と
の密着性を高めたり、ＡｇＩｎＳ2を焼結させて膜強度
を高めるためのものであるが、この塗布後の熱処理温度
がＡｇＩｎＳ2 粉末製造時の熱処理温度より高い場合は
ＡｇＩｎＳ2 が結晶成長して粒子形状が大きく変化し膜
内応力が大きくなって膜剥がれが生じるようになるた
め、塗布後の熱処理温度はＡｇＩｎＳ2 粉末の製造時の
熱処理温度以下、つまりＡｇＩｎＳ2 粉末製造時の熱処
理温度と同温かまたはそれより低い温度であることが必
要である。
の密着性を高めたり、ＡｇＩｎＳ2を焼結させて膜強度
を高めるためのものであるが、この塗布後の熱処理温度
がＡｇＩｎＳ2 粉末製造時の熱処理温度より高い場合は
ＡｇＩｎＳ2 が結晶成長して粒子形状が大きく変化し膜
内応力が大きくなって膜剥がれが生じるようになるた
め、塗布後の熱処理温度はＡｇＩｎＳ2 粉末の製造時の
熱処理温度以下、つまりＡｇＩｎＳ2 粉末製造時の熱処
理温度と同温かまたはそれより低い温度であることが必
要である。
【００１８】この塗布後の熱処理温度、つまりＡｇＩｎ
Ｓ2 膜製造時の熱処理温度は７００℃以上であることが
好ましく、また基板が熱に耐え、かつＡｇＩｎＳ2 粉末
製造時の熱処理温度以下であることが必要である。そし
て、この際の熱処理時間としては１〜１０時間が好まし
い。
Ｓ2 膜製造時の熱処理温度は７００℃以上であることが
好ましく、また基板が熱に耐え、かつＡｇＩｎＳ2 粉末
製造時の熱処理温度以下であることが必要である。そし
て、この際の熱処理時間としては１〜１０時間が好まし
い。
【００１９】上記したようなＡｇＩｎＳ2 粉末やＡｇＩ
ｎＳ2 膜の製造方法によれば、混合に用いるミル（混合
装置）や熱処理装置は容易に大型化でき、またＡｇＩｎ
Ｓ2膜の形成にあたってのスクリーン印刷などが固相結
晶成長法による場合のスパッタリングなどの乾式膜形成
方法とは異なり設備が簡単で、生産性に富んでいるの
で、その結果として、安価なＡｇＩｎＳ2 粉末やＡｇＩ
ｎＳ2 膜を提供することができる。
ｎＳ2 膜の製造方法によれば、混合に用いるミル（混合
装置）や熱処理装置は容易に大型化でき、またＡｇＩｎ
Ｓ2膜の形成にあたってのスクリーン印刷などが固相結
晶成長法による場合のスパッタリングなどの乾式膜形成
方法とは異なり設備が簡単で、生産性に富んでいるの
で、その結果として、安価なＡｇＩｎＳ2 粉末やＡｇＩ
ｎＳ2 膜を提供することができる。
【００２０】上記のようにして得られたＡｇＩｎＳ2 粉
末やＡｇＩｎＳ2 膜は、主として光電変換素子の材料と
して用いられるが、同じ３元系のＣｕＩｎＳ2 などに比
べると融点が８７０℃と低いため（ＣｕＩｎＳ2 は１０
９０℃）、低温で加工しやすいというメリットがある。
末やＡｇＩｎＳ2 膜は、主として光電変換素子の材料と
して用いられるが、同じ３元系のＣｕＩｎＳ2 などに比
べると融点が８７０℃と低いため（ＣｕＩｎＳ2 は１０
９０℃）、低温で加工しやすいというメリットがある。
【００２１】また、現在盛んに研究されているｐ型Ｃｕ
ＩｎＳｅ2 との積層として太陽電池を形成する場合、Ｃ
ｕＩｎＳ2 がｐ型、ｎ型のコントロールがむつかしいの
に対して、ＡｇＩｎＳ2 は良好なｎ型を示すというメリ
ットがあり、またバンドキャップの点からもＣｕＩｎＳ
ｅ2 の１．１ｅＶと最も高効率が期待される１．７〜
１．９ｅＶのバンドキャップ（ＡｇＩｎＳ2 は１．９ｅ
Ｖ）を有しており、同じＡｇ系のＡｇＩｎＳｅ2 （１．
２ｅＶ）、ＡｇＧａＳ2 （２．８ｅＶ）に比べても有利
である。
ＩｎＳｅ2 との積層として太陽電池を形成する場合、Ｃ
ｕＩｎＳ2 がｐ型、ｎ型のコントロールがむつかしいの
に対して、ＡｇＩｎＳ2 は良好なｎ型を示すというメリ
ットがあり、またバンドキャップの点からもＣｕＩｎＳ
ｅ2 の１．１ｅＶと最も高効率が期待される１．７〜
１．９ｅＶのバンドキャップ（ＡｇＩｎＳ2 は１．９ｅ
Ｖ）を有しており、同じＡｇ系のＡｇＩｎＳｅ2 （１．
２ｅＶ）、ＡｇＧａＳ2 （２．８ｅＶ）に比べても有利
である。
【００２２】
【実施例】つぎに、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明する。ただし、本発明はそれらの実施例のみに限
定されるものではない。
に説明する。ただし、本発明はそれらの実施例のみに限
定されるものではない。
【００２３】実施例１ Ａｇ粉末、Ｉｎ粉末、硫黄粉末をそれぞれ０．０５ｍｏ
ｌ、０．０５ｍｏｌ、０．１ｍｏｌ用意し、それらをボ
ールミル容器に仕込み、該容器をボールミルにセットし
た。１００時間混合後、ミルから取り出し、得られた混
合物粉末を乳鉢で軽く粉砕した後、７５０℃に設定した
Ｎ2 雰囲気中で２時間熱処理し、熱処理後、乳鉢で再度
粉砕してＡｇＩｎＳ2 粉末を得た。
ｌ、０．０５ｍｏｌ、０．１ｍｏｌ用意し、それらをボ
ールミル容器に仕込み、該容器をボールミルにセットし
た。１００時間混合後、ミルから取り出し、得られた混
合物粉末を乳鉢で軽く粉砕した後、７５０℃に設定した
Ｎ2 雰囲気中で２時間熱処理し、熱処理後、乳鉢で再度
粉砕してＡｇＩｎＳ2 粉末を得た。
【００２４】上記のようにして得られたＡｇＩｎＳ2 粉
末を１ｇ秤量し、それを４００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でコ
ールドプレスし、直径８ｍｍ、厚さ１ｍｍのＡｇＩｎＳ
2 ペレットを得た。
末を１ｇ秤量し、それを４００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でコ
ールドプレスし、直径８ｍｍ、厚さ１ｍｍのＡｇＩｎＳ
2 ペレットを得た。
【００２５】このＡｇＩｎＳ2 ペレットの一方の面に溶
融したＩｎ−Ｇａ（重量比１：１）合金を塗布し、Ａｇ
ペーストでニッケル線を固定し、最後に他面側からガラ
ス基板にエポキシ樹脂で固定した。
融したＩｎ−Ｇａ（重量比１：１）合金を塗布し、Ａｇ
ペーストでニッケル線を固定し、最後に他面側からガラ
ス基板にエポキシ樹脂で固定した。
【００２６】このようにして得られた半導体電極を用
い、対極には白金板を用い、電解液には０．０５ｍｏｌ
／ｌの水酸化カリウム水溶液を用いてセルを作製した。
い、対極には白金板を用い、電解液には０．０５ｍｏｌ
／ｌの水酸化カリウム水溶液を用いてセルを作製した。
【００２７】光源には３００Ｗキセノンランプを用い、
上記セルに光照射し、その照射時の電流と電圧を測定し
た。その結果を非照射時に測定した電流値および電圧値
と併せて図１に示す。
上記セルに光照射し、その照射時の電流と電圧を測定し
た。その結果を非照射時に測定した電流値および電圧値
と併せて図１に示す。
【００２８】図１において、「光オン」とは光照射時を
示し、「光オフ」とは非照射時を示すが、この図１に示
すように、＋側の同電圧で比較したときの光照射時（光
オン）の電流値は非照射時（光オフ）の電流値より大き
く、得られたＡｇＩｎＳ2 粉末を用いて作製した半導体
電極から光電流が取り出せることが判明した。
示し、「光オフ」とは非照射時を示すが、この図１に示
すように、＋側の同電圧で比較したときの光照射時（光
オン）の電流値は非照射時（光オフ）の電流値より大き
く、得られたＡｇＩｎＳ2 粉末を用いて作製した半導体
電極から光電流が取り出せることが判明した。
【００２９】なお、得られたＡｇＩｎＳ2 の結晶性はＸ
線回折で調べたところ（１２１）主配向の斜方晶であっ
た。
線回折で調べたところ（１２１）主配向の斜方晶であっ
た。
【００３０】実施例２ Ａｇ粉末、Ｉｎ粉末、硫黄粉末をそれぞれ０．０５ｍｏ
ｌ、０．０５ｍｏｌ、０．１ｍｏｌ用意し、それらをボ
ールミル容器に仕込み、該容器をボールミルにセットし
た。１００時間混合後、ミルから取り出し、得られた混
合物粉末を乳鉢で軽く粉砕した後、８００℃に設定した
Ｎ2 雰囲気中で２時間熱処理し、熱処理後、乳鉢で再度
粉砕してＡｇＩｎＳ2 粉末を得た。
ｌ、０．０５ｍｏｌ、０．１ｍｏｌ用意し、それらをボ
ールミル容器に仕込み、該容器をボールミルにセットし
た。１００時間混合後、ミルから取り出し、得られた混
合物粉末を乳鉢で軽く粉砕した後、８００℃に設定した
Ｎ2 雰囲気中で２時間熱処理し、熱処理後、乳鉢で再度
粉砕してＡｇＩｎＳ2 粉末を得た。
【００３１】得られたＡｇＩｎＳ2 粉末の粒径を測定し
たところ平均粒径４μｍであった。このＡｇＩｎＳ2 粉
末を４ｇ秤量し、これにポリプロピレングリコールを
０．８ｍｌ添加し、充分に混合してペースト状にした。
得られたペースト混合物をスクリーン印刷法によってガ
ラス基板〔Ｃｏｒｎｉｎｇ７０５９（商品名）ガラス〕
上に塗布した。
たところ平均粒径４μｍであった。このＡｇＩｎＳ2 粉
末を４ｇ秤量し、これにポリプロピレングリコールを
０．８ｍｌ添加し、充分に混合してペースト状にした。
得られたペースト混合物をスクリーン印刷法によってガ
ラス基板〔Ｃｏｒｎｉｎｇ７０５９（商品名）ガラス〕
上に塗布した。
【００３２】塗布膜を焼結させるため、８００℃に設定
したＮ2 雰囲気中で２時間熱処理した。熱処理温度はＡ
ｇＩｎＳ2 の結晶性とガラス基板との密着性を考慮して
決定されるが、本実施例のようにガラス基板としてＣｏ
ｒｎｉｎｇ７０５９（商品名）ガラスを用いた場合には
８００℃が最適であった。
したＮ2 雰囲気中で２時間熱処理した。熱処理温度はＡ
ｇＩｎＳ2 の結晶性とガラス基板との密着性を考慮して
決定されるが、本実施例のようにガラス基板としてＣｏ
ｒｎｉｎｇ７０５９（商品名）ガラスを用いた場合には
８００℃が最適であった。
【００３３】ＡｇＩｎＳ2 膜の製造にあたって使用した
ＡｇＩｎＳ2 粉末の結晶構造は（１２１）主配向の斜方
晶であったが、ＡｇＩｎＳ2 膜におけるＡｇＩｎＳ2 の
結晶構造は膜製造時の熱処理によって（１１２）主配向
の正方晶（カルコパイライト構造）に変化していた。
ＡｇＩｎＳ2 粉末の結晶構造は（１２１）主配向の斜方
晶であったが、ＡｇＩｎＳ2 膜におけるＡｇＩｎＳ2 の
結晶構造は膜製造時の熱処理によって（１１２）主配向
の正方晶（カルコパイライト構造）に変化していた。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、Ａｇ
粉末またはＡｇ硫化物粉末と、Ｉｎ粉末またはＩｇ硫化
物粉末と、硫黄粉末を混合し、得られた混合物を熱処理
することによって、ＡｇＩｎＳ2 粉末を容易に製造する
ことができるようになった。
粉末またはＡｇ硫化物粉末と、Ｉｎ粉末またはＩｇ硫化
物粉末と、硫黄粉末を混合し、得られた混合物を熱処理
することによって、ＡｇＩｎＳ2 粉末を容易に製造する
ことができるようになった。
【００３５】このような本発明の方法によれば、従来の
固相結晶成長法に比べて生産性が優れており、太陽電池
などの光電変換素子用の材料として有望なＡｇＩｎＳ2
粉末を安価に提供することができるようになった。
固相結晶成長法に比べて生産性が優れており、太陽電池
などの光電変換素子用の材料として有望なＡｇＩｎＳ2
粉末を安価に提供することができるようになった。
【００３６】また、上記ＡｇＩｎＳ2 粉末を用いて製造
したＡｇＩｎＳ2 膜を光電変換素子に用いることによ
り、太陽電池の最も重要課題である低コストが可能にな
る。
したＡｇＩｎＳ2 膜を光電変換素子に用いることによ
り、太陽電池の最も重要課題である低コストが可能にな
る。
【図１】ＡｇＩｎＳ2 ペレットを用いた半導体電極と、
白金板からなる対極を備え、電解液として０．０５ｍｏ
ｌ／ｌの水酸化カリウム水溶液を用いたセルの電流−電
圧特性を示す図である。
白金板からなる対極を備え、電解液として０．０５ｍｏ
ｌ／ｌの水酸化カリウム水溶液を用いたセルの電流−電
圧特性を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項１】 Ａｇ粉末またはＡｇ硫化物粉末と、Ｉｎ
粉末またはＩｎ硫化物粉末と、硫黄粉末とを混合し、得
られた混合物を熱処理することを特徴とするＡｇＩｎＳ
2 粉末の製造方法。 - 【請求項２】 混合をボールミルやサンドミルなどの機
械的混合によって行なうことを特徴とする請求項１記載
のＡｇＩｎＳ2 粉末の製造方法。 - 【請求項３】 熱処理を酸素を含まない雰囲気中で行な
うことを特徴とする請求項１記載のＡｇＩｎＳ2 粉末の
製造方法。 - 【請求項４】 熱処理を７００℃以上で行なうことを特
徴とする請求項１記載のＡｇＩｎＳ2 粉末の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載のＡｇＩｎＳ2 粉末を溶剤
と混合してペースト状にし、そのペースト状混合物を基
板上に塗布し、熱処理することを特徴とするＡｇＩｎＳ
2 膜の製造方法。 - 【請求項６】 溶剤がプロピレングリコールであること
を特徴とする請求項５記載のＡｇＩｎＳ2 膜の製造方
法。 - 【請求項７】 ＡｇＩｎＳ2 膜製造時の熱処理温度がＡ
ｇＩｎＳ2 粉末製造時の熱処理温度以下であることを特
徴とする請求項５記載のＡｇＩｎＳ2 膜の製造方法。 - 【請求項８】 溶剤と混合するＡｇＩｎＳ2 粉末の平均
粒径が５μｍ以下であることを特徴とする請求項５記載
のＡｇＩｎＳ2 膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5079014A JPH06263442A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ＡｇＩｎＳ２ 粉末およびＡｇＩｎＳ２ 膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5079014A JPH06263442A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ＡｇＩｎＳ２ 粉末およびＡｇＩｎＳ２ 膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06263442A true JPH06263442A (ja) | 1994-09-20 |
Family
ID=13678097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5079014A Withdrawn JPH06263442A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ＡｇＩｎＳ２ 粉末およびＡｇＩｎＳ２ 膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06263442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852657B2 (en) | 2001-08-22 | 2005-02-08 | Schott Glas | Optical colored glasses |
| US7960306B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-06-14 | Industrial Technology Research Institute | Photo-energy transformation catalysts and methods for fabricating the same |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP5079014A patent/JPH06263442A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852657B2 (en) | 2001-08-22 | 2005-02-08 | Schott Glas | Optical colored glasses |
| US7960306B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-06-14 | Industrial Technology Research Institute | Photo-energy transformation catalysts and methods for fabricating the same |
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