JPH062684U - Wafer size conversion adapter for ion implantation equipment - Google Patents

Wafer size conversion adapter for ion implantation equipment

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Publication number
JPH062684U
JPH062684U JP4403292U JP4403292U JPH062684U JP H062684 U JPH062684 U JP H062684U JP 4403292 U JP4403292 U JP 4403292U JP 4403292 U JP4403292 U JP 4403292U JP H062684 U JPH062684 U JP H062684U
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
small
diameter wafer
receiving plate
ion implantation
Prior art date
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Pending
Application number
JP4403292U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
正広 山田
神治 麻生
Original Assignee
日新ハイボルテージ株式会社
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Publication date
Application filed by 日新ハイボルテージ株式会社 filed Critical 日新ハイボルテージ株式会社
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 単一のイオン注入装置で、異径のウエファに
イオン注入が行えるようにする。 【構成】 受け板1には凹部8が形成されており、この
凹部にゴムシート9を敷いて小径のウエファ5を載置す
る。受け板に取り付けた数個のボス11をウエファの周
辺部を押える押え板2の孔12に嵌合させることによ
り、受け板と押え板の位置合わせが行われた状態で小径
ウエファが保持される。受け板と押え板は、その外形が
大径のウエファと同じに形成されており、小径のウエフ
ァを大径のウエファと同じに取扱うことができる。
(57) [Summary] (Modified) [Purpose] To enable ion implantation into wafers of different diameters with a single ion implantation device. [Structure] A recess 8 is formed in the receiving plate 1, and a rubber sheet 9 is laid in this recess to mount a small-diameter wafer 5. By fitting several bosses 11 attached to the receiving plate into the holes 12 of the pressing plate 2 for pressing the peripheral portion of the wafer, the small-diameter wafer is held in a state where the receiving plate and the pressing plate are aligned. . The receiving plate and the pressing plate are formed so that the outer shapes thereof are the same as those of the large-diameter wafer, and the small-diameter wafer can be handled in the same manner as the large-diameter wafer.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、異径サイズのウエファを同一のイオン注入装置でイオン注入するこ とができるようにするウエファサイズ変換アダプタに関する。 The present invention relates to a wafer size conversion adapter that enables wafers of different diameters to be ion-implanted by the same ion implantation device.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

バッチ処理型イオン注入装置によってイオンが注入される半導体ウエファは、 通常、直径100、150、200mmに形成されており、イオン注入装置にあ っては、イオン注入時にウエファを保持するウエファディスク、ウエファディス クに対するウエファの搬送、ハンドリング用ロボット、真空状態にあるエンドス テーションと大気室との間でウエファを授受するために設けられたエアロック室 におけるウエファカセットのエレベータ機構等は、それぞれの大きさの径のウエ ファに合わせて構成されている。 A semiconductor wafer into which ions are implanted by a batch processing type ion implantation device is usually formed to have a diameter of 100, 150 or 200 mm. In the ion implantation device, a wafer disk or wafer that holds the wafer during ion implantation is used. The transfer of the wafer to the disk, the handling robot, the elevator mechanism of the wafer cassette in the air lock chamber provided to transfer the wafer between the end station in the vacuum state and the atmosphere chamber, etc. It is configured according to the diameter wafer.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

したがって、異径のウエファに対して同一のイオン注入装置でイオン注入を行 う場合には、ウエファディスク、搬送、ハンドリングロボット、エレベータ機構 等をウエファ径に応じて交換しなければならず、これら交換に係る多くの部材、 部品は真空室内に収納されているから、その交換には長時間を要し、また交換後 のイオン注入装置の立ち上げにも時間を必要とし、簡単には行えない。 Therefore, when performing ion implantation with the same ion implanter for wafers with different diameters, the wafer disk, transfer, handling robot, elevator mechanism, etc. must be replaced according to the wafer diameter. Since many members and parts related to the above are stored in the vacuum chamber, it takes a long time to replace them, and it also takes time to start up the ion implantation apparatus after the replacement, which is not easy.

【0004】 本考案は、異径サイズのウエファを同一のイオン注入装置でイオン注入するこ とができるようにするウエファサイズ変換アダプタの提供を目的とするものであ る。An object of the present invention is to provide a wafer size conversion adapter that allows wafers of different diameters to be ion-implanted by the same ion implantation device.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案は、イオン注入装置用ウエファサイズ変換アダプタに関し、小径のウエ ファを位置を規制して保持する受け板、或いは小径のウエファを位置を規制して 挾む受け板と押え板とを有し、前記受け板及び押え板は周縁形状が大径ウエファ と同じに形成されていることを特徴とするものである。 The present invention relates to a wafer size conversion adapter for an ion implantation apparatus, which has a receiving plate that holds a small-diameter wafer by controlling its position, or a receiving plate and a holding plate that restrict the position of a small-diameter wafer by holding it. The receiving plate and the pressing plate are characterized in that their peripheral shapes are the same as those of the large diameter wafer.

【0006】[0006]

【作用】[Action]

小径のウエファは、受け板或いは受け板と押え板によって位置規制状態で保持 され、これら受け板、押え板の周縁形状は大径のウエファとそれと同じであるか ら、小径のウエファを大径のウエファと同じに扱うことができ、大径ウエファ用 のイオン注入装置をそのまま用いて、小径のウエファにイオンを注入することが できる。 A small-diameter wafer is held in a position-regulated state by a receiving plate or a receiving plate and a holding plate.The peripheral shapes of these receiving plates and holding plates are the same as those of the large-diameter wafer, so a small-diameter wafer is It can be treated in the same way as a wafer, and ions can be implanted in a small-diameter wafer by using the ion implanter for a large-diameter wafer as it is.

【0007】[0007]

【実施例】【Example】

本考案の実施例について図面を参照して説明する。図1はイオン注入装置のウ エファディスクにリングクランプ機構によってウエファを装着保持する場合に用 いるウエファサイズ変換アダプタの構成を示すものであり、図1(a)は小径の ウエファを装着した状態での変換アダプタの断面図、同(b)は変換アダプタに おける受け板の平面図、同(c)は同じく押え板の平面図である。変換アダプタ は受け板1と押え板2からなり、受け板の形状及び押え板の周縁形状は大径のウ エファと同じに形成されており、両板の周辺部には、大径のウエファにおける結 晶方向を示すオリエンテーションフラットに相当する切欠き部3、4がそれぞれ 形成されている。受け板1の上に載置された小径のウエファ5の周縁部を押える ことができるように、押え板2には、小径のウエファ5の周縁形状よりやや小さ い相似形状の開口6が設けられ、その開口端部に、小径のウエファ5が嵌合する 段部7が形成されている。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 1 shows the structure of a wafer size conversion adapter used when a wafer is mounted and held on a wafer disk of an ion implanter by a ring clamp mechanism. Fig. 1 (a) shows a state in which a small diameter wafer is mounted. 2B is a cross-sectional view of the conversion adapter of FIG. 1, FIG. 6B is a plan view of a receiving plate in the conversion adapter, and FIG. The conversion adapter consists of a receiving plate 1 and a holding plate 2. The shape of the receiving plate and the peripheral shape of the holding plate are the same as those of the large diameter wafer. Notches 3 and 4 each corresponding to an orientation flat indicating the crystal direction are formed. The holding plate 2 is provided with an opening 6 of a similar shape slightly smaller than the peripheral shape of the small-diameter wafer 5 so that the peripheral portion of the small-diameter wafer 5 placed on the receiving plate 1 can be pressed. A step portion 7 into which the small-diameter wafer 5 is fitted is formed at the opening end portion.

【0008】 受け板1に載置した小径ウエファ5の上から押え板2をかぶせ、段部7内にウ エファを嵌合させることにより、ウエファは押え板に対して位置が規制され、受 け板1の切欠き部3と押え板の切欠き部4を合わせることにより、小径ウエファ 5は大径のウエファと同じに扱うことができる。小径ウエファ5は受け板1と押 え板2で単に挾まれているにすぎないが、イオン注入装置におけるウエファの搬 送、ハンドリングは、ロボットアームでウエファを下から支えて所定の場所に搬 送、載置するという形をとるものであるから、上述の受け板1と押え板2によっ て小径ウエファ5の所定の挾持状態を保持させることができる。したがって、大 径のウエファ用に構成されているイオン注入装置をそのまま用いて、小径ウエフ ァにイオンを注入することができる。なお、小径ウエファ5を挾んだ変換アダプ タをイオン注入装置のウエファディスクに装着するとき、押え板4の周辺部はリ ングクランパで押え付けられ、小径ウエファ3は受け板1を介してウエファディ スクに密着して装着されることになる。By placing the holding plate 2 on the small-diameter wafer 5 placed on the receiving plate 1 and fitting the wafer in the step portion 7, the position of the wafer is regulated with respect to the holding plate, and the receiving plate is received. By aligning the notch 3 of the plate 1 with the notch 4 of the holding plate, the small diameter wafer 5 can be treated in the same manner as the large diameter wafer. Although the small-diameter wafer 5 is merely sandwiched between the receiving plate 1 and the holding plate 2, the wafer is carried and handled by the robot arm from below to be carried to a predetermined place in the ion implantation apparatus. Since it takes the form of mounting, the predetermined holding state of the small-diameter wafer 5 can be maintained by the receiving plate 1 and the pressing plate 2 described above. Therefore, it is possible to implant ions into a small-diameter wafer by using the ion-implanting device configured for a large-diameter wafer as it is. When the conversion adapter sandwiching the small-diameter wafer 5 is mounted on the wafer disk of the ion implanter, the peripheral portion of the holding plate 4 is pressed by the ring clamper, and the small-diameter wafer 3 is held by the receiving plate 1 to the wafer disk. Will be attached closely to.

【0009】 図2(a)、(b)は、イオン注入装置のウエファディスクにウエファが遠心 力で保持される場合に用いるウエファサイズ変換用アダプタの断面図及びアダプ タとしての受け板の平面図である。ウエファサイズ変換アダプタは受け板1のみ で構成され、全体の平面形状は大径のウエファと同じであり、大径ウエファのオ リエンテーションフラットに相当する切欠き部3と、小径のウエファ5を嵌合載 置する凹部8が形成されている。この受け板1の凹部8に小径ウエファ5を嵌合 載置することにより、小径ウエファ5を大径のウエファと同じにハンドリング処 理することができ、ウエファディスクへの装着に際しては、そのまま、ウエファ 保持凹部に載置する。FIGS. 2A and 2B are a cross-sectional view of a wafer size conversion adapter used when a wafer is held by a wafer disk of an ion implantation apparatus by centrifugal force and a plan view of a receiving plate as an adapter. Is. The wafer size conversion adapter is composed of only the receiving plate 1, and the overall planar shape is the same as that of the large diameter wafer. The notch 3 corresponding to the orientation flat of the large diameter wafer and the small diameter wafer 5 are fitted. A recess 8 for mounting is formed. By fitting and mounting the small-diameter wafer 5 in the concave portion 8 of the receiving plate 1, the small-diameter wafer 5 can be handled in the same manner as a large-diameter wafer, and when the wafer is mounted on the wafer disc, the wafer is kept as it is. Place in the holding recess.

【0010】 図3(a)、(b)、(c)は、イオン注入装置のウエファディスクにリング クランプ機構によってウエファを装着保持する場合に用いるウエファサイズ変換 アダプタについての他の実施例の断面図、同アダプタにおける受け板の平面図及 び押え板の平面図である。アダプタは受け板1と押え板2からなり、両板の周縁 形状は大径のウエファと同じであり、周辺部には、ウエファの結晶方向を示すオ リエンテーションフラットに相当する切欠き部3、4がそれぞれ形成されている 。受け板1にはオリエンテーションフラットを有する小径のウエファ5が嵌合載 置される凹部8を形成し、この凹部にゴムシート9を敷き、その上に小径のウエ ファ5が載置される。FIGS. 3A, 3B, and 3C are cross-sectional views of another embodiment of a wafer size conversion adapter used for mounting and holding a wafer on a wafer disk of an ion implantation apparatus by a ring clamp mechanism. FIG. 4A is a plan view of a receiving plate and a plan view of a holding plate in the same adapter. The adapter consists of a receiving plate 1 and a pressing plate 2. The peripheral shape of both plates is the same as that of a large-diameter wafer, and in the peripheral part, a notch 3 corresponding to an orientation flat showing the crystal direction of the wafer, 4 are formed respectively. A recess 8 into which a small-diameter wafer 5 having an orientation flat is fitted and mounted is formed in the receiving plate 1, a rubber sheet 9 is laid in this recess, and the small-diameter wafer 5 is mounted thereon.

【0011】 受け板1の凹部8に嵌合載置された小径ウエファ5の周辺部を押える押え板2 2は全体としてリング状をなし、その開口10の周辺端部で小径ウエファの周辺 部を押えウエファを保持するように構成されている。この押え板2には、受け板 1に設けた例えば4個のボス11それぞれ嵌合する孔12を設ける。受け板1の 凹部8に小径ウエファ5を配置し、その上から押え板2をボス11が孔12に嵌 まるように載せるだけで、受け板と押え板の位置合わせが行われ、位置ずれを生 ずることなく、小径のウエファ5を大径のウエファと同じにハンドリングするこ とができる。ゴムシート9を設けたから、変換アダプタによる小径ウエファのウ エファディスクへの装着時、ウエファはしっかり固定される。The holding plate 22 that presses the peripheral portion of the small-diameter wafer 5 fitted and mounted in the recess 8 of the receiving plate 1 has a ring shape as a whole, and the peripheral end portion of the opening 10 thereof serves as a peripheral portion of the small-diameter wafer. It is configured to hold the presser wafer. The holding plate 2 is provided with holes 12 into which, for example, four bosses 11 provided on the receiving plate 1 are fitted. The small-diameter wafer 5 is placed in the recess 8 of the receiving plate 1, and the pressing plate 2 is placed on the receiving plate 1 so that the boss 11 fits into the hole 12. It is possible to handle the small-diameter wafer 5 in the same manner as the large-diameter wafer without causing any trouble. Since the rubber sheet 9 is provided, the wafer is firmly fixed when the small diameter wafer is attached to the wafer disk by the conversion adapter.

【0012】[0012]

【考案の効果】[Effect of device]

本考案は、以上説明したように構成したので、小径のウエファは、ウエファサ イズ変換アダプタを構成する受け板或いは受け板と押え板によって位置規制状態 で保持され、これら受け板、押え板の周縁形状は大径のウエファとそれと同じで あるから、小径のウエファを大径のウエファと同じに扱うことができ、大径ウエ ファ用のイオン注入装置をそのまま用いて、小径のウエファにイオンを注入する ことができる。 Since the present invention is configured as described above, a small-diameter wafer is held in a position-regulated state by the receiving plate or the receiving plate and the pressing plate that constitute the wafer size conversion adapter, and the peripheral shape of these receiving plate and the pressing plate. Is the same as a large-diameter wafer, so a small-diameter wafer can be treated the same as a large-diameter wafer, and ions can be implanted into a small-diameter wafer using the ion implantation system for large-diameter wafers. be able to.

【0013】 また、異径ウエファのイオン注入に際し、真空室であるエンドステーション内 の部材、部品を交換する必要がないから、注入開始までの時間が短縮されると共 に、エンドステーション内のパーティクルが増えることもない。Further, when implanting different-diameter wafers, it is not necessary to replace the members and parts inside the end station, which is a vacuum chamber, so the time before the start of implantation is shortened, and the particles inside the end station are reduced. Will not increase.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】リングクランプ機構用の実施例の構成図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment for a ring clamp mechanism.

【図2】遠心力クランプ機構用の実施例の構成図であ
る。
FIG. 2 is a configuration diagram of an embodiment for a centrifugal force clamp mechanism.

【図3】リングクランプ機構用の他の実施例の構成図で
ある。
FIG. 3 is a configuration diagram of another embodiment for the ring clamp mechanism.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 受け板 2 押え板 5 小径ウエファ 6、10 開口 7 段部 8 凹部 9 ゴムシート 11 ボス 12 孔 1 Support plate 2 Presser plate 5 Small diameter wafer 6, 10 Opening 7 Step 8 Recess 9 Rubber sheet 11 Boss 12 hole

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 小径のウエファを位置を規制して保持す
る受け板、或いは小径のウエファを位置を規制して挾む
受け板と押え板とを有し、前記受け板及び押え板は周縁
形状が大径ウエファと同じに形成されていることを特徴
とするイオン注入装置用ウエファサイズ変換アダプタ。
1. A support plate for holding a small-diameter wafer with its position regulated, or a support plate and a holding plate for holding a small-diameter wafer with its position restricted and sandwiching the support plate and the holding plate. Is formed in the same manner as a large diameter wafer, and is a wafer size conversion adapter for an ion implantation apparatus.
【請求項2】2.
JP4403292U 1992-06-03 1992-06-03 Wafer size conversion adapter for ion implantation equipment Pending JPH062684U (en)

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JP4403292U JPH062684U (en) 1992-06-03 1992-06-03 Wafer size conversion adapter for ion implantation equipment

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JP4403292U JPH062684U (en) 1992-06-03 1992-06-03 Wafer size conversion adapter for ion implantation equipment

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JP (1) JPH062684U (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011023546A (en) * 2009-07-16 2011-02-03 Shin Etsu Polymer Co Ltd Electronic component holder and method for using the same
JP2017128081A (en) * 2016-01-22 2017-07-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 Break device

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