JPH0626589A - 電磁弁駆動装置 - Google Patents
電磁弁駆動装置Info
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- JPH0626589A JPH0626589A JP32386792A JP32386792A JPH0626589A JP H0626589 A JPH0626589 A JP H0626589A JP 32386792 A JP32386792 A JP 32386792A JP 32386792 A JP32386792 A JP 32386792A JP H0626589 A JPH0626589 A JP H0626589A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電磁弁を高速・高応答に作動させ得、電流制限
抵抗の発熱や電磁弁のソレノイドコイルの焼付き等を防
止できる電磁弁駆動装置を提供する。 【構成】リアクトル７と、コンデンサ９と、ダイオード
８と、チョッパ用トランジスタ１０とにより構成された
昇圧チョッパ回路６を設け、昇圧チョッパ回路６により
昇圧した電圧を電磁弁５にプルアップ電圧として印加供
給するようにした。
抵抗の発熱や電磁弁のソレノイドコイルの焼付き等を防
止できる電磁弁駆動装置を提供する。 【構成】リアクトル７と、コンデンサ９と、ダイオード
８と、チョッパ用トランジスタ１０とにより構成された
昇圧チョッパ回路６を設け、昇圧チョッパ回路６により
昇圧した電圧を電磁弁５にプルアップ電圧として印加供
給するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速電磁弁等の電磁弁
を駆動する電磁弁駆動装置に関するものである。
を駆動する電磁弁駆動装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の電磁弁駆動装置を示す図で
ある。図４において１は直流電源、２および３はＮＰＮ
トランジスタ、４は電流制限抵抗、５は電磁弁である。
図５は電磁弁５の具体的な構造を示す概略図である。図
５において５１はソレノイドコイル、５２はスプリン
グ、５３は弁可動部である。
ある。図４において１は直流電源、２および３はＮＰＮ
トランジスタ、４は電流制限抵抗、５は電磁弁である。
図５は電磁弁５の具体的な構造を示す概略図である。図
５において５１はソレノイドコイル、５２はスプリン
グ、５３は弁可動部である。
【０００３】上記構成の従来の電磁弁駆動装置において
は、トランジスタ２および３をＯＮにすると、電源１の
電圧が電磁弁５のソレノイドコイル５１に直接印加さ
れ、電磁弁５の弁可動部５３が電磁力によりスプリング
５２のばね力に抗して持ち上げられる。弁可動部５３が
持ち上げられ、電磁弁５が閉じるタイミングでトランジ
スタ２をＯＦＦすると、トランジスタ３を介して抵抗４
により制限された電流が電磁弁５のソレノイドコイル５
１に流れる。このため電磁弁５の弁可動部５３が閉じた
状態に保持される。トランジスタ３をＯＦＦすると、ソ
レノイドコイル５１への通電が断たれるので、スプリン
グ５２のばね力により弁可動部５３は下降し、電磁弁５
が開く。
は、トランジスタ２および３をＯＮにすると、電源１の
電圧が電磁弁５のソレノイドコイル５１に直接印加さ
れ、電磁弁５の弁可動部５３が電磁力によりスプリング
５２のばね力に抗して持ち上げられる。弁可動部５３が
持ち上げられ、電磁弁５が閉じるタイミングでトランジ
スタ２をＯＦＦすると、トランジスタ３を介して抵抗４
により制限された電流が電磁弁５のソレノイドコイル５
１に流れる。このため電磁弁５の弁可動部５３が閉じた
状態に保持される。トランジスタ３をＯＦＦすると、ソ
レノイドコイル５１への通電が断たれるので、スプリン
グ５２のばね力により弁可動部５３は下降し、電磁弁５
が開く。
【０００４】図６は、トランジスタ２および３のＯＮ、
ＯＦＦとソレノイド電圧との関係を示している。なお本
明細書中では、トランジスタ２および３がＯＮのときの
ソレノイド電圧をプルアップ電圧、トランジスタ２がＯ
ＦＦで、トランジスタ３のみがＯＮのときのソレノイド
電圧を保持電圧と称する。
ＯＦＦとソレノイド電圧との関係を示している。なお本
明細書中では、トランジスタ２および３がＯＮのときの
ソレノイド電圧をプルアップ電圧、トランジスタ２がＯ
ＦＦで、トランジスタ３のみがＯＮのときのソレノイド
電圧を保持電圧と称する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４および５に示す従
来の電磁弁駆動装置には、次のような問題があった。す
なわち、電磁弁５を高速に動かすためには、プルアップ
電圧を上げればよいが、図４および５に示す電磁弁駆動
装置でプルアップ電圧を上げるためには、電源電圧を上
げる以外に方法がない。しかるに電源電圧を上げると、
保持電圧も上昇するのでこの保持電圧を、弁可動部５３
の保持に必要な最低限の電圧となすには、電源電圧の上
昇分を抵抗４でドロップさせざるを得ない。このため、
抵抗４での発熱が問題になる。
来の電磁弁駆動装置には、次のような問題があった。す
なわち、電磁弁５を高速に動かすためには、プルアップ
電圧を上げればよいが、図４および５に示す電磁弁駆動
装置でプルアップ電圧を上げるためには、電源電圧を上
げる以外に方法がない。しかるに電源電圧を上げると、
保持電圧も上昇するのでこの保持電圧を、弁可動部５３
の保持に必要な最低限の電圧となすには、電源電圧の上
昇分を抵抗４でドロップさせざるを得ない。このため、
抵抗４での発熱が問題になる。
【０００６】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、その目的は、電磁弁を高速作動させ得、電磁弁
の応答性を向上できる上、電流制限抵抗の発熱による弊
害等を生じることがなく、適正な保持電圧を確保するこ
とができ、加えて電磁弁のソレノイドコイルの焼付き等
を引き起こさずにすむ電磁弁駆動装置を提供することに
ある。
であり、その目的は、電磁弁を高速作動させ得、電磁弁
の応答性を向上できる上、電流制限抵抗の発熱による弊
害等を生じることがなく、適正な保持電圧を確保するこ
とができ、加えて電磁弁のソレノイドコイルの焼付き等
を引き起こさずにすむ電磁弁駆動装置を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明は、リアクトルと、コンデンサ
と、ダイオードと、チョッパ用トランジスタとにより構
成された昇圧チョッパ回路を設け、この昇圧チョッパ回
路により昇圧した電圧を電磁弁にプルアップ電圧として
印加供給するようにした。
達成するために、本発明は、リアクトルと、コンデンサ
と、ダイオードと、チョッパ用トランジスタとにより構
成された昇圧チョッパ回路を設け、この昇圧チョッパ回
路により昇圧した電圧を電磁弁にプルアップ電圧として
印加供給するようにした。
【０００８】また、電磁弁のソレノイドコイルに供給さ
れる弁駆動電流が所定レベルに達したとき、過大電流検
知信号を出力する電流検知部と、この電流検知部から出
力される過大電流検知信号によって作動し電磁弁プルア
ップ用スイッチング素子をＯＦＦにするスイッチング素
子遮断部とからなる弁駆動電流制限手段を備えるように
した。
れる弁駆動電流が所定レベルに達したとき、過大電流検
知信号を出力する電流検知部と、この電流検知部から出
力される過大電流検知信号によって作動し電磁弁プルア
ップ用スイッチング素子をＯＦＦにするスイッチング素
子遮断部とからなる弁駆動電流制限手段を備えるように
した。
【０００９】
【作用】上記手段を講じた結果、次のような作用が生じ
る。
る。
【００１０】（１）昇圧チョッパ回路により昇圧された
電圧が、電磁弁にプルアップ電圧として独立的に印加供
給されるため、保持電圧を上げずにプルアップ電圧のみ
を高めることができる。その結果、ソレノイドコイルに
流れる電流の立ち上がり速度が速くなり、電磁弁が高速
作動されて、電磁弁の応答性が向上する。
電圧が、電磁弁にプルアップ電圧として独立的に印加供
給されるため、保持電圧を上げずにプルアップ電圧のみ
を高めることができる。その結果、ソレノイドコイルに
流れる電流の立ち上がり速度が速くなり、電磁弁が高速
作動されて、電磁弁の応答性が向上する。
【００１１】（２）電磁弁のソレノイドコイルに過大電
流が流れようとすると、電流検知部が過大電流検知信号
を出力し、スイッチング素子遮断部を作動させる。この
ため電磁弁プルアップ用スイッチング素子が遮断され
る。したがって過大電流が電磁弁のソレノイドコイルに
流れるのを防止できる。
流が流れようとすると、電流検知部が過大電流検知信号
を出力し、スイッチング素子遮断部を作動させる。この
ため電磁弁プルアップ用スイッチング素子が遮断され
る。したがって過大電流が電磁弁のソレノイドコイルに
流れるのを防止できる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の第１実施例に係る電磁弁駆動
装置の構成を示す図である。図１に示す電磁弁駆動装置
は、直流電源１の直流電圧を昇圧チョッパ回路６によっ
て、昇圧し、その昇圧された電圧を電磁弁プルアップ用
スイッチング素子（この素子は他の半導体素子であって
もよい）であるトランジスタ２を介して電磁弁５へプル
アップ電圧として印加供給するように構成されている。
昇圧チョッパ回路６はリアクトル７，ダイオード８，コ
ンデンサ９，チョッパ用ＮＰＮトランジスタ１０により
構成されている。なお１１は逆流阻止ダイオードであ
る。
装置の構成を示す図である。図１に示す電磁弁駆動装置
は、直流電源１の直流電圧を昇圧チョッパ回路６によっ
て、昇圧し、その昇圧された電圧を電磁弁プルアップ用
スイッチング素子（この素子は他の半導体素子であって
もよい）であるトランジスタ２を介して電磁弁５へプル
アップ電圧として印加供給するように構成されている。
昇圧チョッパ回路６はリアクトル７，ダイオード８，コ
ンデンサ９，チョッパ用ＮＰＮトランジスタ１０により
構成されている。なお１１は逆流阻止ダイオードであ
る。
【００１３】なお２〜５は図４に示したものと同様のも
のであり、２および３がＮＰＮトランジスタ、４が電流
制限抵抗、５が電磁弁である。電磁弁は図５に示す構造
を有している。
のであり、２および３がＮＰＮトランジスタ、４が電流
制限抵抗、５が電磁弁である。電磁弁は図５に示す構造
を有している。
【００１４】上記構成の電磁弁駆動装置は、次のように
動作する。まず、昇圧チョッパ回路６の動作について説
明する。チョッパ用トランジスタ１０をＯＮにすると、
リアクトル７にエネルギが蓄積され、チョッパ用トラン
ジスタ１０をＯＦＦにすると、リアクトル７に蓄積され
たエネルギがダイオード８を通してコンデンサ９へ移
る。この操作を繰返し行うことにより、コンデンサ９の
充電電圧が上昇するので、所定の昇圧電圧を得るには、
チョッパ用トランジスタ１０を所定の回数だけＯＮ／Ｏ
ＦＦ動作させればよい。図２の（ａ）は、チョッパ用ト
ランジスタ１０のＯＮ／ＯＦＦ動作に対するコンデンサ
電圧との関係を示している。
動作する。まず、昇圧チョッパ回路６の動作について説
明する。チョッパ用トランジスタ１０をＯＮにすると、
リアクトル７にエネルギが蓄積され、チョッパ用トラン
ジスタ１０をＯＦＦにすると、リアクトル７に蓄積され
たエネルギがダイオード８を通してコンデンサ９へ移
る。この操作を繰返し行うことにより、コンデンサ９の
充電電圧が上昇するので、所定の昇圧電圧を得るには、
チョッパ用トランジスタ１０を所定の回数だけＯＮ／Ｏ
ＦＦ動作させればよい。図２の（ａ）は、チョッパ用ト
ランジスタ１０のＯＮ／ＯＦＦ動作に対するコンデンサ
電圧との関係を示している。
【００１５】次に、昇圧チョッパ回路６を含む駆動装置
全体の動作を説明する。トランジスタ２および３をＯＮ
にすると、昇圧チョッパ回路６によって昇圧されコンデ
ンサ９に充電された電圧がトランジスタ２を介して電磁
弁５のソレノイドコイル５１に印加される。したがって
ソレノイドコイル５１に電磁弁５を駆動するのに十分な
大きさの電流が流れ、これにより発生した強力な電磁力
によって電磁弁５の弁可動部５３が素早く動作する。そ
してトランジスタ２をＯＦＦにすると、抵抗４により制
限された保持電流がトランジスタ３を介して電磁弁５の
ソレノイドコイル５１に流れる。かくして弁可動部５３
は上記保持電流による電磁力によって一定期間保持され
続ける。その後、トランジスタ３をＯＦＦにするとソレ
ノイドコイル５１の通電が断たれてスプリング５２の復
原力により弁可動部５３が戻されて、電磁弁５が開く。
図２の（ｂ）は、ソレノイドコイル５１に印加される電
圧と、弁可動部５３の変位とを示している。
全体の動作を説明する。トランジスタ２および３をＯＮ
にすると、昇圧チョッパ回路６によって昇圧されコンデ
ンサ９に充電された電圧がトランジスタ２を介して電磁
弁５のソレノイドコイル５１に印加される。したがって
ソレノイドコイル５１に電磁弁５を駆動するのに十分な
大きさの電流が流れ、これにより発生した強力な電磁力
によって電磁弁５の弁可動部５３が素早く動作する。そ
してトランジスタ２をＯＦＦにすると、抵抗４により制
限された保持電流がトランジスタ３を介して電磁弁５の
ソレノイドコイル５１に流れる。かくして弁可動部５３
は上記保持電流による電磁力によって一定期間保持され
続ける。その後、トランジスタ３をＯＦＦにするとソレ
ノイドコイル５１の通電が断たれてスプリング５２の復
原力により弁可動部５３が戻されて、電磁弁５が開く。
図２の（ｂ）は、ソレノイドコイル５１に印加される電
圧と、弁可動部５３の変位とを示している。
【００１６】前記第１実施例に示した電磁弁駆動装置に
おいては、次のような問題を生じることが懸念される。
電磁弁５が閉じ終わる時点のばらつきを解消するために
は、プルアップ時間を長くすればよい。しかるに高圧の
プルアップ電圧を一定時間以上印加し続けると、電磁弁
５のソレノイドコイル５１の磁束密度Ｂが飽和してしま
い、過大電流が流れてしまうことがある。このためソレ
ノイドコイル５１が焼きついたり、トランジスタ２が壊
れたりする虞がある。
おいては、次のような問題を生じることが懸念される。
電磁弁５が閉じ終わる時点のばらつきを解消するために
は、プルアップ時間を長くすればよい。しかるに高圧の
プルアップ電圧を一定時間以上印加し続けると、電磁弁
５のソレノイドコイル５１の磁束密度Ｂが飽和してしま
い、過大電流が流れてしまうことがある。このためソレ
ノイドコイル５１が焼きついたり、トランジスタ２が壊
れたりする虞がある。
【００１７】図３の（ａ）（ｂ）は上記の点につき解決
をはかった本発明の第２実施例の構成を示す図である。
図３の（ａ）に示すように、本実施例が第１実施例と異
なる点は、過大電流が検知されたとき、トランジスタ２
をＯＦＦにする弁駆動電流制限手段１２を設けた点であ
る。この弁駆動電流制限手段１２は、電磁弁ソレノイド
コイル５１に供給される弁駆動電流が所定レベルに達し
たとき、過大電流検知信号を出力する電流検知部１３
と、この電流検知部１３から出力される過大電流検知信
号によって作動し、トランジスタ２をＯＦＦにするスイ
ッチング素子遮断部１４とからなっている。
をはかった本発明の第２実施例の構成を示す図である。
図３の（ａ）に示すように、本実施例が第１実施例と異
なる点は、過大電流が検知されたとき、トランジスタ２
をＯＦＦにする弁駆動電流制限手段１２を設けた点であ
る。この弁駆動電流制限手段１２は、電磁弁ソレノイド
コイル５１に供給される弁駆動電流が所定レベルに達し
たとき、過大電流検知信号を出力する電流検知部１３
と、この電流検知部１３から出力される過大電流検知信
号によって作動し、トランジスタ２をＯＦＦにするスイ
ッチング素子遮断部１４とからなっている。
【００１８】昇圧チョッパ回路６を含めた駆動装置全体
の動作を説明する。トランジスタ２および３をＯＮにす
ると、昇圧されたコンデンサ電圧が電磁弁５のソレノイ
ドコイル５１に印加され、ソレノイドコイル５１に大き
な電流が流れる。これにより発生した電磁力により電磁
弁５の弁可動部５３が素早く動作する。
の動作を説明する。トランジスタ２および３をＯＮにす
ると、昇圧されたコンデンサ電圧が電磁弁５のソレノイ
ドコイル５１に印加され、ソレノイドコイル５１に大き
な電流が流れる。これにより発生した電磁力により電磁
弁５の弁可動部５３が素早く動作する。
【００１９】ところで電磁弁５のソレノイドコイル５１
の磁束密度Ｂが飽和すると、必要以上に大きな電流が流
れてしまう。このように過大な弁駆動電流が流れると、
電流検知部１３がこれを検知し、スイッチング素子遮断
部１４がＯＦＦ動作する。このためトランジスタ２がＯ
ＦＦとなる。その結果、過大電流が電磁弁５のソレノイ
ドコイル５１に流れ続けるのを阻止できる。この後は前
述した弁可動部５３の保持動作が行われる。その後、ト
ランジスタ３をＯＦＦにすると、電磁弁５は開いた状態
になる。
の磁束密度Ｂが飽和すると、必要以上に大きな電流が流
れてしまう。このように過大な弁駆動電流が流れると、
電流検知部１３がこれを検知し、スイッチング素子遮断
部１４がＯＦＦ動作する。このためトランジスタ２がＯ
ＦＦとなる。その結果、過大電流が電磁弁５のソレノイ
ドコイル５１に流れ続けるのを阻止できる。この後は前
述した弁可動部５３の保持動作が行われる。その後、ト
ランジスタ３をＯＦＦにすると、電磁弁５は開いた状態
になる。
【００２０】図３の（ｂ）は弁駆動電流制限手段１２の
他の例を示す図である。トランジスタ２を介して流れる
弁駆動電流が大きくなると、トランジスタ２に直列に接
続された抵抗１５の両端ａ−ｂ間の電位差が大きくな
り、ＰＮＰトランジスタ１６がＯＮになる。そうすると
ａとｄの電位が等しくなり、ｄ点が高電位になるため、
ＰＮＰトランジスタ１７がＯＦＦとなる。このためトラ
ンジスタ２もＯＦＦとなる。１８はトランジスタ１７の
ベース抵抗である。ただし、この場合の入力指令はＬｏ
ｗ Ａｃｔｉｖｅとする。
他の例を示す図である。トランジスタ２を介して流れる
弁駆動電流が大きくなると、トランジスタ２に直列に接
続された抵抗１５の両端ａ−ｂ間の電位差が大きくな
り、ＰＮＰトランジスタ１６がＯＮになる。そうすると
ａとｄの電位が等しくなり、ｄ点が高電位になるため、
ＰＮＰトランジスタ１７がＯＦＦとなる。このためトラ
ンジスタ２もＯＦＦとなる。１８はトランジスタ１７の
ベース抵抗である。ただし、この場合の入力指令はＬｏ
ｗ Ａｃｔｉｖｅとする。
【００２１】上記第２実施例によればプルアップ電圧終
了信号が入力されなくても弁駆動電流が一定レベルに達
すると、トランジスタ２がＯＦＦとなってプルアップが
終了する。このため、基本的には第１実施例と同様にプ
ルアップ電圧をあげて電磁弁５を高速作動させ得、電磁
弁５の応答性を向上させることができる上、下記のよう
な格別の作用効果を奏し得る。 （１）過大電流の通流が防止されるため、ソレノイドコ
イル５１の焼き付き等を防止できると共に、結果的には
電力削減にもなる。
了信号が入力されなくても弁駆動電流が一定レベルに達
すると、トランジスタ２がＯＦＦとなってプルアップが
終了する。このため、基本的には第１実施例と同様にプ
ルアップ電圧をあげて電磁弁５を高速作動させ得、電磁
弁５の応答性を向上させることができる上、下記のよう
な格別の作用効果を奏し得る。 （１）過大電流の通流が防止されるため、ソレノイドコ
イル５１の焼き付き等を防止できると共に、結果的には
電力削減にもなる。
【００２２】（２）電流値が一定値に達したところでプ
ルアップ動作を終了するものであるため、電磁弁５の閉
じ終わる時間のばらつきを考慮して余分にプルアップを
行なわなくてもよい。すなわち、個々の弁が閉じ終わる
時点でプルアップを終了することができる。 （３）プルアップ終了信号が不要となるため、コントロ
ーラの負担が軽減される。 なお、本発明は前記各実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能
であるのは勿論である。
ルアップ動作を終了するものであるため、電磁弁５の閉
じ終わる時間のばらつきを考慮して余分にプルアップを
行なわなくてもよい。すなわち、個々の弁が閉じ終わる
時点でプルアップを終了することができる。 （３）プルアップ終了信号が不要となるため、コントロ
ーラの負担が軽減される。 なお、本発明は前記各実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能
であるのは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、次のような作用効果が
期待できる。
期待できる。
【００２４】（１）昇圧チョッパ回路により昇圧された
電圧が、電磁弁にプルアップ電圧として独立的に印加供
給されるため、保持電圧を上げずにプルアップ電圧のみ
を高めることができる。その結果、ソレノイドコイルに
流れる電流の立ち上がり速度が速くなり、電磁弁が高速
作動されて、電磁弁の応答性が向上する。
電圧が、電磁弁にプルアップ電圧として独立的に印加供
給されるため、保持電圧を上げずにプルアップ電圧のみ
を高めることができる。その結果、ソレノイドコイルに
流れる電流の立ち上がり速度が速くなり、電磁弁が高速
作動されて、電磁弁の応答性が向上する。
【００２５】（２）電磁弁のソレノイドコイルに過大電
流が流れようとすると、電流検知部が過大電流検知信号
を出力し、スイッチング素子遮断部を作動させる。この
ため電磁弁プルアップ用スイッチング素子が遮断され
る。したがって過大電流が電磁弁のソレノイドコイルに
流れるのを防止できる。
流が流れようとすると、電流検知部が過大電流検知信号
を出力し、スイッチング素子遮断部を作動させる。この
ため電磁弁プルアップ用スイッチング素子が遮断され
る。したがって過大電流が電磁弁のソレノイドコイルに
流れるのを防止できる。
【図１】本発明の第１実施例に係る電磁弁駆動装置の構
成を示す図。
成を示す図。
【図２】（ａ）は同電磁弁駆動装置におけるチョッパ用
トランジスタのＯＮ／ＯＦＦ動作に対するコンデンサ電
圧との関係を示す図、（ｂ）はソレノイドコイルに印加
される電圧と弁可動部の変位との関係を示す図。
トランジスタのＯＮ／ＯＦＦ動作に対するコンデンサ電
圧との関係を示す図、（ｂ）はソレノイドコイルに印加
される電圧と弁可動部の変位との関係を示す図。
【図３】（ａ）は本発明の第２実施例の構成を示す図、
（ｂ）は弁駆動電流制限手段の別の例を示す図。
（ｂ）は弁駆動電流制限手段の別の例を示す図。
【図４】従来の電磁弁駆動装置を示す図。
【図５】同電磁弁駆動装置に組み込まれた電磁弁の構造
を示す図。
を示す図。
１…直流電源 ２，３…トランジ
スタ ４…電流制限抵抗 ５…電磁弁 ６…昇圧チョッパ回路 ７…リアクトル ８…ダイオード ９…コンデンサ １０…チョッパ用ＮＰＮトランジスタ １１…逆流阻止ダイオード ５１…ソレノイド
コイル ５３…可動部
スタ ４…電流制限抵抗 ５…電磁弁 ６…昇圧チョッパ回路 ７…リアクトル ８…ダイオード ９…コンデンサ １０…チョッパ用ＮＰＮトランジスタ １１…逆流阻止ダイオード ５１…ソレノイド
コイル ５３…可動部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】追加
【補正内容】
【図６】同電磁弁駆動装置におけるトランジスタのＯＮ
／ＯＦＦとソレノイド電圧及び弁可動部との関係を示す
図。
／ＯＦＦとソレノイド電圧及び弁可動部との関係を示す
図。
Claims (2)
- 【請求項１】リアクトルと、コンデンサと、ダイオード
と、チョッパ用トランジスタとにより構成された昇圧チ
ョッパ回路を設け、この昇圧チョッパ回路により昇圧し
た電圧を電磁弁にプルアップ電圧として印加供給するよ
うにしたことを特徴とする電磁弁駆動装置。 - 【請求項２】電磁弁のソレノイドコイルに供給される弁
駆動電流が所定レベルに達したとき、過大電流検知信号
を出力する電流検知部と、この電流検知部から出力され
る過大電流検知信号によって作動し電磁弁プルアップ用
スイッチング素子をＯＦＦにするスイッチング素子遮断
部とからなる弁駆動電流制限手段を備えてなることを特
徴とする電磁弁駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32386792A JPH0626589A (ja) | 1992-05-11 | 1992-12-03 | 電磁弁駆動装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11751592 | 1992-05-11 | ||
| JP4-117515 | 1992-05-11 | ||
| JP32386792A JPH0626589A (ja) | 1992-05-11 | 1992-12-03 | 電磁弁駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0626589A true JPH0626589A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=26455609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32386792A Withdrawn JPH0626589A (ja) | 1992-05-11 | 1992-12-03 | 電磁弁駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626589A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796223A (en) * | 1996-07-02 | 1998-08-18 | Zexel Corporation | Method and apparatus for high-speed driving of electromagnetic load |
| US5938172A (en) * | 1996-12-27 | 1999-08-17 | Zexel Corporation | Solenoid valve drive system |
| EP0977230A3 (de) * | 1998-07-29 | 2001-08-16 | Delphi Technologies, Inc. | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines elektromagnetischen Betätigungsorgans und Verfahren zum Betreiben einer derartigen Schaltungsanordnung |
| JP2002192021A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Kubota Corp | 外壁材の塗装用スプレーノズル及びその駆動方法 |
| CN102777665A (zh) * | 2012-07-31 | 2012-11-14 | 河南汉威电子股份有限公司 | 电磁阀控制电路及其电磁阀接入自检方法 |
| KR101878134B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2018-07-13 | 현대모비스 주식회사 | 솔레노이드 코일의 저항값 측정 장치 |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP32386792A patent/JPH0626589A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796223A (en) * | 1996-07-02 | 1998-08-18 | Zexel Corporation | Method and apparatus for high-speed driving of electromagnetic load |
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| EP0977230A3 (de) * | 1998-07-29 | 2001-08-16 | Delphi Technologies, Inc. | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines elektromagnetischen Betätigungsorgans und Verfahren zum Betreiben einer derartigen Schaltungsanordnung |
| JP2002192021A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Kubota Corp | 外壁材の塗装用スプレーノズル及びその駆動方法 |
| KR101878134B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2018-07-13 | 현대모비스 주식회사 | 솔레노이드 코일의 저항값 측정 장치 |
| CN102777665A (zh) * | 2012-07-31 | 2012-11-14 | 河南汉威电子股份有限公司 | 电磁阀控制电路及其电磁阀接入自检方法 |
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