JPH11284209A - カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽電池の製造方法 - Google Patents
カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽電池の製造方法Info
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- JPH11284209A JPH11284209A JP10082084A JP8208498A JPH11284209A JP H11284209 A JPH11284209 A JP H11284209A JP 10082084 A JP10082084 A JP 10082084A JP 8208498 A JP8208498 A JP 8208498A JP H11284209 A JPH11284209 A JP H11284209A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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-
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- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 平面方向の組成の均一性がよく且つ表面粗度
が小さいカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を再現
性よく低コストで製造するための方法及びそれを有する
エネルギー変換効率の向上させた太陽電池の製造方法を
提供する。 【解決手段】 基板の上にＩｎの酸化物膜、Ｇａの酸化
物膜及び金属Ｃｕ膜を成膜して積層膜を形成し、この積
層膜をセレン雰囲気中において例えば４００〜５５０℃
に加熱してカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を製
造する。前記Ｉｎの酸化物は、例えば、Ｉｎ2Ｏ3であ
り、そして、Ｇａの酸化物は、例えば、Ｇａ 2Ｏ3であ
る。前記Ｉｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び金属Ｃｕ
膜は、好適には、スパッタリングにより成膜される。前
記セレン雰囲気は、セレン単体の加熱によってセレン蒸
発を発生させることによりつくられる。前記基板は、例
えば、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ及びＴｉから選ばれる少な
くとも１種の金属により構成される単一膜又は積層膜を
表面に有するソーダライムガラス板である。
が小さいカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を再現
性よく低コストで製造するための方法及びそれを有する
エネルギー変換効率の向上させた太陽電池の製造方法を
提供する。 【解決手段】 基板の上にＩｎの酸化物膜、Ｇａの酸化
物膜及び金属Ｃｕ膜を成膜して積層膜を形成し、この積
層膜をセレン雰囲気中において例えば４００〜５５０℃
に加熱してカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を製
造する。前記Ｉｎの酸化物は、例えば、Ｉｎ2Ｏ3であ
り、そして、Ｇａの酸化物は、例えば、Ｇａ 2Ｏ3であ
る。前記Ｉｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び金属Ｃｕ
膜は、好適には、スパッタリングにより成膜される。前
記セレン雰囲気は、セレン単体の加熱によってセレン蒸
発を発生させることによりつくられる。前記基板は、例
えば、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ及びＴｉから選ばれる少な
くとも１種の金属により構成される単一膜又は積層膜を
表面に有するソーダライムガラス板である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カルコパイライト
構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽
電池の製造方法に関する。
構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽
電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】周期律表のＩｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素
及びＶＩｂ族元素からなる化合物半導体薄膜は、カルコ
パイライト構造を有する化合物半導体薄膜として斯界で
知られている。このような化合物半導体薄膜は、例え
ば、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ 2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａ
x）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-x
Ｇａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 等の化合物で構成されてい
る。これらの化合物により構成される化合物半導体薄膜
は、ＣＩＳ系化合物半導体薄膜とよばれ、薄膜太陽電池
の光吸収層として用いられている。
及びＶＩｂ族元素からなる化合物半導体薄膜は、カルコ
パイライト構造を有する化合物半導体薄膜として斯界で
知られている。このような化合物半導体薄膜は、例え
ば、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ 2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａ
x）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-x
Ｇａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 等の化合物で構成されてい
る。これらの化合物により構成される化合物半導体薄膜
は、ＣＩＳ系化合物半導体薄膜とよばれ、薄膜太陽電池
の光吸収層として用いられている。
【０００３】このようなＣＩＳ系化合物半導体薄膜の製
造方法（以下、「従来技術Ａ」という）は、特開平１−
２３１３１３号公報に開示されている。図２は、このよ
うな従来のＣＩＳ系化合物半導体薄膜の断面説明図であ
る。図２に示されているように、Ｍｏ膜１２を表面に有
する基板１１の上に、マグネトロンスパッタリングによ
り、まず、Ｃｕ膜１３を蒸着し、続いて、Ｉｎ膜１４を
蒸着する。かかるマグネトロンスパッタリングにより、
Ｃｕ膜１３及びＩｎ膜１４は、瞬時に合金化又は混合を
生じるので、Ｃｕ及びＩｎの複合膜が形成されることと
なる。次に、この複合膜上にＳｅ膜１５を熱蒸着法によ
り蒸着し、得られた積層膜を水素含有ガスの存在下に加
熱して、ｐ型のＣｕＩｎＳｅ2 １６膜とする。
造方法（以下、「従来技術Ａ」という）は、特開平１−
２３１３１３号公報に開示されている。図２は、このよ
うな従来のＣＩＳ系化合物半導体薄膜の断面説明図であ
る。図２に示されているように、Ｍｏ膜１２を表面に有
する基板１１の上に、マグネトロンスパッタリングによ
り、まず、Ｃｕ膜１３を蒸着し、続いて、Ｉｎ膜１４を
蒸着する。かかるマグネトロンスパッタリングにより、
Ｃｕ膜１３及びＩｎ膜１４は、瞬時に合金化又は混合を
生じるので、Ｃｕ及びＩｎの複合膜が形成されることと
なる。次に、この複合膜上にＳｅ膜１５を熱蒸着法によ
り蒸着し、得られた積層膜を水素含有ガスの存在下に加
熱して、ｐ型のＣｕＩｎＳｅ2 １６膜とする。
【０００４】ＣｕＩｎＳｅ2 よりなる半導体は、バンド
ギャップエネルギーが１．０４ｅＶと低いために、Ｇａ
を添加することにより、バンドギャップエネルギーを太
陽電池として最適な１．４〜１．５０ｅＶまで大きくす
る試みがなされている。例えば、１９９４年１２月５〜
９日に開催された1st WCPEC でMiguel A. Contrerasら
が発表した“HIGH EFFICIENCY Cu(In,Ga)Se2 -BASED SO
LAR CELLS:PROCESSINGOF NOVEL ABSORBER STRUCTURER
S”の第６８〜７５頁には、基板に近い方でバンドギャ
ップエネルギーが大きく、且つ、ｎ型半導体と接触する
ことになる表面付近でバンドギャップエネルギーが小さ
くなるような、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2よりなるカル
コパイライト構造化合物半導体薄膜とするために、該カ
ルコパイライト構造化合物半導体薄膜に含有されるＧａ
及びＩｎの組成を変化させることが示されている。この
ようなバンドギャップ構造は、グレーデッドバンドギャ
ップ構造といわれ、バンド構造の伝導体に傾斜をつける
ことによりキャリヤの再結合を少なくし、電流を有効に
取り出そうと試みるものである。
ギャップエネルギーが１．０４ｅＶと低いために、Ｇａ
を添加することにより、バンドギャップエネルギーを太
陽電池として最適な１．４〜１．５０ｅＶまで大きくす
る試みがなされている。例えば、１９９４年１２月５〜
９日に開催された1st WCPEC でMiguel A. Contrerasら
が発表した“HIGH EFFICIENCY Cu(In,Ga)Se2 -BASED SO
LAR CELLS:PROCESSINGOF NOVEL ABSORBER STRUCTURER
S”の第６８〜７５頁には、基板に近い方でバンドギャ
ップエネルギーが大きく、且つ、ｎ型半導体と接触する
ことになる表面付近でバンドギャップエネルギーが小さ
くなるような、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2よりなるカル
コパイライト構造化合物半導体薄膜とするために、該カ
ルコパイライト構造化合物半導体薄膜に含有されるＧａ
及びＩｎの組成を変化させることが示されている。この
ようなバンドギャップ構造は、グレーデッドバンドギャ
ップ構造といわれ、バンド構造の伝導体に傾斜をつける
ことによりキャリヤの再結合を少なくし、電流を有効に
取り出そうと試みるものである。
【０００５】また、特開平６−３７３４２号公報には、
Ｃｕ等のＩｂ族元素とＩｎ、Ｇａ等のＩＩＩｂ族元素と
を含むＩ−ＩＩＩ族酸化物を、Ｓ、Ｓｅ等のＶＩｂ族元
素を含む還元性雰囲気又はＨ2Ｓ、Ｈ2Ｓｅ等の還元性Ｖ
Ｉｂ族化合物を含む雰囲気中で加熱処理することによ
り、前記酸化物をＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ2 等のカル
コパイライト型化合物に転化して半導体薄膜を形成する
こと（以下、「従来技術Ｂ」という）が記載されてい
る。そして、このようにＩ−ＩＩＩ族酸化物を用いるこ
とにより組成や微視的なばらつきのない均一なカルコパ
イライト型化合物得られることが記載されている。
Ｃｕ等のＩｂ族元素とＩｎ、Ｇａ等のＩＩＩｂ族元素と
を含むＩ−ＩＩＩ族酸化物を、Ｓ、Ｓｅ等のＶＩｂ族元
素を含む還元性雰囲気又はＨ2Ｓ、Ｈ2Ｓｅ等の還元性Ｖ
Ｉｂ族化合物を含む雰囲気中で加熱処理することによ
り、前記酸化物をＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ2 等のカル
コパイライト型化合物に転化して半導体薄膜を形成する
こと（以下、「従来技術Ｂ」という）が記載されてい
る。そして、このようにＩ−ＩＩＩ族酸化物を用いるこ
とにより組成や微視的なばらつきのない均一なカルコパ
イライト型化合物得られることが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術Ａのよう
に金属のＩｎを用いると、Ｉｎの表面粗度が大きいため
に、平面方向の組成のばらつきが大きくなり、そのため
に生成したＣｕＩｎＳｅ 2 薄膜の祖面も大きくなってし
まう。「平面方向の組成のばらつき」は、小さい太陽電
池セルを作成する場合には、それほど問題にならない
が、太陽電池モジュール等の大きなものを作成する場合
には、性能が悪いところに引っ張られてしまい、全体と
して悪い性能となってしまうという問題がある。また、
この種のカルコパイライト構造化合物半導体薄膜は、主
として太陽電池の光吸収層として使用するが、その「表
面の粗度」が大きくなるとｐｎ接合面で光起電力が発生
したとき、電界に対し弱い部分ができてしまい、太陽電
池の特性の１つである開放端電圧が小さくなり、その結
果、エネルギー変換効率が低下してしまうという問題が
ある。
に金属のＩｎを用いると、Ｉｎの表面粗度が大きいため
に、平面方向の組成のばらつきが大きくなり、そのため
に生成したＣｕＩｎＳｅ 2 薄膜の祖面も大きくなってし
まう。「平面方向の組成のばらつき」は、小さい太陽電
池セルを作成する場合には、それほど問題にならない
が、太陽電池モジュール等の大きなものを作成する場合
には、性能が悪いところに引っ張られてしまい、全体と
して悪い性能となってしまうという問題がある。また、
この種のカルコパイライト構造化合物半導体薄膜は、主
として太陽電池の光吸収層として使用するが、その「表
面の粗度」が大きくなるとｐｎ接合面で光起電力が発生
したとき、電界に対し弱い部分ができてしまい、太陽電
池の特性の１つである開放端電圧が小さくなり、その結
果、エネルギー変換効率が低下してしまうという問題が
ある。
【０００７】前記従来技術ＢのようにＩ族元素の金属酸
化物及びＩＩＩ族元素の金属酸化物を用いると、最終的
に形成されるカルコパイライト膜の平面方向の均一性は
良くなるが、材料の価格の面で、Ｉ族元素の金属酸化物
がＩ族元素の金属より高価であるので、製造コストが高
くなるという問題がある。
化物及びＩＩＩ族元素の金属酸化物を用いると、最終的
に形成されるカルコパイライト膜の平面方向の均一性は
良くなるが、材料の価格の面で、Ｉ族元素の金属酸化物
がＩ族元素の金属より高価であるので、製造コストが高
くなるという問題がある。
【０００８】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、平面方向の組成の均一
性がよく且つ表面粗度が小さいカルコパイライト構造化
合物半導体薄膜を再現性よく低コストで製造するための
方法及びそれを有するエネルギー変換効率の向上させた
太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
的としている。即ち、本発明は、平面方向の組成の均一
性がよく且つ表面粗度が小さいカルコパイライト構造化
合物半導体薄膜を再現性よく低コストで製造するための
方法及びそれを有するエネルギー変換効率の向上させた
太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、金属銅膜を
非金属膜である酸化インジウム膜及び酸化ガリウム膜の
上にそれぞれ成膜したところ、膜の表面粗度を小さくす
ることができ、そのために、膜の平面方向の組成のばら
つきを小さく抑えることができることを見出して、本願
発明を完成するに至った。
非金属膜である酸化インジウム膜及び酸化ガリウム膜の
上にそれぞれ成膜したところ、膜の表面粗度を小さくす
ることができ、そのために、膜の平面方向の組成のばら
つきを小さく抑えることができることを見出して、本願
発明を完成するに至った。
【００１０】即ち、本第１発明は、上記目的を達成する
ために、基板上にＩｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び
金属Ｃｕ膜を成膜して積層膜を形成し、この積層膜をセ
レン雰囲気中において加熱することを特徴とするカルコ
パイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法である。
ために、基板上にＩｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び
金属Ｃｕ膜を成膜して積層膜を形成し、この積層膜をセ
レン雰囲気中において加熱することを特徴とするカルコ
パイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法である。
【００１１】第２発明は、第１発明において、Ｉｎの酸
化物がＩｎ2Ｏ3であり、そして、Ｇａの酸化物がＧａ2
Ｏ3であることを特徴とするものである。
化物がＩｎ2Ｏ3であり、そして、Ｇａの酸化物がＧａ2
Ｏ3であることを特徴とするものである。
【００１２】第３発明は、第１又は２発明において、Ｉ
ｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び金属Ｃｕ膜をそれぞ
れスパッタリングにより成膜することを特徴とするもの
である。
ｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び金属Ｃｕ膜をそれぞ
れスパッタリングにより成膜することを特徴とするもの
である。
【００１３】第４発明は、第１，２又は３発明におい
て、セレン雰囲気をセレン単体の加熱によってセレン蒸
発を発生させることによりつくることを特徴とするもの
である。
て、セレン雰囲気をセレン単体の加熱によってセレン蒸
発を発生させることによりつくることを特徴とするもの
である。
【００１４】第５発明は、第１，２，３又は４発明にお
いて、基板がＭｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ及びＴｉから選ばれ
る少なくとも１種の金属により構成される単一膜又は積
層膜を表面に有するソーダライムガラス板であることを
特徴とするものである。
いて、基板がＭｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ及びＴｉから選ばれ
る少なくとも１種の金属により構成される単一膜又は積
層膜を表面に有するソーダライムガラス板であることを
特徴とするものである。
【００１５】第６発明は、第１，２，３，４又は５発明
において、積層膜の加熱を４００〜５５０℃で行うこと
を特徴とするものである。
において、積層膜の加熱を４００〜５５０℃で行うこと
を特徴とするものである。
【００１６】第７発明は、第１〜６発明のいずれか１つ
の製造方法により得られたカルコパイライト構造化合物
半導体薄膜上に溶液成長法又は真空蒸着法により硫化カ
ドミウム層を成膜し、さらに、その上に酸化亜鉛層を成
膜することを特徴とする太陽電池の製造方法である。
の製造方法により得られたカルコパイライト構造化合物
半導体薄膜上に溶液成長法又は真空蒸着法により硫化カ
ドミウム層を成膜し、さらに、その上に酸化亜鉛層を成
膜することを特徴とする太陽電池の製造方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる基板
は、例えば、ソーダライムガラスであるが、本発明の目
的に反しないかぎり、従来太陽電池の製造において用い
られている、セラミック基板等の耐熱性の基板を用いる
ことができる。
は、例えば、ソーダライムガラスであるが、本発明の目
的に反しないかぎり、従来太陽電池の製造において用い
られている、セラミック基板等の耐熱性の基板を用いる
ことができる。
【００１８】本発明において基板上に形成される積層膜
は、Ｉｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び金属Ｃｕ膜か
ら構成されているが、かかる積層膜をセレン雰囲気中に
おいて加熱すると化学反応が進み、均一なカルコパイラ
イト構造化合物半導体薄膜が生成するので、Ｉｎの酸化
物膜、Ｇａの酸化物膜及び金属Ｃｕ膜は、任意の順序で
成膜して積層膜とすることができる。
は、Ｉｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び金属Ｃｕ膜か
ら構成されているが、かかる積層膜をセレン雰囲気中に
おいて加熱すると化学反応が進み、均一なカルコパイラ
イト構造化合物半導体薄膜が生成するので、Ｉｎの酸化
物膜、Ｇａの酸化物膜及び金属Ｃｕ膜は、任意の順序で
成膜して積層膜とすることができる。
【００１９】本発明におけるセレン雰囲気は、例えば、
Ｓｅ単体を加熱してＳｅ蒸気を発生させることによりつ
くることができる。前記Ｓｅ蒸気におけるＳｅは、Ｓｅ
の単原子を意味するものではなく、Ｓｅ6 、Ｓｅ2 、Ｓ
ｅ及びその他のＳｅ分子の総称を意味する。
Ｓｅ単体を加熱してＳｅ蒸気を発生させることによりつ
くることができる。前記Ｓｅ蒸気におけるＳｅは、Ｓｅ
の単原子を意味するものではなく、Ｓｅ6 、Ｓｅ2 、Ｓ
ｅ及びその他のＳｅ分子の総称を意味する。
【００２０】本発明によって製造されるカルコパイライ
ト構造化合物半導体薄膜を太陽電池とするには、例え
ば、該カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の上に溶
液成長法又は真空蒸着法によりＮ型半導体として硫化カ
ドミウム層を形成し、さらに、その上に透明導電膜とし
て酸化亜鉛層を形成する。
ト構造化合物半導体薄膜を太陽電池とするには、例え
ば、該カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の上に溶
液成長法又は真空蒸着法によりＮ型半導体として硫化カ
ドミウム層を形成し、さらに、その上に透明導電膜とし
て酸化亜鉛層を形成する。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
本発明の一実施例を説明するためのカルコパイライト構
造化合物半導体薄膜の製造工程及びそれを有する太陽電
池の製造工程の断面説明図である。
本発明の一実施例を説明するためのカルコパイライト構
造化合物半導体薄膜の製造工程及びそれを有する太陽電
池の製造工程の断面説明図である。
【００２２】（実施例１）本実施例を図１に基づいて説
明する。ソーダライムガラスよりなる基板１の上に予め
Ｍｏ膜２を１μｍ程度の厚さにスパッタリングにより成
膜しておいた。Ｍｏは、太陽電池を作成した場合、ｐ型
伝導のカルコパイライト半導体薄膜とオーミック接触を
得ることができ、さらに、Ｓｅと反応し難いために、こ
のように予めＭｏをソーダライムガラスよりなる基板の
上に成膜しておいた。このＭｏ膜２が成膜された基板１
の上にＧａ2Ｏ3膜３及びＩｎ2Ｏ3膜４をそれぞれ真空蒸
着法により基板加熱温度３００℃で成膜した。次に、こ
の膜上にＣｕ膜５をＤＣマグネトロンスパッタリングに
より基板加熱なしで成膜した。このようにして形成され
た積層膜の原子数比について調べたところ、Ｃｕ／（Ｉ
ｎ＋Ｇａ）は、０．９０であり、そして、Ｇａ／（Ｉｎ
＋Ｇａ）は、０．２０であった。［図１（ａ）］
明する。ソーダライムガラスよりなる基板１の上に予め
Ｍｏ膜２を１μｍ程度の厚さにスパッタリングにより成
膜しておいた。Ｍｏは、太陽電池を作成した場合、ｐ型
伝導のカルコパイライト半導体薄膜とオーミック接触を
得ることができ、さらに、Ｓｅと反応し難いために、こ
のように予めＭｏをソーダライムガラスよりなる基板の
上に成膜しておいた。このＭｏ膜２が成膜された基板１
の上にＧａ2Ｏ3膜３及びＩｎ2Ｏ3膜４をそれぞれ真空蒸
着法により基板加熱温度３００℃で成膜した。次に、こ
の膜上にＣｕ膜５をＤＣマグネトロンスパッタリングに
より基板加熱なしで成膜した。このようにして形成され
た積層膜の原子数比について調べたところ、Ｃｕ／（Ｉ
ｎ＋Ｇａ）は、０．９０であり、そして、Ｇａ／（Ｉｎ
＋Ｇａ）は、０．２０であった。［図１（ａ）］
【００２３】この積層膜をＳｅ雰囲気中において５００
℃で２時間加熱処理して、ＣｕＩｎ 0.8Ｇａ0.2Ｓｅ2 よ
りなる膜厚約２μｍのカルコパイライト構造化合物半導
体薄膜６を形成した。［図１（ｂ）］
℃で２時間加熱処理して、ＣｕＩｎ 0.8Ｇａ0.2Ｓｅ2 よ
りなる膜厚約２μｍのカルコパイライト構造化合物半導
体薄膜６を形成した。［図１（ｂ）］
【００２４】このようにして得られたカルコパイライト
構造化合物半導体薄膜６の表面粗度を測定したところ、
次の表１に示される結果を得た。前記「表面粗度」は、
カルコパイライト構造化合物半導体薄膜６の５０ｍｍ×
５０ｍｍの正方形の表面内においてランダムに選ばれる
５ヶ所の中心線平均粗さ；Ｒａ(Å)により測定した（以
下、本明細書においては、「表面粗度」は、同様に測定
したものを意味する）。また、その組成均一性を測定し
たところ、次の表２に示される結果を得た。前記「組成
均一性」は、蛍光Ｘ線分析によりカルコパイライト構造
化合物半導体薄膜６の５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形のラ
ンダムに選ばれる５点について５回測定した（以下、本
明細書においては、「組成均一性」は、同様に測定した
ものを意味する）。
構造化合物半導体薄膜６の表面粗度を測定したところ、
次の表１に示される結果を得た。前記「表面粗度」は、
カルコパイライト構造化合物半導体薄膜６の５０ｍｍ×
５０ｍｍの正方形の表面内においてランダムに選ばれる
５ヶ所の中心線平均粗さ；Ｒａ(Å)により測定した（以
下、本明細書においては、「表面粗度」は、同様に測定
したものを意味する）。また、その組成均一性を測定し
たところ、次の表２に示される結果を得た。前記「組成
均一性」は、蛍光Ｘ線分析によりカルコパイライト構造
化合物半導体薄膜６の５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形のラ
ンダムに選ばれる５点について５回測定した（以下、本
明細書においては、「組成均一性」は、同様に測定した
ものを意味する）。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】そして、このカルコパイライト構造化合物
半導体薄膜６の上にＣｄＳ膜７を真空蒸着法により基板
加熱温度２００℃で０．３μｍ厚に成膜した。次に、こ
のＣｄＳ膜７の上にＺｎＯ膜８をＲＦマグネトロンスパ
ッタリングにより基板加熱温度２００℃で０．１μｍ厚
に成膜し、続いて、ＡｌがドーピングされたＺｎＯ膜
（以下、本明細書では「ＺｎＯ：Ａｌ膜」という）９を
ＤＣマグネトロンスパッタリングにより基板加熱温度２
００℃で０．７μｍ厚に成膜して太陽電池とした。［図
１（ｃ）］この太陽電池をソーラーシミュレータによる
０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射下で太陽電池のエネルギー変
換率を測定したところ、その測定結果は、開放電圧；４
５０ｍＶ、短絡電流密度；３２ｍＡ／ｃｍ2 、フィルフ
ァクター；５５％、及び、エネルギー変換率；７．９％
であった。
半導体薄膜６の上にＣｄＳ膜７を真空蒸着法により基板
加熱温度２００℃で０．３μｍ厚に成膜した。次に、こ
のＣｄＳ膜７の上にＺｎＯ膜８をＲＦマグネトロンスパ
ッタリングにより基板加熱温度２００℃で０．１μｍ厚
に成膜し、続いて、ＡｌがドーピングされたＺｎＯ膜
（以下、本明細書では「ＺｎＯ：Ａｌ膜」という）９を
ＤＣマグネトロンスパッタリングにより基板加熱温度２
００℃で０．７μｍ厚に成膜して太陽電池とした。［図
１（ｃ）］この太陽電池をソーラーシミュレータによる
０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射下で太陽電池のエネルギー変
換率を測定したところ、その測定結果は、開放電圧；４
５０ｍＶ、短絡電流密度；３２ｍＡ／ｃｍ2 、フィルフ
ァクター；５５％、及び、エネルギー変換率；７．９％
であった。
【００２８】（実施例２）実施例１と同様に、ソーダラ
イムガラスよりなる基板の上に予めＭｏ膜を１μｍ程度
の厚さにスパッタリングにより成膜しておいた。このＭ
ｏ膜が成膜された基板の上にＧａ2Ｏ3膜及びＩｎ2Ｏ3膜
をそれぞれＲＦマグネトロンスパッタリングにより基板
加熱温度２５０℃で成膜した。次に、この膜上にＣｕ膜
をＤＣマグネトロンスパッタリングにより基板加熱なし
で成膜した。このようにして形成された積層膜の原子数
比について調べたところ、Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）は、
０．９５であり、そして、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）は、
０．１５であった。
イムガラスよりなる基板の上に予めＭｏ膜を１μｍ程度
の厚さにスパッタリングにより成膜しておいた。このＭ
ｏ膜が成膜された基板の上にＧａ2Ｏ3膜及びＩｎ2Ｏ3膜
をそれぞれＲＦマグネトロンスパッタリングにより基板
加熱温度２５０℃で成膜した。次に、この膜上にＣｕ膜
をＤＣマグネトロンスパッタリングにより基板加熱なし
で成膜した。このようにして形成された積層膜の原子数
比について調べたところ、Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）は、
０．９５であり、そして、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）は、
０．１５であった。
【００２９】この積層膜をＳｅ雰囲気中において５５０
℃で２時間加熱処理して、ＣｕＩｎ 0.85Ｇａ0.15Ｓｅ2
よりなる膜厚約２μｍのカルコパイライト構造化合物半
導体薄膜を形成した。
℃で２時間加熱処理して、ＣｕＩｎ 0.85Ｇａ0.15Ｓｅ2
よりなる膜厚約２μｍのカルコパイライト構造化合物半
導体薄膜を形成した。
【００３０】このようにして得られたカルコパイライト
構造化合物半導体薄膜の表面粗度を測定したところ、次
の表３に示される結果を得た。
構造化合物半導体薄膜の表面粗度を測定したところ、次
の表３に示される結果を得た。
【００３１】
【表３】
【００３２】そして、このカルコパイライト構造化合物
半導体薄膜の上にＣｄＳ膜を真空蒸着法により基板加熱
温度２００℃で０．３μｍ厚に成膜した。次に、このＣ
ｄＳ膜の上にＺｎＯ膜をＲＦマグネトロンスパッタリン
グにより基板加熱温度２００℃で０．１μｍ厚に成膜
し、続いて、ＺｎＯ：Ａｌ膜をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより基板加熱温度２００℃で０．７μｍ厚に
成膜して太陽電池とした。この太陽電池をソーラーシミ
ュレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射下で太陽電池
のエネルギー変換率を測定したところ、その測定結果
は、開放電圧；４４０ｍＶ、短絡電流密度；３３．５ｍ
Ａ／ｃｍ2 、フィルファクター；５６％、及び、エネル
ギー変換率；８．５％であった。
半導体薄膜の上にＣｄＳ膜を真空蒸着法により基板加熱
温度２００℃で０．３μｍ厚に成膜した。次に、このＣ
ｄＳ膜の上にＺｎＯ膜をＲＦマグネトロンスパッタリン
グにより基板加熱温度２００℃で０．１μｍ厚に成膜
し、続いて、ＺｎＯ：Ａｌ膜をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより基板加熱温度２００℃で０．７μｍ厚に
成膜して太陽電池とした。この太陽電池をソーラーシミ
ュレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射下で太陽電池
のエネルギー変換率を測定したところ、その測定結果
は、開放電圧；４４０ｍＶ、短絡電流密度；３３．５ｍ
Ａ／ｃｍ2 、フィルファクター；５６％、及び、エネル
ギー変換率；８．５％であった。
【００３３】（比較例１）ソーダライムガラスよりなる
基板の上に予めＭｏ膜を１μｍ程度の厚さにスパッタリ
ングにより成膜しておいた。このＭｏ膜が成膜された基
板の上にＩｎ−Ｇａ−Ｓｅ膜をＩｎ、Ｇ及びＳｅの３元
ソースから同時蒸着法により成膜した。次に、この膜上
にＣｕ膜をスパッタリングにより成膜した。この積層膜
をＳｅ雰囲気中において５００℃で１時間加熱処理し
て、ＣｕＩｎ0.8Ｇａ0.2Ｓｅ2 よりなる膜厚約２μｍの
従来のカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を形成し
た。
基板の上に予めＭｏ膜を１μｍ程度の厚さにスパッタリ
ングにより成膜しておいた。このＭｏ膜が成膜された基
板の上にＩｎ−Ｇａ−Ｓｅ膜をＩｎ、Ｇ及びＳｅの３元
ソースから同時蒸着法により成膜した。次に、この膜上
にＣｕ膜をスパッタリングにより成膜した。この積層膜
をＳｅ雰囲気中において５００℃で１時間加熱処理し
て、ＣｕＩｎ0.8Ｇａ0.2Ｓｅ2 よりなる膜厚約２μｍの
従来のカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を形成し
た。
【００３４】このようにして得られた従来のカルコパイ
ライト構造化合物半導体薄膜の表面粗度を測定したとこ
ろ、次の表４に示される結果を得た。また、その組成均
一性を測定したところ、次の表５に示される結果を得
た。
ライト構造化合物半導体薄膜の表面粗度を測定したとこ
ろ、次の表４に示される結果を得た。また、その組成均
一性を測定したところ、次の表５に示される結果を得
た。
【００３５】
【表４】
【００３６】
【表５】
【００３７】そして、この従来のカルコパイライト構造
化合物半導体薄膜の上にＣｄＳ膜を真空蒸着法により
０．３μｍ厚に成膜した。次に、このＣｄＳ膜の上にＺ
ｎＯ膜をＲＦマグネトロンスパッタリングにより０．１
μｍ厚に成膜し、続いて、ＺｎＯ：Ａｌ膜をＤＣマグネ
トロンスパッタリングにより基板加熱温度２００℃で
０．７μｍ厚に成膜して太陽電池とした。この太陽電池
をソーラーシミュレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照
射下で太陽電池のエネルギー変換率を測定したところ、
その測定結果は、開放電圧；４２５ｍＶ、短絡電流密
度；３１．５ｍＡ／ｃｍ2 、フィルファクター；５４
％、及び、エネルギー変換率；７．２３％であった。
化合物半導体薄膜の上にＣｄＳ膜を真空蒸着法により
０．３μｍ厚に成膜した。次に、このＣｄＳ膜の上にＺ
ｎＯ膜をＲＦマグネトロンスパッタリングにより０．１
μｍ厚に成膜し、続いて、ＺｎＯ：Ａｌ膜をＤＣマグネ
トロンスパッタリングにより基板加熱温度２００℃で
０．７μｍ厚に成膜して太陽電池とした。この太陽電池
をソーラーシミュレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照
射下で太陽電池のエネルギー変換率を測定したところ、
その測定結果は、開放電圧；４２５ｍＶ、短絡電流密
度；３１．５ｍＡ／ｃｍ2 、フィルファクター；５４
％、及び、エネルギー変換率；７．２３％であった。
【００３８】以上、実施例１，２及び比較例１（従来
例）の結果からすると、実施例１，２では、従来技術の
比較例よりも、それらの開放端電圧が比較例１よりも向
上すると共にそれらの表面粗度が比較例１よりも著しく
良いことがわかる。そして、実施例１及び比較例１にお
けるカルコパイライト構造化合物半導体薄膜がほぼ同じ
組成及び膜厚のＣｕＩｎ0.8Ｇａ0.2Ｓｅ2 で構成され、
しかも、それらのｎ型半導体がほぼ同じＣｄＳ、ＺｎＯ
及びＺｎ：Ａｌで構成されていることからすると、前記
実施例の開放端電圧の向上は、それらのカルコパイライ
ト構造化合物半導体薄膜の表面粗度が改善されたことに
よるものといえる。また、実施例２の開放端電圧が実施
例１のものより若干小さいのは、そのカルコパイライト
構造化合物半導体薄膜のＧａ含有量が小さいため、光吸
収層のバンドギャップエネルギーが小さくなったことに
よるものと考えられる。
例）の結果からすると、実施例１，２では、従来技術の
比較例よりも、それらの開放端電圧が比較例１よりも向
上すると共にそれらの表面粗度が比較例１よりも著しく
良いことがわかる。そして、実施例１及び比較例１にお
けるカルコパイライト構造化合物半導体薄膜がほぼ同じ
組成及び膜厚のＣｕＩｎ0.8Ｇａ0.2Ｓｅ2 で構成され、
しかも、それらのｎ型半導体がほぼ同じＣｄＳ、ＺｎＯ
及びＺｎ：Ａｌで構成されていることからすると、前記
実施例の開放端電圧の向上は、それらのカルコパイライ
ト構造化合物半導体薄膜の表面粗度が改善されたことに
よるものといえる。また、実施例２の開放端電圧が実施
例１のものより若干小さいのは、そのカルコパイライト
構造化合物半導体薄膜のＧａ含有量が小さいため、光吸
収層のバンドギャップエネルギーが小さくなったことに
よるものと考えられる。
【００３９】以下、本発明の作用を記載すると次のとお
りとなう。 （１）本第１，２発明について Ｉｎは融点が約１５７℃と低く、常温でも柔らかい金属
である。この材料で薄膜を作成すると、表面は非常に凹
凸のあるものになってしまう。例えば、ソーダライムガ
ラス上にＩｎを基板温度１００℃で真空蒸着すると、そ
の表面粗度は、中心線表面粗さ（Ｒa ）で３００Åとな
る。これをＩｎ2Ｏ3に代えてみると、その表面粗度は、
３０Å以下となり、極端に小さくなることがわかる。ま
た、Ｇａは、その単体の融点が約２８℃であるので、３
０℃を越えると液体になってしまう。そうなると基板上
にＧａ液体のドロップレット（小滴）が出現し、平面方
向の組成の均一性が悪くなってしまう。これをＧａ2Ｏ3
に代えてみると、その表面粗度は、Ｉｎ2Ｏ3 と同程度
に小さくなってしまう。しかも、Ｇａ2Ｏ3は、Ｉｎ 2Ｏ3
と同程度に高融点である。さらに、金属銅膜は、酸化イ
ンジウム膜及び酸化ガリウム膜に成膜しても、膜の表面
粗度を小さくすることができ、そのために、膜の平面方
向の組成のばらつきを小さく抑えることができる。
りとなう。 （１）本第１，２発明について Ｉｎは融点が約１５７℃と低く、常温でも柔らかい金属
である。この材料で薄膜を作成すると、表面は非常に凹
凸のあるものになってしまう。例えば、ソーダライムガ
ラス上にＩｎを基板温度１００℃で真空蒸着すると、そ
の表面粗度は、中心線表面粗さ（Ｒa ）で３００Åとな
る。これをＩｎ2Ｏ3に代えてみると、その表面粗度は、
３０Å以下となり、極端に小さくなることがわかる。ま
た、Ｇａは、その単体の融点が約２８℃であるので、３
０℃を越えると液体になってしまう。そうなると基板上
にＧａ液体のドロップレット（小滴）が出現し、平面方
向の組成の均一性が悪くなってしまう。これをＧａ2Ｏ3
に代えてみると、その表面粗度は、Ｉｎ2Ｏ3 と同程度
に小さくなってしまう。しかも、Ｇａ2Ｏ3は、Ｉｎ 2Ｏ3
と同程度に高融点である。さらに、金属銅膜は、酸化イ
ンジウム膜及び酸化ガリウム膜に成膜しても、膜の表面
粗度を小さくすることができ、そのために、膜の平面方
向の組成のばらつきを小さく抑えることができる。
【００４０】それ故、基板上にＩｎの酸化物膜、Ｇａの
酸化物膜及び金属Ｃｕ膜を成膜して積層膜を形成し、こ
の積層膜をセレン雰囲気中において加熱することによ
り、生成するカルコパイライト構造化合物半導体薄膜の
表面粗度を著しく改善することができ、そのために、こ
のカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を太陽電池の
光吸収層に用いても、従来のように、開放端電圧が小さ
くなってしまうことがない。また、金属Ｃｕ膜を用いる
ので、製造コストを低く抑えることがえきる。
酸化物膜及び金属Ｃｕ膜を成膜して積層膜を形成し、こ
の積層膜をセレン雰囲気中において加熱することによ
り、生成するカルコパイライト構造化合物半導体薄膜の
表面粗度を著しく改善することができ、そのために、こ
のカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を太陽電池の
光吸収層に用いても、従来のように、開放端電圧が小さ
くなってしまうことがない。また、金属Ｃｕ膜を用いる
ので、製造コストを低く抑えることがえきる。
【００４１】（２）本第３発明について Ｉｎの酸化物膜及びＧａの酸化物膜は、水素スパッタリ
ングにより成膜されるので、均一な膜を再現性良く容易
に成膜することができる。金属Ｃｕ膜は、スパッタリン
グでも真空蒸着でも均一な膜を再現性良く容易に成膜す
ることができるるので、Ｉｎの酸化物膜及びＧａの酸化
物膜の成膜と同じスパッタリングにより成膜するのが効
率的である。
ングにより成膜されるので、均一な膜を再現性良く容易
に成膜することができる。金属Ｃｕ膜は、スパッタリン
グでも真空蒸着でも均一な膜を再現性良く容易に成膜す
ることができるるので、Ｉｎの酸化物膜及びＧａの酸化
物膜の成膜と同じスパッタリングにより成膜するのが効
率的である。
【００４２】（３）本回転体の下面第４発明について セレン雰囲気をセレン単体の加熱によってセレン蒸発を
発生させることによりつくるので、従来用いられていた
Ｈ2Ｓｅ 等の毒性ガスを発生させることなく良質のカル
コパイライト構造化合物半導体薄膜を形成することが出
来る。
発生させることによりつくるので、従来用いられていた
Ｈ2Ｓｅ 等の毒性ガスを発生させることなく良質のカル
コパイライト構造化合物半導体薄膜を形成することが出
来る。
【００４３】（４）本第５発明について 基板上のＭｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ及びＴｉから選ばれる少
なくとも１種の金属により構成される単一膜又は積層膜
は、それらの金属の仕事関数が比較的大きいので、その
上に形成されることになるｐ型伝導のカルコパイライト
構造化合物半導体薄膜とオーミックコンタクトを取りや
すくなる。また、これらの金属膜は、Ｓｅと反応しにく
いため、セレン蒸気中で４００〜４５０℃程度の高温に
さらされても、剥離してしまうことはない。
なくとも１種の金属により構成される単一膜又は積層膜
は、それらの金属の仕事関数が比較的大きいので、その
上に形成されることになるｐ型伝導のカルコパイライト
構造化合物半導体薄膜とオーミックコンタクトを取りや
すくなる。また、これらの金属膜は、Ｓｅと反応しにく
いため、セレン蒸気中で４００〜４５０℃程度の高温に
さらされても、剥離してしまうことはない。
【００４４】（５）本第６発明について 加熱温度が４００℃より低いとカルコパイライト構造の
結晶が不完全となり、また、セレン化銅（Ｃｕ2-xＳｅ
、ＣｕＳｅ等）、セレン化インジウム（ＩｎＳｅ、Ｉ
ｎ6Ｓｅ7等）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ、Ｇａ2Ｓ
ｅ3等）等が反応しきれずに残っているので、かかるカ
ルコパイライト構造化合物半導体薄膜を有する太陽電池
を作成した際にこれらの２元化合物はキャリアの再結合
中心となって、太陽電池特性に悪影響を与えることにな
る。また、この種のカルコパイライト構造化合物半導体
薄膜は、太陽電池の光吸収層として使用されるが、その
太陽電池の基板としては、ソーダライムガラスを使用す
るのがほとんどである。ソーダライムガラスよりなる基
板は、５７０℃で軟化し、これより若干低い温度の５５
０℃を越える温度で反りを生じる。それ故、加熱温度を
４００〜５５０℃とするとにより、基板を変形させるこ
となく、しかも、結晶性のよいカルコパイライト構造化
合物半導体薄膜を形成することができる。
結晶が不完全となり、また、セレン化銅（Ｃｕ2-xＳｅ
、ＣｕＳｅ等）、セレン化インジウム（ＩｎＳｅ、Ｉ
ｎ6Ｓｅ7等）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ、Ｇａ2Ｓ
ｅ3等）等が反応しきれずに残っているので、かかるカ
ルコパイライト構造化合物半導体薄膜を有する太陽電池
を作成した際にこれらの２元化合物はキャリアの再結合
中心となって、太陽電池特性に悪影響を与えることにな
る。また、この種のカルコパイライト構造化合物半導体
薄膜は、太陽電池の光吸収層として使用されるが、その
太陽電池の基板としては、ソーダライムガラスを使用す
るのがほとんどである。ソーダライムガラスよりなる基
板は、５７０℃で軟化し、これより若干低い温度の５５
０℃を越える温度で反りを生じる。それ故、加熱温度を
４００〜５５０℃とするとにより、基板を変形させるこ
となく、しかも、結晶性のよいカルコパイライト構造化
合物半導体薄膜を形成することができる。
【００４５】（６）本第７発明について 本第１〜６発明のいずれか１つの発明により得られたカ
ルコパイライト構造化合物半導体薄膜上に溶液成長法又
は真空蒸着法により硫化カドミウム層を成膜し、さら
に、その上にスパッタ法により酸化亜鉛層を成膜するこ
とによって、太陽電池特性の中で特に開放端電圧を向上
させるために、エネルギー変換効率の向上させた太陽電
池を提供することができる。
ルコパイライト構造化合物半導体薄膜上に溶液成長法又
は真空蒸着法により硫化カドミウム層を成膜し、さら
に、その上にスパッタ法により酸化亜鉛層を成膜するこ
とによって、太陽電池特性の中で特に開放端電圧を向上
させるために、エネルギー変換効率の向上させた太陽電
池を提供することができる。
【００４６】
【発明の効果】平面方向の組成の均一性がよく且つ表面
粗度が小さいカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を
再現性よく低コストで製造するための方法を提供するこ
とができ、そして、それを有するエネルギー変換効率の
向上させた太陽電池の製造方法を提供することができ
る。
粗度が小さいカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を
再現性よく低コストで製造するための方法を提供するこ
とができ、そして、それを有するエネルギー変換効率の
向上させた太陽電池の製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのカルコパイ
ライト構造化合物半導体薄膜の製造工程及びそれを有す
る太陽電池の製造工程の断面説明図である。
ライト構造化合物半導体薄膜の製造工程及びそれを有す
る太陽電池の製造工程の断面説明図である。
【図２】従来のＣＩＳ系化合物半導体薄膜の断面説明図
である。
である。
１ 基板 ２ Ｍｏ膜 ３ Ｇａ2Ｏ3膜 ４ Ｉｎ2Ｏ3膜 ５ Ｃｕ膜 ６ カルコパイライト構造化合物半導体薄膜 ７ ＣｄＳ膜 ８ ＺｎＯ膜 ９ ＺｎＯ：Ａｌ膜
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上にＩｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物
膜及び金属Ｃｕ膜を成膜して積層膜を形成し、この積層
膜をセレン雰囲気中において加熱することを特徴とする
カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 Ｉｎの酸化物がＩｎ2Ｏ3であり、そし
て、Ｇａの酸化物がＧａ2Ｏ3であることを特徴とする請
求項１記載のカルコパイライト構造化合物半導体薄膜の
製造方法。 - 【請求項３】 Ｉｎの酸化物膜、Ｇａの酸化物膜及び金
属Ｃｕ膜をそれぞれスパッタリングにより成膜すること
を特徴とする請求項１又は２記載のカルコパイライト構
造化合物半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 セレン雰囲気をセレン単体の加熱によっ
てセレン蒸発を発生させることによりつくることを特徴
とする請求項１，２又は３記載のカルコパイライト構造
化合物半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 基板がＭｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ及びＴｉか
ら選ばれる少なくとも１種の金属により構成される単一
膜又は積層膜を表面に有するソーダライムガラス板であ
ることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載のカル
コパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 積層膜の加熱を４００〜５５０℃で行う
ことを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載のカ
ルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１つに記載の製
造方法により得られたカルコパイライト構造化合物半導
体薄膜上に溶液成長法又は真空蒸着法により硫化カドミ
ウム層を成膜し、さらに、その上に酸化亜鉛層を成膜す
ることを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10082084A JPH11284209A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10082084A JPH11284209A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284209A true JPH11284209A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13764590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10082084A Withdrawn JPH11284209A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284209A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6899954B2 (en) | 2001-08-22 | 2005-05-31 | Schott Ag | Cadmium-free optical steep edge filters |
| WO2006016577A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Ｃｉｓ系化合物半導体薄膜太陽電池及び該太陽電池の光吸収層の製造方法 |
| JP2006196798A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池の検査方法 |
| US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
| JP2011114109A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Kyocera Corp | 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
| JP2012235020A (ja) * | 2011-05-06 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 光電変換素子および太陽電池 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10082084A patent/JPH11284209A/ja not_active Withdrawn
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| JP2012235020A (ja) * | 2011-05-06 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 光電変換素子および太陽電池 |
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