JPH06264237A - 磁気記録体の製造装置の基板ホルダー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 非磁性基板にスパッタ法で合金磁性膜を形成
する際、高い保磁力を有する磁気記録体を容易に製造す
ることが出来る磁気記録体の製造装置に用いる基板ホル
ダー。 【構成】 基板ホルダーの非磁性基板を保持する基板の
受部が、基板ホルダーに開口された透孔の開口縁に設け
られた基板の端縁に４個所以上接する点状であり、各受
部の間に幅２ｍｍ以上で、長さ３ｍｍ以上の櫛形状の空
隙を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録体の製造装置の
基板ホルダーに関し、更に詳細には、高い保磁力を有す
る磁気記録体を製造する際に用いる製造装置内に設置す
る磁気記録体の非磁性基板を保持する基板ホルダーに関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来よりスパッタ法で例えばアルミニウ
ム材からなる非磁性基板上にＣｏ合金膜を形成した磁気
記録体および非磁性基板上にＣｒ膜等の下地膜を形成し
てその上にＣｏ合金膜を形成した磁気記録体がハードデ
ィスク媒体として広く知られている。

【０００３】この磁気記録体の記録密度を向上させるに
は、記録媒体の保磁力が高いことと、記録体とそれに記
録再生を行う磁気ヘッドとの間隔が小さいこと、即ち記
録体表面が平滑であることが不可欠な要素である。記録
体表面が平滑であることは、即ち非磁性基板表面が非常
に平滑であることが、必要であり、例えばＮｉＰメッキ
を施したアルミニウム基板よりもガラス基板やＳｉ基板
の方が有利である。

【０００４】しかしながら、基板ホルダーに基板を保持
して基板の表面に合金磁性膜をスパッタ法で形成する場
合、表面平滑性に優れるこれらガラス基板、Ｓｉ基板は
基板が絶縁体であったり、電気抵抗が高いため、本出願
人が先に特公平4-50653 号公報で提案せる、基板に負の
バイアス電圧を印加して記録媒体の保磁力を向上させる
磁気記録体の製造方法を利用することが出来ないため、
高い保磁力が達成させることが出来ないという問題があ
る。

【０００５】一方、非磁性基板の表面にスパッタ法を用
いて金属下地膜や合金磁性膜を形成するには、図１４な
いし図１７に示すような基板ホルダーａで基板ｂを保持
しながら行うものである。これを更に詳しく説明すれ
ば、基板ホルダーａは板状部材から成り、該板状部材に
多数のほぼ円形状の透孔からなる基板保持部ｉ（図示例
では12個）が穿設開口されている。そして図１５示のよ
うに該基板保持部ｉの夫々にはその開口端縁ｊの一部に
円弧状の凹溝ｋが形成されており、該凹溝ｋに例えば磁
気ディスク用の円形の基板ｂの端縁ｍを図１６に示すよ
うに保持させるものである。また、基板表面にスパッタ
法で合金磁性膜を形成する際に用いるスパッタ装置とし
ては例えば図１に示す装置を用いるものである。

【０００６】そして、例えばガラス基板のような絶縁性
基板でスパッタ法を用いて磁気記録体を作製する場合、
スパッタ成膜前は基板が絶縁性であるため、バイアス電
圧が印加できないが、基板上に下地膜または合金磁性膜
の金属膜を成膜して行くと、次第に基板表面が金属膜で
被覆され、導電性を呈するようになると同時に、基板ホ
ルダーと基板表面の金属膜が電気的に短絡し、基板表面
にバイアス電圧を印加することが出来るようになる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、基板ホルダ
ーａは基板ｂを容易に着脱できるようにするために図１
７のように基板保持部材ｉの凹溝ｋの幅が基板ｂの厚み
より0.2 〜1mm 程度広くなっているので、数100 〜数10
00Å程度の金属膜形成では基板ホルダー面と基板面の直
接短絡は得られず、むしろ基板の端縁ｍに回り込んだ金
属膜を介して電気的に短絡する。

【０００８】従って、従来のような基板ホルダーでは金
属膜が基板端縁へ回り込む部分が２ケ所しかないため、
基板端縁への金属膜の回り込み量が少なく、基板ホルダ
ーの保持部と基板との接触部に充分な導電性が得られな
いにもかかわらず大きなバイアス電流が流れるため、被
覆された金属膜が破壊され、異常放電が生じ、安定して
バイアス電圧を印加することが出来ない。

【０００９】本発明は、かかる従来の問題点を解消し、
表面が優れた平滑性を有する非磁性基板に対しても、磁
気記録層の成膜中に安定して基板に負のバイアス電圧を
印加することが出来る磁気記録体の製造装置の基板ホル
ダーを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは上記
問題点に着目し、鋭意検討した結果、基板を支持する部
分、即ち基板の端縁に接触する部分を従来の線状接触か
ら出来る限り点状、即ち多点接触とすることにより基板
の端縁を出来る限り解放させ、点状の接触部分にも充分
な膜厚の金属膜が回り込むようにすることにより、基板
と基板ホルダーとの接触部を小さくさせても接触部に流
れる単位断面積あたりのバイアス電流が小さくなり、基
板の端縁側に形成された金属膜が破壊されず、安定して
バイアスを印加することが出来、その結果磁気記録体の
保磁力を大幅に向上させることが出来ることを知見し
た。

【００１１】本発明は前記知見に基づきなされたもので
あり、本発明の磁気記録体の製造装置の基板ホルダー
は、スパッタ法により非磁性基板上に５at％以上のＣｒ
を含有するＣｏ合金磁性膜を形成して成る磁気記録体の
製造装置であって、該装置の非磁性基板を支持する基板
ホルダーを通して基板に直流のバイアス電圧を印加する
磁気記録体の製造装置の基板ホルダーにおいて、前記基
板ホルダーの非磁性基板を保持する基板の受部は基板ホ
ルダーに開口された透孔であって、該透孔の開口縁と基
板の端縁の接触が４個所以上で、かつ該受部間に幅２ｍ
ｍ以上で長さ３ｍｍ以上の櫛形状の空隙を有することを
特徴とする。

【００１２】また、前記基板ホルダーの基板の受部を、
先端間隔が１ｍｍ以上の鋸歯形状としてもよい。また、
前記基板ホルダーの基板の受部を、その先端側に太さ
０．５ｍｍ以下の金属線の複数本を網状に編成した網部
材を装着してもよい。また、前記基板ホルダーの基板の
受部を、直径２ｍｍ以下の金属棒とし、該金属棒を基板
ホルダーの透孔の開口縁に４個所以上装着してもよい。
また、前記基板ホルダーの基板の受部を、厚さ０．５ｍ
ｍ以下の金属薄板とし、該金属薄板を基板ホルダーの透
孔の開口縁に４個所以上装着してもよい。

【００１３】

【作用】本発明の基板ホルダーは、基板と基板ホルダー
との接触部分は複数の点状であり、かつ基板と基板ホル
ダーの接触個所にスパッタ成膜中にスパッタ粒子が基板
の端縁側に回り込みやすいように一定の空隙を設けたも
のである。本発明の基板ホルダーを用いることにより、
基板と基板ホルダーとの接触部分の数が多いので、基板
の端縁と基板ホルダーとの接触確率が大きくなり、かつ
基板の端縁側にも金属膜が厚く回り込むので、点状の接
触部に流れる単位断面積あたりのバイアス電流が小さく
なり、基板の端縁に形成された金属膜が破壊されず、安
定してバイアスが印加することが出来、その結果磁気記
録体の保磁力を大幅に向上させることが出来る。

【００１４】

【実施例】本発明を添付図面に従って説明する。

【００１５】図１は非磁性基板の表面に例えばＣｏ合金
磁性膜をスパッタ法で形成する際に用いるスパッタ装置
の１例を示すもので、図示例はトレイ搬送方式のスパッ
タ装置の模式図であり、該スパッタ装置はスパッタリン
グ室１、基板仕込室２、基板取出室２′から構成されて
おり、バルブ３、３′によりスパッタリング室１の両側
に基板仕込室２および基板取出室２′が夫々連通されて
おり、基板仕込室２からスパッタリング室１を経て基板
取出室２′へと基板ホルダー４に保持された基板５をキ
ャリアトレー６により搬送できるようにした。

【００１６】スパッタリング室１内はバルブ７を介して
真空ポンプ等の真空排気系８に接続し、該真空排気系８
によってスパッタリング室１内の真空度を調整自在とす
ると共に、該スパッタリング室１内に連通されたガス導
入管９から例えばアルゴンガスのような不活性ガスをガ
ス量調節弁１０でガス量を調整しながら導入出来るよう
にした。また、スパッタリング室１内には基板５の両面
に磁性膜を形成するための１対の下地膜用のＣｒ−Ｘタ
ーゲット１１、Ｃｏ合金磁性膜用のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金ターゲット１２および保護膜用のＣターゲット１３が
夫々基板５の搬送路を挟んで対向して配設されており、
各ターゲットの背面にはターゲットをスパッタリングす
るためのＤＣ（ＲＦ）マグネトロンカソード１４或いは
ＤＣマグネトロンカソード１５を配設した。そして図示
していないがカソード１４にはＤＣ電源およびＲＦ電源
を、また、カソード１５にはＤＣ電源を接続し、スパッ
タリング室１内でマグネトロンスパッタを行えるように
した。

【００１７】更に、Ｃｒ−Ｘターゲット１１およびＣｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲット１２をスパッタリングする
際に、基板ホルダー４を介して基板５にバイアス電圧を
印加出来るようにＤＣバイアス電源１６が設けられてい
る。

【００１８】また、基板仕込室２および基板取出室２′
内はバルブ１７、１７′を介して真空ポンプ等の真空排
気系１８、１８′に接続し、該真空排気系１８、１８′
によって夫々の室内の真空度を調整自在とした。

【００１９】尚、図中、１９は基板５を加熱するための
スパッタリング室１内に配設されたヒーターである。

【００２０】前記構成の装置は従来の装置と特に変わり
はないが、本発明は基板を保持するための基板ホルダー
に特徴を有するものである。

【００２１】次に、本発明の磁気記録体の製造装置の基
板ホルダーの具体的実施例を比較例と共に説明する。

【００２２】実施例１ 本実施例は請求項１に記載の基板ホルダーの実施例であ
り、図２ないし図４は本実施例の基板ホルダーの１例を
示す。図中、４はステンレス材からなる板状の基板ホル
ダーであり、図示例では該基板ホルダー４に例えばガラ
ス製の基板５を９個保持出来るようにした。

【００２３】そして基板ホルダー４に基板５を着脱自在
とした大きさのほぼ円形状の透孔２１を穿設し、該透孔
２１の開口縁２２の一部に透孔２１の中心に向かって幅
1mm、長さ3mm の受部２３を４個突設すると共に、各受
部２３の間に少なくとも基板周方向の幅2mm 、基板径方
向の長さ3mm の櫛形状の空隙２４を設けた。また、各受
部２３の先端側を傾斜状に形成し、更に先端部分に凹溝
２５を設け、該凹溝２５で基板５の端縁２６を保持出来
るようにした。

【００２４】そして、前記構成の基板ホルダー４の各透
孔２１の受部２３に夫々、直径34mmのガラス製の基板５
を保持せしめた後、図１に示すスパッタ装置を用い、ス
パッタリング室内にアルゴンガスを導入し、アルゴンガ
ス圧力を5mTorr、基板５を温度250 ℃に加熱した後、基
板５の表面にＣｒ膜1000Å、Ｃｏ−20at％Ｎｉ−10at％
Ｃｒ合金膜600 Å、Ｃ膜250 Åの順で成膜して基板表面
に磁性膜を備える磁気記録体を作成した。尚、Ｃｒ膜、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金膜の成膜中に基板ホルダー４に−
300 Ｖのバイアス電圧を印加した。成膜後、スパッタ装
置内より磁気記録体を取出し、各磁気記録体を目視によ
る外観検査をおこなったところ、基板には異常は全く見
当たらなかった。また、磁気記録体の保持力を振動式磁
束計（ＶＳＭ）で測定したところ、2010Ｏｅであった。

【００２５】本実施例の基板ホルダーのように基板の端
縁を保持する受部２３を４個所以上とし、各受部２３の
間に設ける空隙２４の大きさを幅2mm 以上、長さ3mm 以
上とすることにより、作成された磁気記録体に高い保磁
力が得られることは、基板ホルダー４の受部２３間に設
けられた空隙２４よりスパッタ中に図３に矢印で示すよ
うにＣｒ膜（スパッタ膜）の回り込みにより、基板の端
縁にも確実に回り込んでＣｒ膜が形成されて導通が生
じ、その結果安定してバイアス電圧を印加出来たためで
あると考えられる。

【００２６】実施例２ 本実施例は請求項２に記載の基板ホルダーの実施例であ
り、図５は本実施例の基板ホルダーの１例を示す。図５
では基板４に基板５を着脱自在とした大きさのほぼ円形
状の透孔３１を穿設し、該透孔３１の開口縁３２の一部
に透孔３１の中心に向かって先端の間隔が1mm であっ
て、長さ3mm の鋸歯形状の受部３３を多数（図示例では
１３個）を設けると共に、各受部３３間に空隙３４を設
けた。

【００２７】また、各受部３３の先端部分に凹溝３５を
設け、該凹溝３５で基板５の端縁２６を保持出来るよう
にした。また、他の符号については前記図２ないし図４
に示す基板ホルダーと同一構成のため説明を省略する。

【００２８】そして、前記実施例１と同様の方法で基板
５の表面に磁性膜を備える磁気記録体を作成した。作成
された各磁気記録体を目視による外観検査をおこなった
ところ、基板には異常は全く見当たらなかった。また、
磁気記録体の保持力を振動式磁束計（ＶＳＭ）で測定し
たところ、1980Ｏｅであった。

【００２９】実施例３ 本実施例は請求項３に記載の基板ホルダーの実施例であ
り、図６および図７は本実施例の基板ホルダー１例を示
す。図６および図７では、基板４に基板５を着脱自在と
した大きさのほぼ円形状の透孔４１を穿設開口し、該透
孔４１の開口縁４２の一部に透孔４１の中心に向かって
幅1mm 、長さ3mm の受部４３を４個突設すると共に、各
受部４３の間に少なくとも基板周方向の幅2mm 、基板径
方向の長さ3mｍの空隙４４を設けた。また、各受部４３
の先端部分に太さ0.5mm のステンレス線を網状に編成し
た網部材４５を固着した。

【００３０】そして、各網部材４５で基板５の端縁２６
を保持するようにした。また、他の符号については前記
図２ないし図４に示す基板ホルダーと同一構成のため説
明を省略する。

【００３１】そして、前記実施例１と同様の方法で基板
５の表面に磁性膜を備えた磁気記録体を作成した。作成
された各磁気記録体を目視による外観検査をおこなった
ところ、基板には異常は全く見当たらなかった。また、
磁気記録体の保持力を振動式磁束計（ＶＳＭ）で測定し
たところ、1950Ｏｅであった。

【００３２】実施例４ 本実施例は請求項４に記載の基板ホルダーの実施例であ
り、図８および図９は本実施例の基板ホルダーの１例を
示す。図８および図９では、基板ホルダー４に基板５を
着脱自在とした大きさのほぼ円形状の透孔５１を穿設開
口し、該透孔５１の開口縁５２の一部に透孔５１の中心
に向かってステンレス製の太さ1.5mm 、長さ5mm の4 本
の金属棒５３を少なくとも2mm 以上の間隔を開けて2mm
程度埋め込んで受部５４を突設して、各受部５４間に空
隙５５を設けた。

【００３３】また。各受部５４の先端部分に凹溝５６を
設け、該凹溝５６で基板５の端縁２６を保持出来るよう
にした。また、他の符号については前記図２ないし図４
に示す基板ホルダーと同一構成のため説明を省略する。

【００３４】そして、前記実施例１と同様の方法で基板
５の表面に磁性膜を備えた磁気記録体を作成した。作成
された各磁気記録体を目視による外観検査をおこなった
ところ、基板には異常は全く見当たらなかった。また、
磁気記録体の保持力を振動式磁束計（ＶＳＭ）で測定し
たところ、1960Ｏｅであった。

【００３５】実施例５ 本実施例は請求項５に記載の基板ホルダーであり、図１
０および図１１は本実施例の基板ホルダーの１例を示
す。図１０および図１１では、基板ホルダー４に基板５
を着脱自在とした大きさのほぼ円形状の透孔６１を穿設
開口し、該透孔６１の開口縁６２の一部に透孔６１の中
心に向かってステンレス製の幅2mm 、厚さ0.5mm の金属
板６３から成る受部６４を４個設けると共に、各受部６
４間に少なくとも基板周方向の幅2mm 以上であって、基
板径方向の長さ3mm の空隙６５を設けた。

【００３６】また、各受部６４の先端部分に段差６６を
設け、該段差６６で基板５の端縁２６を保持出来るよう
にした。

【００３７】また、他の符号については前記図２ないし
図４に示す基板ホルダーと同一構成のため説明を省略す
る。

【００３８】そして、前記実施例１と同様の方法で基板
５の表面に磁性膜を備えた磁気記録体を作成した。作成
された各磁気記録体を目視による外観検査をおこなった
ところ、基板には異常は全く見当たらなかった。また、
磁気記録体の保持力を振動式磁束計（ＶＳＭ）で測定し
たところ、2010Ｏｅであった。

【００３９】比較例１ 図１２および図１３は本発明の基板ホルダー（前記実施
例１）と比較するための基板ホルダーを示す。図１２お
よび図１３では、基板ホルダーａに基板ｂを着脱自在と
した大きさのほぼ円形状の透孔ｃを穿設開口し、該透孔
ｃの開口縁ｄの一部に透孔ｃの中心に向かって長さ2mm
の受部ｅを４個突設すると共に、各受部ｅ間に幅1mm 、
長さ2mm の空隙ｆを設けた。

【００４０】また、各受部ｅの先端側を傾斜状に形成
し、更に先端部分に凹溝ｇを設け、該凹溝ｇで基板ｂの
端縁ｈを保持出来るようにした。

【００４１】そして、前記実施例１と同様の方法で基板
ｂの表面に磁性膜を備えた磁気記録体を作成した。作成
された各磁気記録体を目視による外観検査をおこなった
ところ、基板ホルダーａの受部ｅと接触していた基板ｂ
部分に長さ7mm 程度の異常放電によって生じた痕跡が２
個所、更に長さ 1〜2mm 程度の痕跡が数個所見当たり、
また、基板ｂ表面に形成された磁性膜（スパッタ膜）の
一部がミクロ的ではあるが剥離していた。また、磁気記
録体の保持力を振動式磁束計（ＶＳＭ）で測定したとこ
ろ、1530Ｏｅであった。

【００４２】比較例２ 基板を保持する基板ホルダーの受部を幅1mm 、長さ4mm
の２個とし、２個所の受部間に基板周囲方向に幅3mm 、
基板径方向に長さ4mm の空隙を設けた以外は実施例１と
同様の構成とした。

【００４３】そして、前記実施例１と同様の方法で基板
の表面に磁性膜を備えた磁気記録体を作成した。作成さ
れた各磁気記録体を目視による外観検査をおこなったと
ころ、基板ホルダーの受部と接触していた基板部分に長
さ 2〜3mm 程度の異常放電によって生じた痕跡が数個所
見当たった。また、磁気記録体の保持力を振動式磁束計
（ＶＳＭ）で測定したところ、1490Ｏｅであった。

【００４４】前記実施例と比較例の結果から明らかなよ
うに、本発明の実施例では、基板ホルダーと基板の接触
部分は複数の点状であり、接触部分の周りに充分な空隙
が形成されているので、スパッタ時に金属膜（スパッタ
膜）が基板の端縁にも回り込みやすいため、基板が例え
ばガラス材のような絶縁体であっても、基板表面だけで
はなく基板の端縁にも充分な膜厚の金属膜が形成され、
金属膜が破壊されることなく基板ホルダーを介して基板
にバイアス電圧を印加出来るようになり、その結果合金
磁性膜に損傷を与えずに、保磁力を増加させた合金磁性
膜を備える磁気記録体を製造することが出来ることが確
認された。

【００４５】これに対し、比較例１の基板ホルダーを用
いた場合は、受部は４個あるが基板ホルダーと基板の接
触部分が多く、受部間の空隙が狭いためスパッタ膜が基
板の端縁に回り込みにくく、その結果、基板が絶縁体の
場合はその表面に金属膜が形成されても、基板ホルダー
に接触する基板の端縁は依然として絶縁状態のままであ
るか、もしくはごく薄い金属膜しか形成されないので、
金属膜の抵抗が高く、絶縁破壊やアーキングを起こし、
基板ホルダーとの接触部分近傍の金属膜が破壊され、安
定してバイアス電圧を印加出来ないため、磁気記録体の
保磁力を増加させることが出来ない。

【００４６】また、比較例２の基板ホルダーを用いた場
合は、基板ホルダーと基板の接触点数が少ないため、基
板端縁と基板ホルダーとの接触において電気的に安定し
て短絡する確率は小さく、その結果、時々接触点におい
てアーキング等の異常放電が生じ、金属膜を破壊して安
定してバイアスがかからないため、磁気記録体の保磁力
を増加させることが出来ない。

【００４７】前記実施例では基板を保持する受部が形成
された透孔の形状は基板を着脱自在とし得る形状であれ
ばよく、円形状に限定されるものではない。

【００４８】また、前記実施例ではＣｒ膜を下地膜と
し、その上にＣｏ合金膜を連続して形成する面内記録型
のハードディスク媒体の製造に用いたが、基板にバイア
ス電圧を印加することにより磁性特性が向上する例えば
Ｃｒ下地膜を設けない垂直記録媒体についても絶縁性基
板を用いる場合に同様に適用することが出来る。

【００４９】また、前記実施例では基板の端縁を保持す
る個所が基板外周縁としたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、同様の原理で基板内周縁を保持しても
よい。

【００５０】また、基板により安定にバイアス電圧を印
加するために、基板表面に下地のＣｒ膜を形成する初期
段階では基板ホルダーに印加せずに、基板の端縁にＣｒ
膜がある程度充分な膜厚として回り込みが得られた時点
で、基板ホルダーにバイアス電圧を印加するようにして
もよい。

【００５１】

【発明の効果】本発明の基板ホルダーによるときは、磁
気記録体の製造装置における非磁性基板を保持し、基板
ホルダーを介して基板にバイアス電圧を印加する際、基
板ホルダーの基板の受部周辺に充分な多数の点接触と、
点接触周囲の基板の端縁にも基板表面に堆積する金属膜
が回り込みやすいように充分な空隙を備えた基板ホルダ
ーを用いるようにしたので、基板が絶縁性の非磁性基板
であっても基板にバイアス電圧を印加することが出来
て、保磁力の向上した磁気記録体を極めて容易に製造す
ることが出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の基板ホルダーを用いたスパッタ装置
の１例の模式図、（Ａ）はその正面断面図、（Ｂ）はそ
の側面断面図、

【図２】 本発明の基板ホルダーの１例を示す全体説明
図、

【図３】 本発明の基板ホルダーの受部の拡大平面図、

【図４】 図３のＩＶ−ＩＶ線の截断面図、

【図５】 本発明の基板ホルダーの他の実施例の受部の
拡大平面図、

【図６】 本発明の基板ホルダーの更に他の実施例の受
部の拡大平面図、

【図７】 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の截断面図、

【図８】 本発明の基板ホルダーの変形例の実施例の受
部の拡大平面図、

【図９】 図８のＩＸ−ＩＸ線の截断面図、

【図１０】 本発明の基板ホルダーの他の変形例の受部
の拡大平面図、

【図１１】 図１０のＸＩ−ＸＩ線截断面図、

【図１２】 比較例の基板ホルダーの受部の拡大平面
図、

【図１３】 図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線截断面図、

【図１４】 従来の基板ホルダーの全体説明図、

【図１５】 従来の基板ホルダーの受部の拡大平面図、

【図１６】 図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線の拡大截断面
図、

【図１７】 図１６の要部の拡大図。

【符号の説明】

４ 基板ホルダー、 ５ 基板、２１，３１，４
１，５１，６１ 透孔、２２，３２，４２，５２，６
２ 開口縁、２３，３３，４３，５４，６４ 受
部、２４，３４，４４，５５，６５ 空隙、２６
基板の端縁、 ４４ 網部材、５３ 金属棒、
６３ 金属薄板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 郁生 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 白 忠烈 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スパッタ法により非磁性基板上に５at％
   以上のＣｒを含有するＣｏ合金磁性膜を形成して成る磁
   気記録体の製造装置であって、該装置の非磁性基板を支
   持する基板ホルダーを通して基板に直流のバイアス電圧
   を印加する磁気記録体の製造装置の基板ホルダーにおい
   て、前記基板ホルダーの非磁性基板を保持する基板の受
   部は基板ホルダーに開口された透孔であって、該透孔の
   開口縁と基板の端縁の接触が４個所以上で、かつ該受部
   間に幅２ｍｍ以上で長さ３ｍｍ以上の櫛形状の空隙を有
   することを特徴とする磁気記録体の製造装置の基板ホル
   ダー。
2. 【請求項２】 前記基板ホルダーの基板の受部は、先端
   間隔が１ｍｍ以上の鋸歯形状であることを特徴とする請
   求項１に記載の磁気記録体の製造装置の基板ホルダー。
3. 【請求項３】 前記基板ホルダーの基板の受部は、その
   先端側に太さ０．５ｍｍ以下の金属線の複数本を網状に
   編成した網部材を装着したことを特徴とする請求項１に
   記載の磁気記録体の製造装置の基板ホルダー。
4. 【請求項４】 前記基板ホルダーの基板の受部は、直径
   ２ｍｍ以下の金属棒であって、かつ該金属棒が基板ホル
   ダーの透孔の開口縁に４個所以上装着されていることを
   特徴とする請求項１に記載の磁気記録体の製造装置の基
   板ホルダー。
5. 【請求項５】 前記基板ホルダーの基板の受部は、厚さ
   ０．５ｍｍ以下の金属薄板であって、かつ該金属薄板が
   基板ホルダーの透孔の開口縁に４個所以上装着されてい
   ることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録体の製造
   装置の基板ホルダー。