JPH06268246A - 光結合装置 - Google Patents
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- JPH06268246A JPH06268246A JP32389393A JP32389393A JPH06268246A JP H06268246 A JPH06268246 A JP H06268246A JP 32389393 A JP32389393 A JP 32389393A JP 32389393 A JP32389393 A JP 32389393A JP H06268246 A JPH06268246 A JP H06268246A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光結合装置において、異なる樹脂の境界に界
面をなくし、電気的絶縁不良および絶縁耐圧の低下防止
を図る。 【構成】 発光素子１５と受光素子１２とが厚み方向に
積層され、該発光素子１５及び受光素子１２が熱硬化性
の遮光性樹脂２４にて封止された光結合装置において、
前記発光素子１５の発光面と受光素子１２の受光面との
間に、前記遮光性樹脂２４と重合反応する熱硬化性の透
光性樹脂絶縁層１４を介層してなることを特徴とする。
面をなくし、電気的絶縁不良および絶縁耐圧の低下防止
を図る。 【構成】 発光素子１５と受光素子１２とが厚み方向に
積層され、該発光素子１５及び受光素子１２が熱硬化性
の遮光性樹脂２４にて封止された光結合装置において、
前記発光素子１５の発光面と受光素子１２の受光面との
間に、前記遮光性樹脂２４と重合反応する熱硬化性の透
光性樹脂絶縁層１４を介層してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子及び受光素子
を備えた光結合装置に関するものである。
を備えた光結合装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光結合装置は、図１０の如く、個
別の金属リードフレーム１，２の先端に、赤外発光ダイ
オード等の発光素子３と、フォトトランジスタ等の受光
素子４とをそれぞれ銀ペースト等にてダイボンドされ、
前記両素子３，４はＡｕワイヤー等のボンディングワイ
ヤーにてワイヤボンドが施され、光学的に結合するよう
対向配置されている。
別の金属リードフレーム１，２の先端に、赤外発光ダイ
オード等の発光素子３と、フォトトランジスタ等の受光
素子４とをそれぞれ銀ペースト等にてダイボンドされ、
前記両素子３，４はＡｕワイヤー等のボンディングワイ
ヤーにてワイヤボンドが施され、光学的に結合するよう
対向配置されている。
【０００３】そして、前記両素子３，４は、素子保護及
び光外部量子効率の向上のため、シリコン樹脂，エポキ
シ樹脂等の透光性樹脂５による一次モールドが施され、
さらに一次モールド体の外周部に、前記金属リードフレ
ーム１，２の保護と外乱光の侵入を遮蔽するため、エポ
キシ樹脂等の遮光性樹脂６にて二次モールドがなされて
いる。
び光外部量子効率の向上のため、シリコン樹脂，エポキ
シ樹脂等の透光性樹脂５による一次モールドが施され、
さらに一次モールド体の外周部に、前記金属リードフレ
ーム１，２の保護と外乱光の侵入を遮蔽するため、エポ
キシ樹脂等の遮光性樹脂６にて二次モールドがなされて
いる。
【０００４】このような構造からなる光結合装置では、
発光素子３と受光素子４との間隔が比較的大きいために
光の損出があり、光結合装置を低電流で駆動することが
困難であるという欠点があった。
発光素子３と受光素子４との間隔が比較的大きいために
光の損出があり、光結合装置を低電流で駆動することが
困難であるという欠点があった。
【０００５】上記欠点を解決するものとして、特開昭５
９−１０３３８７号のホトカプラがある。該フォトカプ
ラは、図１１の如く、受光素子４上に発光素子３を積層
し、両素子３，４間をガラス等の透明絶縁層７により電
気的に絶縁させることで、発光素子３と受光素子４との
間隔を狭くとり、光伝達効率を向上させている。
９−１０３３８７号のホトカプラがある。該フォトカプ
ラは、図１１の如く、受光素子４上に発光素子３を積層
し、両素子３，４間をガラス等の透明絶縁層７により電
気的に絶縁させることで、発光素子３と受光素子４との
間隔を狭くとり、光伝達効率を向上させている。
【０００６】また、上記ホトカプラは、両素子３，４間
の絶縁耐圧が、透明絶縁層７の厚みにより設定でき、十
分高い値を得ることが可能であった。
の絶縁耐圧が、透明絶縁層７の厚みにより設定でき、十
分高い値を得ることが可能であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記フ
ォトカプラは、前記透明絶縁層７と前記発光素子３及び
受光素子４を覆う封止樹脂とが化学結合をしておらず、
両者間に界面が生じている。このため、該界面の長さＤ
が発光素子３と受光素子４との間の沿面距離となり、非
常に短くなる。そして、これら沿面の界面には、外部か
らの汚れや水分が侵入しやすく、その汚れや水分により
イオン伝導が発生する。この現象は、沿面距離が短いほ
ど長時間動作時に電気的絶縁不良が起こる原因となる。
ォトカプラは、前記透明絶縁層７と前記発光素子３及び
受光素子４を覆う封止樹脂とが化学結合をしておらず、
両者間に界面が生じている。このため、該界面の長さＤ
が発光素子３と受光素子４との間の沿面距離となり、非
常に短くなる。そして、これら沿面の界面には、外部か
らの汚れや水分が侵入しやすく、その汚れや水分により
イオン伝導が発生する。この現象は、沿面距離が短いほ
ど長時間動作時に電気的絶縁不良が起こる原因となる。
【０００８】また、前記透明絶縁層７と封止樹脂との界
面が、温度変化等により剥離することがある。このと
き、受光素子４と発光素子３の距離が短いために、剥離
した界面で放電が起こり易い状態となり、絶縁耐圧が極
端に低下する。尚、絶縁耐圧は光結合装置（フォトカプ
ラ）において、不可欠なものである。
面が、温度変化等により剥離することがある。このと
き、受光素子４と発光素子３の距離が短いために、剥離
した界面で放電が起こり易い状態となり、絶縁耐圧が極
端に低下する。尚、絶縁耐圧は光結合装置（フォトカプ
ラ）において、不可欠なものである。
【０００９】さらに、前記発光素子３は底面からだけで
はなく側面からも光を出射するが、発光素子３、受光素
子４および透明絶縁層７をそのまま遮光性樹脂にて封止
すると、発光素子３側面は遮光性樹脂にて覆われ、該側
面からの出射光は遮光性樹脂によって吸収され受光素子
４の受光面に達することがない。このため、発光素子３
側面からの出射光を無駄にしていた。
はなく側面からも光を出射するが、発光素子３、受光素
子４および透明絶縁層７をそのまま遮光性樹脂にて封止
すると、発光素子３側面は遮光性樹脂にて覆われ、該側
面からの出射光は遮光性樹脂によって吸収され受光素子
４の受光面に達することがない。このため、発光素子３
側面からの出射光を無駄にしていた。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑み、発光素子及
び受光素子間での光の伝達効率を向上させ、且つ絶縁耐
圧を高めることができるとともに、長時間動作時の絶縁
不良および温度変化等による剥離を防止し、安定した動
作が可能となる光結合装置の提供を目的とする。
び受光素子間での光の伝達効率を向上させ、且つ絶縁耐
圧を高めることができるとともに、長時間動作時の絶縁
不良および温度変化等による剥離を防止し、安定した動
作が可能となる光結合装置の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光結合装置は、
発光素子と受光素子とが厚み方向に積層され、該発光素
子及び受光素子が熱硬化性の遮光性樹脂にて封止された
光結合装置において、前記発光素子の発光面と受光素子
の受光面との間に、前記遮光性樹脂と重合反応した熱硬
化性の透光性樹脂絶縁層を介層してなることを特徴とす
るものである。また、上記発光素子と上記遮光性樹脂と
の間に、遮光性樹脂、透光性樹脂絶縁層と重合反応する
熱硬化性の光散乱性樹脂を介在してなることを特徴とす
るものである。
発光素子と受光素子とが厚み方向に積層され、該発光素
子及び受光素子が熱硬化性の遮光性樹脂にて封止された
光結合装置において、前記発光素子の発光面と受光素子
の受光面との間に、前記遮光性樹脂と重合反応した熱硬
化性の透光性樹脂絶縁層を介層してなることを特徴とす
るものである。また、上記発光素子と上記遮光性樹脂と
の間に、遮光性樹脂、透光性樹脂絶縁層と重合反応する
熱硬化性の光散乱性樹脂を介在してなることを特徴とす
るものである。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、本発明の請求項１記載の光
結合装置は、発光素子の発光面と受光素子の受光面との
間に透光性樹脂絶縁層を介して光結合させているので、
両素子間の間隔を狭めることができ、光伝達効率の向上
が図れる。また、前記透光性樹脂絶縁層と前記発光素子
及び受光素子を封止している遮光性樹脂とが重合反応を
していることから、沿面距離を短縮させる該透光性樹脂
絶縁層と遮光性樹脂間の界面がなく、長時間動作後での
電気的絶縁不良及び温度変化等により生ずる剥離による
絶縁耐圧の低下を抑えることが可能となる。さらに、両
素子間の絶縁耐圧は、前記透光性樹脂絶縁層の厚みによ
って設定できるため、絶縁限界までの絶縁耐圧を安定し
て確保でき、設定が容易であり絶縁耐圧を向上できる。
結合装置は、発光素子の発光面と受光素子の受光面との
間に透光性樹脂絶縁層を介して光結合させているので、
両素子間の間隔を狭めることができ、光伝達効率の向上
が図れる。また、前記透光性樹脂絶縁層と前記発光素子
及び受光素子を封止している遮光性樹脂とが重合反応を
していることから、沿面距離を短縮させる該透光性樹脂
絶縁層と遮光性樹脂間の界面がなく、長時間動作後での
電気的絶縁不良及び温度変化等により生ずる剥離による
絶縁耐圧の低下を抑えることが可能となる。さらに、両
素子間の絶縁耐圧は、前記透光性樹脂絶縁層の厚みによ
って設定できるため、絶縁限界までの絶縁耐圧を安定し
て確保でき、設定が容易であり絶縁耐圧を向上できる。
【００１３】本発明の請求項２記載の光結合装置は、発
光素子から遮光性樹脂側に発する出射光を光散乱性樹脂
にて散乱させ、受光素子側に拡散することができる。こ
れによって、従来、遮光性樹脂にて吸収されていた光を
受光素子の受光面で受光することが可能となり、光伝達
効率をさらに向上できる。また、遮光性樹脂、透光性樹
脂絶縁層と光散乱性樹脂とが重合反応をしていることか
ら、遮光性樹脂と光散乱性樹脂間および透光性樹脂絶縁
層と光散乱性樹脂間の界面がなく、上記同様、電気的絶
縁不良及び剥離による絶縁耐圧の低下を抑えることが可
能となる。
光素子から遮光性樹脂側に発する出射光を光散乱性樹脂
にて散乱させ、受光素子側に拡散することができる。こ
れによって、従来、遮光性樹脂にて吸収されていた光を
受光素子の受光面で受光することが可能となり、光伝達
効率をさらに向上できる。また、遮光性樹脂、透光性樹
脂絶縁層と光散乱性樹脂とが重合反応をしていることか
ら、遮光性樹脂と光散乱性樹脂間および透光性樹脂絶縁
層と光散乱性樹脂間の界面がなく、上記同様、電気的絶
縁不良及び剥離による絶縁耐圧の低下を抑えることが可
能となる。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の第一実施例を示す図であ
り、同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）は正面断面
図である。
り、同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）は正面断面
図である。
【００１５】本実施例の光結合装置は、図１の如く、表
面に導体配線及び凹部を有する絶縁ケース基板１１の該
凹部に、フォトダイオード等の受光素子１２を受光素子
搭載用電極部１３ａを介して銀ペースト等にてダイボン
ドされ、さらに、前記受光素子１２の受光面上に、エポ
キシ樹脂，ポリイミド樹脂等の熱硬化性の透光性樹脂絶
縁層１４を介して発光ダイオード等の発光素子１５が搭
載されている。
面に導体配線及び凹部を有する絶縁ケース基板１１の該
凹部に、フォトダイオード等の受光素子１２を受光素子
搭載用電極部１３ａを介して銀ペースト等にてダイボン
ドされ、さらに、前記受光素子１２の受光面上に、エポ
キシ樹脂，ポリイミド樹脂等の熱硬化性の透光性樹脂絶
縁層１４を介して発光ダイオード等の発光素子１５が搭
載されている。
【００１６】前記透光性樹脂絶縁層１４を具体的に説明
すると、例えば酸無水物系硬化剤またはアミン系硬化剤
を使用し、シリカの充填剤を重量比４０〜６０％混入し
たエポキシ樹脂とする。また、厚さは０．１〜０．２ｍ
ｍ程度とし、この厚さで数キロボルトの電気絶縁性をも
たせることができる。
すると、例えば酸無水物系硬化剤またはアミン系硬化剤
を使用し、シリカの充填剤を重量比４０〜６０％混入し
たエポキシ樹脂とする。また、厚さは０．１〜０．２ｍ
ｍ程度とし、この厚さで数キロボルトの電気絶縁性をも
たせることができる。
【００１７】ここで、前記透光性樹脂絶縁層１４の厚さ
を増加または減少させることで、受発光素子間の光伝達
効率を制御することが可能である。しかしながら、光伝
達効率と電気絶縁性とは反比例（厚みを、薄くすると光
伝達効率は上がるが、電気絶縁性が下がる。逆に、厚く
すると光伝達効率は下がるが、電気絶縁性が上がる。）
するため、双方を考慮して厚みを設定することが必要で
ある。本実施例では、絶縁限界までの絶縁耐圧を確保さ
せ、光伝達効率を上げている。
を増加または減少させることで、受発光素子間の光伝達
効率を制御することが可能である。しかしながら、光伝
達効率と電気絶縁性とは反比例（厚みを、薄くすると光
伝達効率は上がるが、電気絶縁性が下がる。逆に、厚く
すると光伝達効率は下がるが、電気絶縁性が上がる。）
するため、双方を考慮して厚みを設定することが必要で
ある。本実施例では、絶縁限界までの絶縁耐圧を確保さ
せ、光伝達効率を上げている。
【００１８】前記発光素子１５、受光素子１２及び透光
性樹脂絶縁層１４の接着は、例えば図２の如く、該透光
性樹脂絶縁層１４の表裏面に粘着層１６，１７を構成
し、粘着性を持たせたことで前記発光素子１５を透光性
樹脂絶縁層１４を介して受光素子１２上に固定する方法
を用いる。例えば、図３（ａ）に示すように、発光素子
ウェハー１８に薄板状の透光性樹脂絶縁層１４を粘着層
１６にて貼り付け、さらにウェハー固定シート１９を粘
着層１７にて貼り付け、これらを図３（ｂ）に示すよう
に、ダイシングにより多分割し、次に図３（ｃ）に示す
ような透光性樹脂絶縁層１４と一体となった発光素子１
５を、受光素子の受光面上に搭載して固定する。すなわ
ち、ここでは前記発光素子及び受光素子間に、前記透光
性樹脂絶縁層を介層し、仮止めのみを行うものであり、
熱硬化工程は行なわない。
性樹脂絶縁層１４の接着は、例えば図２の如く、該透光
性樹脂絶縁層１４の表裏面に粘着層１６，１７を構成
し、粘着性を持たせたことで前記発光素子１５を透光性
樹脂絶縁層１４を介して受光素子１２上に固定する方法
を用いる。例えば、図３（ａ）に示すように、発光素子
ウェハー１８に薄板状の透光性樹脂絶縁層１４を粘着層
１６にて貼り付け、さらにウェハー固定シート１９を粘
着層１７にて貼り付け、これらを図３（ｂ）に示すよう
に、ダイシングにより多分割し、次に図３（ｃ）に示す
ような透光性樹脂絶縁層１４と一体となった発光素子１
５を、受光素子の受光面上に搭載して固定する。すなわ
ち、ここでは前記発光素子及び受光素子間に、前記透光
性樹脂絶縁層を介層し、仮止めのみを行うものであり、
熱硬化工程は行なわない。
【００１９】図１（ａ）の如く、前記発光素子１５及び
受光素子１２を前記絶縁ケース１１の凹部に搭載した
後、前記発光素子１５の電極部２０，２１及び受光素子
１２の電極部２２は、それぞれ前記絶縁ケース１１に設
けられた電極部１３ｂ，１３ｃ，１３ｄとボンディング
ワイヤー２３により電気的に接続される。その後、図１
（ｂ）の如く、前記絶縁ケース１１の凹部には、受光素
子１２への外乱光の遮断及び両素子１２，１５を保護す
るために、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の熱硬化性
の遮光性樹脂２４が注入される。該遮光性樹脂２４の量
は、両素子１２，１５が充分覆われる程度とする。前記
遮光性樹脂２４を具体的に説明すると、例えば、可視域
から赤外域において、厚み０．１５ｍｍで透過率１０％
以下を示すような液状のエポキシ樹脂とする。
受光素子１２を前記絶縁ケース１１の凹部に搭載した
後、前記発光素子１５の電極部２０，２１及び受光素子
１２の電極部２２は、それぞれ前記絶縁ケース１１に設
けられた電極部１３ｂ，１３ｃ，１３ｄとボンディング
ワイヤー２３により電気的に接続される。その後、図１
（ｂ）の如く、前記絶縁ケース１１の凹部には、受光素
子１２への外乱光の遮断及び両素子１２，１５を保護す
るために、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の熱硬化性
の遮光性樹脂２４が注入される。該遮光性樹脂２４の量
は、両素子１２，１５が充分覆われる程度とする。前記
遮光性樹脂２４を具体的に説明すると、例えば、可視域
から赤外域において、厚み０．１５ｍｍで透過率１０％
以下を示すような液状のエポキシ樹脂とする。
【００２０】次に、これら全体を１００℃〜２００℃に
加熱して、前記遮光性樹脂２４及び透光性樹脂絶縁層１
４のそれぞれに硬化反応を起こさせ、さらに、前記遮光
性樹脂２４と透光性樹脂絶縁層１４との境界に重合反応
を起こさせ、光結合装置が構成される。該重合反応によ
り、遮光性樹脂２４と透光性樹脂絶縁層１４との界面は
なくなる。
加熱して、前記遮光性樹脂２４及び透光性樹脂絶縁層１
４のそれぞれに硬化反応を起こさせ、さらに、前記遮光
性樹脂２４と透光性樹脂絶縁層１４との境界に重合反応
を起こさせ、光結合装置が構成される。該重合反応によ
り、遮光性樹脂２４と透光性樹脂絶縁層１４との界面は
なくなる。
【００２１】前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂
２４はエポキシ樹脂同志、ポリイミド樹脂同志又はエポ
キシ樹脂とポリイミド樹脂の組み合わせのように、共に
熱硬化性であれば上述のように重合反応するが、さら
に、前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂１５を同
一の樹脂（例えば、エポキシ樹脂−エポキシ樹脂，ポリ
イミド樹脂−ポリイミド樹脂）とすることが、重合反応
し易く確実であるため望ましい。
２４はエポキシ樹脂同志、ポリイミド樹脂同志又はエポ
キシ樹脂とポリイミド樹脂の組み合わせのように、共に
熱硬化性であれば上述のように重合反応するが、さら
に、前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂１５を同
一の樹脂（例えば、エポキシ樹脂−エポキシ樹脂，ポリ
イミド樹脂−ポリイミド樹脂）とすることが、重合反応
し易く確実であるため望ましい。
【００２２】上記構成の光結合装置によれば、透光性樹
脂絶縁層１４を発光素子１５と受光素子１２間に介在す
ることで、両素子１５，１２間の絶縁耐圧および光伝達
効率は得られる。そこで得られる絶縁耐圧および光伝達
効率は、搭載される前記透光性樹脂絶縁層１４の厚みに
より決まる。
脂絶縁層１４を発光素子１５と受光素子１２間に介在す
ることで、両素子１５，１２間の絶縁耐圧および光伝達
効率は得られる。そこで得られる絶縁耐圧および光伝達
効率は、搭載される前記透光性樹脂絶縁層１４の厚みに
より決まる。
【００２３】また、遮光性樹脂２４と透光性樹脂絶縁層
１４とが重合反応をすることから、該遮光性樹脂２４と
透光性樹脂絶縁層１４間の界面がなくなり、長時間動作
後での電気的絶縁不良及び温度変化等により生ずる剥離
による絶縁耐圧の低下を防止することができる。
１４とが重合反応をすることから、該遮光性樹脂２４と
透光性樹脂絶縁層１４間の界面がなくなり、長時間動作
後での電気的絶縁不良及び温度変化等により生ずる剥離
による絶縁耐圧の低下を防止することができる。
【００２４】図４は、本発明の他の実施例を示す図であ
り、同図（ａ）は断面図であり、同図（ｂ）は樹脂封止
前の斜視図である。
り、同図（ａ）は断面図であり、同図（ｂ）は樹脂封止
前の斜視図である。
【００２５】本実施例は、図示の如く、上記実施例にお
ける絶縁ケース基板の代わりに金属性のリードフレーム
２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄを用い、該リードフレ
ーム２５ａの電極部２６ａ上に受光素子１２、透光性樹
脂絶縁層１４、発光素子１５を順次積層したものであ
る。さらに、本実施例においても、上記実施例と同様
に、前記透光性樹脂絶縁層１４と前記発光素子１５及び
受光素子１２を封止する遮光性樹脂２４に硬化，重合反
応を起こさせ光結合装置が構成される。
ける絶縁ケース基板の代わりに金属性のリードフレーム
２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄを用い、該リードフレ
ーム２５ａの電極部２６ａ上に受光素子１２、透光性樹
脂絶縁層１４、発光素子１５を順次積層したものであ
る。さらに、本実施例においても、上記実施例と同様
に、前記透光性樹脂絶縁層１４と前記発光素子１５及び
受光素子１２を封止する遮光性樹脂２４に硬化，重合反
応を起こさせ光結合装置が構成される。
【００２６】前記透光性樹脂絶縁層１４（例えば、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等）及び遮光性樹脂２４（例
えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）は、上記同
様、共に熱硬化性であれば上述のように重合反応する
が、さらに、前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂
２４を同一の樹脂とすることが、重合反応し易く確実で
あるので望ましい。
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等）及び遮光性樹脂２４（例
えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）は、上記同
様、共に熱硬化性であれば上述のように重合反応する
が、さらに、前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂
２４を同一の樹脂とすることが、重合反応し易く確実で
あるので望ましい。
【００２７】前記受光素子１２、透光性樹脂絶縁層１
４、発光素子１５の積層工程では、受光素子１２及び発
光素子１５間に透光性樹脂絶縁層１４を介層し、仮止め
のみを行うものである。例えば、発光素子ウエハーとシ
ート状の透光性樹脂絶縁層１４を貼り合せ、該ウエハー
と絶縁層を一体化した後ダイシングしてチップ化を行
い、受光素子ウエハーの受光領域上にダイボンドする。
次に、ダイシングにより受光素子１２、透光性樹脂絶縁
層１４、発光素子１５が一体となったチップを形成し、
前記電極部２５ａ上に銀ペースト等で搭載する。
４、発光素子１５の積層工程では、受光素子１２及び発
光素子１５間に透光性樹脂絶縁層１４を介層し、仮止め
のみを行うものである。例えば、発光素子ウエハーとシ
ート状の透光性樹脂絶縁層１４を貼り合せ、該ウエハー
と絶縁層を一体化した後ダイシングしてチップ化を行
い、受光素子ウエハーの受光領域上にダイボンドする。
次に、ダイシングにより受光素子１２、透光性樹脂絶縁
層１４、発光素子１５が一体となったチップを形成し、
前記電極部２５ａ上に銀ペースト等で搭載する。
【００２８】また、前記発光素子１５の電極部（図示せ
ず）及び受光素子１２の電極部（図示せず）は、それぞ
れ前記リードフレーム２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに設けら
れた電極部２６ｂ，２６ｃ，２６ｄとボンディングワイ
ヤー２３により電気的結線がされている。さらに、外乱
光の遮断及び両素子１２，１５の保護を目的として、前
記リードフレーム２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの一
部を除く部分に成形等により遮光性樹脂２４にてモール
ドされている。
ず）及び受光素子１２の電極部（図示せず）は、それぞ
れ前記リードフレーム２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに設けら
れた電極部２６ｂ，２６ｃ，２６ｄとボンディングワイ
ヤー２３により電気的結線がされている。さらに、外乱
光の遮断及び両素子１２，１５の保護を目的として、前
記リードフレーム２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの一
部を除く部分に成形等により遮光性樹脂２４にてモール
ドされている。
【００２９】このように、本実施例においても上記実施
例と同様に、発光素子１５と受光素子１２間に透光性樹
脂絶縁層１４を介在したので、両素子１５，１２間の絶
縁耐圧および光伝達効率は得られ、また、前記透光性樹
脂絶縁層１４と遮光性樹脂２４とが重合反応することか
ら、電気的絶縁不良及び剥離による絶縁耐圧の低下を防
止することができる。
例と同様に、発光素子１５と受光素子１２間に透光性樹
脂絶縁層１４を介在したので、両素子１５，１２間の絶
縁耐圧および光伝達効率は得られ、また、前記透光性樹
脂絶縁層１４と遮光性樹脂２４とが重合反応することか
ら、電気的絶縁不良及び剥離による絶縁耐圧の低下を防
止することができる。
【００３０】図５は、本発明のさらに他の実施例を示す
図であり、同図（ａ）は斜視図であり、同図（ｂ）は正
面断面図である。
図であり、同図（ａ）は斜視図であり、同図（ｂ）は正
面断面図である。
【００３１】本実施例は、図示の如く、表面側と裏面側
とに導体配線３０を有し、側面に前記表裏導体配線を接
続するスルーホール３１を有するガラスエポキシ等から
なるプリント基板３２上に、受光素子１２、透光性樹脂
絶縁層１４、発光素子１５が順次積み上げられ、前記プ
リント基板３２のスルーホール３１上には樹脂流れ止め
枠３３が設けられ、前記受光素子１２、透光性樹脂絶縁
層１４、発光素子１５が遮光性樹脂２４にて封止されて
なる構成である。
とに導体配線３０を有し、側面に前記表裏導体配線を接
続するスルーホール３１を有するガラスエポキシ等から
なるプリント基板３２上に、受光素子１２、透光性樹脂
絶縁層１４、発光素子１５が順次積み上げられ、前記プ
リント基板３２のスルーホール３１上には樹脂流れ止め
枠３３が設けられ、前記受光素子１２、透光性樹脂絶縁
層１４、発光素子１５が遮光性樹脂２４にて封止されて
なる構成である。
【００３２】前記透光性樹脂絶縁層１４（例えば、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等）及び遮光性樹脂（例え
ば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）２４は、上記同
様、共に熱硬化性であれば上述のように重合反応する
が、さらに、前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂
２４を同一の樹脂とすることが、重合反応し易く確実で
あるので望ましい。
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等）及び遮光性樹脂（例え
ば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）２４は、上記同
様、共に熱硬化性であれば上述のように重合反応する
が、さらに、前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂
２４を同一の樹脂とすることが、重合反応し易く確実で
あるので望ましい。
【００３３】以下に、本実施例の光結合装置の製造工程
を図６，図７に従って説明する。
を図６，図７に従って説明する。
【００３４】まず、多数個成形分の１枚のプリント基板
３２′に、表裏導体配線および該表裏導体配線を接続す
るスルーホール３１を形成し、前記表側導体配線におけ
る受光素子搭載用導体部３０′に銀ペースト等にて受光
素子１２がダイボンドされる。続いて、前記受光素子１
２の受光面上に透光性樹脂絶縁層１４が、該透光性樹脂
絶縁層１４上に発光素子１５が、それぞれエポキシ系樹
脂等を主成分とするダイボンド用接着剤で且つ光透過性
と電気絶縁性を有するものを用いて固定される。次に、
前記受光素子１２、透光性樹脂絶縁層１４、発光素子１
５を遮光性樹脂２４にて封止する。該封止の際に、図６
（ａ）の如く、樹脂流れを防止する樹脂流れ止め枠３
３′を耐熱性両面テープ３４等で前記プリント基板３
２′上に貼り合わせる。ここで、前記樹脂流れ止め枠３
３′を受光素子類等の搭載前に貼り合わせておいても差
し支えない。前記樹脂流れ止め枠３３′は、例えばガラ
スエポキシ基板からなり、前記受光素子１２、透光性樹
脂絶縁層１４、発光素子１５が順次積み上げられた高さ
よりも高くなる程度の厚みを有し、幅と長さが前記プリ
ント基板３２′と同サイズとされ、前記プリント基板３
２′表面端部とスルーホール３１上を覆うように形成さ
れている。前記樹脂流れ止め枠３３′を貼り合わせた後
に、液状の遮光性樹脂２４が受光素子１２、透光性樹脂
絶縁層１４、発光素子１５を充分覆う程度に注入され、
続いてこれら全体を１００〜２００度に加熱して透光性
樹脂絶縁層１４および遮光性樹脂２４のそれぞれに硬化
反応を起こさせるとともに、透光性樹脂絶縁層１４と遮
光性樹脂２４との間に重合反応を起こさせる。
３２′に、表裏導体配線および該表裏導体配線を接続す
るスルーホール３１を形成し、前記表側導体配線におけ
る受光素子搭載用導体部３０′に銀ペースト等にて受光
素子１２がダイボンドされる。続いて、前記受光素子１
２の受光面上に透光性樹脂絶縁層１４が、該透光性樹脂
絶縁層１４上に発光素子１５が、それぞれエポキシ系樹
脂等を主成分とするダイボンド用接着剤で且つ光透過性
と電気絶縁性を有するものを用いて固定される。次に、
前記受光素子１２、透光性樹脂絶縁層１４、発光素子１
５を遮光性樹脂２４にて封止する。該封止の際に、図６
（ａ）の如く、樹脂流れを防止する樹脂流れ止め枠３
３′を耐熱性両面テープ３４等で前記プリント基板３
２′上に貼り合わせる。ここで、前記樹脂流れ止め枠３
３′を受光素子類等の搭載前に貼り合わせておいても差
し支えない。前記樹脂流れ止め枠３３′は、例えばガラ
スエポキシ基板からなり、前記受光素子１２、透光性樹
脂絶縁層１４、発光素子１５が順次積み上げられた高さ
よりも高くなる程度の厚みを有し、幅と長さが前記プリ
ント基板３２′と同サイズとされ、前記プリント基板３
２′表面端部とスルーホール３１上を覆うように形成さ
れている。前記樹脂流れ止め枠３３′を貼り合わせた後
に、液状の遮光性樹脂２４が受光素子１２、透光性樹脂
絶縁層１４、発光素子１５を充分覆う程度に注入され、
続いてこれら全体を１００〜２００度に加熱して透光性
樹脂絶縁層１４および遮光性樹脂２４のそれぞれに硬化
反応を起こさせるとともに、透光性樹脂絶縁層１４と遮
光性樹脂２４との間に重合反応を起こさせる。
【００３５】前記透光性樹脂絶縁層１４（例えば、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等）及び遮光性樹脂（例え
ば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）２４は、上記同
様、共に熱硬化性であれば上述のように重合反応する
が、さらに、前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂
２４を同一の樹脂とすることが、重合反応し易く確実で
あるので望ましい。
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等）及び遮光性樹脂（例え
ば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）２４は、上記同
様、共に熱硬化性であれば上述のように重合反応する
が、さらに、前記透光性樹脂絶縁層１４及び遮光性樹脂
２４を同一の樹脂とすることが、重合反応し易く確実で
あるので望ましい。
【００３６】樹脂硬化後、図６（ｂ）の如く、プリント
基板３２′のスルーホール部分Ａ−Ａ′とそれらに直交
するＢ−Ｂ′部分を、ダイシング等の方法で切断し個々
の光結合装置が得られる。
基板３２′のスルーホール部分Ａ−Ａ′とそれらに直交
するＢ−Ｂ′部分を、ダイシング等の方法で切断し個々
の光結合装置が得られる。
【００３７】上記製造方法によれば、１枚のプリント基
板３２′上に例えば数百個の光結合装置を一括で組み立
てることが可能となり、生産工程が大幅に改善できる。
板３２′上に例えば数百個の光結合装置を一括で組み立
てることが可能となり、生産工程が大幅に改善できる。
【００３８】尚、本実施例による作用、効果は上記実施
例と同様であるため、省略する。
例と同様であるため、省略する。
【００３９】本実施例において、図８に示すように、プ
リント基板３２′の表側導体配線３０ａにおける内部回
路部分幅ｄ２〜ｄ４を入力および出力端子対幅ｄ１より
も内側に狭くすることにより、内部回路部分の外側に間
隔ｄ５およびｄ６（０．５〜１．０ｍｍ）が確保され、
内部回路と光結合装置外部との間に充分な絶縁材料（遮
光性樹脂）厚みが確保することができる。
リント基板３２′の表側導体配線３０ａにおける内部回
路部分幅ｄ２〜ｄ４を入力および出力端子対幅ｄ１より
も内側に狭くすることにより、内部回路部分の外側に間
隔ｄ５およびｄ６（０．５〜１．０ｍｍ）が確保され、
内部回路と光結合装置外部との間に充分な絶縁材料（遮
光性樹脂）厚みが確保することができる。
【００４０】図９は、本発明の第二実施例を示す図であ
り、同図（ａ）は斜視図であり、同図（ｂ）は正面断面
図である。本実施例について、図１、図４または図５に
示す上記第一実施例と相異する点のみ説明する。
り、同図（ａ）は斜視図であり、同図（ｂ）は正面断面
図である。本実施例について、図１、図４または図５に
示す上記第一実施例と相異する点のみ説明する。
【００４１】本実施例の光結合装置は、例えば図９の如
く、上記第一実施例において、発光素子１５と遮光性樹
脂２４との間に、遮光性樹脂２４、透光性樹脂絶縁層１
４と重合反応する光散乱性樹脂３５を介在してなる構成
である。
く、上記第一実施例において、発光素子１５と遮光性樹
脂２４との間に、遮光性樹脂２４、透光性樹脂絶縁層１
４と重合反応する光散乱性樹脂３５を介在してなる構成
である。
【００４２】該光散乱性樹脂３５は、例えばエポキシ系
樹脂からなり、シリカ等が重量比４０〜７０％混入さ
れ、可視から赤外領域において、厚み０．１５ｍｍで３
０〜７０％の透過率と、発光素子１５の光を散乱させる
性質を有し、主に発光素子１側面から出射された光を光
散乱性樹脂３５にて散乱させて受光素子１２側に拡散
し、受光面へ導く機能を有している。
樹脂からなり、シリカ等が重量比４０〜７０％混入さ
れ、可視から赤外領域において、厚み０．１５ｍｍで３
０〜７０％の透過率と、発光素子１５の光を散乱させる
性質を有し、主に発光素子１側面から出射された光を光
散乱性樹脂３５にて散乱させて受光素子１２側に拡散
し、受光面へ導く機能を有している。
【００４３】本実施例の製造方法は、上記第一実施例に
おいて、遮光性樹脂注入工程の前に発光素子１５を光散
乱性樹脂３５にて被覆する工程が付加するのみである。
おいて、遮光性樹脂注入工程の前に発光素子１５を光散
乱性樹脂３５にて被覆する工程が付加するのみである。
【００４４】上記構成によって、前記発光素子１５から
遮光性樹脂２４側に発する出射光を光散乱性樹脂３５に
て散乱させ受光素子１２側に拡散することができる。こ
れによって、従来、遮光性樹脂にて吸収されていた光を
受光素子１２の受光面で受光することが可能となり、光
伝達効率をさらに向上できる。この光伝達効率は、上記
第一実施例と比較して２０〜３０％向上できる。また、
遮光性樹脂２４、透光性樹脂絶縁層１４と光散乱性樹脂
３５とが重合反応をしていることから、遮光性樹脂２４
と光散乱性樹脂３５間および透光性樹脂絶縁層１４と光
散乱性樹脂間３５の界面がなく、上記第一実施例同様、
電気的絶縁不良及び剥離による絶縁耐圧の低下を抑える
ことが可能となる。
遮光性樹脂２４側に発する出射光を光散乱性樹脂３５に
て散乱させ受光素子１２側に拡散することができる。こ
れによって、従来、遮光性樹脂にて吸収されていた光を
受光素子１２の受光面で受光することが可能となり、光
伝達効率をさらに向上できる。この光伝達効率は、上記
第一実施例と比較して２０〜３０％向上できる。また、
遮光性樹脂２４、透光性樹脂絶縁層１４と光散乱性樹脂
３５とが重合反応をしていることから、遮光性樹脂２４
と光散乱性樹脂３５間および透光性樹脂絶縁層１４と光
散乱性樹脂間３５の界面がなく、上記第一実施例同様、
電気的絶縁不良及び剥離による絶縁耐圧の低下を抑える
ことが可能となる。
【００４５】また、本実施例において、前記透光性樹脂
絶縁層１４の表面積を、発光素子１５の低面積の２〜４
倍に相当する面積とすることで、安定して発光素子１５
を光散乱性樹脂３５にて被覆することが可能となる。さ
らに、前記光散乱性樹脂３５をドーム状とすることによ
り、効率よく受光素子１２の受光面側へ反射させること
ができる。
絶縁層１４の表面積を、発光素子１５の低面積の２〜４
倍に相当する面積とすることで、安定して発光素子１５
を光散乱性樹脂３５にて被覆することが可能となる。さ
らに、前記光散乱性樹脂３５をドーム状とすることによ
り、効率よく受光素子１２の受光面側へ反射させること
ができる。
【００４６】尚、本発明は、上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の範囲内で、上記実施例に多くの修
正及び変更を加え得ることは勿論である。
のではなく、本発明の範囲内で、上記実施例に多くの修
正及び変更を加え得ることは勿論である。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
光結合装置は、発光素子の発光面と受光素子の受光面と
の間に透光性樹脂絶縁層を設けたので、両素子間の間隔
が狭まり光伝達効率が向上されるとともに、絶縁耐圧が
向上される。従って、光結合装置の高出力化及び低電流
駆動化が可能である。さらに、両素子の縮小が可能とな
り、低コスト化、高速化できる。
光結合装置は、発光素子の発光面と受光素子の受光面と
の間に透光性樹脂絶縁層を設けたので、両素子間の間隔
が狭まり光伝達効率が向上されるとともに、絶縁耐圧が
向上される。従って、光結合装置の高出力化及び低電流
駆動化が可能である。さらに、両素子の縮小が可能とな
り、低コスト化、高速化できる。
【００４８】また、透光性樹脂絶縁層と遮光性樹脂とは
重合反応していることから、両樹脂間に界面がなくな
り、電気的絶縁不良及び剥離による絶縁耐圧の低下が防
止される。従って、より信頼性の高い光結合装置が提供
される。
重合反応していることから、両樹脂間に界面がなくな
り、電気的絶縁不良及び剥離による絶縁耐圧の低下が防
止される。従って、より信頼性の高い光結合装置が提供
される。
【００４９】さらに、発光素子と受光素子を積層化して
いるため、実装面積を小さくでき、より小型、薄型の光
結合装置の提供が可能となる。
いるため、実装面積を小さくでき、より小型、薄型の光
結合装置の提供が可能となる。
【００５０】本発明の請求項２記載の光結合装置は、発
光素子から遮光性樹脂側に発する出射光を光散乱性樹脂
にて散乱させ、受光素子側へ拡散する。これにより受光
素子の受光面で受光することが可能となり、光伝達効率
がさらに向上される。
光素子から遮光性樹脂側に発する出射光を光散乱性樹脂
にて散乱させ、受光素子側へ拡散する。これにより受光
素子の受光面で受光することが可能となり、光伝達効率
がさらに向上される。
【００５１】また、遮光性樹脂、透光性樹脂絶縁層と光
散乱性樹脂とが重合反応をしていることから、各樹脂間
に界面がなく、上記同様、電気的絶縁不良及び剥離によ
る絶縁耐圧の低下を抑えることが可能となり、信頼性の
高い光結合装置が提供される。
散乱性樹脂とが重合反応をしていることから、各樹脂間
に界面がなく、上記同様、電気的絶縁不良及び剥離によ
る絶縁耐圧の低下を抑えることが可能となり、信頼性の
高い光結合装置が提供される。
【図１】本発明の第一実施例を示す図であり、（ａ）は
平面図であり、（ｂ）は正面断面図である。
平面図であり、（ｂ）は正面断面図である。
【図２】図１に示す受発光素子及び透光性樹脂絶縁層の
積層構成図である。
積層構成図である。
【図３】図１に示す受発光素子及び透光性樹脂絶縁層の
接着工程を示す図である。
接着工程を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す図であり、（ａ）は
断面図であり、（ｂ）は樹脂封止前の斜視図である。
断面図であり、（ｂ）は樹脂封止前の斜視図である。
【図５】本発明の更に他の実施例を示す図であり、
（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は正面断面図である。
（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は正面断面図である。
【図６】図５に示す実施例の製造工程を説明するための
図であり、（ａ）は樹脂流れ止め枠の貼り付け前を示す
斜視図であり、（ｂ）は樹脂硬化後を示す平面図であ
る。
図であり、（ａ）は樹脂流れ止め枠の貼り付け前を示す
斜視図であり、（ｂ）は樹脂硬化後を示す平面図であ
る。
【図７】同じく、要部拡大斜視図である。
【図８】他の表側導体配線の構成を説明するための図で
あり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は部分拡大図であ
る。
あり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は部分拡大図であ
る。
【図９】本発明の第二実施例を示す図であり、（ａ）は
斜視図であり、（ｂ）は正面断面図である。
斜視図であり、（ｂ）は正面断面図である。
【図１０】従来例を示す断面図である。
【図１１】他の従来例を示す断面図である。
１２ 受光素子 １４ 透光性樹脂絶縁層 １５ 発光素子 ２４ 遮光性樹脂 ３５ 光散乱性樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 発光素子と受光素子とが厚み方向に積層
され、該発光素子及び受光素子が熱硬化性の遮光性樹脂
にて封止された光結合装置において、前記発光素子の発
光面と受光素子の受光面との間に、前記遮光性樹脂と重
合反応する熱硬化性の透光性樹脂絶縁層を介層してなる
ことを特徴とする光結合装置。 - 【請求項２】 上記発光素子と上記遮光性樹脂との間
に、遮光性樹脂、透光性樹脂絶縁層と重合反応する熱硬
化性の光散乱性樹脂を介在してなることを特徴とする請
求１項記載の光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32389393A JP3816114B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-12-22 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP551693 | 1993-01-18 | ||
| JP5-5516 | 1993-01-18 | ||
| JP32389393A JP3816114B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-12-22 | 光結合装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268246A true JPH06268246A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3816114B2 JP3816114B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=26339478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32389393A Expired - Fee Related JP3816114B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-12-22 | 光結合装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3816114B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007067414A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | ダブルモールド光カプラ |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
| JP2016219823A (ja) * | 2016-07-22 | 2016-12-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN111162067A (zh) * | 2018-11-08 | 2020-05-15 | 喆富创新科技股份有限公司 | 在晶圆上形成层叠样式的光耦结构 |
| CN113345875A (zh) * | 2020-02-18 | 2021-09-03 | 喆光照明光电股份有限公司 | 具有消除或降低寄生电容的层叠光耦合器结构 |
| WO2022264982A1 (ja) * | 2021-06-14 | 2022-12-22 | ローム株式会社 | 絶縁モジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3082169A1 (de) | 2015-04-17 | 2016-10-19 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Stapelförmiger optokopplerbaustein |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP32389393A patent/JP3816114B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007067414A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | ダブルモールド光カプラ |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
| JP2016219823A (ja) * | 2016-07-22 | 2016-12-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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