JPH06267659A - 薄膜ｅｌパネルのタングステン電極の形成方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルのタングステン電極の形成方法Info
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- JPH06267659A JPH06267659A JP5047821A JP4782193A JPH06267659A JP H06267659 A JPH06267659 A JP H06267659A JP 5047821 A JP5047821 A JP 5047821A JP 4782193 A JP4782193 A JP 4782193A JP H06267659 A JPH06267659 A JP H06267659A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁耐圧の高い逆構造の薄膜ＥＬパネルのＷ
電極の形成方法を提供すること。 【構成】 石英の基板３０を設置した真空槽内の到達真
空度を８×１０-7Ｔｏｒｒにした後、真空槽内にＡｒガ
スを導入し、Ａｒ雰囲気中でスパッタリングして、基板
３０上にＷ電極膜３２を形成する。Ｗ電極膜のスパッタ
条件はＡｒガス圧を２×１０-2Ｔｏｒｒ、スパッタパワ
−を０．３〜２．０ｋＷとする。次に、Ｗ電極膜３２を
パタ−ニングしてストライプ状のＷ電極３４を形成し、
その上に、第１絶縁膜３６、発光膜、第２絶縁膜および
ＩＴＯ膜を順に形成する。次に、ＩＴＯ薄膜をパタ−ニ
ングして、Ｗ電極３４のストライプ状のパタ−ンと直交
するストライプ状の水平パタ−ンを有するＩＴＯ電極を
形成する。
電極の形成方法を提供すること。 【構成】 石英の基板３０を設置した真空槽内の到達真
空度を８×１０-7Ｔｏｒｒにした後、真空槽内にＡｒガ
スを導入し、Ａｒ雰囲気中でスパッタリングして、基板
３０上にＷ電極膜３２を形成する。Ｗ電極膜のスパッタ
条件はＡｒガス圧を２×１０-2Ｔｏｒｒ、スパッタパワ
−を０．３〜２．０ｋＷとする。次に、Ｗ電極膜３２を
パタ−ニングしてストライプ状のＷ電極３４を形成し、
その上に、第１絶縁膜３６、発光膜、第２絶縁膜および
ＩＴＯ膜を順に形成する。次に、ＩＴＯ薄膜をパタ−ニ
ングして、Ｗ電極３４のストライプ状のパタ−ンと直交
するストライプ状の水平パタ−ンを有するＩＴＯ電極を
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、画像表示装置の使用
される薄膜ＥＬパネルに関するものであり、特に、基板
上にタングステン電極を形成し、絶縁膜および発光膜を
介して透明電極を設けた逆構造の薄膜ＥＬパネルのタン
グステン電極の形成法に関する。
される薄膜ＥＬパネルに関するものであり、特に、基板
上にタングステン電極を形成し、絶縁膜および発光膜を
介して透明電極を設けた逆構造の薄膜ＥＬパネルのタン
グステン電極の形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、アルカリ土類金属硫化物を発光母
体に用いてマトリクス表示を行う薄膜ＥＬパネルが研究
されている。通常の薄膜ＥＬパネルは、透明基板上にス
トライプ状のパタ−ンを有する透明電極を形成し、絶縁
膜及び発光膜を介して透明電極と直交したストライプ状
の水平パタ−ンを有するアルミニウム電極を設けてあ
る。この薄膜ＥＬパネルでは、Ａｌ電極と透明電極との
間に、例えば２００Ｖ程度の交流電圧を選択的に印加す
ることにより、電圧を印加された上記両電極が交差した
部分に挟まれる発光膜から電界発光（ＥＬ）が得られ
る。この発光は、透明電極および透明基板を介して観察
される。
体に用いてマトリクス表示を行う薄膜ＥＬパネルが研究
されている。通常の薄膜ＥＬパネルは、透明基板上にス
トライプ状のパタ−ンを有する透明電極を形成し、絶縁
膜及び発光膜を介して透明電極と直交したストライプ状
の水平パタ−ンを有するアルミニウム電極を設けてあ
る。この薄膜ＥＬパネルでは、Ａｌ電極と透明電極との
間に、例えば２００Ｖ程度の交流電圧を選択的に印加す
ることにより、電圧を印加された上記両電極が交差した
部分に挟まれる発光膜から電界発光（ＥＬ）が得られ
る。この発光は、透明電極および透明基板を介して観察
される。
【０００３】ところで、薄膜ＥＬパネルを用いてカラ−
表示を行うためには、カラ−フィルタを介して発光を取
り出す必要がある。しかし、通常の構造の薄膜ＥＬパネ
ルにおいて、ガラス基板の外側にカラ−フィルタを設け
たのでは、発光膜とカラ−フィルタとの間の距離が長く
なってしまう。このため、ガラス基板面に垂直な方向以
外から薄膜ＥＬパネルを見ると、発光膜の各ドットとカ
ラ−フィルタとがずれてしまう。
表示を行うためには、カラ−フィルタを介して発光を取
り出す必要がある。しかし、通常の構造の薄膜ＥＬパネ
ルにおいて、ガラス基板の外側にカラ−フィルタを設け
たのでは、発光膜とカラ−フィルタとの間の距離が長く
なってしまう。このため、ガラス基板面に垂直な方向以
外から薄膜ＥＬパネルを見ると、発光膜の各ドットとカ
ラ−フィルタとがずれてしまう。
【０００４】そこで、透明電極上にカラ−フィルタを密
着させて発光膜とカラ−フィルタの距離を短くするため
に、基板上にタングステン電極を形成し、絶縁膜及び発
光膜を介して透明電極を設けた逆構造の薄膜ＥＬパネル
の一例が文献：「ＳＩＤ ９１ ＤＩＧＥＳＴ，２７５
−２７８」に提案されている。以下、図面を参照して、
この文献に開示された薄膜ＥＬパネル同様、金属電極と
透明電極との位置が逆構造の薄膜ＥＬパネル（以下、逆
構造パネルとも称す）について従来例として説明する。
図７は、従来例の説明に供する断面の斜視図である。
着させて発光膜とカラ−フィルタの距離を短くするため
に、基板上にタングステン電極を形成し、絶縁膜及び発
光膜を介して透明電極を設けた逆構造の薄膜ＥＬパネル
の一例が文献：「ＳＩＤ ９１ ＤＩＧＥＳＴ，２７５
−２７８」に提案されている。以下、図面を参照して、
この文献に開示された薄膜ＥＬパネル同様、金属電極と
透明電極との位置が逆構造の薄膜ＥＬパネル（以下、逆
構造パネルとも称す）について従来例として説明する。
図７は、従来例の説明に供する断面の斜視図である。
【０００５】従来例の逆構造パネルは、石英の基板１０
上にストライプ状の平面パタ−ンを有するタングステン
電極（以下、Ｗ電極とも称す）１２、第１絶縁膜１４、
発光膜１６、第２絶縁膜１８および透明電極２０をスパ
ッタリング法等を用いて順次積層して構造となってい
る。第１および第２絶縁膜１４および１８はそれぞれＳ
ｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 等の絶縁性材料からな
る。一方、発光膜１６は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはア
ルカリ土類硫化物ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳ等を発光母体
とし、発光中心として０．０１〜数ｍｏｌ％程度の希土
類元素等を含む発光材料により形成されている。そし
て、透明電極２０は、Ｗ電極１２と直交するストライプ
状の平面パタ−ンを有したＩＴＯ（Indiumum Tin Oxid
e）電極２０を以って構成してある。
上にストライプ状の平面パタ−ンを有するタングステン
電極（以下、Ｗ電極とも称す）１２、第１絶縁膜１４、
発光膜１６、第２絶縁膜１８および透明電極２０をスパ
ッタリング法等を用いて順次積層して構造となってい
る。第１および第２絶縁膜１４および１８はそれぞれＳ
ｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 等の絶縁性材料からな
る。一方、発光膜１６は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはア
ルカリ土類硫化物ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳ等を発光母体
とし、発光中心として０．０１〜数ｍｏｌ％程度の希土
類元素等を含む発光材料により形成されている。そし
て、透明電極２０は、Ｗ電極１２と直交するストライプ
状の平面パタ−ンを有したＩＴＯ（Indiumum Tin Oxid
e）電極２０を以って構成してある。
【０００６】従来例の逆構造パネルでは、Ｗ電極１２と
ＩＴＯ電極２０との間に例えば２００Ｖ程度の交流電圧
を選択的に印加すると、電圧を印加された上記両電極の
交差した部分に挟まれた発光膜１６部分において電界発
光（ＥＬ）が生じる。逆構造パネルでは、この発光をＩ
ＴＯ電極２０を介して取り出す。
ＩＴＯ電極２０との間に例えば２００Ｖ程度の交流電圧
を選択的に印加すると、電圧を印加された上記両電極の
交差した部分に挟まれた発光膜１６部分において電界発
光（ＥＬ）が生じる。逆構造パネルでは、この発光をＩ
ＴＯ電極２０を介して取り出す。
【０００７】従って、逆構造パネルにおいては、透明電
極上に直にカラ−フィルタを設けることができる。この
ため、薄膜ＥＬパネルをパネル面に対して斜め方向から
見た場合もドットとカラ−フィルタのずれがほとんどな
いカラ−表示を行うことができる。
極上に直にカラ−フィルタを設けることができる。この
ため、薄膜ＥＬパネルをパネル面に対して斜め方向から
見た場合もドットとカラ−フィルタのずれがほとんどな
いカラ−表示を行うことができる。
【０００８】ところで、逆構造パネルの金属電極は、発
光膜形成時に高温（約５００℃）に曝される。このた
め、基板上に形成する金属電極には融点の高い導電性材
料を用いることが必要となる。従って、通常の金属電極
に用いられるアルミニウムは融点が低い（約６５０℃）
ので、この金属電極として不適切である。アルミニウム
に代わる金属電極としては、絶縁膜との反応性の低さ、
熱膨張率およびパタ−ン形成の容易性を考慮すると、Ｗ
電極が適している。
光膜形成時に高温（約５００℃）に曝される。このた
め、基板上に形成する金属電極には融点の高い導電性材
料を用いることが必要となる。従って、通常の金属電極
に用いられるアルミニウムは融点が低い（約６５０℃）
ので、この金属電極として不適切である。アルミニウム
に代わる金属電極としては、絶縁膜との反応性の低さ、
熱膨張率およびパタ−ン形成の容易性を考慮すると、Ｗ
電極が適している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板上
に形成したＷ電極の表面は、Ａｌ電極表面と比べて凹凸
が大きい。表面の凹凸が大きくなるとＷ電極上に形成し
た絶縁膜のリ−ク電流が大きくなってしまう。このた
め、絶縁膜の絶縁耐圧が低くなってしまうという問題が
ある。その結果、Ｗ電極を用いた逆構造の薄膜ＥＬパネ
ルは信頼性の低いものしか得られなかった。
に形成したＷ電極の表面は、Ａｌ電極表面と比べて凹凸
が大きい。表面の凹凸が大きくなるとＷ電極上に形成し
た絶縁膜のリ−ク電流が大きくなってしまう。このた
め、絶縁膜の絶縁耐圧が低くなってしまうという問題が
ある。その結果、Ｗ電極を用いた逆構造の薄膜ＥＬパネ
ルは信頼性の低いものしか得られなかった。
【００１０】そこで、この出願に係る発明者は、種々の
実験および検討を重ねた末、基板を設置した真空槽内の
到達真空度を従来よりも高真空にした後、Ｗ電極膜をス
パッタリング法を用いて形成すると、Ｗ電極の表面の凹
凸が小さくなる現象を発見した。この現象を利用するこ
とにより、Ｗ電極上に形成した絶縁膜のリ−ク電流を従
来よりも小さくすることができる。
実験および検討を重ねた末、基板を設置した真空槽内の
到達真空度を従来よりも高真空にした後、Ｗ電極膜をス
パッタリング法を用いて形成すると、Ｗ電極の表面の凹
凸が小さくなる現象を発見した。この現象を利用するこ
とにより、Ｗ電極上に形成した絶縁膜のリ−ク電流を従
来よりも小さくすることができる。
【００１１】従って、この発明の目的は、絶縁耐圧の高
い逆構造の薄膜ＥＬパネルのＷ電極の形成方法を提供す
ることにある。
い逆構造の薄膜ＥＬパネルのＷ電極の形成方法を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の薄膜ＥＬパネルのタングステン電極の形
成方法によれば、基板上にタングステン電極膜を形成
し、このタングステン電極膜をパタ−ニングしてストラ
イプ状のタングステン電極を成形することにより、薄膜
ＥＬパネルのタングステン電極を形成するにあたり、基
板およびタ−ゲットを設置した真空槽内の到達真空度を
９×１０-7Ｔｏｒｒ以下にした後、真空槽内にＡｒガス
を導入し、Ａｒ雰囲気中でタ−ゲットをスパッタリング
して、基板上にタングステン電極膜を形成することを特
徴とする。
め、この発明の薄膜ＥＬパネルのタングステン電極の形
成方法によれば、基板上にタングステン電極膜を形成
し、このタングステン電極膜をパタ−ニングしてストラ
イプ状のタングステン電極を成形することにより、薄膜
ＥＬパネルのタングステン電極を形成するにあたり、基
板およびタ−ゲットを設置した真空槽内の到達真空度を
９×１０-7Ｔｏｒｒ以下にした後、真空槽内にＡｒガス
を導入し、Ａｒ雰囲気中でタ−ゲットをスパッタリング
して、基板上にタングステン電極膜を形成することを特
徴とする。
【００１３】また、好ましくは、タングステン電極膜形
成時のＡｒガス圧を９×１０-3〜４×１０-2Ｔｏｒｒの
範囲とし、スパッタパワ−密度を０．３〜２Ｗ／ｃｍ2
の範囲とすると良い。
成時のＡｒガス圧を９×１０-3〜４×１０-2Ｔｏｒｒの
範囲とし、スパッタパワ−密度を０．３〜２Ｗ／ｃｍ2
の範囲とすると良い。
【００１４】
【作用】一般に、スパッタリング法を用いてタングステ
ン電極膜（Ｗ電極膜）を形成する場合、Ｗ電極膜中にタ
ングステン酸化物（Ｗ3 Ｏ）の含有量が多くなると、Ｗ
電極膜の表面の凹凸が大きくなる傾向がある。
ン電極膜（Ｗ電極膜）を形成する場合、Ｗ電極膜中にタ
ングステン酸化物（Ｗ3 Ｏ）の含有量が多くなると、Ｗ
電極膜の表面の凹凸が大きくなる傾向がある。
【００１５】そこで、Ｗ電極膜の形成に先立ち、真空槽
内の到達真空度を従来よりも高真空にすると、真空槽内
の酸素分圧が低くなるので、タングステン電極膜の形成
時にタングステン酸化物（Ｗ3 Ｏ）の形成を抑制するこ
とができる。
内の到達真空度を従来よりも高真空にすると、真空槽内
の酸素分圧が低くなるので、タングステン電極膜の形成
時にタングステン酸化物（Ｗ3 Ｏ）の形成を抑制するこ
とができる。
【００１６】図３に、真空槽内の到達真空度と、Ｗ電極
膜の表面の凹凸との関係の測定値をプロットした片対数
グラフを示す。横軸は、到達真空度（Ｔｏｒｒ）を対数
で表し、縦軸は、Ｗ電極膜の表面の凹凸（ｎｍ）を表し
ている。曲線Ｉから明らかな様に、到達真空度が９×１
０-7Ｔｏｒｒのあたりで、急激にＷ電極膜の表面の凹凸
が小さくなる。
膜の表面の凹凸との関係の測定値をプロットした片対数
グラフを示す。横軸は、到達真空度（Ｔｏｒｒ）を対数
で表し、縦軸は、Ｗ電極膜の表面の凹凸（ｎｍ）を表し
ている。曲線Ｉから明らかな様に、到達真空度が９×１
０-7Ｔｏｒｒのあたりで、急激にＷ電極膜の表面の凹凸
が小さくなる。
【００１７】また、到達真空度を９×１０-7Ｔｏｒｒ以
下の高真空とした後、Ｗ電極膜形成時のＡｒガス圧を９
×１０-3〜４×１０-2Ｔｏｒｒの範囲とし、スパッタパ
ワ−密度を０．３〜２Ｗ／ｃｍ2 の範囲とすると、表面
の凹凸のより少ないＷ電極膜を形成することができる。
下の高真空とした後、Ｗ電極膜形成時のＡｒガス圧を９
×１０-3〜４×１０-2Ｔｏｒｒの範囲とし、スパッタパ
ワ−密度を０．３〜２Ｗ／ｃｍ2 の範囲とすると、表面
の凹凸のより少ないＷ電極膜を形成することができる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の薄膜ＥＬ
パネルのタングステン電極の形成方法の実施例について
説明する。尚、以下に参照する図は、この発明が理解で
きる程度に、各構成成分の大きさ、形状および配置関係
を概略的に示してあるにすぎない。従って、この発明
は、図示例にのみ限定されるものでないことは明らかで
ある。
パネルのタングステン電極の形成方法の実施例について
説明する。尚、以下に参照する図は、この発明が理解で
きる程度に、各構成成分の大きさ、形状および配置関係
を概略的に示してあるにすぎない。従って、この発明
は、図示例にのみ限定されるものでないことは明らかで
ある。
【００１９】図１の（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の薄膜
ＥＬパネルのタングステン電極の形成方法の実施例の説
明に供する前半の工程図である。図２の（Ａ）および
（Ｂ）は、図１の（Ｃ）に続く後半の工程図である。
尚、図では、断面を表すハッチング等を一部省略して示
してある。
ＥＬパネルのタングステン電極の形成方法の実施例の説
明に供する前半の工程図である。図２の（Ａ）および
（Ｂ）は、図１の（Ｃ）に続く後半の工程図である。
尚、図では、断面を表すハッチング等を一部省略して示
してある。
【００２０】石英の基板３０およびタ−ゲット（図示せ
ず）を設置した真空槽内の到達真空度を９×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下の８×１０-7Ｔｏｒｒにした後、真空槽内にＡ
ｒガスを導入し、Ａｒ雰囲気中で前記タ−ゲットをスパ
ッタリングして、基板３０上にタングステン電極膜３２
を形成する（図１の（Ａ））。Ｗ電極膜のスパッタ条件
は、Ａｒガス圧を２×１０-2Ｔｏｒｒ、スパッタパワ−
を０．３〜２．０ｋＷとした。尚、ターゲットの面積は
約１０００ｃｍ2 であり、スパッタパワー密度に換算す
ると、０．３〜２．０Ｗ／ｃｍ2 となる。
ず）を設置した真空槽内の到達真空度を９×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下の８×１０-7Ｔｏｒｒにした後、真空槽内にＡ
ｒガスを導入し、Ａｒ雰囲気中で前記タ−ゲットをスパ
ッタリングして、基板３０上にタングステン電極膜３２
を形成する（図１の（Ａ））。Ｗ電極膜のスパッタ条件
は、Ａｒガス圧を２×１０-2Ｔｏｒｒ、スパッタパワ−
を０．３〜２．０ｋＷとした。尚、ターゲットの面積は
約１０００ｃｍ2 であり、スパッタパワー密度に換算す
ると、０．３〜２．０Ｗ／ｃｍ2 となる。
【００２１】次に、Ｗ電極３４を通常のリソグラフィ技
術を用いてパタ−ニングして、ストライプ状のＷ電極３
４を形成する。
術を用いてパタ−ニングして、ストライプ状のＷ電極３
４を形成する。
【００２２】次に、Ｗ電極３４上に、第１絶縁膜３６と
して、厚さ８０ｎｍのＳｉＯ2 膜および厚さ１５０ｎｍ
のＳｉ3 Ｎ4 膜を順にそれぞれスパッタリング法を用い
て形成する（図１の（Ｂ））。
して、厚さ８０ｎｍのＳｉＯ2 膜および厚さ１５０ｎｍ
のＳｉ3 Ｎ4 膜を順にそれぞれスパッタリング法を用い
て形成する（図１の（Ｂ））。
【００２３】次に、第１絶縁膜３６上に、発光膜３８を
形成する。発光膜３８は、ＳｒＳを発光母体とし、発光
中心としてＣｅＣｌ3 を０．１ｍｏｌ％、ＥｕＳを０．
０３ｍｏｌ％添加し、さらにＣｅの電価補償材料として
ＫＣｌを０．１ｍｏｌ％添加した発光材料を、電子線蒸
着法を用いて形成する。このとき、発光母体ＳｒＳの硫
黄Ｓが抜けて化学量論的組成が崩れるのを防ぐために、
抵抗加熱により硫黄を蒸発させる。さらに、残留ガスに
含まれる酸素が発光膜３８中へ取り込まれるのを防ぐた
め、真空槽中に硫化水素ガスを導入し、還元性雰囲気中
で発光膜を形成する（図１の（Ｃ））。
形成する。発光膜３８は、ＳｒＳを発光母体とし、発光
中心としてＣｅＣｌ3 を０．１ｍｏｌ％、ＥｕＳを０．
０３ｍｏｌ％添加し、さらにＣｅの電価補償材料として
ＫＣｌを０．１ｍｏｌ％添加した発光材料を、電子線蒸
着法を用いて形成する。このとき、発光母体ＳｒＳの硫
黄Ｓが抜けて化学量論的組成が崩れるのを防ぐために、
抵抗加熱により硫黄を蒸発させる。さらに、残留ガスに
含まれる酸素が発光膜３８中へ取り込まれるのを防ぐた
め、真空槽中に硫化水素ガスを導入し、還元性雰囲気中
で発光膜を形成する（図１の（Ｃ））。
【００２４】次に、発光膜３８上に、第２絶縁膜４０を
形成する。第２絶縁膜４０は第１絶縁膜３６と同一の材
料で構成され、発光膜３８に対して第１および第２絶縁
膜の構成が対称となる様に、厚さ１５０ｎｍのＳｉ3 Ｎ
4 膜および厚さ８０ｎｍのＳｉＯ2 膜を順に形成する
（図２の（Ａ））。
形成する。第２絶縁膜４０は第１絶縁膜３６と同一の材
料で構成され、発光膜３８に対して第１および第２絶縁
膜の構成が対称となる様に、厚さ１５０ｎｍのＳｉ3 Ｎ
4 膜および厚さ８０ｎｍのＳｉＯ2 膜を順に形成する
（図２の（Ａ））。
【００２５】次に、第２絶縁膜４０上に、透明電極膜と
してＩＴＯ薄膜（図示せず）を形成する。
してＩＴＯ薄膜（図示せず）を形成する。
【００２６】次に、ＩＴＯ薄膜を通常のリソグラフィ技
術を用いてパタ−ニングして、Ｗ電極３４のストライプ
状のパタ−ンと直交するストライプ状の水平パタ−ンを
有する透明電極４２としてのＩＴＯ電極４２を形成する
（図２の（Ｂ））。
術を用いてパタ−ニングして、Ｗ電極３４のストライプ
状のパタ−ンと直交するストライプ状の水平パタ−ンを
有する透明電極４２としてのＩＴＯ電極４２を形成する
（図２の（Ｂ））。
【００２７】次に、図４の（Ａ）に、上述した実施例の
Ｗ電極膜と同一の形成条件で形成したＷ電極膜の表面の
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による観察像を示す。また比
較のため、到達真空度を２×１０-6Ｔｏｒｒにした後に
形成したＷ電極膜の観察像を図４の（Ｂ）に示す。図４
の（Ａ）と（Ｂ）とを比較すると、真空到達度を９×１
０-7Ｔｏｒｒ以下にした場合は、Ｗ電極膜の表面の凹凸
が小さくなっていることが確認できる。
Ｗ電極膜と同一の形成条件で形成したＷ電極膜の表面の
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による観察像を示す。また比
較のため、到達真空度を２×１０-6Ｔｏｒｒにした後に
形成したＷ電極膜の観察像を図４の（Ｂ）に示す。図４
の（Ａ）と（Ｂ）とを比較すると、真空到達度を９×１
０-7Ｔｏｒｒ以下にした場合は、Ｗ電極膜の表面の凹凸
が小さくなっていることが確認できる。
【００２８】次に、図５に、上述した実施例のＷ電極膜
と同一の形成条件で形成したＷ電極膜上に、厚さ３００
ｎｍのＴａ2 Ｏ5 膜を絶縁膜として形成して、この絶縁
膜のリ−ク電流を測定した結果を示す。図５のグラフ
は、絶縁膜のリ−ク電流−印加電圧特性をプ−ル・フレ
ンケル型Ｖ1/2 −Ｉ／Ｖプロットで示したものである。
グラフの横軸は、印加電圧の平方根を示し、縦軸は、リ
−ク電流を印加電圧で割った値を示している。曲線ＩＩ
は、到達真空度が８×１０-7Ｔｏｒｒの場合、曲線ＩＩ
Ｉは、到達真空度が２×１０-6Ｔｏｒｒの場合をそれぞ
れ示している。曲線ＩＩの示すリ−ク電流は、曲線ＩＩ
Ｉの示すリ−ク電流よりもはるかに小さいことが分か
る。各曲線の先端の×印は絶縁破壊点を示している。各
曲線の絶縁破壊点での電圧を絶縁耐圧に換算すると、曲
線ＩＩＩの示す絶縁耐圧の０．５ＭＶ／ｃｍに対して、
曲線ＩＩの示す絶縁耐圧は３．５ＭＶ／ｃｍに向上して
いる。
と同一の形成条件で形成したＷ電極膜上に、厚さ３００
ｎｍのＴａ2 Ｏ5 膜を絶縁膜として形成して、この絶縁
膜のリ−ク電流を測定した結果を示す。図５のグラフ
は、絶縁膜のリ−ク電流−印加電圧特性をプ−ル・フレ
ンケル型Ｖ1/2 −Ｉ／Ｖプロットで示したものである。
グラフの横軸は、印加電圧の平方根を示し、縦軸は、リ
−ク電流を印加電圧で割った値を示している。曲線ＩＩ
は、到達真空度が８×１０-7Ｔｏｒｒの場合、曲線ＩＩ
Ｉは、到達真空度が２×１０-6Ｔｏｒｒの場合をそれぞ
れ示している。曲線ＩＩの示すリ−ク電流は、曲線ＩＩ
Ｉの示すリ−ク電流よりもはるかに小さいことが分か
る。各曲線の先端の×印は絶縁破壊点を示している。各
曲線の絶縁破壊点での電圧を絶縁耐圧に換算すると、曲
線ＩＩＩの示す絶縁耐圧の０．５ＭＶ／ｃｍに対して、
曲線ＩＩの示す絶縁耐圧は３．５ＭＶ／ｃｍに向上して
いる。
【００２９】次に、上述した実施例の薄膜ＥＬパネルの
印加電圧−輝度特性を図６に示す。図６の横軸は、印加
電圧（Ｖ）を示し、縦軸は、輝度（任意単位）を示して
いる。曲線ＩＶは、到達真空度が８×１０-7Ｔｏｒｒの
場合、曲線Ｖは、比較のため、到達真空度２×１０-6Ｔ
ｏｒｒの場合をそれぞれ示している。各曲線の先端の×
印は絶縁破壊点を示している。図６に示した通り、到達
真空度を８×１０-7Ｔｏｒｒの高真空にした場合は、到
達真空度を２×１０-6Ｔｏｒｒとした場合よりも絶縁耐
圧が１００Ｖ以上高く、より高輝度の薄膜ＥＬパネルを
形成することができたことが確認できた。
印加電圧−輝度特性を図６に示す。図６の横軸は、印加
電圧（Ｖ）を示し、縦軸は、輝度（任意単位）を示して
いる。曲線ＩＶは、到達真空度が８×１０-7Ｔｏｒｒの
場合、曲線Ｖは、比較のため、到達真空度２×１０-6Ｔ
ｏｒｒの場合をそれぞれ示している。各曲線の先端の×
印は絶縁破壊点を示している。図６に示した通り、到達
真空度を８×１０-7Ｔｏｒｒの高真空にした場合は、到
達真空度を２×１０-6Ｔｏｒｒとした場合よりも絶縁耐
圧が１００Ｖ以上高く、より高輝度の薄膜ＥＬパネルを
形成することができたことが確認できた。
【００３０】上述した実施例では、この発明の薄膜ＥＬ
パネルを、特定の材料を使用し、また、特定の条件で形
成した例について説明したが、この発明は多くの変更お
よび変形を行うことができる。例えば、上述した実施例
では、基板として石英基板を用いたが、この発明では、
不透明なセラミック等の絶縁材料を基板として用いても
良い。
パネルを、特定の材料を使用し、また、特定の条件で形
成した例について説明したが、この発明は多くの変更お
よび変形を行うことができる。例えば、上述した実施例
では、基板として石英基板を用いたが、この発明では、
不透明なセラミック等の絶縁材料を基板として用いても
良い。
【００３１】
【発明の効果】上述した説明より明らかな様に、この発
明の薄膜ＥＬパネルのＷ電極の形成方法によれば、到達
真空度を９×１０-7Ｔｏｒｒ以下とすることにより、Ｗ
電極の表面の凹凸を小さくすることができる。このた
め、Ｗ電極上に形成する絶縁膜のリ−ク電流を低減する
ことにより、薄膜ＥＬパネルの絶縁耐圧を向上させるこ
とができる。その結果、より高輝度の信頼性の高い薄膜
ＥＬパネルを得ることができる。
明の薄膜ＥＬパネルのＷ電極の形成方法によれば、到達
真空度を９×１０-7Ｔｏｒｒ以下とすることにより、Ｗ
電極の表面の凹凸を小さくすることができる。このた
め、Ｗ電極上に形成する絶縁膜のリ−ク電流を低減する
ことにより、薄膜ＥＬパネルの絶縁耐圧を向上させるこ
とができる。その結果、より高輝度の信頼性の高い薄膜
ＥＬパネルを得ることができる。
【００３２】また、Ｗ電極中のＷ3 Ｏの含有量を少なく
することができるので、このＷ電極膜を成形してＷ電極
を形成すれば、Ｗ電極のシ−ト抵抗値を低くすることが
できる。
することができるので、このＷ電極膜を成形してＷ電極
を形成すれば、Ｗ電極のシ−ト抵抗値を低くすることが
できる。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の薄膜ＥＬパネル
のＷ電極の形成方法の説明に供する前半の工程図であ
る。
のＷ電極の形成方法の説明に供する前半の工程図であ
る。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は、図１の（Ｃ）に続く後
半の工程図である。
半の工程図である。
【図３】真空槽内の到達真空度と、Ｗ電極膜の表面の凹
凸との関係の測定結果を示すグラフである。
凸との関係の測定結果を示すグラフである。
【図４】Ｗ電極膜の表面の原子間力顕微鏡による観察像
である。
である。
【図５】絶縁膜のリ−ク電流−印加電圧特性をプ−ル・
フレンケル型Ｖ1/2 −Ｉ／Ｖプロットで示したグラフで
ある。
フレンケル型Ｖ1/2 −Ｉ／Ｖプロットで示したグラフで
ある。
【図６】実施例の薄膜ＥＬパネルの印加電圧−輝度特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図７】従来例の逆構造の薄膜ＥＬパネルの構造の説明
に供する断面の斜視図である。
に供する断面の斜視図である。
１０：基板 １２：タングステン電極（Ｗ電極） １４：第１絶縁膜 １６：発光膜 １８：第２絶縁膜 ２０：透明電極（ＩＴＯ電極） ３０：基板 ３２：タングステン電極膜（Ｗ電極膜） ３４：タングステン電極（Ｗ電極） ３６：第１絶縁膜 ３８：発光膜 ４０：第２絶縁膜 ４２：透明電極（ＩＴＯ電極）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高 青竹 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にタングステン電極膜を形成し、
該タングステン電極膜をパタ−ニングしてストライプ状
のタングステン電極を形成することにより、薄膜ＥＬパ
ネルのタングステン電極を形成するにあたり、 前記基板およびタ−ゲットを設置した真空槽内の到達真
空度を９×１０-7Ｔｏｒｒ以下にした後、該真空槽内に
Ａｒガスを導入し、Ａｒ雰囲気中で前記タ−ゲットをス
パッタリングして、前記基板上にタングステン電極膜を
形成することを特徴とする薄膜ＥＬパネルのタングステ
ン電極の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜ＥＬパネルのタン
グステン電極の形成方法において、タングステン電極膜
形成時のＡｒガス圧を９×１０-3〜４×１０-2Ｔｏｒｒ
の範囲とし、スパッタパワ−密度を０．３〜２Ｗ／ｃｍ
2 の範囲とすることを特徴とする薄膜ＥＬパネルのタン
グステン電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047821A JPH06267659A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 薄膜ｅｌパネルのタングステン電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047821A JPH06267659A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 薄膜ｅｌパネルのタングステン電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267659A true JPH06267659A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12786024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5047821A Withdrawn JPH06267659A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 薄膜ｅｌパネルのタングステン電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267659A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08180335A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nec Corp | 電極薄膜とその製造方法および電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッド |
| US20130126883A1 (en) * | 1999-06-22 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring Material, Semiconductor Device Provided with a Wiring Using the Wiring Material and Method of Manufacturing Thereof |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP5047821A patent/JPH06267659A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08180335A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nec Corp | 電極薄膜とその製造方法および電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッド |
| US20130126883A1 (en) * | 1999-06-22 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring Material, Semiconductor Device Provided with a Wiring Using the Wiring Material and Method of Manufacturing Thereof |
| US9660159B2 (en) * | 1999-06-22 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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