JPS5932072B2 - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
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- JPS5932072B2 JPS5932072B2 JP54072917A JP7291779A JPS5932072B2 JP S5932072 B2 JPS5932072 B2 JP S5932072B2 JP 54072917 A JP54072917 A JP 54072917A JP 7291779 A JP7291779 A JP 7291779A JP S5932072 B2 JPS5932072 B2 JP S5932072B2
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- JP
- Japan
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- insulating resin
- resin layer
- external lead
- side external
- input
- Prior art date
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- Expired
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
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- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光結合半導体装置の入出力間の内部絶縁耐
力の向上に関するものである。
力の向上に関するものである。
一般に、光結合半導体装置(以下、「光結合装置」と略
称する)においては、発光素子および受光素子をそれぞ
れの外部リード導体にダイボンディング、ワイヤボンデ
ィングした後、発光素子および受光素子を相対向するよ
うに位置させ、発光素子と受光素子との間の空間に透明
絶縁樹脂を充填し、光結合路とし、さらにその外側にエ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂などからなる外装用不透明絶
縁樹脂をモールド成形して、樹脂モールド形光結合装置
が完成する。
称する)においては、発光素子および受光素子をそれぞ
れの外部リード導体にダイボンディング、ワイヤボンデ
ィングした後、発光素子および受光素子を相対向するよ
うに位置させ、発光素子と受光素子との間の空間に透明
絶縁樹脂を充填し、光結合路とし、さらにその外側にエ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂などからなる外装用不透明絶
縁樹脂をモールド成形して、樹脂モールド形光結合装置
が完成する。
第1図は従来の樹脂モールド形光結合装置の一例の要部
断面図である。
断面図である。
第1図において、1は発光素子、20は発光素子1がダ
イボンディングされている第1の入力側外部リード導体
、2bは第2の入力側外部リード導体、3は発光素子1
の表面電極と第2の入力側外部リード導体、2bとを接
続する入力側内部リード線、4は受光素子、5aは受光
素子4がダイボンディングされている第1の出力側外部
リード導体、5bは第2の出力側外部リード導体、6は
受光素子4の表面電極と第2の出力側外部リード導体5
bとを接続する出力側内部リード線、Tは発光素子1と
受光素子4との間の空間に充填され光結合路を形成して
いる透明絶縁樹脂層、8は透明絶縁樹脂1を取わ囲み入
力側外部リード導体2a、2b、入力側内部リード線3
、出力側外部リード導体5a、5bおよび出力側内部リ
ード線6の所要部分を被覆するようにモールド成形され
た外装用不透明絶縁樹脂層である。光結合装置において
、光の拡散を防ぎ光結合感光を高めるためには、光結合
路を形成する透明絶縁樹脂層1の樹脂量はできるだけ少
ないことが望ましい。
イボンディングされている第1の入力側外部リード導体
、2bは第2の入力側外部リード導体、3は発光素子1
の表面電極と第2の入力側外部リード導体、2bとを接
続する入力側内部リード線、4は受光素子、5aは受光
素子4がダイボンディングされている第1の出力側外部
リード導体、5bは第2の出力側外部リード導体、6は
受光素子4の表面電極と第2の出力側外部リード導体5
bとを接続する出力側内部リード線、Tは発光素子1と
受光素子4との間の空間に充填され光結合路を形成して
いる透明絶縁樹脂層、8は透明絶縁樹脂1を取わ囲み入
力側外部リード導体2a、2b、入力側内部リード線3
、出力側外部リード導体5a、5bおよび出力側内部リ
ード線6の所要部分を被覆するようにモールド成形され
た外装用不透明絶縁樹脂層である。光結合装置において
、光の拡散を防ぎ光結合感光を高めるためには、光結合
路を形成する透明絶縁樹脂層1の樹脂量はできるだけ少
ないことが望ましい。
一方、光結合装置の大きな特徴は入出力間の電気絶縁性
が良好なことである。この電気絶縁性は、透明絶縁樹脂
Tおよび外装用不透明絶縁樹脂層8による入力側外部リ
ード導体2a、2bと出力側外部リード導体5a、5b
との絶縁によって達成されているが、上記のような従来
のモールド形光結合装置に訃いては、透明絶縁樹脂と外
装としてモールド成形が可能な外装用の不透明絶縁樹脂
との接着が不十分であり、透明絶縁樹脂層7の表面での
沿面放電による絶縁破壊がしばしば起こり、絶縁耐力の
低下を来たしていた。従つて、絶縁耐力を増大させるに
は、透明絶縁樹脂層7の樹脂量を増し、その沿面距離を
増大させればよいが、前記のように、透明絶縁樹脂層7
の樹脂量の増加は光結合感度を低下させることになる。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、透
明絶縁樹脂との接着強さが大きい不透明絶縁樹脂による
中間層を設けることによつて、光結合感度を低下させる
ことなく絶縁耐力の向上を計つた光結合装置を提供する
ことを目的としたものである。以下、実施例に基づいて
この発明の説明する。
が良好なことである。この電気絶縁性は、透明絶縁樹脂
Tおよび外装用不透明絶縁樹脂層8による入力側外部リ
ード導体2a、2bと出力側外部リード導体5a、5b
との絶縁によって達成されているが、上記のような従来
のモールド形光結合装置に訃いては、透明絶縁樹脂と外
装としてモールド成形が可能な外装用の不透明絶縁樹脂
との接着が不十分であり、透明絶縁樹脂層7の表面での
沿面放電による絶縁破壊がしばしば起こり、絶縁耐力の
低下を来たしていた。従つて、絶縁耐力を増大させるに
は、透明絶縁樹脂層7の樹脂量を増し、その沿面距離を
増大させればよいが、前記のように、透明絶縁樹脂層7
の樹脂量の増加は光結合感度を低下させることになる。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、透
明絶縁樹脂との接着強さが大きい不透明絶縁樹脂による
中間層を設けることによつて、光結合感度を低下させる
ことなく絶縁耐力の向上を計つた光結合装置を提供する
ことを目的としたものである。以下、実施例に基づいて
この発明の説明する。
第2図はこの発明による光結合装置の一実施例の要部断
面図である。第2図において、第1図と同一符号は第1
図にて示したものと同様のものを表わしている。9は透
明絶縁樹脂層7との接着強さが大きいため透明絶縁樹脂
層7との界面が電気的に沿面とならないような不透明絶
縁樹脂を透明絶縁樹脂層7の表面、ならびに入力側外部
リード導体2a,2b、出力側外部リード導体5a,5
b入力側内部リード線3訃よび出力側内部リード線6の
所要部分の表面に被覆して形成した中間不透明絶縁樹脂
層である。
面図である。第2図において、第1図と同一符号は第1
図にて示したものと同様のものを表わしている。9は透
明絶縁樹脂層7との接着強さが大きいため透明絶縁樹脂
層7との界面が電気的に沿面とならないような不透明絶
縁樹脂を透明絶縁樹脂層7の表面、ならびに入力側外部
リード導体2a,2b、出力側外部リード導体5a,5
b入力側内部リード線3訃よび出力側内部リード線6の
所要部分の表面に被覆して形成した中間不透明絶縁樹脂
層である。
実施例の光結合装置の場合、透明絶縁樹脂層7と中間不
透明絶縁樹脂層9との接着強さが大きいので、透明絶縁
樹脂層7の表面では沿面放電が起こらず、また、中間不
透明絶縁樹脂層9と外装用不透明絶縁樹脂層8との接着
が不十分でそれらの界面が電気的に沿面となつても、沿
面距離が長いため沿面放電を防止することができ、絶縁
耐力を増大させることができる。
透明絶縁樹脂層9との接着強さが大きいので、透明絶縁
樹脂層7の表面では沿面放電が起こらず、また、中間不
透明絶縁樹脂層9と外装用不透明絶縁樹脂層8との接着
が不十分でそれらの界面が電気的に沿面となつても、沿
面距離が長いため沿面放電を防止することができ、絶縁
耐力を増大させることができる。
しかも、光結合路となる透明絶縁樹脂層7の樹脂量は増
加しないから光結合感度は低下しなぃ。一例として、透
明絶縁樹脂層7の樹脂としてダウコーニング社製のシリ
コン樹脂R6lOlを使用し、中間不透明絶縁樹脂層9
の樹脂としてゼネラルェレクトリック社製のシリコンゴ
ムRTVllを使用した場合、絶縁耐力は約2倍に向上
した。
加しないから光結合感度は低下しなぃ。一例として、透
明絶縁樹脂層7の樹脂としてダウコーニング社製のシリ
コン樹脂R6lOlを使用し、中間不透明絶縁樹脂層9
の樹脂としてゼネラルェレクトリック社製のシリコンゴ
ムRTVllを使用した場合、絶縁耐力は約2倍に向上
した。
この発明による光結合装置に卦いては、外装用絶縁樹脂
層が不透明である必要は必ずしもない。この発明は、ダ
イオードホトカプラ、トランジスタホトカプラなど入力
側発光素子と出力側受光素子とを有するすべての光結合
装置に適用できるものである。以上詳述したように、こ
の発明による光結合装置に訃いては、光結合路となる透
明絶縁樹脂層との接着強さが大きい不透明絶縁樹脂から
なり透明絶縁樹脂層の表面、ならびに入力側外部リード
導体、出力側外部リード導体、入力側内部リード線およ
び出力側内部リード線の所要部分の表面を被覆する中間
不透明絶縁樹脂層を外装用絶縁樹脂層と透明絶縁樹脂層
との間に設けたので、透明絶縁樹脂層と中間不透明絶縁
樹脂層との界面が電気的に沿面とならないためこの界面
で沿面放電が起こらず、また中間不透明絶縁樹脂層と外
装用絶縁樹脂層との界面が電気的に沿面となつても、沿
面距離が長いため沿面放電を防止でき、絶縁耐力を増大
させることができる。
層が不透明である必要は必ずしもない。この発明は、ダ
イオードホトカプラ、トランジスタホトカプラなど入力
側発光素子と出力側受光素子とを有するすべての光結合
装置に適用できるものである。以上詳述したように、こ
の発明による光結合装置に訃いては、光結合路となる透
明絶縁樹脂層との接着強さが大きい不透明絶縁樹脂から
なり透明絶縁樹脂層の表面、ならびに入力側外部リード
導体、出力側外部リード導体、入力側内部リード線およ
び出力側内部リード線の所要部分の表面を被覆する中間
不透明絶縁樹脂層を外装用絶縁樹脂層と透明絶縁樹脂層
との間に設けたので、透明絶縁樹脂層と中間不透明絶縁
樹脂層との界面が電気的に沿面とならないためこの界面
で沿面放電が起こらず、また中間不透明絶縁樹脂層と外
装用絶縁樹脂層との界面が電気的に沿面となつても、沿
面距離が長いため沿面放電を防止でき、絶縁耐力を増大
させることができる。
しかも、光結合路となる透明絶縁樹脂層の樹脂量は増加
しないから光結合感度は低下しない。
しないから光結合感度は低下しない。
第1図は従来の樹脂モールド形光結合装置の一例の要部
断面図、第2図はこの発明による光結合装置の一実施例
の要部断面図である。 図に}いて、1は発光素子、2aは第1の入力側外部リ
ード導体、2bは第2の入力側外部りード導体、3は入
力側内部リード線、4は受光素子、5aは第1の出力側
外部リード導体、5bは第2の出力側外部リード導体、
6は出力側内部リード線、7は透明絶縁樹脂層、8は外
装用不透明絶縁樹脂層、9は中間不透明絶縁樹脂層であ
る。
断面図、第2図はこの発明による光結合装置の一実施例
の要部断面図である。 図に}いて、1は発光素子、2aは第1の入力側外部リ
ード導体、2bは第2の入力側外部りード導体、3は入
力側内部リード線、4は受光素子、5aは第1の出力側
外部リード導体、5bは第2の出力側外部リード導体、
6は出力側内部リード線、7は透明絶縁樹脂層、8は外
装用不透明絶縁樹脂層、9は中間不透明絶縁樹脂層であ
る。
Claims (1)
- 1 発光素子が接着されている第1の入力側外部リード
導体、上記発光素子の表面電極に入力側内部リード線を
介して接続されている第2の入力側外部リード導体、上
記発光素子に対向するように配設された発光素子が接着
されている第1の出力側外部リード導体、上記受光素子
の表面電極に出力側内部リード線を介して接続されてい
る第2の出力側外部リード導体、上記発光素子と上記受
光素子との間の空間を充填するように形成された透明絶
縁樹脂層、この透明絶縁樹脂の表面および上記第1、第
2の入力側外部リード導体と上記第1、第2の出力側外
部リード導体と上記入力側内部リード線と上記出力側内
部リード線との所要部分の表面に被覆され上記透明絶縁
樹脂層との接着強さの大きい中間不透明絶縁樹脂層、な
らびに上記中間不透明絶縁樹脂層を覆い上記第1、第2
の入力側外部リード導体と上記第1、第2の出力側外部
リード導体との所要部分を覆つてモールド成形された外
装用絶縁樹脂層を備えた光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54072917A JPS5932072B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54072917A JPS5932072B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 光結合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55163883A JPS55163883A (en) | 1980-12-20 |
| JPS5932072B2 true JPS5932072B2 (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=13503174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54072917A Expired JPS5932072B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932072B2 (ja) |
-
1979
- 1979-06-07 JP JP54072917A patent/JPS5932072B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55163883A (en) | 1980-12-20 |
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