JPH0626833Y2 - 試料塗布装置 - Google Patents
試料塗布装置Info
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- JPH0626833Y2 JPH0626833Y2 JP9022488U JP9022488U JPH0626833Y2 JP H0626833 Y2 JPH0626833 Y2 JP H0626833Y2 JP 9022488 U JP9022488 U JP 9022488U JP 9022488 U JP9022488 U JP 9022488U JP H0626833 Y2 JPH0626833 Y2 JP H0626833Y2
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 23
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 6
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、試料を塗布部材に塗布するための装置に関
し、もつと詳しくは、たとえば質量分析計の電界脱離法
(Field Desorption法)で試料を分析するために、溶媒
に溶かした試料を、エミツタなどの塗布部材に薄く塗布
するために用いられる試料塗布装置に関する。
し、もつと詳しくは、たとえば質量分析計の電界脱離法
(Field Desorption法)で試料を分析するために、溶媒
に溶かした試料を、エミツタなどの塗布部材に薄く塗布
するために用いられる試料塗布装置に関する。
従来の技術 質量分析計の電界脱離法では、エミツタに塗布された試
料の分子から、107〜108V/cm程度の強電界の場
で、電子が引抜かれてイオンが生成する現象を利用す
る。従来では、試料が溶媒に溶けている液体を、エミツ
タに塗布し、その後、溶媒を室温で自然蒸発させ、これ
によつて試料をエミツタに塗布して、質量分析のために
供する。
料の分子から、107〜108V/cm程度の強電界の場
で、電子が引抜かれてイオンが生成する現象を利用す
る。従来では、試料が溶媒に溶けている液体を、エミツ
タに塗布し、その後、溶媒を室温で自然蒸発させ、これ
によつて試料をエミツタに塗布して、質量分析のために
供する。
考案が解決しようとする課題 このような先行技術では、試料が溶けている溶媒を、エ
ミツタ上で自然蒸発させる必要があるので、溶媒の沸点
は低くなければならず、したがつて沸点の低い溶媒に溶
ける試料だけしか、エミツタに塗布することができず、
そのような試料しか、質量分析を行うことができない。
したがつてたとえば100℃以上の沸点を有する溶媒に
のみ溶ける試料は、エミツタに塗布することができず、
質量分析を行うことができない。
ミツタ上で自然蒸発させる必要があるので、溶媒の沸点
は低くなければならず、したがつて沸点の低い溶媒に溶
ける試料だけしか、エミツタに塗布することができず、
そのような試料しか、質量分析を行うことができない。
したがつてたとえば100℃以上の沸点を有する溶媒に
のみ溶ける試料は、エミツタに塗布することができず、
質量分析を行うことができない。
本考案の目的は、高い沸点を有する溶媒に溶ける試料を
も、エミツタなどの塗布部材に塗布することができるよ
うにした試料塗布装置を提供することである。
も、エミツタなどの塗布部材に塗布することができるよ
うにした試料塗布装置を提供することである。
課題を解決するための手段 本考案は、試料が溶媒に溶けている液体を塗布すべき塗
布部材を、拡大して見るための顕微鏡と、 塗布部材に前記液体を塗布する手段と、 塗布部材の近傍に設けられ、塗布部材を、前記溶媒の沸
点付近の温度に加熱するヒータとを備えることを特徴と
する試料塗布装置であり、 塗布部材の付近に、不活性ガスを噴射する手段を設ける
ことである。
布部材を、拡大して見るための顕微鏡と、 塗布部材に前記液体を塗布する手段と、 塗布部材の近傍に設けられ、塗布部材を、前記溶媒の沸
点付近の温度に加熱するヒータとを備えることを特徴と
する試料塗布装置であり、 塗布部材の付近に、不活性ガスを噴射する手段を設ける
ことである。
作用 本考案に従えば、試料が溶媒に溶けている液体を、塗布
部材に、顕微鏡を用いて見ながら、塗布し、この塗布部
材はヒータによつて加熱され、塗布部材の温度は、溶媒
の沸点付近の温度に達する。したがつて溶媒の沸点は、
室温程度は勿論、さらに高い温度、たとえば100℃程
度であつても、そのような溶媒を蒸発させることが可能
になる。こうして各種の溶媒に溶ける試料を塗布部材に
塗布することが可能になる。
部材に、顕微鏡を用いて見ながら、塗布し、この塗布部
材はヒータによつて加熱され、塗布部材の温度は、溶媒
の沸点付近の温度に達する。したがつて溶媒の沸点は、
室温程度は勿論、さらに高い温度、たとえば100℃程
度であつても、そのような溶媒を蒸発させることが可能
になる。こうして各種の溶媒に溶ける試料を塗布部材に
塗布することが可能になる。
実施例 第1図は本考案の一実施例の斜視図であり、第2図はそ
の正面図である。質量分析計の電界脱離法で分析するた
めに用いられるエミツタ1には、試料が溶媒に溶けてい
る液体がマイクロシリンジ2を用いて塗布される。この
エミツタ1と、マイクロシリンジ2の液体を吐出する先
端部3との付近には、光学顕微鏡4の対物レンズ5が臨
み、接眼レンズ6から作業者が、エミツタ1とその付近
を拡大して見ることができる。エミツタ1は一対の導電
性支持棒7に固定されており、支持棒7はセラミツクな
どから成る支持体8に固定される。支持棒7の支持体8
からエミツタ1とは反対側に突出した端部は、着脱可能
にして、取付手段9によつて作業台などのテーブル上に
固定的に支持される。マイクロシリンジ2は、支持手段
10によつてテーブル上に固定的に支持される。マイク
ロシリンジ2の操作部11を矢符12の方向に押圧する
ことによつて、液体が前述のように先端部1のノズル孔
3から排出され、エミツタ1に落下して付着されて塗布
される。
の正面図である。質量分析計の電界脱離法で分析するた
めに用いられるエミツタ1には、試料が溶媒に溶けてい
る液体がマイクロシリンジ2を用いて塗布される。この
エミツタ1と、マイクロシリンジ2の液体を吐出する先
端部3との付近には、光学顕微鏡4の対物レンズ5が臨
み、接眼レンズ6から作業者が、エミツタ1とその付近
を拡大して見ることができる。エミツタ1は一対の導電
性支持棒7に固定されており、支持棒7はセラミツクな
どから成る支持体8に固定される。支持棒7の支持体8
からエミツタ1とは反対側に突出した端部は、着脱可能
にして、取付手段9によつて作業台などのテーブル上に
固定的に支持される。マイクロシリンジ2は、支持手段
10によつてテーブル上に固定的に支持される。マイク
ロシリンジ2の操作部11を矢符12の方向に押圧する
ことによつて、液体が前述のように先端部1のノズル孔
3から排出され、エミツタ1に落下して付着されて塗布
される。
顕微鏡4の支柱13は台盤14に取付けられ、台盤14
は、テーブル上に配置される。台盤14上でエミツタ1
の下方には遠赤外線を放射する電気ヒータ15が配置さ
れ、このヒータ15によつてエミツタ1とその付近を、
溶媒の沸点付近の温度、たとえば沸点±5℃付近にまで
加熱する。
は、テーブル上に配置される。台盤14上でエミツタ1
の下方には遠赤外線を放射する電気ヒータ15が配置さ
れ、このヒータ15によつてエミツタ1とその付近を、
溶媒の沸点付近の温度、たとえば沸点±5℃付近にまで
加熱する。
第3図は、エミツタ1付近の側面図である。ヒータ15
は、その長手方向(第2図の紙面に垂直方向、第3図の
左右方向)に延び、その軸直角断面は円弧状に形成され
る。エミツタ1はヒータ15の長手方向に沿つて配置さ
れる。
は、その長手方向(第2図の紙面に垂直方向、第3図の
左右方向)に延び、その軸直角断面は円弧状に形成され
る。エミツタ1はヒータ15の長手方向に沿つて配置さ
れる。
第4図を参照して、その第4図(1)に示されるように
ヒータ15は、電力付勢される抵抗線16と、この抵抗
線16が埋め込まれるセラミツク17とを含み、このセ
ラミツク17は、抵抗線16のジュール熱によつて加熱
されると、遠赤外線を放射する。セラミツク17の遠赤
外線を放射する放射面18が円弧状となつていることに
よつて、その放射面18からの遠赤外線はエミツタ1に
集束され、エミツタ1を効率よく加熱する。エミツタ1
のごく近傍で、その下方には温度検出素子19が設けら
れる。この温度検出素子19は支持棒20(第1図参
照)を介して、支持部材21に固定される。支持部材2
1内には、ヒータ15の抵抗線16を電力付勢するため
の電気回路が収納される。
ヒータ15は、電力付勢される抵抗線16と、この抵抗
線16が埋め込まれるセラミツク17とを含み、このセ
ラミツク17は、抵抗線16のジュール熱によつて加熱
されると、遠赤外線を放射する。セラミツク17の遠赤
外線を放射する放射面18が円弧状となつていることに
よつて、その放射面18からの遠赤外線はエミツタ1に
集束され、エミツタ1を効率よく加熱する。エミツタ1
のごく近傍で、その下方には温度検出素子19が設けら
れる。この温度検出素子19は支持棒20(第1図参
照)を介して、支持部材21に固定される。支持部材2
1内には、ヒータ15の抵抗線16を電力付勢するため
の電気回路が収納される。
第4図(2)は、エミツタ1付近の上下方向の温度分布
を示す。エミツタ1と温度検出素子19とが配置された
位置付近では、上下方向の温度分布がほぼ一様である。
こうして温度検出素子19によつて、エミツタ1付近の
温度を検出することができる。温度検出素子19の出力
に応答する前記電気回路は、その温度検出素子19によ
つて検出される温度、したがつてエミツタ1付近の温度
が、試料が溶けている溶媒の沸点に近似した値となるよ
うに、抵抗線16を電力付勢する。
を示す。エミツタ1と温度検出素子19とが配置された
位置付近では、上下方向の温度分布がほぼ一様である。
こうして温度検出素子19によつて、エミツタ1付近の
温度を検出することができる。温度検出素子19の出力
に応答する前記電気回路は、その温度検出素子19によ
つて検出される温度、したがつてエミツタ1付近の温度
が、試料が溶けている溶媒の沸点に近似した値となるよ
うに、抵抗線16を電力付勢する。
第5図は、エミツタ1の拡大側面図である。このエミツ
タ1は、約10μmφのタングステンワイヤ22上に成
長させた針状の結晶、すなわちウイスカ23を有する。
このウイスカ23は、炭素およびシリコンなどから成
る。質量分析時において、エミツタ1を支持する支持棒
7に高電圧を印加することによつて、ウイスカ23の先
端部分で、強電界が得られる。
タ1は、約10μmφのタングステンワイヤ22上に成
長させた針状の結晶、すなわちウイスカ23を有する。
このウイスカ23は、炭素およびシリコンなどから成
る。質量分析時において、エミツタ1を支持する支持棒
7に高電圧を印加することによつて、ウイスカ23の先
端部分で、強電界が得られる。
エミツタ1の上方には、ノズル24が設けられる。この
ノズル24には不活性ガス源25が接続される。不活性
ガス源25は、不活性ガス、たとえば窒素およびアルゴ
ンなどを供給し、ノズル24から噴射させる。これによ
つてヒータ1の加熱時に、エミツタ1に塗布される試料
の高温度による変質を可及的に防ぐことができる。
ノズル24には不活性ガス源25が接続される。不活性
ガス源25は、不活性ガス、たとえば窒素およびアルゴ
ンなどを供給し、ノズル24から噴射させる。これによ
つてヒータ1の加熱時に、エミツタ1に塗布される試料
の高温度による変質を可及的に防ぐことができる。
こうして、マイクロシリンジ2を用いて試料が溶媒に溶
けている液体を、エミツタ1に塗布し、溶媒はヒータ1
5によつて加熱されて蒸発される。したがつて試料をエ
ミツタ1に塗布することが可能になる。ヒータ15によ
るエミツタ1の加熱温度は調節することが可能であり、
こうして各種の溶媒に希望する試料を溶かして、エミツ
タ1に塗布し、質量分析を行うことができる。
けている液体を、エミツタ1に塗布し、溶媒はヒータ1
5によつて加熱されて蒸発される。したがつて試料をエ
ミツタ1に塗布することが可能になる。ヒータ15によ
るエミツタ1の加熱温度は調節することが可能であり、
こうして各種の溶媒に希望する試料を溶かして、エミツ
タ1に塗布し、質量分析を行うことができる。
本考案は、質量分析計のエミツタ1に試料を塗布するた
めに実施することができるだけでなく、試料をエミツタ
などのような塗布部材に塗布するために広範囲に実施す
ることができる。
めに実施することができるだけでなく、試料をエミツタ
などのような塗布部材に塗布するために広範囲に実施す
ることができる。
本件考案者の実験によれば、ヒータ15を設けずに、試
料である炭化水素化合物を溶媒であるキノリンに溶かし
て、エミツタ1に塗布し、室温で自然蒸発させて電界脱
離法で質量分析を行つたところ、第6図(1)で示され
るようにキノリンのスペクトルを表わすピーク129だ
けしか得られなかつた。
料である炭化水素化合物を溶媒であるキノリンに溶かし
て、エミツタ1に塗布し、室温で自然蒸発させて電界脱
離法で質量分析を行つたところ、第6図(1)で示され
るようにキノリンのスペクトルを表わすピーク129だ
けしか得られなかつた。
これに対して本考案に従い、ヒータ15を用いて試料で
ある炭化水素化合物が溶媒であるキノリンに溶けている
液体をエミツタ1に塗布し、ヒータ15によつてそのキ
ノリンの沸点237℃付近にエミツタ1を加熱すること
によつて、電界脱離法によつて第6図(2)で示される
ように、試料である炭化水素化合物のスペクトルを表わ
すピークが多数得られた。これによつて本考案に従う試
料塗布装置によれば、試料である炭化水素化合物を、キ
ノリンを用いてエミツタ1に塗布することが可能である
ことが確認される。
ある炭化水素化合物が溶媒であるキノリンに溶けている
液体をエミツタ1に塗布し、ヒータ15によつてそのキ
ノリンの沸点237℃付近にエミツタ1を加熱すること
によつて、電界脱離法によつて第6図(2)で示される
ように、試料である炭化水素化合物のスペクトルを表わ
すピークが多数得られた。これによつて本考案に従う試
料塗布装置によれば、試料である炭化水素化合物を、キ
ノリンを用いてエミツタ1に塗布することが可能である
ことが確認される。
考案の効果 以上のように本考案によれば、各種の沸点を有する溶媒
に溶けている試料を塗布部材に塗布することが初めて可
能になる。
に溶けている試料を塗布部材に塗布することが初めて可
能になる。
第1図は本考案の一実施例の斜視図、第2図は第1図に
示される実施例の正面図、第3図はエミツタ1とその付
近の側面図、第4図はヒータ15によつてエミツタ1が
加熱される状態を示す断面図、第5図はエミツタ1の拡
大側面図、第6図は本件考案者の実験結果を示す質量ス
ペクトルを示す図である。 1……エミツタ、2……マイクロシリンジ、3……ノズ
ル、4……顕微鏡、5……対物レンズ、6……接眼レン
ズ、15……ヒータ、19……温度検出素子
示される実施例の正面図、第3図はエミツタ1とその付
近の側面図、第4図はヒータ15によつてエミツタ1が
加熱される状態を示す断面図、第5図はエミツタ1の拡
大側面図、第6図は本件考案者の実験結果を示す質量ス
ペクトルを示す図である。 1……エミツタ、2……マイクロシリンジ、3……ノズ
ル、4……顕微鏡、5……対物レンズ、6……接眼レン
ズ、15……ヒータ、19……温度検出素子
Claims (2)
- 【請求項1】試料が溶媒に溶けている液体を塗布すべき
塗布部材を、拡大して見るための顕微鏡と、 塗布部材に前記液体を塗布する手段と、 塗布部材の近傍に設けられ、塗布部材を、前記溶媒の沸
点付近の温度に加熱するヒータとを備えることを特徴と
する試料塗布装置。 - 【請求項2】塗布部材の付近に、不活性ガスを噴射する
手段を設けることを特徴とする実用新案登録請求の範囲
第1項記載の試料塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9022488U JPH0626833Y2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 試料塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9022488U JPH0626833Y2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 試料塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212643U JPH0212643U (ja) | 1990-01-26 |
| JPH0626833Y2 true JPH0626833Y2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=31314754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9022488U Expired - Lifetime JPH0626833Y2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 試料塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626833Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP9022488U patent/JPH0626833Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0212643U (ja) | 1990-01-26 |
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